JPH09167760A - 同軸型プラズマ処理装置 - Google Patents
同軸型プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH09167760A JPH09167760A JP8231600A JP23160096A JPH09167760A JP H09167760 A JPH09167760 A JP H09167760A JP 8231600 A JP8231600 A JP 8231600A JP 23160096 A JP23160096 A JP 23160096A JP H09167760 A JPH09167760 A JP H09167760A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- chamber
- electrode
- internal electrode
- processing apparatus
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ処理装置の内部電極が新品（未だア
ッシング処理に使用していない）であると、アッシング
速度が規定値に達せずレジスト膜を除去できない部分が
生じる。 【解決手段】 同軸型プラズマ処理装置は筒状チャンバ
ー１を下部チャンバープレート２上に設置し、筒状チャ
ンバー１の上端開口を上部チャンバープレート３で閉塞
し、下部チャンバープレート２の開口２ａには下方から
昇降プレート４が嵌り込むようにし、この昇降プレート
４上にウェハ保持体５を立設している。また、筒状チャ
ンバー１の外周には筒状外部電極７を配置し、内方には
外部電極７と同軸状に内部電極８を配置している。内部
電極８はアルミニウム合金からなるパンチングメタル或
いは金網から構成され、多数の小孔８ａ・・・を有し、こ
の内部電極８は筒状チャンバー１内にセットする前にア
ニーリングされている。
ッシング処理に使用していない）であると、アッシング
速度が規定値に達せずレジスト膜を除去できない部分が
生じる。 【解決手段】 同軸型プラズマ処理装置は筒状チャンバ
ー１を下部チャンバープレート２上に設置し、筒状チャ
ンバー１の上端開口を上部チャンバープレート３で閉塞
し、下部チャンバープレート２の開口２ａには下方から
昇降プレート４が嵌り込むようにし、この昇降プレート
４上にウェハ保持体５を立設している。また、筒状チャ
ンバー１の外周には筒状外部電極７を配置し、内方には
外部電極７と同軸状に内部電極８を配置している。内部
電極８はアルミニウム合金からなるパンチングメタル或
いは金網から構成され、多数の小孔８ａ・・・を有し、こ
の内部電極８は筒状チャンバー１内にセットする前にア
ニーリングされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ表面の
レジスト膜のアッシング等に用いる同軸型プラズマ処理
装置に関する。
レジスト膜のアッシング等に用いる同軸型プラズマ処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】同軸型プラズマ処理装置の一般的な構造
は、特公昭５３ー３３４７１号公報にも開示されるよう
に、合成石英等から成る筒状チャンバーの外側に高周波
発振器に接続される筒状外部電極を設け、筒状チャンバ
ーの内方に外部電極と電気的に絶縁された内部電極を設
けている。この内部電極はアルミニウムの割合が約９６
％の材料からなり、且つ多数の小孔を形成したパンチン
グメタル或いは金網を筒状に成形して構成される。
は、特公昭５３ー３３４７１号公報にも開示されるよう
に、合成石英等から成る筒状チャンバーの外側に高周波
発振器に接続される筒状外部電極を設け、筒状チャンバ
ーの内方に外部電極と電気的に絶縁された内部電極を設
けている。この内部電極はアルミニウムの割合が約９６
％の材料からなり、且つ多数の小孔を形成したパンチン
グメタル或いは金網を筒状に成形して構成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マ処理装置を用いて半導体ウェハ表面に形成したレジス
ト膜をアッシングする場合に、当該プラズマ処理装置の
内部電極が新品（未だアッシング処理に使用していな
い）であると、アッシング速度が規定値に達せずレジス
ト膜を除去できない部分が生じる。そこで、従来にあっ
ては新しい電極を使用する場合には約２０時間ほど空放
電（エージング）した後にプラズマ処理装置として使用
するようにしていた。
マ処理装置を用いて半導体ウェハ表面に形成したレジス
ト膜をアッシングする場合に、当該プラズマ処理装置の
内部電極が新品（未だアッシング処理に使用していな
い）であると、アッシング速度が規定値に達せずレジス
ト膜を除去できない部分が生じる。そこで、従来にあっ
ては新しい電極を使用する場合には約２０時間ほど空放
電（エージング）した後にプラズマ処理装置として使用
するようにしていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、同軸型プラズマ処理装置のアルミニウム製内部
電極として、プラズマ処理の際のチャンバー内の到達温
度よりも高い温度で予めアニーリングしたものをセット
した。
発明は、同軸型プラズマ処理装置のアルミニウム製内部
電極として、プラズマ処理の際のチャンバー内の到達温
度よりも高い温度で予めアニーリングしたものをセット
した。
【０００５】例えば３００℃で１時間アニーリングした
内部電極を用いた場合には、空放電時間は２時間程度で
済むことになる。
内部電極を用いた場合には、空放電時間は２時間程度で
済むことになる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
プラズマ処理装置の断面図であり、同軸型プラズマ処理
装置は合成石英、パイレックスガラス等から成る筒状チ
ャンバー１を環状をなす下部チャンバープレート２上に
設置し、筒状チャンバー１の上端開口を上部チャンバー
プレート３で閉塞している。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
プラズマ処理装置の断面図であり、同軸型プラズマ処理
装置は合成石英、パイレックスガラス等から成る筒状チ
ャンバー１を環状をなす下部チャンバープレート２上に
設置し、筒状チャンバー１の上端開口を上部チャンバー
プレート３で閉塞している。
【０００７】これらチャンバープレート２，３について
はアルミニウム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料
にて構成してアースし、また下部チャンバープレート２
の中央に形成した開口２ａには下方から昇降プレート４
が嵌り込むようにし、この昇降プレート４上に多数のウ
ェハＷ（５０枚）を保持するウェハ保持体５を立設して
いる。
はアルミニウム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料
にて構成してアースし、また下部チャンバープレート２
の中央に形成した開口２ａには下方から昇降プレート４
が嵌り込むようにし、この昇降プレート４上に多数のウ
ェハＷ（５０枚）を保持するウェハ保持体５を立設して
いる。
【０００８】また、筒状チャンバー１の外周には高周波
発振器６に接続される筒状外部電極７を配置し、筒状チ
ャンバー１の内方には前記外部電極７と同軸状に内部電
極８を配置している。ここで、同軸状とは外部電極７と
内部電極８の中心が完全に一致するものだけでなく多少
ずれているものをも意味する。
発振器６に接続される筒状外部電極７を配置し、筒状チ
ャンバー１の内方には前記外部電極７と同軸状に内部電
極８を配置している。ここで、同軸状とは外部電極７と
内部電極８の中心が完全に一致するものだけでなく多少
ずれているものをも意味する。
【０００９】更に、内部電極８はアルミニウム合金から
なるパンチングメタル或いは金網から構成され、多数の
小孔８ａ・・・を有している。そして、この内部電極８は
筒状チャンバー１内にセットする前にアニーリングされ
ている。
なるパンチングメタル或いは金網から構成され、多数の
小孔８ａ・・・を有している。そして、この内部電極８は
筒状チャンバー１内にセットする前にアニーリングされ
ている。
【００１０】アニーリングの条件としてはプラズマ処理
の際のチャンバー内の到達温度よりも高い温度（３００
℃程度）で１時間程度とする。また、内部電極８の材料
として用いるアルミニウム合金は銅（Ｃu）を3.8〜4.9
ｗ％含むものが前記アニーリング時間及び空放電時間を
より短縮できることが実験の結果判明している。
の際のチャンバー内の到達温度よりも高い温度（３００
℃程度）で１時間程度とする。また、内部電極８の材料
として用いるアルミニウム合金は銅（Ｃu）を3.8〜4.9
ｗ％含むものが前記アニーリング時間及び空放電時間を
より短縮できることが実験の結果判明している。
【００１１】一方、外部電極７と内部電極８との間に形
成されるプラズマ発生空間９には反応ガス導入管１０及
び配気管１１を臨ませ、配気管１１を介してチャンバー
１内を減圧した状態でガス導入管１０から反応ガスを導
入するとともに、外部電極７に高周波を印加する。する
と、外部電極７と内部電極８との間のプラズマ発生空間
９にプラズマが発生し、このプラズマ中のイオンや荷電
粒子は排除されて有効なラジカルが内部電極８の小孔８
ａを通って内部電極８で囲まれる反応空間に入り、ウェ
ハＷ表面のレジスト膜を除去する。
成されるプラズマ発生空間９には反応ガス導入管１０及
び配気管１１を臨ませ、配気管１１を介してチャンバー
１内を減圧した状態でガス導入管１０から反応ガスを導
入するとともに、外部電極７に高周波を印加する。する
と、外部電極７と内部電極８との間のプラズマ発生空間
９にプラズマが発生し、このプラズマ中のイオンや荷電
粒子は排除されて有効なラジカルが内部電極８の小孔８
ａを通って内部電極８で囲まれる反応空間に入り、ウェ
ハＷ表面のレジスト膜を除去する。
【００１２】
【発明の効果】図２（Ａ）及び（Ｂ）はいずれも本発明
に係るプラズマ処理装置を用いてレジスト膜をアッシン
グした場合の結果を示すグラフであり、縦軸はウェハ保
持具の何段目に位置しているウェハかを表わし、横軸は
ウェハ中心部における残膜厚み（μm）を表わす。
に係るプラズマ処理装置を用いてレジスト膜をアッシン
グした場合の結果を示すグラフであり、縦軸はウェハ保
持具の何段目に位置しているウェハかを表わし、横軸は
ウェハ中心部における残膜厚み（μm）を表わす。
【００１３】これらのグラフから明らかなように、３０
０℃（プラズマ処理の際のチャンバー内の到達温度より
も高い温度）でアニーリングした内部電極を用いれば、
全く空放電しなければ図２（Ａ）に示すようにレジスト
膜は残るが、２時間程度のアニーリングで図２（Ｂ）に
示すようにアッシング速度は規定値に達する。したがっ
て、本考案によれば、製作した後のプラズマ処理装置の
空運転の時間とエネルギーを大幅に削減できる。
０℃（プラズマ処理の際のチャンバー内の到達温度より
も高い温度）でアニーリングした内部電極を用いれば、
全く空放電しなければ図２（Ａ）に示すようにレジスト
膜は残るが、２時間程度のアニーリングで図２（Ｂ）に
示すようにアッシング速度は規定値に達する。したがっ
て、本考案によれば、製作した後のプラズマ処理装置の
空運転の時間とエネルギーを大幅に削減できる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の断面図
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明に係るプラズマ処理
装置を用いてレジスト膜をアッシングした場合の残膜の
厚みを示すグラフ
装置を用いてレジスト膜をアッシングした場合の残膜の
厚みを示すグラフ
１…筒状チャンバー、５…ウェハ保持体、７…外部電
極、８…は内部電極、Ｗ…ウェハ。
極、８…は内部電極、Ｗ…ウェハ。
Claims (2)
- 【請求項１】 筒状処理チャンバーの外側に高周波発振
器に接続する外部電極を配置し、処理チャンバー内方に
多数の小孔を形成した筒状の内部電極を同軸状に配置し
た同軸型プラズマ処理チャンバーにおいて、前記内部電
極はアルミニウムを主成分とし、且つプラズマ処理の際
のチャンバー内の到達温度よりも高い温度で予めアニー
リングされていることを特徴とする同軸型プラズマ処理
装置。 - 【請求項２】 前記内部電極はＣｕを3.8w%〜4.9w% 含
有するアルミニウム合金にて構成したことを特徴とする
請求項（１）に記載の同軸型プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231600A JP3020878B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8231600A JP3020878B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167760A true JPH09167760A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3020878B2 JP3020878B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=16926062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8231600A Expired - Fee Related JP3020878B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3020878B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013048026A1 (en) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Deposition apparatus |
| KR101390785B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2014-04-30 | (주)소슬 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP8231600A patent/JP3020878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101390785B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2014-04-30 | (주)소슬 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2013048026A1 (en) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Deposition apparatus |
| US9926625B2 (en) | 2011-09-27 | 2018-03-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3020878B2 (ja) | 2000-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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