JPH09170094A - 錫−銀合金酸性めっき浴 - Google Patents
錫−銀合金酸性めっき浴Info
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- JPH09170094A JPH09170094A JP33043795A JP33043795A JPH09170094A JP H09170094 A JPH09170094 A JP H09170094A JP 33043795 A JP33043795 A JP 33043795A JP 33043795 A JP33043795 A JP 33043795A JP H09170094 A JPH09170094 A JP H09170094A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シアン化合物を含有しなくとも、浴中の銀と
錫とを安定に溶解させておくことができる錫−銀合金め
っき浴を提供すること。 【解決手段】 チオアミド化合物及びチオール化合物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有
し、かつシアン化合物を実質的に含有しない錫−銀合金
酸性めっき浴。
錫とを安定に溶解させておくことができる錫−銀合金め
っき浴を提供すること。 【解決手段】 チオアミド化合物及びチオール化合物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有
し、かつシアン化合物を実質的に含有しない錫−銀合金
酸性めっき浴。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シアン化合物を含
有しない酸性の錫−銀合金めっき浴に関するものであ
る。
有しない酸性の錫−銀合金めっき浴に関するものであ
る。
【従来の技術】これまで、金属基体などに錫−銀合金め
っき皮膜を形成するのに使用する錫−銀合金電気めっき
浴としては、シアン化合物を含有するアルカリ性シアン
浴が知られている。しかしながら、この浴は、有毒なシ
アン化合物を含有しているため、極めて毒性が高く、取
扱に特別の注意を払わなければならない上、特別の排水
処理を行う必要が生ずるとともに作業環境も悪化すると
いった問題があった。一方、シアン化合物を含有しない
酸性浴とすることが考えられるが、酸性浴では錫−銀合
金を形成するための必須成分である銀を安定化して錫と
ともに溶解させることができず、工業的に実用化が困難
であった。特に、錫の単独浴や銀の単独浴では安定に溶
解しているものでも、両方を混ぜあわせると直ぐに又は
２４時間以内には、黒色や茶色沈殿として銀が不溶化
し、浴成分濃度を維持することが困難であった。
っき皮膜を形成するのに使用する錫−銀合金電気めっき
浴としては、シアン化合物を含有するアルカリ性シアン
浴が知られている。しかしながら、この浴は、有毒なシ
アン化合物を含有しているため、極めて毒性が高く、取
扱に特別の注意を払わなければならない上、特別の排水
処理を行う必要が生ずるとともに作業環境も悪化すると
いった問題があった。一方、シアン化合物を含有しない
酸性浴とすることが考えられるが、酸性浴では錫−銀合
金を形成するための必須成分である銀を安定化して錫と
ともに溶解させることができず、工業的に実用化が困難
であった。特に、錫の単独浴や銀の単独浴では安定に溶
解しているものでも、両方を混ぜあわせると直ぐに又は
２４時間以内には、黒色や茶色沈殿として銀が不溶化
し、浴成分濃度を維持することが困難であった。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、シアン化合
物を含有しなくとも、浴中の銀と錫とを安定に溶解させ
ておくことができる錫−銀合金めっき浴を提供すること
を目的とする。
物を含有しなくとも、浴中の銀と錫とを安定に溶解させ
ておくことができる錫−銀合金めっき浴を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明は、酸性浴におい
て、特定のイオウ化合物が錫と銀の両方を良好に安定に
溶解させる作用があるとの知見に基づいてなされたもの
である。すなわち、本発明は、チオアミド化合物及びチ
オール化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の
化合物を含有し、かつシアン化合物を実質的に含有しな
いことを特徴とする錫−銀合金酸性めっき浴を提供す
る。
て、特定のイオウ化合物が錫と銀の両方を良好に安定に
溶解させる作用があるとの知見に基づいてなされたもの
である。すなわち、本発明は、チオアミド化合物及びチ
オール化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の
化合物を含有し、かつシアン化合物を実質的に含有しな
いことを特徴とする錫−銀合金酸性めっき浴を提供す
る。
【０００３】
【発明の実施の形態】本発明において使用される錫化合
物は、酸性浴中に錫イオンを放出できる化合物であれば
いずれでもよく、例えば、酸化第一錫、硫酸第一錫、塩
化錫、硫化錫、ヨウ化錫、クエン酸錫、シュウ酸錫、酢
酸第一錫等の一種または二種以上の混合物があげられ
る。めっき浴中の錫イオン濃度は任意とすることができ
るが、錫として２〜８０ｇ／ｌとなるようにするのが好
ましく、より好ましくは１０〜４０ｇ／ｌとなるように
するのがよい。本発明において使用する銀化合物として
は、酸性浴中に銀イオンを放出できる化合物であればい
ずれでもよく、例えば、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸
銀等の一種または二種以上の混合物があげられる。めっ
き浴中の銀イオン濃度は任意とすることができるが、銀
として0.０１〜１０ｇ／ｌとなるようにするのが好まし
く、より好ましくは0.１〜３ｇ／ｌとなるようにするの
がよい。
物は、酸性浴中に錫イオンを放出できる化合物であれば
いずれでもよく、例えば、酸化第一錫、硫酸第一錫、塩
化錫、硫化錫、ヨウ化錫、クエン酸錫、シュウ酸錫、酢
酸第一錫等の一種または二種以上の混合物があげられ
る。めっき浴中の錫イオン濃度は任意とすることができ
るが、錫として２〜８０ｇ／ｌとなるようにするのが好
ましく、より好ましくは１０〜４０ｇ／ｌとなるように
するのがよい。本発明において使用する銀化合物として
は、酸性浴中に銀イオンを放出できる化合物であればい
ずれでもよく、例えば、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸
銀等の一種または二種以上の混合物があげられる。めっ
き浴中の銀イオン濃度は任意とすることができるが、銀
として0.０１〜１０ｇ／ｌとなるようにするのが好まし
く、より好ましくは0.１〜３ｇ／ｌとなるようにするの
がよい。
【０００４】本発明において使用するチオアミド化合物
としては、例えば、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、ジエ
チルチオ尿素、アリルチオ尿素、エチレンチオ尿素、テ
トラメチルチオ尿素等の炭素数１〜５のチオアミド化合
物を使用するのが好ましい。またはチオール化合物とし
ては、例えば、メルカプトコハク酸、メルカプト乳酸等
の炭素数４〜８のものが好ましい。本発明では、チオア
ミド化合物とチオール化合物は、両者単独でも、併用し
てもよく、又２種以上の混合物として使用することもで
きる。又、これらは光沢剤としての作用もある。本発明
で用いるチオアミド化合物とチオール化合物の量は、浴
中の錫と銀の両方が安定に溶解できる限り、任意の量と
することができるが、0.１〜４０ｇ／ｌ、より好ましく
は0.２〜１０ｇ／ｌとなるようにするのがよい。
としては、例えば、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、ジエ
チルチオ尿素、アリルチオ尿素、エチレンチオ尿素、テ
トラメチルチオ尿素等の炭素数１〜５のチオアミド化合
物を使用するのが好ましい。またはチオール化合物とし
ては、例えば、メルカプトコハク酸、メルカプト乳酸等
の炭素数４〜８のものが好ましい。本発明では、チオア
ミド化合物とチオール化合物は、両者単独でも、併用し
てもよく、又２種以上の混合物として使用することもで
きる。又、これらは光沢剤としての作用もある。本発明
で用いるチオアミド化合物とチオール化合物の量は、浴
中の錫と銀の両方が安定に溶解できる限り、任意の量と
することができるが、0.１〜４０ｇ／ｌ、より好ましく
は0.２〜１０ｇ／ｌとなるようにするのがよい。
【０００５】本発明では、錫−銀合金めっき浴のｐＨを
酸性とするために、任意の酸性物質を含有させることが
できるが、このうち、アルカンスルホン酸類、例えば、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ヒドロキシプロ
パンスルホン酸等の炭素数１〜３のアルカンスルホン酸
や、ベンゼルスルホン酸類やフェノールスルホン酸類、
例えば、スルホサリチル酸やクレゾールスルホン酸等の
炭素数が６〜７のものや、スルファミン酸などを用いる
のが好ましい。これらの酸は、一種または二種以上の混
合物として用いることができる。めっき浴中の酸濃度
は、錫と銀が溶解しうる範囲で任意とすることができる
が、好ましくは１０〜５００ｇ／ｌ、より好ましくは７
５〜３００ｇ／ｌとなるようにするのがよい。特に、浴
のｐＨが２以下となるように含有させるのがよい。
酸性とするために、任意の酸性物質を含有させることが
できるが、このうち、アルカンスルホン酸類、例えば、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ヒドロキシプロ
パンスルホン酸等の炭素数１〜３のアルカンスルホン酸
や、ベンゼルスルホン酸類やフェノールスルホン酸類、
例えば、スルホサリチル酸やクレゾールスルホン酸等の
炭素数が６〜７のものや、スルファミン酸などを用いる
のが好ましい。これらの酸は、一種または二種以上の混
合物として用いることができる。めっき浴中の酸濃度
は、錫と銀が溶解しうる範囲で任意とすることができる
が、好ましくは１０〜５００ｇ／ｌ、より好ましくは７
５〜３００ｇ／ｌとなるようにするのがよい。特に、浴
のｐＨが２以下となるように含有させるのがよい。
【０００６】本発明では、上記成分を必須とし残部を水
とすることができるが、さらに光沢剤、平滑剤などの添
加剤を含有させることができる。例えば、光沢剤として
は、錫および銀の光沢剤として用いられるものいずれの
ものでもよく、例えば、ノニオン界面活性剤、アニオン
界面活性剤、合成高分子（ポリピニルピロリドン・ＰＥ
Ｇ・ＰＶＡなど）、アミン類（ヘキサメチレンテトラミ
ンなど）、ケトン類（ベンザールアセトンなど）、また
ＳｂあるいはＳｅ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂなどの
金属化合物の一種または二種以上の混合物があげられ
る。光沢剤は、0.１〜５０ｇ／ｌ、より好ましくは0.５
〜３０ｇ／ｌの量で使用するのがよい。本発明の酸性錫
−銀合金めっき浴を用いて、常法により種々の基体、例
えば、鉄、銅に錫−銀合金めっきを施すことができる。
具体的には、基体を陰極とし、錫と銀の合金板、もしく
は錫板を陽極として、錫−銀合金めっき浴に浸漬し、つ
いで、0.５〜５０Ａ程度の電流を0.５〜１０分程度流す
ことによって、錫８８〜９９重量％、銀１〜１２重量％
の錫−銀合金の厚みが１〜３０μの皮膜を基体上に形成
することができる。
とすることができるが、さらに光沢剤、平滑剤などの添
加剤を含有させることができる。例えば、光沢剤として
は、錫および銀の光沢剤として用いられるものいずれの
ものでもよく、例えば、ノニオン界面活性剤、アニオン
界面活性剤、合成高分子（ポリピニルピロリドン・ＰＥ
Ｇ・ＰＶＡなど）、アミン類（ヘキサメチレンテトラミ
ンなど）、ケトン類（ベンザールアセトンなど）、また
ＳｂあるいはＳｅ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂなどの
金属化合物の一種または二種以上の混合物があげられ
る。光沢剤は、0.１〜５０ｇ／ｌ、より好ましくは0.５
〜３０ｇ／ｌの量で使用するのがよい。本発明の酸性錫
−銀合金めっき浴を用いて、常法により種々の基体、例
えば、鉄、銅に錫−銀合金めっきを施すことができる。
具体的には、基体を陰極とし、錫と銀の合金板、もしく
は錫板を陽極として、錫−銀合金めっき浴に浸漬し、つ
いで、0.５〜５０Ａ程度の電流を0.５〜１０分程度流す
ことによって、錫８８〜９９重量％、銀１〜１２重量％
の錫−銀合金の厚みが１〜３０μの皮膜を基体上に形成
することができる。
【０００７】
【発明の効果】本発明の錫−銀合金めっき浴は、従来の
アルカリ性シアン浴と比較して、ノーシアンタイプであ
るため毒性が低く安全性が高いといった利点がある。
又、銀は様々なものと不溶性の塩をつくりやすいが、本
発明の錫−銀合金めっき浴では安定に存在し、かつ本発
明の錫−銀合金めっき浴を用いた場合には、特別な排水
処理も要らないため、排水処理コストも低くなるという
利点がある。また本発明の錫−銀合金めっき浴を電気め
っき浴として使用すると、溶融めっきと違い１〜３０μ
といった薄膜が得られ、精密部品にもめっきを施すこと
ができ、作業性に富むという利点がある。次ぎに実施例
により本発明を説明する。
アルカリ性シアン浴と比較して、ノーシアンタイプであ
るため毒性が低く安全性が高いといった利点がある。
又、銀は様々なものと不溶性の塩をつくりやすいが、本
発明の錫−銀合金めっき浴では安定に存在し、かつ本発
明の錫−銀合金めっき浴を用いた場合には、特別な排水
処理も要らないため、排水処理コストも低くなるという
利点がある。また本発明の錫−銀合金めっき浴を電気め
っき浴として使用すると、溶融めっきと違い１〜３０μ
といった薄膜が得られ、精密部品にもめっきを施すこと
ができ、作業性に富むという利点がある。次ぎに実施例
により本発明を説明する。
【０００８】
【実施例】 実施例１ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ チオ尿素 ２ｇ／ｌ このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。尚、チオ尿素の量を、５ｇ／ｌ、１０ｇ／ｌ及
び２０ｇ／ｌと変更したところ、いずれの場合にも沈殿
は生じなかった。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ チオ尿素 ２ｇ／ｌ このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。尚、チオ尿素の量を、５ｇ／ｌ、１０ｇ／ｌ及
び２０ｇ／ｌと変更したところ、いずれの場合にも沈殿
は生じなかった。
【０００９】上記浴組成（チオ尿素 ２ｇ／ｌ）におい
て、通常のハルセルテストを以下の条件で行ったとこ
ろ、無光沢なめっき外観が得られた。またこのめっき皮
膜の共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析
率は5.４％であった。 テスト条件 浴温 ２５℃ 陽極板 スズ板 陰極板 磨き鋼板 電流 ３Ａ めっき時間 １０分
て、通常のハルセルテストを以下の条件で行ったとこ
ろ、無光沢なめっき外観が得られた。またこのめっき皮
膜の共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析
率は5.４％であった。 テスト条件 浴温 ２５℃ 陽極板 スズ板 陰極板 磨き鋼板 電流 ３Ａ めっき時間 １０分
【００１０】実施例２ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ チオ尿素 ２ｇ／ｌ ノニオン活性剤（日華化学製サンモールBN-13D) ４ｇ／ｌ ヘキサメチレンテトラミン ４ｇ／ｌ ベンザールアセトン 1.５ｇ／ｌ 酒石酸アンチモニルカリウム 0.１ｇ／ｌ このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。上記浴組成において、実施例１と同様にしてハ
ルセルテストを行ったところ、めっき外観は全面光沢、
浴電圧は2.５〜2.６Ｖであった。またこのめっき皮膜の
共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析率
は、3.１％であった。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ チオ尿素 ２ｇ／ｌ ノニオン活性剤（日華化学製サンモールBN-13D) ４ｇ／ｌ ヘキサメチレンテトラミン ４ｇ／ｌ ベンザールアセトン 1.５ｇ／ｌ 酒石酸アンチモニルカリウム 0.１ｇ／ｌ このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。上記浴組成において、実施例１と同様にしてハ
ルセルテストを行ったところ、めっき外観は全面光沢、
浴電圧は2.５〜2.６Ｖであった。またこのめっき皮膜の
共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析率
は、3.１％であった。
【００１１】実施例３ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ スルファミン酸 ２００ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ メルカプトコハク酸 ５ｇ／ｌ Ｓｎ−２２２ ３０ｇ／ｌ （ディップソール製すずめっき光沢剤） このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。上記浴組成において、実施例１と同様にしてハ
ルセルテストを行ったところ、めっき外観は光沢〜半光
沢、浴電圧は９〜１０Ｖであった。またこのめっき皮膜
の共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析率
は、2.７％であった。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ スルファミン酸 ２００ｇ／ｌ ＡｇＯ １ｇ／ｌ メルカプトコハク酸 ５ｇ／ｌ Ｓｎ−２２２ ３０ｇ／ｌ （ディップソール製すずめっき光沢剤） このようにして調製した錫−銀合金めっき浴を１０日間
放置後、目視にて沈殿を観察したところ、沈殿は生じな
かった。上記浴組成において、実施例１と同様にしてハ
ルセルテストを行ったところ、めっき外観は光沢〜半光
沢、浴電圧は９〜１０Ｖであった。またこのめっき皮膜
の共析率を原子吸光光度法にて測定した結果、銀共析率
は、2.７％であった。
【００１２】比較例１ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ ２ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、４時間後に黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ ２ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、４時間後に黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
【００１３】比較例２ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ ヒドロキシプロパンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ ５ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、２時間後、黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ ヒドロキシプロパンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ ＡｇＯ ５ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、２時間後、黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
【００１４】比較例３ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ スルファミン酸 ２００ｇ／ｌ ＡｇＯ ２ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、５時間後、黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
浴を調製した。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ スルファミン酸 ２００ｇ／ｌ ＡｇＯ ２ｇ／ｌ 次第に液が黒濁し、５時間後、黒色沈殿が発生した。
又、浴中の銀濃度を分析した結果、ほぼ全量が失われて
いた。
【００１５】実施例４ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
を調整し、実施例１と同様にしてハルセルテストを行な
った。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ エタンスルホン酸 ２００ｇ／ｌ Ａｇ2 Ｏ ２ｇ／ｌ ジメチルチオ尿素 ５ｇ／ｌ ヘキサメチレンテトラミン ４ｇ／ｌ アニオン界面活性剤（日華化学製サンレックスBNS) ４ｇ／ｌ ベンザールアセトン １ｇ／ｌ ポリビニルピロリドン Ｋ−６０ １ｇ／ｌ 亜セレン酸ナトリウム 0.１ｇ／ｌ このめっき外観は全面光沢であった。また銀の共析率を
原子吸光光度法にて測定した結果、ハルセル板の高電流
密度部より１cmのところで6.９％、５cmのところで4.８
％、９cmのところで1.０％であった。
を調整し、実施例１と同様にしてハルセルテストを行な
った。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ エタンスルホン酸 ２００ｇ／ｌ Ａｇ2 Ｏ ２ｇ／ｌ ジメチルチオ尿素 ５ｇ／ｌ ヘキサメチレンテトラミン ４ｇ／ｌ アニオン界面活性剤（日華化学製サンレックスBNS) ４ｇ／ｌ ベンザールアセトン １ｇ／ｌ ポリビニルピロリドン Ｋ−６０ １ｇ／ｌ 亜セレン酸ナトリウム 0.１ｇ／ｌ このめっき外観は全面光沢であった。また銀の共析率を
原子吸光光度法にて測定した結果、ハルセル板の高電流
密度部より１cmのところで6.９％、５cmのところで4.８
％、９cmのところで1.０％であった。
【００１６】実施例５ 下記の成分からなり、残部が水である錫−銀合金めっき
を調整し、実施例１と同様にしてハルセルテストを行な
った。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ ヒドロキシプロパンスルホン酸 ２５０ｇ／ｌ Ａｇ2 Ｏ ４ｇ／ｌ ジエチルチオ尿素 １０ｇ／ｌ Ｓｎ−２２２ ３０ｇ／ｌ （ディップソール製錫めっき光沢剤） ＺｎＯ 0.２ｇ／ｌ このめっき外観は半光沢であった。また銀の共析率を原
子吸光光度法にて測定した結果、ハルセル板の高電流密
度部より１cmのところで１2.０％、５cmのところで9.５
％、９cmのところで7.５％であった。
を調整し、実施例１と同様にしてハルセルテストを行な
った。 ＳｎＯ ３０ｇ／ｌ ヒドロキシプロパンスルホン酸 ２５０ｇ／ｌ Ａｇ2 Ｏ ４ｇ／ｌ ジエチルチオ尿素 １０ｇ／ｌ Ｓｎ−２２２ ３０ｇ／ｌ （ディップソール製錫めっき光沢剤） ＺｎＯ 0.２ｇ／ｌ このめっき外観は半光沢であった。また銀の共析率を原
子吸光光度法にて測定した結果、ハルセル板の高電流密
度部より１cmのところで１2.０％、５cmのところで9.５
％、９cmのところで7.５％であった。
Claims (3)
- 【請求項１】 チオアミド化合物及びチオール化合物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有
し、かつシアン化合物を実質的に含有しないことを特徴
とする錫−銀合金酸性めっき浴。 - 【請求項２】 チオアミド化合物及びチオール化合物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物として、
チオ尿素、ジメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、アリ
ルチオ尿素、エチレンチオ尿素、テトラメチルチオ尿
素、メルカプトコハク酸及びメルカプト乳酸からなる群
から選ばれる少なくとも一種の化合物を用いる請求項１
記載のめっき浴。 - 【請求項３】 アルカンスルホン酸及び／又はスルファ
ミン酸を含有する請求項１記載のめっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043795A JP3645955B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 錫−銀合金酸性めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043795A JP3645955B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 錫−銀合金酸性めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09170094A true JPH09170094A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3645955B2 JP3645955B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=18232611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33043795A Expired - Lifetime JP3645955B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 錫−銀合金酸性めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3645955B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001164396A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
| DE10026680C1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-02-21 | Schloetter Fa Dr Ing Max | Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Silber-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
| WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
| US7153449B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-12-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Acidic treatment liquid and method of treating copper surfaces |
| EP2775014A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-10 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Tin alloy plating solution and method using it |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11242609B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-02-08 | Rohm and Hass Electronic Materials LLC | Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods |
-
1995
- 1995-12-19 JP JP33043795A patent/JP3645955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001164396A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-19 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
| DE10026680C1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-02-21 | Schloetter Fa Dr Ing Max | Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Silber-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
| US6998036B2 (en) | 2000-05-30 | 2006-02-14 | Dr.-Ing. Max Schlotter Gmbh & Co. Kg | Electrolyte and method for depositing tin-silver alloy layers |
| US7153449B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-12-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Acidic treatment liquid and method of treating copper surfaces |
| WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
| EP2775014A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-10 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Tin alloy plating solution and method using it |
| US9228269B2 (en) | 2013-03-07 | 2016-01-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Tin alloy plating solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3645955B2 (ja) | 2005-05-11 |
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