JPH0677106A - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0677106A JPH0677106A JP4225406A JP22540692A JPH0677106A JP H0677106 A JPH0677106 A JP H0677106A JP 4225406 A JP4225406 A JP 4225406A JP 22540692 A JP22540692 A JP 22540692A JP H0677106 A JPH0677106 A JP H0677106A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- exposure amount
- forming
- pattern
- exposing
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は上記電極形成のためのフォトレジス
トパターンの形成にあたり、電極の大きさを安定させる
ために一定の庇部をフォトレジストパターンに形成する
ことを目的とする。 【構成】 回路が形成された基板上にポジタイプのフォ
トレジスト膜を形成する工程、電極形成予定域を除く領
域に適正露光量よりも少ない露光量で露光を施す工程、
前記露光領域よりも一回り小さい領域に適正露光量以上
の露光量の露光を施す工程、前記露光を施した部位のフ
ォトレジスト膜をアンモニアまたはアミン系化合物を含
む雰囲気中で、または単にベーキングを施し現像液に不
溶にする工程、全面に露光を施して現像する工程を含
み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、あるいは表面に
庇を有する形状のパターンに形成するフォトレジストパ
ターンの形成方法。
トパターンの形成にあたり、電極の大きさを安定させる
ために一定の庇部をフォトレジストパターンに形成する
ことを目的とする。 【構成】 回路が形成された基板上にポジタイプのフォ
トレジスト膜を形成する工程、電極形成予定域を除く領
域に適正露光量よりも少ない露光量で露光を施す工程、
前記露光領域よりも一回り小さい領域に適正露光量以上
の露光量の露光を施す工程、前記露光を施した部位のフ
ォトレジスト膜をアンモニアまたはアミン系化合物を含
む雰囲気中で、または単にベーキングを施し現像液に不
溶にする工程、全面に露光を施して現像する工程を含
み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、あるいは表面に
庇を有する形状のパターンに形成するフォトレジストパ
ターンの形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特にイメージリバース法を用いたリフトオフ法に
より電極を形成する際のフォトレジストパターン形成に
適用される。
係り、特にイメージリバース法を用いたリフトオフ法に
より電極を形成する際のフォトレジストパターン形成に
適用される。
【０００２】
【従来の技術】リフトオフ法による電極形成は、半導体
装置の製造に広く用いられており、重要な技術の一つに
なっている。リフトオフ法により電極を形成するとき
は、まず逆テーパ状、あるいはフォトレジスト表面に庇
を有するフォトレジストパターンを形成する。次に蒸着
等により全面に電極金属層を形成し、次いでフォトレジ
ストを除去することによりフォトレジスト膜上の金属も
除去され、所定の部分だけに電極が形成される。逆テー
パ状、あるいはフォトレジスト膜表面に庇を有するフォ
トレジストパターンを形成する方法は各種提案されてい
るが、イメージリバース法はプロセスが簡単であり、ま
た安定に庇を有するフォトレジストパターンを得られ、
また広範囲に亘る種類のポジタイプのフォトレジストを
使用できることからしばしば用いられる方法である。イ
メージリバース法で用いるフォトレジストには、露光後
に単にベーキングするたけで露光部分が変質し現像液に
不溶になるものもある。しかしこの種のフォトレジスト
では膜厚が限られるので、通常は膜厚に自由度のある通
常のポジタイプのフォトレジストを用いる。
装置の製造に広く用いられており、重要な技術の一つに
なっている。リフトオフ法により電極を形成するとき
は、まず逆テーパ状、あるいはフォトレジスト表面に庇
を有するフォトレジストパターンを形成する。次に蒸着
等により全面に電極金属層を形成し、次いでフォトレジ
ストを除去することによりフォトレジスト膜上の金属も
除去され、所定の部分だけに電極が形成される。逆テー
パ状、あるいはフォトレジスト膜表面に庇を有するフォ
トレジストパターンを形成する方法は各種提案されてい
るが、イメージリバース法はプロセスが簡単であり、ま
た安定に庇を有するフォトレジストパターンを得られ、
また広範囲に亘る種類のポジタイプのフォトレジストを
使用できることからしばしば用いられる方法である。イ
メージリバース法で用いるフォトレジストには、露光後
に単にベーキングするたけで露光部分が変質し現像液に
不溶になるものもある。しかしこの種のフォトレジスト
では膜厚が限られるので、通常は膜厚に自由度のある通
常のポジタイプのフォトレジストを用いる。
【０００３】一般に行われているイメージリバース法に
よるリフトオフ工程を図４によって説明する。回路が形
成された基板１０１にポジタイプのフォトレジスト１０
２をコートした後、マスク１０３を通して所定の部分の
フォトレジストを露光する（図４（ａ））。次にアンモ
ニア雰囲気中でベーキングすると、露光した部分のフォ
トレジスト１１２は変質したフォトレジスト１２２とな
り現像液に溶けなくなる（図４（ｂ））。次に全面露光
を施して未露光のフォトレジスト部１０２も露光し露光
されたフォトレジスト部１１２となし（図４（ｃ））、
現像すると変質した部分のフォトレジスト１２２だけが
残り、このときフォトレジストは逆テーパ状になるか、
フォトレジスト表面に庇が形成される（図５）。
よるリフトオフ工程を図４によって説明する。回路が形
成された基板１０１にポジタイプのフォトレジスト１０
２をコートした後、マスク１０３を通して所定の部分の
フォトレジストを露光する（図４（ａ））。次にアンモ
ニア雰囲気中でベーキングすると、露光した部分のフォ
トレジスト１１２は変質したフォトレジスト１２２とな
り現像液に溶けなくなる（図４（ｂ））。次に全面露光
を施して未露光のフォトレジスト部１０２も露光し露光
されたフォトレジスト部１１２となし（図４（ｃ））、
現像すると変質した部分のフォトレジスト１２２だけが
残り、このときフォトレジストは逆テーパ状になるか、
フォトレジスト表面に庇が形成される（図５）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記において、庇の大
きさは主として最初の露光の条件によって決定される。
イメージリバース法では、通常のパターニングでの適正
露光量よりも少ない露光条件で行う。このとき露光量が
少ないほど庇の大きさが大きくなり、通常の使い方での
適正露光量、ないしそれ以上の露光量では庇は出来なく
なる。フォトレジスト膜の厚さが薄い場合は、電極金属
の蒸着のときのフォトレジスト膜の庇の下への潜り込み
は庇の大きさがある程度あればほぼ同じになる。しかし
フォトレジストの膜厚が厚い場合には、電極金属層のフ
ォトレジストの庇の下への潜り込みも大きくなる。従っ
て電極の大きさが庇の大きさで異なって、安定した電極
の大きさを維持できなくなるという問題があった。フォ
トレジストパターンの形成条件を一定にしても、フォト
レジストの製造ロットの違い、またフォトレジストパタ
ーンの形成条件のわずかなばらつきによっても、庇の大
きさが違ってくるためである。
きさは主として最初の露光の条件によって決定される。
イメージリバース法では、通常のパターニングでの適正
露光量よりも少ない露光条件で行う。このとき露光量が
少ないほど庇の大きさが大きくなり、通常の使い方での
適正露光量、ないしそれ以上の露光量では庇は出来なく
なる。フォトレジスト膜の厚さが薄い場合は、電極金属
の蒸着のときのフォトレジスト膜の庇の下への潜り込み
は庇の大きさがある程度あればほぼ同じになる。しかし
フォトレジストの膜厚が厚い場合には、電極金属層のフ
ォトレジストの庇の下への潜り込みも大きくなる。従っ
て電極の大きさが庇の大きさで異なって、安定した電極
の大きさを維持できなくなるという問題があった。フォ
トレジストパターンの形成条件を一定にしても、フォト
レジストの製造ロットの違い、またフォトレジストパタ
ーンの形成条件のわずかなばらつきによっても、庇の大
きさが違ってくるためである。
【０００５】本発明は上記電極形成のためのフォトレジ
ストパターンの形成にあたり、電極の大きさを安定させ
るために一定の庇部をフォトレジストパターンに形成す
ることを目的とする。
ストパターンの形成にあたり、電極の大きさを安定させ
るために一定の庇部をフォトレジストパターンに形成す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトレジ
ストパターンの形成方法は、回路が形成された基板上に
ポジタイプのフォトレジスト膜を形成する工程、電極形
成予定域を除く領域に適正露光量よりも少ない露光量で
露光を施す工程、前記露光領域よりも一回り小さい領域
に適正露光量以上の露光量の露光を施す工程、前記露光
を施した部位のフォトレジスト膜をアンモニアまたはア
ミン系化合物を含む雰囲気中で、または単にベーキング
を施し現像液に不溶にする工程、全面に露光を施して現
像する工程を含み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、
あるいは表面に庇を有する形状のパターンに形成する。
ストパターンの形成方法は、回路が形成された基板上に
ポジタイプのフォトレジスト膜を形成する工程、電極形
成予定域を除く領域に適正露光量よりも少ない露光量で
露光を施す工程、前記露光領域よりも一回り小さい領域
に適正露光量以上の露光量の露光を施す工程、前記露光
を施した部位のフォトレジスト膜をアンモニアまたはア
ミン系化合物を含む雰囲気中で、または単にベーキング
を施し現像液に不溶にする工程、全面に露光を施して現
像する工程を含み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、
あるいは表面に庇を有する形状のパターンに形成する。
【０００７】
【作用】本発明によるフォトレジストパターンの形成方
法では、適正露光量以上で露光した部分と、適正露光量
より少ない露光量で露光した部分のパターンの差が庇の
大きさになる。従ってフォトレジストの製造ロットの違
いによる適正露光量の差異や、フォトレジストパターン
形成の条件のばらつきに影響されることなく、いつも一
定の庇の大きさを有するフォトレジストパターンが形成
される。
法では、適正露光量以上で露光した部分と、適正露光量
より少ない露光量で露光した部分のパターンの差が庇の
大きさになる。従ってフォトレジストの製造ロットの違
いによる適正露光量の差異や、フォトレジストパターン
形成の条件のばらつきに影響されることなく、いつも一
定の庇の大きさを有するフォトレジストパターンが形成
される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図１ないし図３
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００９】回路が形成された基板１１の上にポジタイ
プのフォトレジスト膜１２を形成した後、まず電極を形
成する領域（電極形成予定域）以外の部分を第一のフォ
トマスク１３を通して所定の部分を露光する（図１
（ａ））。このときのマスクの露光させない部分の大き
さ１３ａはフォトレジストの開口径の大きさであり、ま
た露光量は通常のポジタイプのフォトレジストとして使
用するときの適正露光量（露光量Ｔとする）よりも少な
くする。図中の２２は露光量Ｔより少ない露光が施され
た第一のフォトレジスト露光域である。
プのフォトレジスト膜１２を形成した後、まず電極を形
成する領域（電極形成予定域）以外の部分を第一のフォ
トマスク１３を通して所定の部分を露光する（図１
（ａ））。このときのマスクの露光させない部分の大き
さ１３ａはフォトレジストの開口径の大きさであり、ま
た露光量は通常のポジタイプのフォトレジストとして使
用するときの適正露光量（露光量Ｔとする）よりも少な
くする。図中の２２は露光量Ｔより少ない露光が施され
た第一のフォトレジスト露光域である。
【００１０】次に最初のパターンよりも一回り露光領域
が狭い第二のフォトマスク１４を用い、露光量Ｔ以上の
露光を施して前記フォトレジスト露光域２２の一部を第
二のフォトレジスト露光域３２に形成する（図１
（ｂ））。
が狭い第二のフォトマスク１４を用い、露光量Ｔ以上の
露光を施して前記フォトレジスト露光域２２の一部を第
二のフォトレジスト露光域３２に形成する（図１
（ｂ））。
【００１１】次いでアンモニア雰囲気中でベーキングを
施すと、既に露光を施したフォトレジスト露光域が変質
し、現像液に不溶のフォトレジスト露光域５２になる
（図１（ｃ））。
施すと、既に露光を施したフォトレジスト露光域が変質
し、現像液に不溶のフォトレジスト露光域５２になる
（図１（ｃ））。
【００１２】次に全面を露光し、現像すると変質したフ
ォトレジスト５２以外のフォトレジスト膜１２、および
フォトレジスト膜４２の庇部を除く部分が除去され、庇
を有する、あるいは逆テーパ状のフォトレジストパター
ンが得られる（図２）。次にこのときのフォトレジスト
膜のプロファイルを図３によって更に詳しく説明する。
ォトレジスト５２以外のフォトレジスト膜１２、および
フォトレジスト膜４２の庇部を除く部分が除去され、庇
を有する、あるいは逆テーパ状のフォトレジストパター
ンが得られる（図２）。次にこのときのフォトレジスト
膜のプロファイルを図３によって更に詳しく説明する。
【００１３】イメージリバース法で現像の条件等、他の
条件を一定として、最初の露光条件を変えたとき、フォ
トレジストのプロファイルは次の様になる。第一のマス
クで露光量が少ないときはＡで示すプロファイルにな
り、露光量が増加するに従ってＢ、Ｃとなり、露光量Ｔ
以上では、ほぼ垂直なプロファイルＤになる。次に第一
のマスクよりも露光部分が一回り小さい第二のマスクを
通し、露光量Ｔ以上で露光すると、その結果得られるプ
ロファイルはＥで示すようになる。従って２回の露光の
結果により得られるフォトレジストのプロファイルは、
Ａ、ＢあるいはＣと、Ｅとを合わせたものになる。庇の
形状は１回目の露光量によって異なるが、庇の大きさは
マスクの寸法の差、即ち｛（１４ａの幅）−（１３ａ
幅）｝／２となるので常に一定になる。第一の露光と第
二の露光でのマスク合わせのずれが懸念されるが、現在
は合わせ精度を０．１μｍ以下に出来るので問題となら
ない。
条件を一定として、最初の露光条件を変えたとき、フォ
トレジストのプロファイルは次の様になる。第一のマス
クで露光量が少ないときはＡで示すプロファイルにな
り、露光量が増加するに従ってＢ、Ｃとなり、露光量Ｔ
以上では、ほぼ垂直なプロファイルＤになる。次に第一
のマスクよりも露光部分が一回り小さい第二のマスクを
通し、露光量Ｔ以上で露光すると、その結果得られるプ
ロファイルはＥで示すようになる。従って２回の露光の
結果により得られるフォトレジストのプロファイルは、
Ａ、ＢあるいはＣと、Ｅとを合わせたものになる。庇の
形状は１回目の露光量によって異なるが、庇の大きさは
マスクの寸法の差、即ち｛（１４ａの幅）−（１３ａ
幅）｝／２となるので常に一定になる。第一の露光と第
二の露光でのマスク合わせのずれが懸念されるが、現在
は合わせ精度を０．１μｍ以下に出来るので問題となら
ない。
【００１４】以上述べたように、本発明によればイメー
ジリバース法で逆テーパ状、あるいはフォトレジスト膜
表面に庇を有するフォトレジストパターンを形成する際
に、庇の大きさを常に一定に出来る。従ってその後、全
面に蒸着等で電極金属層を形成し、リフトオフによって
所定部分にだけ電極を形成したときに、常に一定の大き
さの電極が得られる。
ジリバース法で逆テーパ状、あるいはフォトレジスト膜
表面に庇を有するフォトレジストパターンを形成する際
に、庇の大きさを常に一定に出来る。従ってその後、全
面に蒸着等で電極金属層を形成し、リフトオフによって
所定部分にだけ電極を形成したときに、常に一定の大き
さの電極が得られる。
【００１５】上記説明では露光の順序は第一のマスク１
３から第二のマスク１４の順に行っていたが、逆に第二
のマスク１４から第一のマスク１３の順に露光しても全
く同じ結果が得られた。
３から第二のマスク１４の順に行っていたが、逆に第二
のマスク１４から第一のマスク１３の順に露光しても全
く同じ結果が得られた。
【００１６】また上記説明では通常のフォトレジストを
用い、パターン露光の後にアンモニア雰囲気中でベーキ
ングして露光部分のフォトレジストを変質させて現像液
に不溶化したが、単にベーキングを施すだけで露光部分
を変質させ、現像液に不溶化するフォトレジストを用い
た場合でも同様の結果が得られる。
用い、パターン露光の後にアンモニア雰囲気中でベーキ
ングして露光部分のフォトレジストを変質させて現像液
に不溶化したが、単にベーキングを施すだけで露光部分
を変質させ、現像液に不溶化するフォトレジストを用い
た場合でも同様の結果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によればフォトレジストパターン
の形成において、適正露光量以上で露光した部分と、適
正露光量より少ない露光量で露光した部分のパターンの
差が庇の大きさになる。従ってフォトレジストの製造ロ
ットの違いによる適正露光量の差異や、フォトレジスト
パターン形成の条件のばらつきに影響されることなく、
いつも一定の庇の大きさを有するフォトレジストパター
ンが形成される。
の形成において、適正露光量以上で露光した部分と、適
正露光量より少ない露光量で露光した部分のパターンの
差が庇の大きさになる。従ってフォトレジストの製造ロ
ットの違いによる適正露光量の差異や、フォトレジスト
パターン形成の条件のばらつきに影響されることなく、
いつも一定の庇の大きさを有するフォトレジストパター
ンが形成される。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例に係るフォト
レジストパターンの形成方法の一部を工程順に示すいず
れも断面図。
レジストパターンの形成方法の一部を工程順に示すいず
れも断面図。
【図２】本発明の実施例に係るフォトレジストパターン
の形成方法の一部を示す断面図。
の形成方法の一部を示す断面図。
【図３】本発明を説明するための断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は従来のイメージリバース法に
よるフォトレジストパターンの形成方法の一部を工程順
に示すいずれも断面図。
よるフォトレジストパターンの形成方法の一部を工程順
に示すいずれも断面図。
【図５】従来のイメージリバース法によるフォトレジス
トパターンの形成方法の一部を示す断面図。
トパターンの形成方法の一部を示す断面図。
１、１１ （回路が形成された）基板 ２、１２ ポジタイプのフォトレジスト膜 ２２、３２ 露光したフォトレジスト域 ４２、５２ 変質したフォトレジスト域 １３、１４ マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 回路が形成された基板上にポジタイプの
フォトレジスト膜を形成する工程、電極形成予定域を除
く領域に適正露光量よりも少ない露光量で露光を施す工
程、前記露光領域よりも一回り小さい領域に適正露光量
以上の露光量の露光を施す工程、前記露光を施した部位
のフォトレジスト膜をアンモニアまたはアミン系化合物
を含む雰囲気中で、または単にベーキングを施し現像液
に不溶にする工程、全面に露光を施して現像する工程を
含み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、あるいは表面
に庇を有する形状のパターンに形成するフォトレジスト
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225406A JPH0677106A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225406A JPH0677106A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677106A true JPH0677106A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16828870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4225406A Pending JPH0677106A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677106A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962770B2 (en) * | 2000-09-14 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electroconductive film, and an apparatus including it |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2019145706A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP4225406A patent/JPH0677106A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962770B2 (en) * | 2000-09-14 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electroconductive film, and an apparatus including it |
| US7052823B2 (en) | 2000-09-14 | 2006-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electroconductive film, and method of manufacturing an image forming apparatus including the electroconductive film |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2019145706A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| US10686294B2 (en) | 2018-02-22 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Semiconductor element and method of manufacturing the same |
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