JPH0916925A - 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0916925A JPH0916925A JP7186320A JP18632095A JPH0916925A JP H0916925 A JPH0916925 A JP H0916925A JP 7186320 A JP7186320 A JP 7186320A JP 18632095 A JP18632095 A JP 18632095A JP H0916925 A JPH0916925 A JP H0916925A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 MR型磁気ヘッドの一方のシールド膜が誘導
型磁気ヘッドの一方のコアを兼ねるタイプの誘導型・M
R型複合磁気ヘッドにおいて、書込みギャップの曲折を
解消して記録密度を向上させる。 【構成】 リード30,31はMR素子28に比べて膜
厚が厚く、リード30,31とMR素子感応部28aの
境には段差52,54が形成されている。上ギャップ3
2は一定の膜厚で成膜されており、段差52,54を転
写した部分が曲折し、上面に凹状56が形成されてい
る。上シールド兼下コア34は、下面に上ギャップ32
の上面の凹状56を転写した凸状58が形成されている
が、上面70はMR素子28に平行な平坦面に形成され
ている。したがって、その上に成膜される書込みギャッ
プ36もMR素子28に平行な直線状に形成されてい
る。
型磁気ヘッドの一方のコアを兼ねるタイプの誘導型・M
R型複合磁気ヘッドにおいて、書込みギャップの曲折を
解消して記録密度を向上させる。 【構成】 リード30,31はMR素子28に比べて膜
厚が厚く、リード30,31とMR素子感応部28aの
境には段差52,54が形成されている。上ギャップ3
2は一定の膜厚で成膜されており、段差52,54を転
写した部分が曲折し、上面に凹状56が形成されてい
る。上シールド兼下コア34は、下面に上ギャップ32
の上面の凹状56を転写した凸状58が形成されている
が、上面70はMR素子28に平行な平坦面に形成され
ている。したがって、その上に成膜される書込みギャッ
プ36もMR素子28に平行な直線状に形成されてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ハードディスク用磁
気ヘッド等に用いられる誘導型・MR(磁気抵抗効果)
型複合磁気ヘッドに関し、記録密度の向上を図ったもの
である。
気ヘッド等に用いられる誘導型・MR(磁気抵抗効果)
型複合磁気ヘッドに関し、記録密度の向上を図ったもの
である。
【0002】
【従来の技術】MR型磁気ヘッドは、MR素子を用いて
磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記録情
報を再生する再生専用の磁気ヘッドで、誘導型磁気ヘッ
ドに比べてトラック密度、線記録密度を高くできる利点
があり、記録用の誘導型磁気ヘッドと組合わせて誘導型
・MR型複合磁気ヘッドとして構成される。
磁気記録媒体の磁極から発生する磁界を検出して記録情
報を再生する再生専用の磁気ヘッドで、誘導型磁気ヘッ
ドに比べてトラック密度、線記録密度を高くできる利点
があり、記録用の誘導型磁気ヘッドと組合わせて誘導型
・MR型複合磁気ヘッドとして構成される。
【0003】従来のハードディスク用誘導型・MR型複
合磁気ヘッドを図2に示す。図2において、(a)は断
面側面図、(b)は記録媒体対向面側から見た斜視図で
ある。誘導型・MR型複合磁気ヘッド10は、MR型磁
気ヘッド12の上に誘導型磁気ヘッド14を積層して構
成されている。両ヘッド12,14とも薄膜形成技術を
利用して作られている。
合磁気ヘッドを図2に示す。図2において、(a)は断
面側面図、(b)は記録媒体対向面側から見た斜視図で
ある。誘導型・MR型複合磁気ヘッド10は、MR型磁
気ヘッド12の上に誘導型磁気ヘッド14を積層して構
成されている。両ヘッド12,14とも薄膜形成技術を
利用して作られている。
【0004】MR型磁気ヘッド12は、スライダ基板1
6の後端面に下シールド18が構成され、その上に絶縁
層を構成する下ギャップ20(再生ギャップ)が積層さ
れている。下ギャップ20上にはMR膜46、スペーサ
48、SAL(Soft Adjacent Layer :近接軟磁性層)
バイアス膜50を積層したMR素子28がその先端部を
記録媒体対向面(ABS面:Air Bearing Surface )2
4に臨ませて構成されている。MR素子28の左右両側
には、リード(リード・コンダクタ)30,31が接合
されている。MR素子28のうち、リード30,31が
接合されていない部分が感応部となり、リード30,3
1が接合されている部分が非感応部となる。MR素子2
8およびリード30,31の上には、絶縁層を構成する
上ギャップ32(再生ギャップ)が構成され、さらにそ
の上に上シールド34が構成されている。
6の後端面に下シールド18が構成され、その上に絶縁
層を構成する下ギャップ20(再生ギャップ)が積層さ
れている。下ギャップ20上にはMR膜46、スペーサ
48、SAL(Soft Adjacent Layer :近接軟磁性層)
バイアス膜50を積層したMR素子28がその先端部を
記録媒体対向面(ABS面:Air Bearing Surface )2
4に臨ませて構成されている。MR素子28の左右両側
には、リード(リード・コンダクタ)30,31が接合
されている。MR素子28のうち、リード30,31が
接合されていない部分が感応部となり、リード30,3
1が接合されている部分が非感応部となる。MR素子2
8およびリード30,31の上には、絶縁層を構成する
上ギャップ32(再生ギャップ)が構成され、さらにそ
の上に上シールド34が構成されている。
【0005】誘導型磁気ヘッド14は、MR型磁気ヘッ
ド12の上シールド34を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ36、コイルおよび絶縁層38、上コ
ア40、保護膜42を順次積層して構成されている。
ド12の上シールド34を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ36、コイルおよび絶縁層38、上コ
ア40、保護膜42を順次積層して構成されている。
【0006】図2の誘導型・MR型複合磁気ヘッド10
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド14のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア40,34間の書込みギ
ャップ36に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体
に対する記録が行なわれる。また、再生時は、MR型磁
気ヘッド12のリード30,31を通じてMR素子28
にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレース
することにより、トラック上の情報に応じてMR素子2
8の両端の電圧が変調され、この電圧を検出することに
より再生が行なわれる。
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド14のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア40,34間の書込みギ
ャップ36に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体
に対する記録が行なわれる。また、再生時は、MR型磁
気ヘッド12のリード30,31を通じてMR素子28
にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレース
することにより、トラック上の情報に応じてMR素子2
8の両端の電圧が変調され、この電圧を検出することに
より再生が行なわれる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図3は、図2の誘導型
・MR型複合磁気ヘッド10の記録媒体対向面24側か
ら見た正面図である。MR素子28の左右両側部分に
は、MR素子28に比べて厚い低抵抗のリード30,3
1の膜が形成されている。MR素子28のうち、リード
30,31で挟まれた部分が感応部28aを構成する。
通常、書込み幅(=ほぼ上ポール44の幅)は、感応部
28aの幅よりも広く設定される。また、上ポール幅の
中心と、MR素子感応部幅の中心とはオフセットされて
いる。
・MR型複合磁気ヘッド10の記録媒体対向面24側か
ら見た正面図である。MR素子28の左右両側部分に
は、MR素子28に比べて厚い低抵抗のリード30,3
1の膜が形成されている。MR素子28のうち、リード
30,31で挟まれた部分が感応部28aを構成する。
通常、書込み幅(=ほぼ上ポール44の幅)は、感応部
28aの幅よりも広く設定される。また、上ポール幅の
中心と、MR素子感応部幅の中心とはオフセットされて
いる。
【0008】図3のMR型・誘導型複合磁気ヘッド10
の製造工程において、MR素子28の上にリード30,
31を形成すると、MR素子感応部28aとリード3
0,31との境に段差52,54を生じる。この段差5
2,54により、その上に上ギャップ32を成膜する
と、上ギャップ32は段差52,54を転写して曲折
し、上ギャップ32の上面に凹状56が形成される。さ
らにその上に上シールド兼下コア34を成膜すると、上
シールド兼下コア34は上ギャップ32の上面の凹状5
6を転写して曲折し、上シールド兼下コア34の下面に
凸状58が形成され、その上面に凹状60が形成され
る。したがって、その上に書込みギャップ36を成膜す
ると、書込みギャップ36は、上シールド兼下コア34
の上面の凹状60を転写して曲折62,64を生じる。
この曲折62,64は、リード30,31が厚いため、
ポール正面から見てMR素子感応部28aの幅の内側に
生じる。
の製造工程において、MR素子28の上にリード30,
31を形成すると、MR素子感応部28aとリード3
0,31との境に段差52,54を生じる。この段差5
2,54により、その上に上ギャップ32を成膜する
と、上ギャップ32は段差52,54を転写して曲折
し、上ギャップ32の上面に凹状56が形成される。さ
らにその上に上シールド兼下コア34を成膜すると、上
シールド兼下コア34は上ギャップ32の上面の凹状5
6を転写して曲折し、上シールド兼下コア34の下面に
凸状58が形成され、その上面に凹状60が形成され
る。したがって、その上に書込みギャップ36を成膜す
ると、書込みギャップ36は、上シールド兼下コア34
の上面の凹状60を転写して曲折62,64を生じる。
この曲折62,64は、リード30,31が厚いため、
ポール正面から見てMR素子感応部28aの幅の内側に
生じる。
【0009】このように、曲折した書込みギャップ36
によって記録媒体(ハードディスク)上に信号の記録を
行なうと、図4に示すように、信号は曲折した磁化反応
部68を持ちながら記録媒体66上に記録される。この
曲折して記録された信号をMR型磁気ヘッド12で読み
取ると、MR素子感応部28a自身は一直線で曲折がな
いため、磁化反転部68の曲折部で時間軸成分のずれを
持った信号として再生される。その再生信号波形を図5
に示す。これによれば、トラック幅中心部の平行磁化パ
ターン部68aの読み出し信号の鋭い波形とその前また
は後にずれた曲折パターン部68aの読み出し信号の合
成により、ピーク部が低く、裾野をひいた再生波形とな
る。このような再生波形は、ピーク位置の確定が不明瞭
になり、記録密度を上げるための妨げになっていた。
によって記録媒体(ハードディスク)上に信号の記録を
行なうと、図4に示すように、信号は曲折した磁化反応
部68を持ちながら記録媒体66上に記録される。この
曲折して記録された信号をMR型磁気ヘッド12で読み
取ると、MR素子感応部28a自身は一直線で曲折がな
いため、磁化反転部68の曲折部で時間軸成分のずれを
持った信号として再生される。その再生信号波形を図5
に示す。これによれば、トラック幅中心部の平行磁化パ
ターン部68aの読み出し信号の鋭い波形とその前また
は後にずれた曲折パターン部68aの読み出し信号の合
成により、ピーク部が低く、裾野をひいた再生波形とな
る。このような再生波形は、ピーク位置の確定が不明瞭
になり、記録密度を上げるための妨げになっていた。
【0010】この発明は、前記従来技術の問題点を解決
して、MR型磁気ヘッドの一方のシールド膜が誘導型磁
気ヘッドの一方のコアを兼ねるタイプの誘導型・MR型
複合磁気ヘッドにおいて、書込みギャップの曲折を解消
して、記録媒体上に信号を磁化反転部が曲折することな
く記録できるようにして、再生波形の急峻度を向上させ
て記録密度の向上を図った誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
して、MR型磁気ヘッドの一方のシールド膜が誘導型磁
気ヘッドの一方のコアを兼ねるタイプの誘導型・MR型
複合磁気ヘッドにおいて、書込みギャップの曲折を解消
して、記録媒体上に信号を磁化反転部が曲折することな
く記録できるようにして、再生波形の急峻度を向上させ
て記録密度の向上を図った誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の誘導型・MR
型複合磁気ヘッドは、基板上に、少くとも、下シール
ド、下ギャップ、MR素子、当該MR素子の感応部を挟
んでその左右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャ
ップ、上シールド兼下コア、書込みギャップ、コイルお
よび絶縁層、上コアを積層してなる誘導型・MR型複合
磁気ヘッドにおいて、前記上ギャップは、前記MR素子
の感応部の位置において当該MR素子の感応部と前記リ
ードとの境に形成される段差を転写して上面が凹状に形
成されており、前記上シールド兼下コアは、前記感応部
の位置において下面が前記上ギャップの凹状を転写して
凸状に形成され、上面が前記MR素子の感応部に平行な
平坦面に形成されており、前記書込みギャップが前記上
シールド兼下コアの上面を転写して前記MR素子の感応
部に平行に形成されてなるものである。
型複合磁気ヘッドは、基板上に、少くとも、下シール
ド、下ギャップ、MR素子、当該MR素子の感応部を挟
んでその左右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャ
ップ、上シールド兼下コア、書込みギャップ、コイルお
よび絶縁層、上コアを積層してなる誘導型・MR型複合
磁気ヘッドにおいて、前記上ギャップは、前記MR素子
の感応部の位置において当該MR素子の感応部と前記リ
ードとの境に形成される段差を転写して上面が凹状に形
成されており、前記上シールド兼下コアは、前記感応部
の位置において下面が前記上ギャップの凹状を転写して
凸状に形成され、上面が前記MR素子の感応部に平行な
平坦面に形成されており、前記書込みギャップが前記上
シールド兼下コアの上面を転写して前記MR素子の感応
部に平行に形成されてなるものである。
【0012】この発明の誘導型・MR型複合磁気ヘッド
の製造方法は、基板上に、少くとも、下シールド、下ギ
ャップ、MR膜、当該MR素子の感応部を挟んでその左
右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャップ、上シ
ールド兼下コア、書込みギャップ、コイルおよび絶縁
層、上コアを積層して誘導型・MR型複合磁気ヘッドを
製造する方法であって、前記上シールド兼下コアを積層
した後、その上面を研磨して、前記MR素子の感応部と
前記リードとの境に形成される段差を転写して形成され
た当該上シールド兼下コアの上面の凹状を除去し前記M
R素子感応部に平行な平坦面を形成する工程を経て前記
書込みギャップを積層してなるものである。
の製造方法は、基板上に、少くとも、下シールド、下ギ
ャップ、MR膜、当該MR素子の感応部を挟んでその左
右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャップ、上シ
ールド兼下コア、書込みギャップ、コイルおよび絶縁
層、上コアを積層して誘導型・MR型複合磁気ヘッドを
製造する方法であって、前記上シールド兼下コアを積層
した後、その上面を研磨して、前記MR素子の感応部と
前記リードとの境に形成される段差を転写して形成され
た当該上シールド兼下コアの上面の凹状を除去し前記M
R素子感応部に平行な平坦面を形成する工程を経て前記
書込みギャップを積層してなるものである。
【0013】また、この発明の誘導型・MR型複合磁気
ヘッドの製造方法は、前記上シールド兼下コアを積層し
た後、その上面に無機絶縁膜を成膜して、当該無機絶縁
膜上から前記上シールド兼下コアにかけて前記研磨を施
すこともできる。
ヘッドの製造方法は、前記上シールド兼下コアを積層し
た後、その上面に無機絶縁膜を成膜して、当該無機絶縁
膜上から前記上シールド兼下コアにかけて前記研磨を施
すこともできる。
【0014】
【作用】この発明の誘導型・MR型複合磁気ヘッドによ
れば、上シールド兼下コアの上面がMR素子の感応部に
平行な平坦面に形成されているので、その上に形成され
る書込みギャップもMR素子の感応部に平行に形成され
る。したがって、この書込みギャップによって記録媒体
上に記録された信号の磁化反転部は直線となり、この記
録信号をMR素子で読み取った時の再生信号波形は急峻
になり、磁気反転部の確定が時間的に安定し、狭い間隔
の信号の変化がより明確になる。したがって、信号ピー
クの時間的確定が精細化し、磁化反転部は同一の間隔の
間により多く詰め込めるようになるため、記録密度を安
定して高めることができる。しかも、上ギャップはMR
素子感応部の位置において、MR素子感応部とリードと
の境に形成される段差を転写して上面を凹状に形成して
いるので、所定の狭い再生ギャップを形成することがで
きる(上ギャップの上面を平坦化すると、MR膜感応部
の位置で上ギャップの厚さが厚くならざるをえず、記録
密度が低下する。)。
れば、上シールド兼下コアの上面がMR素子の感応部に
平行な平坦面に形成されているので、その上に形成され
る書込みギャップもMR素子の感応部に平行に形成され
る。したがって、この書込みギャップによって記録媒体
上に記録された信号の磁化反転部は直線となり、この記
録信号をMR素子で読み取った時の再生信号波形は急峻
になり、磁気反転部の確定が時間的に安定し、狭い間隔
の信号の変化がより明確になる。したがって、信号ピー
クの時間的確定が精細化し、磁化反転部は同一の間隔の
間により多く詰め込めるようになるため、記録密度を安
定して高めることができる。しかも、上ギャップはMR
素子感応部の位置において、MR素子感応部とリードと
の境に形成される段差を転写して上面を凹状に形成して
いるので、所定の狭い再生ギャップを形成することがで
きる(上ギャップの上面を平坦化すると、MR膜感応部
の位置で上ギャップの厚さが厚くならざるをえず、記録
密度が低下する。)。
【0015】また、この発明の誘導型・MR型複合磁気
ヘッドの製造方法によれば、上シールド兼下コアを積層
した後、その上面を研磨して、MR素子の感応部とリー
ドとの境に形成される段差を転写して形成された上シー
ルド兼下コアの上面の凹状を除去しMR素子感応部に平
行な平坦面に形成する工程を経て書込みギャップを積層
するようにしたので、MR素子感応部に平行な書込みギ
ャップを持った誘導型・MR型複合磁気ヘッドを製造す
ることができる。
ヘッドの製造方法によれば、上シールド兼下コアを積層
した後、その上面を研磨して、MR素子の感応部とリー
ドとの境に形成される段差を転写して形成された上シー
ルド兼下コアの上面の凹状を除去しMR素子感応部に平
行な平坦面に形成する工程を経て書込みギャップを積層
するようにしたので、MR素子感応部に平行な書込みギ
ャップを持った誘導型・MR型複合磁気ヘッドを製造す
ることができる。
【0016】また、上シールド兼下コアを積層した後、
その上面に無機絶縁膜を成膜して上シールド兼下コアの
周囲および上シールド兼下コアの上面の凹状を無機絶縁
膜で埋めた状態で研磨することにより、研磨によって上
シールド兼下コアに欠けが生じるのを防止することがで
き、歩留りを向上させることができる。
その上面に無機絶縁膜を成膜して上シールド兼下コアの
周囲および上シールド兼下コアの上面の凹状を無機絶縁
膜で埋めた状態で研磨することにより、研磨によって上
シールド兼下コアに欠けが生じるのを防止することがで
き、歩留りを向上させることができる。
【0017】
【実施例】この発明の誘導型・MR型複合磁気ヘッドの
一実施例を図1に示す。前記図2、図3の従来の磁気ヘ
ッド10と共通する部分には同一の符号を用いる。図1
において、(a)は記録媒体対向面側から見た斜視図、
(b)は同正面図である。誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ド11は、MR型磁気ヘッド12の上に誘導型磁気ヘッ
ド14を積層して構成されている。両ヘッド12,14
とも薄膜形成技術を利用して作られている。
一実施例を図1に示す。前記図2、図3の従来の磁気ヘ
ッド10と共通する部分には同一の符号を用いる。図1
において、(a)は記録媒体対向面側から見た斜視図、
(b)は同正面図である。誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ド11は、MR型磁気ヘッド12の上に誘導型磁気ヘッ
ド14を積層して構成されている。両ヘッド12,14
とも薄膜形成技術を利用して作られている。
【0018】MR型磁気ヘッド12は、スライダ基板1
6の後端面に下シールド18が構成され、その上に絶縁
層を構成する下ギャップ20が積層されている。下ギャ
ップ20上にはMR膜46、スペーサ48、SALバイ
アス膜50を積層したMR素子28がその先端部を記録
媒体対向面24に臨ませて構成されている。MR素子2
8の左右両側には、リード30,31が接合されてい
る。MR素子28のうち、リード30,31が接合され
ていない部分が感応部となり、リード30,31が接合
されている部分が非感応部となる。MR素子28および
リード30,31の上には、絶縁層を構成する上ギャッ
プ32が構成され、さらにその上に上シールド34が構
成されている。
6の後端面に下シールド18が構成され、その上に絶縁
層を構成する下ギャップ20が積層されている。下ギャ
ップ20上にはMR膜46、スペーサ48、SALバイ
アス膜50を積層したMR素子28がその先端部を記録
媒体対向面24に臨ませて構成されている。MR素子2
8の左右両側には、リード30,31が接合されてい
る。MR素子28のうち、リード30,31が接合され
ていない部分が感応部となり、リード30,31が接合
されている部分が非感応部となる。MR素子28および
リード30,31の上には、絶縁層を構成する上ギャッ
プ32が構成され、さらにその上に上シールド34が構
成されている。
【0019】リード30,31はMR素子28に比べて
膜厚が厚く、リード30,31とMR素子感応部28a
の境には段差52,54が形成されている。上ギャップ
32は一定の膜厚で成膜されており、段差52,54を
転写した部分が曲折し、上面に凹状56が形成されてい
る。上シールド兼下コア34は、下面に上ギャップ32
の上面の凹状56を転写した凸状58が形成されている
が、上面70はMR素子28に平行な平坦面に形成され
ている。したがって、その上に成膜される書込みギャッ
プ36もMR素子28に平行な直線状に形成されてい
る。
膜厚が厚く、リード30,31とMR素子感応部28a
の境には段差52,54が形成されている。上ギャップ
32は一定の膜厚で成膜されており、段差52,54を
転写した部分が曲折し、上面に凹状56が形成されてい
る。上シールド兼下コア34は、下面に上ギャップ32
の上面の凹状56を転写した凸状58が形成されている
が、上面70はMR素子28に平行な平坦面に形成され
ている。したがって、その上に成膜される書込みギャッ
プ36もMR素子28に平行な直線状に形成されてい
る。
【0020】誘導型磁気ヘッド14は、MR型磁気ヘッ
ド12の上シールド34を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ36、コイルおよび絶縁層38、上コ
ア40、保護膜42を順次積層して構成されている。書
込み幅(=ほぼ上ポール44の幅)は、感応部28aの
幅よりも広く設定されている。また、上ポール幅の中心
と、MR素子感応部幅の中心とはオフセットされてい
る。
ド12の上シールド34を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ36、コイルおよび絶縁層38、上コ
ア40、保護膜42を順次積層して構成されている。書
込み幅(=ほぼ上ポール44の幅)は、感応部28aの
幅よりも広く設定されている。また、上ポール幅の中心
と、MR素子感応部幅の中心とはオフセットされてい
る。
【0021】図1の誘導型・MR型複合磁気ヘッド11
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド14のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア40,34間の書込みギ
ャップ36に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体
に対する記録が行なわれる。また、再生時は、MR型磁
気ヘッド12のリード30,31を通じてMR素子28
にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレース
することにより、トラック上の情報に応じてMR素子2
8の両端の電圧が変調され、この電圧を検出することに
より再生が行なわれる。
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド14のコイルに記録信
号を流すことにより、上下コア40,34間の書込みギ
ャップ36に記録磁界が発生して、この磁界で記録媒体
に対する記録が行なわれる。また、再生時は、MR型磁
気ヘッド12のリード30,31を通じてMR素子28
にセンス電流を流して記録媒体上のトラックをトレース
することにより、トラック上の情報に応じてMR素子2
8の両端の電圧が変調され、この電圧を検出することに
より再生が行なわれる。
【0022】図6は、図1の誘導型磁気ヘッド14によ
って記録媒体(ハードディスク)上に信号を記録した時
の磁化反転パターンである。書込みギャップ36が直線
状に平坦化されているため、磁化反転部68はトラック
方向に直角な一直線の平行なパターンに形成されてい
る。
って記録媒体(ハードディスク)上に信号を記録した時
の磁化反転パターンである。書込みギャップ36が直線
状に平坦化されているため、磁化反転部68はトラック
方向に直角な一直線の平行なパターンに形成されてい
る。
【0023】図7は、図6の磁化反転パターンを図1の
MR型磁気ヘッド12で再生した時の再生信号波形であ
る。MR感応部28aは磁化反転部68に対し一直線で
平行な姿勢を保って磁化反転パターンをトレースするた
め、MR感応部28aと磁化反転部68は時間軸上で狭
い幅で一致し、再生信号は波形が急俊でピーク高さも高
くなる。このような再生信号はピーク位置が明瞭で信号
出力も大きく、ノイズにも強いため、記録密度を上げる
のに非常に有効である。
MR型磁気ヘッド12で再生した時の再生信号波形であ
る。MR感応部28aは磁化反転部68に対し一直線で
平行な姿勢を保って磁化反転パターンをトレースするた
め、MR感応部28aと磁化反転部68は時間軸上で狭
い幅で一致し、再生信号は波形が急俊でピーク高さも高
くなる。このような再生信号はピーク位置が明瞭で信号
出力も大きく、ノイズにも強いため、記録密度を上げる
のに非常に有効である。
【0024】なお、上記実施例では、MR素子28をM
R膜46、スペーサ48、SALバイアス膜50を積層
した構造としたが、この発明のMR素子はこれに限るも
のでなく、各種構造のMR素子を採用することができ
る。
R膜46、スペーサ48、SALバイアス膜50を積層
した構造としたが、この発明のMR素子はこれに限るも
のでなく、各種構造のMR素子を採用することができ
る。
【0025】次に、図1の誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ド11の製造方法の一実施例を図8〜10の工程図に従
って説明する。
ド11の製造方法の一実施例を図8〜10の工程図に従
って説明する。
【0026】(1) 基板(アルチック(Al2 O3 −
TiC)等のセラミック材等)16の上に形成された保
護膜(アルミナ(Al2 O3 )等)の上に下シールド1
8を成膜する。下シールド18は、パーマロイ(NiF
e)、センダスト等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるい
はメッキなどで基板16上に堆積して構成される。下シ
ールド18の上には、アルミナ等の非磁性材料で下ギャ
ップ20を成膜する。
TiC)等のセラミック材等)16の上に形成された保
護膜(アルミナ(Al2 O3 )等)の上に下シールド1
8を成膜する。下シールド18は、パーマロイ(NiF
e)、センダスト等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるい
はメッキなどで基板16上に堆積して構成される。下シ
ールド18の上には、アルミナ等の非磁性材料で下ギャ
ップ20を成膜する。
【0027】(2) MR膜46(NiFe等)、スペ
ーサ48(Ti等)、SALバイアス膜50(CoZr
M(MはNb,Mo等)等)を積層してMR素子28を
形成する。 (3) MR素子28を矩形にカットする。なお、MR
膜46はその長手方向(記録媒体の面に平行でトラック
に直角な方向)に磁化容易軸が形成される。 (4) 高導電膜(W,Ta等)を成膜し、所定のパタ
ーンにカットして、MR素子28の両端に電極取り出し
用のリード30,31を形成する。MR素子感応部28
aとリード30,31との境に段差52,54が生じ
る。
ーサ48(Ti等)、SALバイアス膜50(CoZr
M(MはNb,Mo等)等)を積層してMR素子28を
形成する。 (3) MR素子28を矩形にカットする。なお、MR
膜46はその長手方向(記録媒体の面に平行でトラック
に直角な方向)に磁化容易軸が形成される。 (4) 高導電膜(W,Ta等)を成膜し、所定のパタ
ーンにカットして、MR素子28の両端に電極取り出し
用のリード30,31を形成する。MR素子感応部28
aとリード30,31との境に段差52,54が生じ
る。
【0028】(5) MR素子28およびリード30,
31の上に上ギャップ32(アルミナ等)を成膜する。
段差52,54を転写した部分が曲折し、上面に凹状5
6が形成される。 (6) 上シールド兼下コア34を成膜する。上シール
ド兼下コア34には、上ギャップ32の上面の凹状56
を転写して下面に凸状58が形成され、上面に凹状72
が形成される。なお、上シールド兼下コア34の成膜厚
さは、後の工程(8)で所定の厚さに研磨した時に、凹
状72が消失するように十分な厚さに成膜する。
31の上に上ギャップ32(アルミナ等)を成膜する。
段差52,54を転写した部分が曲折し、上面に凹状5
6が形成される。 (6) 上シールド兼下コア34を成膜する。上シール
ド兼下コア34には、上ギャップ32の上面の凹状56
を転写して下面に凸状58が形成され、上面に凹状72
が形成される。なお、上シールド兼下コア34の成膜厚
さは、後の工程(8)で所定の厚さに研磨した時に、凹
状72が消失するように十分な厚さに成膜する。
【0029】(7) 研磨時の欠けを防止するため、ア
ルミナ等の無機絶縁膜74をスパッタリング法等で成膜
する。 (8) ラップ盤にセットし、無機絶縁膜74上から上
シールド兼下コア34にかけて研磨し、上シールド兼下
コア34の上面の凹状72を除去する。上シールド兼下
コア34が所定の厚さに形成されたところで研磨を終了
する。この状態では、上シールド兼下コア34の上面7
0は、MR素子28に平行な平坦面となっている。
ルミナ等の無機絶縁膜74をスパッタリング法等で成膜
する。 (8) ラップ盤にセットし、無機絶縁膜74上から上
シールド兼下コア34にかけて研磨し、上シールド兼下
コア34の上面の凹状72を除去する。上シールド兼下
コア34が所定の厚さに形成されたところで研磨を終了
する。この状態では、上シールド兼下コア34の上面7
0は、MR素子28に平行な平坦面となっている。
【0030】(9) 書込みギャップ36(アルミナ
等)を成膜する。書込みギャップ36は、MR素子28
に平行な平坦な膜に形成される。 (10) コイルおよび絶縁層38を形成する。 (11) コイルおよび絶縁層38を跨ぐように上コア4
0を形成する。最後に保護膜を被せて完成する。
等)を成膜する。書込みギャップ36は、MR素子28
に平行な平坦な膜に形成される。 (10) コイルおよび絶縁層38を形成する。 (11) コイルおよび絶縁層38を跨ぐように上コア4
0を形成する。最後に保護膜を被せて完成する。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の誘導型
・MR型複合磁気ヘッドによれば、書込みギャップがM
R素子の感応部に平行に形成されるので、この書込みギ
ャップによって記録媒体上に記録された信号の磁化反転
部は直線となり、この記録信号をMR素子で読み取った
時の再生信号波形は急峻になり、磁気反転部の確定が時
間的に安定し、しかも、上ギャップはMR膜感応部の位
置において、MR膜感応部とリードとの境に形成される
段差を転写して上面を凹状に形成しているので、所定の
狭い再生ギャップを形成することができ、記録密度を安
定して高めることができる。
・MR型複合磁気ヘッドによれば、書込みギャップがM
R素子の感応部に平行に形成されるので、この書込みギ
ャップによって記録媒体上に記録された信号の磁化反転
部は直線となり、この記録信号をMR素子で読み取った
時の再生信号波形は急峻になり、磁気反転部の確定が時
間的に安定し、しかも、上ギャップはMR膜感応部の位
置において、MR膜感応部とリードとの境に形成される
段差を転写して上面を凹状に形成しているので、所定の
狭い再生ギャップを形成することができ、記録密度を安
定して高めることができる。
【0032】また、この発明の誘導型・MR型複合磁気
ヘッドの製造方法によれば、MR膜感応部に平行な書込
みギャップを持って誘導型・MR型複合磁気ヘッドを製
造することができる。
ヘッドの製造方法によれば、MR膜感応部に平行な書込
みギャップを持って誘導型・MR型複合磁気ヘッドを製
造することができる。
【0033】また、上シールド兼下コアを積層した後、
その上面に無機絶縁膜を成膜して上シールド兼下コアの
周囲および上シールド兼下コアの上面の凹状を無機絶縁
膜で埋めた状態で研磨することにより、研磨によって上
シールド兼下コアに欠けが生じるのを防止することがで
き、歩留りを向上させることができる。
その上面に無機絶縁膜を成膜して上シールド兼下コアの
周囲および上シールド兼下コアの上面の凹状を無機絶縁
膜で埋めた状態で研磨することにより、研磨によって上
シールド兼下コアに欠けが生じるのを防止することがで
き、歩留りを向上させることができる。
【図1】 この発明の誘導型・MR型複合磁気ヘッドの
一実施例を示す図で、(a)は記録媒体対向面側から見
た斜視図、(b)はその正面図である。
一実施例を示す図で、(a)は記録媒体対向面側から見
た斜視図、(b)はその正面図である。
【図2】 従来の誘導型・MR型複合磁気ヘッドを示す
断面側面図および記録媒体対向面側から見た斜視図であ
る。
断面側面図および記録媒体対向面側から見た斜視図であ
る。
【図3】 図2の誘導型・MR型複合磁気ヘッドの記録
媒体対向面側から見た正面図である。
媒体対向面側から見た正面図である。
【図4】 図3の誘導型磁気ヘッド14で信号の記録を
行なった時の磁化反転パターンを示す斜視図である。
行なった時の磁化反転パターンを示す斜視図である。
【図5】 図4の記録パターンを図3のMR型磁気ヘッ
ド12で再生した時の再生信号波形である。
ド12で再生した時の再生信号波形である。
【図6】 図1の誘導型磁気ヘッド14で信号の記録を
行なった時の磁化反転パターンを示す斜視図である。
行なった時の磁化反転パターンを示す斜視図である。
【図7】 図6の記録パターンを図1のMR型磁気ヘッ
ド12で再生した時の再生信号波形である。
ド12で再生した時の再生信号波形である。
【図8】 この発明の誘導型・MR型複合磁気ヘッドの
製造方法の一実施例を示す図で、図1の誘導型・MR型
複合磁気ヘッド11の製造工程を示す図である。
製造方法の一実施例を示す図で、図1の誘導型・MR型
複合磁気ヘッド11の製造工程を示す図である。
【図9】 図8の続きを示す工程図である。
【図10】 図9の続きを示す工程図である。
11 誘導型・MR型複合磁気ヘッド 16 基板 18 下シールド 20 下ギャップ 28 MR素子 28a MR素子感応部 30,31 リード 32 上ギャップ 34 上シールド兼下コア 36 書込みギャップ 38 コイルおよび絶縁膜 40 上コア 52,54 段差 56 上ギャップの上面の凹状 58 上シールド兼下コアの下面の凸状 70 上シールド兼下コアの上面 72 上シールド兼下コアの上面の凹状 74 無機絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項1】基板上に、少くとも、下シールド、下ギャ
ップ、MR素子、当該MR素子の感応部を挟んでその左
右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャップ、上シ
ールド兼下コア、書込みギャップ、コイルおよび絶縁
層、上コアを積層してなる誘導型・MR型複合磁気ヘッ
ドにおいて、 前記上ギャップは、前記MR素子の感応部の位置におい
て当該MR素子の感応部と前記リードとの境に形成され
る段差を転写して上面が凹状に形成されており、 前記上シールド兼下コアは、前記感応部の位置において
下面が前記上ギャップの凹状を転写して凸状に形成さ
れ、上面が前記MR素子の感応部に平行な平坦面に形成
されており、 前記書込みギャップが前記上シールド兼下コアの上面を
転写して前記MR素子の感応部に平行に形成されてなる
誘導型・MR型複合磁気ヘッド。 - 【請求項2】基板上に、少くとも、下シールド、下ギャ
ップ、MR素子、当該MR素子の感応部を挟んでその左
右両側にそれぞれ接合されたリード、上ギャップ、上シ
ールド兼下コア、書込みギャップ、コイルおよび絶縁
層、上コアを積層して誘導型・MR型複合磁気ヘッドを
製造する方法であって、 前記上シールド兼下コアを積層した後、その上面を研磨
して、前記MR素子の感応部と前記リードとの境に形成
される段差を転写して形成された当該上シールド兼下コ
アの上面の凹状を除去し前記MR素子感応部に平行な平
坦面を形成する工程を経て前記書込みギャップを積層し
てなる誘導型・MR型複合磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】前記上シールド兼下コアを積層した後、そ
の上面に無機絶縁膜を成膜して、当該無機絶縁膜上から
前記上シールド兼下コアにかけて前記研磨を施してなる
請求項2記載の誘導型・MR型複合磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7186320A JPH0916925A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US08/673,667 US5722157A (en) | 1995-06-28 | 1996-06-25 | Method of making an induction and magnetoresistance type composite magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7186320A JPH0916925A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916925A true JPH0916925A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16186278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7186320A Pending JPH0916925A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5722157A (ja) |
| JP (1) | JPH0916925A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880910A (en) * | 1994-12-29 | 1999-03-09 | Yamaha Corporation | Magneto-resistive reading head with two slanted longitudinal bias films and two slanted leads |
| JP2947172B2 (ja) * | 1996-05-23 | 1999-09-13 | ヤマハ株式会社 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、誘導型・磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5936811A (en) * | 1997-06-12 | 1999-08-10 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with vialess lead layers from MR sensor to pads |
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