JPH09171891A

JPH09171891A - 電子レンジ

Info

Publication number: JPH09171891A
Application number: JP33022695A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Kawashima; 信弘川嶋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-12-19
Filing date: 1995-12-19
Publication date: 1997-06-30

Abstract

(57)【要約】【課題】比較的安価で、周囲温度の変化、サーミスタの
特性の経年変化、集光部の集光力の経年変化によって影
響されないで、被加熱物の温度を高精度に測定して、適
正に被加熱物への加熱が行われる電子レンジを提供す
る。【解決手段】被加熱物から輻射される赤外線を検出する
輻射熱センサ１１によって被加熱物の温度を測定する。
輻射熱センサ１１を感温素子を用いたボロメータタイプ
とする。輻射熱センサ１１の周囲温度を測定する周囲温
度測定手段を設ける。輻射熱センサの出力を周囲温度測
定手段の出力に基づいて補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被加熱物から輻射
される赤外線を検出して被加熱物の温度を測定し、その
温度情報に基づいて被加熱物への加熱を制御する電子レ
ンジに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、加熱制御機能付きの電子レンジは
被加熱物から輻射される赤外線を検出することにより被
加熱物の温度を測定し、その温度情報に基づいて、被加
熱物への加熱を制御するようになっている。これによ
り、被加熱物への加熱の不足や超過を防ぎ、仕上がった
時点で被加熱物への加熱を終了する。

【０００３】この赤外線の検出器は様々な種類があり、
主に量子型センサと熱効果型センサに分類される。量子
型センサは半導体の光電効果を利用したもので、測定精
度も高く、応答性も良い反面、検出する光の波長域が狭
いことや常温では使用できないという欠点がある。その
ために量子型センサを電子レンジで赤外線検出器として
使用することは困難である。

【０００４】それに対して熱効果型センサは、赤外線を
吸収して熱に変換し、その熱を検出するもので、感度、
応答性ともに量子型センサより劣るが、構造が簡単で機
械的強度も優れており、測定する光の波長域も広く、常
温での使用も可能である。熱効果型センサには、小型の
熱電対を多数直列に接続した熱電堆（サーモパイル）を
用いた熱電堆タイプ、焦電効果を利用した焦電タイプ、
そしてサーミスタの導電率の変化を利用したサーミスタ
ボロメータタイプがある。

【０００５】熱電堆タイプは放射線温度計として広く実
用化されているが、熱電堆素子が高価である。焦電タイ
プでは焦電素子が比較的安価であるが、赤外線を断続的
に照射するようにするチョッパ機構が必要であり、測定
システムが高価になる。サーミスタボロメータタイプは
２個のサーミスタと、被加熱物から輻射される赤外線を
反射、集光する集光部とから構成され、比較的安価であ
る。

【０００６】サーミスタボロメータは図７に示すように
負特性で特性のそろったサーミスタＴＨ１、ＴＨ２と抵
抗Ｒ１、Ｒ２とでブリッジ回路２５に組んだものであ
る。そしてサーミスタＴＨ１とサーミスタＴＨ２の中点
と、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の中点に高精度差動増幅回路７
が接続される。

【０００７】サーミスタＴＨ１は集光部で集められた赤
外線が照射されるようにし、補償用にサーミスタＴＨ２
はその近傍でその赤外線が照射されないように設けられ
る。定電圧Ｖが印加され、この時のサーミスタＴＨ１と
サーミスタＴＨ２の中点電圧ＶＴ、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２
の中点電圧ＶＲとすると、高精度差動の増幅回路７の出
力電圧Ｖ２はＶＴとＶＲの差を増幅したものになる。

【０００８】サーミスタＴＨ１への赤外線の照射量が多
いほど輻射熱でＶＴとＶＲの差が大きくなり、電圧Ｖ２
も大きくなる。赤外線の照射量は被加熱物の温度上昇に
よって増加する関係があり、電圧Ｖ２は被加熱物温度の
情報として取り扱うことができる。電子レンジは出力電
圧Ｖ２があらかじめ設定された電圧に到達することで、
被加熱物への加熱を終了する。

【０００９】しかしながら、出力される電圧Ｖ２は周囲
温度に大きく影響され、それが考慮されなければ、正確
に被加熱物温度が測定されない。特に２個のサーミスタ
の特性のわずかな違いでも、周囲温度の変化によって電
圧Ｖ２がずれて、正しい結果が得られなくなる温度ドリ
フトの問題がある。電子レンジでは被加熱物への加熱に
よって周囲温度も被加熱物温度も大きく変動するため
に、サーミスタボロメータは扱いにくくなっている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このようにサーミスタ
ボロメータタイプの輻射熱センサで輻射熱を検出する方
法は比較的安価であるが、電子レンジでは使用しにく
い。温度ドリフトを無くすために、極めて特性のそろっ
た２個のサーミスタが使用されれば良いが、そのために
製造上の歩留まりの悪化は避けられない。

【００１１】又、輻射熱センサの出力はμＶ単位の微小
な電圧であり、これを高精度作動増幅器で高倍率で増幅
するためにＳ／Ｎ比が悪い。又、被加熱物より輻射され
る赤外線量は被加熱物の大きさや形状に関係している。
被加熱物の大きさや形状によって輻射熱センサの出力が
変化し、正確な測定値が得られなくなる問題がある。更
に、サーミスタの特性の経年変化や、集光部の集光力の
経年変化によっても輻射熱センサの出力は変化し、同様
に正確な測定値が得られなくなる可能性もある。

【００１２】本発明はこのような課題を解決するもの
で、比較的安価で周囲温度の変化、サーミスタの特性の
経年変化、集光部の集光力の経年変化によって影響され
ないで、被加熱物温度を高精度に測定して適正に被加熱
物への加熱が行われる電子レンジを提供することを目的
とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の第１の構成では、加熱室内に置かれた被加熱
物から輻射される赤外線を検出する輻射熱センサによっ
て前記被加熱物の温度を測定し、その温度情報に基づい
て前記被加熱物への加熱を制御する電子レンジにおい
て、前記輻射熱センサは感温素子を用いたボロメータタ
イプとし、前記輻射熱センサの周囲温度を測定する周囲
温度測定手段を設け、前記輻射熱センサの出力を前記周
囲温度測定手段の出力に基づいて補正するようにしてい
る。

【００１４】このような構成によると、前記被加熱物か
ら輻射される赤外線が前記輻射熱センサによって検出さ
れる。前記輻射熱センサが出力する電圧は赤外線量の増
加に従って大きくなる。赤外線量は前記被加熱物の温度
が高くなるに従って増加する。これにより前記輻射熱セ
ンサが出力する電圧は被加熱物温度として処理すること
が可能である。

【００１５】しかしながら感温素子を用いた当該輻射熱
センサは周囲温度にも反応するので、その出力に周囲温
度成分が含まれている。そこで周囲温度測定手段によ
り、前記輻射熱センサの周囲温度を測定し、その周囲温
度情報に基づいて前記輻射熱センサの出力から周囲温度
成分を除去する。これにより前記被加熱物の温度が高精
度で求まる。この温度情報に基づいて被加熱物の加熱が
制御される。

【００１６】又、本発明では上記構成において、更に、
前記輻射熱センサの入射口の方向を可変するように前記
輻射熱センサの位置を制御する制御手段を設け、該制御
手段は前記被加熱物への加熱時に前記輻射熱センサの出
力が最大となる位置に前記輻射熱センサをもたらすよう
にしている。

【００１７】このような構成によると、前記輻射熱セン
サの入射口の方向に前記被加熱物が存しないときは、輻
射熱センサの出力は小さいので、前記入射口の方向に前
記被加熱物が入るように輻射熱センサの位置が自動制御
される。そして、前記輻射熱センサの出力が最大になる
方向が選ばれることにより、前記輻射熱センサの出力
は、前記被加熱物の大きさや形状によらず、被加熱物の
温度のみに関係するようになる。

【００１８】又、本発明は上記第１の構成において、更
に、前記輻射熱センサは前記感温素子を内蔵する部分
と、入射赤外線を前記感温素子へ導く集光部を有する筐
体を備えており、前記筐体に更に発熱体を設け、それが
加熱することにより前記輻射熱センサの温度を一定に保
つようにしている。

【００１９】このような構成によると、発熱体によって
筐体は一定の温度に保持される。そのため、後述する図
３から判るように２つの感温素子を用いて輻射熱センサ
を構成したものにおける感温素子の温度ドリフトが抑え
られることになる。

【００２０】又、本発明は上記各構成において、更に、
被加熱物が置かれる近辺の所定位置に所定発熱温度の発
熱体を設け、その発熱体の発熱温度を前記輻射熱センサ
で測定することにより、前記輻射熱センサの出力に補正
を行うようにする。

【００２１】このような構成によると、前記輻射熱セン
サの出力が同じ温度条件でもしだいに変化する経年変化
に対して、補正が行え、測定精度が維持される。

【００２２】又、本発明では上記各構成において、更
に、前記加熱室に空気循環用として設けられた吸気口の
近辺に前記輻射熱センサを取り付けるようにする。

【００２３】このような構成によると、前記被加熱物が
食品の場合、加熱されることによって発生する蒸気、
油、汚物等の量が、前記吸気口近辺では前記加熱室外部
から空気が流入するために少なくなっている。前記吸気
口近辺に前記輻射熱センサが取り付けられることによ
り、前記輻射熱センサは蒸気、油、汚物等をあまり受け
なくなり、前記輻射熱センサの測定精度の悪化が防止さ
れる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１から図
６を用いて説明する。図１に示すように加熱室１７にマ
グネトロン１９が取り付けられる。マグネトロン１９
は、マイクロ波を発生する装置で、マイクロ波の照射に
より被加熱物は加熱される。被加熱物はターンテーブル
１５の上に置かれる。

【００２５】ターンテーブル１５は加熱動作中に回転を
続け、被加熱物は回転されながら加熱される。被加熱物
が食品の場合には、蒸気、油、汚物等が発生する。この
蒸気等が加熱室１７内にこもらないように、吸気口２０
より加熱室１７外部の空気が矢印２９の向きの入れられ
る。これはマグネトロン１９の冷却送風が利用される。
加熱室１７の上壁面に、開口２１が吸気口２０付近に設
けられ、輻射熱センサ１１が取り付けられる。

【００２６】吸気口２０付近では加熱室１７外部の空気
が矢印２９の向きに流入することにより被加熱物から発
生する蒸気、油、汚物等の量が少なくなっている。これ
により、蒸気、油、汚物等によって輻射熱センサ１１の
測定精度の悪化が防止される。輻射熱センサは筐体１２
の内部に被加熱物より照射される赤外線を反射、集光す
る凹面鏡１３と、その赤外線が照射されるサーミスタＴ
Ｈ１と、その赤外線が照射されないようになっている補
償用のサーミスタＴＨ２を設けたものである。

【００２７】尚、２個のサーミスタＴＨ１、ＴＨ２は負
特性で、ほぼ特性のそろったサーミスタである。凹面鏡
１３は赤外線の集光量が被加熱物の大きさや形状に影響
されないように視野角を絞り、ターンテーブル１５の半
径軸を見る方向に合わせる。例えば、視野角１４度であ
れば、距離２００mmで領域直径５０mmとなる。これによ
り、矢印３０のように視野角領域入る部分だけの赤外線
を反射、集光し、感度が安定するようになる。

【００２８】しかし、被加熱物は様々な大きさや形状が
あり、ものによっては凹面鏡１３の視野領域にあまり入
らない場合がある。そこで、加熱中に支軸２２を軸にし
てカム機構１４によって筐体１２の傾きを変化させる。
この時、凹面鏡１３の視野領域がターンテーブル１５の
半径軸上を移動して、輻射熱センサ１１の出力が最大に
なる方向に固定する。これにより視野領域に被加熱物が
入る。

【００２９】輻射熱センサ１１の出力は被加熱物の温度
によって決まり、温度測定が正確になる。又、筐体１２
には発熱体１６が取り付けられ、輻射熱センサ１１は一
定に温度に保たれる。

【００３０】周囲温度が安定することにより、サーミス
タＴＨ１とサーミスタＴＨ２の間に温度差が発生するの
が防止され、輻射熱センサの出力が安定する。又、サー
ミスタＴＨ１、ＴＨ２の周囲温度が一定でも、凹面鏡１
３の温度が変動すれば、凹面鏡１３から輻射される赤外
線量が変化してしまい、輻射熱センサ１１の出力が変動
する。発熱体１６によってサーミスタＴＨ１とＴＨ２と
凹面鏡１３は一定の温度に保たれ、このようなノイズ発
生が抑えられる。

【００３１】被加熱物へ加熱中であっても、輻射熱セン
サ１１の温度が一定になることで、輻射熱センサ１１の
出力の温度ドリフトが防止される。更に、発熱温度が一
定の発熱体１８がターンテーブル１５横のレンジコーナ
ー部に設けられる。電子レンジが使用されていない時
に、例えば使用後２時間経過後に、発熱体１８が発熱す
る。その温度を輻射熱センサ１１で測定することによ
り、サーミスタＴＨ１、ＴＨ２の特性の経年変化、凹面
鏡１３の集光力の経年変化に伴う輻射熱センサ１１の出
力変化に補正を行う。

【００３２】次に輻射熱センサ１１の内部回路及び被加
熱物の温度を測定する方法について説明する。図２に示
すように輻射熱センサ１１において、被加熱物より輻射
された赤外線を受けるサーミスタＴＨ１と、補償用にサ
ーミスタＴＨ２を直列に接続し、それを抵抗Ｒ１と抵抗
Ｒ２を直列に接続したものと並列に接続することで、ブ
リッジ回路２５に組む。

【００３３】ブリッジ回路２５に抵抗Ｒ３、ＰＮＰトラ
ンジスタ部５、ＮＰＮトランジスタ部６を接続し、回路
全体に電源電圧Ｖが掛けられる。サーミスタＴＨ１とサ
ーミスタＴＨ２の中点ＶＴと、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の中
点電圧ＶＲの差は高精度差動増幅回路７で増幅され、輻
射熱センサ１１から電圧Ｖ２として出力される。この電
圧Ｖ２は、マイコン４に入力され、Ａ／Ｄ変換器２６で
ディジタル信号に変換されてＲＡＭ２に記憶される。

【００３４】又、ブリッジ回路２５と抵抗Ｒ３の中点電
圧Ｖ１は、輻射熱センサ１１より出力される。この電圧
Ｖ１はマイコン４に入力され、Ａ／Ｄ変換器２７でディ
ジタル信号に変換されてＲＡＭ１に記憶される。輻射熱
センサ１１の特性データはあらかじめ調べられ、ハード
的出力手段８に組み込まれている。出力された特性デー
タはＥ²ＲＯＭ９に記憶される。演算処理部３は電圧Ｖ
１、電圧Ｖ２、特性データを入力し、被加熱物温度を算
出する。

【００３５】マイコン４に操作部２３から加熱指示が与
えられると、演算処理部３はターンテーブル１５及びマ
グネトロン１９を動作して、被加熱物への加熱が開始さ
れる。Ｉ／Ｏ出力１０よりＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベ
ル信号が周期的に交互に出力される。加熱中にカム機構
１４が演算処理部３によって制御されて、輻射熱センサ
１１の出力が最大になる位置に輻射熱センサ１１の視野
領域が移動する。

【００３６】演算処理部３は被加熱物温度を算出し、あ
らかじめ決められた設定温度に到達すると、ターンテー
ブル１５及びマグネトロン１９の動作を停止して、被加
熱物への加熱を終了する。又、被加熱物への加熱終了
後、２時間後に所定発熱温度の発熱体１８が発熱し、そ
の温度を同様に輻射熱センサ１１で測定することにより
輻射熱センサ１１の特性の経年変化が調べられ、Ｅ²Ｒ
ＯＭ９に記憶される。

【００３７】Ｉ／Ｏ出力１０よりＨｉｇｈレベル信号と
Ｌｏｗレベル信号が周期的に交互に出力される。Ｉ／Ｏ
出力に接続されたＰＮＰトランジスタ部５及びＮＰＮト
ランジスタ部６は、その信号によってオン、オフ動作を
する。Ｈｉｇｈレベル信号の場合には輻射熱センサ１１
は輻射熱を検出するモードになり、被加熱物温度を表す
電圧Ｖ２がＲＡＭ２に記憶される。

【００３８】これを＜センサモード＞と呼ぶことにす
る。一方、Ｌｏｗレベル信号の場合には、輻射熱センサ
１１は周囲温度を測定するモードになり、輻射別センサ
１１から電圧Ｖ１が出力され、ＲＡＭ１に記憶される。
これを＜周囲温度モード＞と呼ぶことにする。このよう
に＜センサモード＞と、＜周囲温度モード＞が交互に繰
り返される。

【００３９】例えば、ＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの
切り替えを０．５秒間隔で行えば、１秒経過するたびに
＜センサモード＞の電圧Ｖ２と＜周囲温度モード＞の電
圧Ｖ１に基づいて演算処理部３は被加熱物の温度を算出
する。これを＜演算モード＞と呼ぶことにする。以下、
各モードについて説明する。

【００４０】＜センサモード＞Ｉ／Ｏ出力１０よりＨｉ
ｇｈレベル信号が出力される時のモードである。Ｈｉｇ
ｈレベル信号により、ＮＰＮトランジスタ部６はオンに
なり、ＰＮＰトランジスタ部５もオンになる。これによ
りブリッジ回路２５に定電圧Ｖが印加される。サーミス
タＴＨ１は被加熱物から輻射された赤外線が照射され、
その照射熱によりその電気抵抗がわずかに減少する。

【００４１】そのためにサーミスタＴＨ１とサーミスタ
ＴＨ２の中点電圧ＶＴはわずかに上昇する。その電圧Ｖ
Ｔと抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の中点電圧ＶＲの差を高精度差
動増幅器７で増幅することにより、その出力電圧Ｖ２も
上昇する。この電圧Ｖ２は被加熱物から輻射される赤外
線量の増加によって上昇し、被加熱物から輻射される赤
外線量は、被加熱物の温度の上昇によって増加する。こ
れにより、電圧Ｖ２は被加熱物温度を表す量として処理
できる。

【００４２】＜周囲温度モード＞Ｉ／Ｏ出力１０よりＬ
ｏｗレベル信号が出力される時のモードである。Ｌｏｗ
レベル信号により、ＮＰＮトランジスタ部６はオフにな
り、ＰＮＰトランジスタ部５もオフになる。これによ
り、抵抗Ｒ３とブリッジ回路２５に対して電源電圧Ｖが
掛けられる。

【００４３】サーミスタＴＨ１、ＴＨ２の抵抗値をそれ
ぞれＲＴＨ１、ＲＴＨ２とする。輻射熱センサ１１の周
囲温度が上昇すると、抵抗値ＲＴＨ１、ＲＴＨ２はどち
らも減少する。この時の抵抗値ＲＴＨ１、ＲＴＨ２は周
囲温度によって決まり、次のサーミスタの基本式に従
う。

【００４４】

【数１】

【００４５】ここで、Ｂはサーミスタに固有の定数、Ｒ
_Sは温度Ｔ_S℃時の抵抗値、Ｒは温度Ｔ℃時の抵抗値であ
る。

【００４６】周囲温度が上昇すると、サーミスタの抵抗
値ＲＴＨ１、ＲＴＨ２が下がり、ブリッジ回路２５全体
の抵抗値は下がる。これにより、抵抗Ｒ３とブリッジ回
路の中点電圧Ｖ１は下降する。このように電圧Ｖ１は周
囲温度を表す。周囲温度Ｔはこれを逆に解くと求められ
る。

【００４７】

【数２】

【００４８】即ち、サーミスタの抵抗値Ｒが与えられる
と周囲温度Ｔが求められる。本実施形態では、サーミス
タＴＨ１とサーミスタＴＨ２の特性がほとんど同じであ
ることを利用して、それぞれの抵抗値ＲＴＨ１、ＲＴＨ
２の平均を取って周囲温度Ｔを算出する。これにより、
より正確に周囲温度Ｔが求められる。そこで、式（２）
に次の値を代入する。

【００４９】Ｒ_S＝Ｒ_STH1＋Ｒ_STH2 ・・・（３）Ｒ＝ＲTH1＋ＲTH2 ・・・（４）Ｂ＝（Ｂ_TH1＋Ｂ_TH2）／２・・・（５）

【００５０】ここで、Ｒ_STH1は温度Ｔ_S℃時のサーミス
タＴＨ１の抵抗値、Ｒ_STH2は温度Ｔ_S℃時のサーミスタ
ＴＨ２の抵抗値、Ｂ_TH1はサーミスタＴＨ１のＢ定数、
Ｂ_TH2はサーミスタＴＨ２のＢ定数、ＲTH1は測定時のサ
ーミスタＴＨ１の抵抗値、ＲTH2は測定時のサーミスタ
ＴＨ２の抵抗値である。図２に示す回路において、ＲＴ
Ｈ１＋ＲＴＨ２は電源電圧Ｖと電圧Ｖ１を用いて次式の
ように表される。

【００５１】

【数３】

【００５２】このように、演算処理部３はＲＡＭ１に記
憶されたＶ１を入力することによって直ちに周囲温度を
算出できる。

【００５３】＜演算モード＞１秒経過するたびに、演算
処理部３は周囲温度を表す電圧Ｖ１と、被加熱物温度を
表す電圧Ｖ２と、Ｅ²ＲＯＭ９に記憶された特性データ
とを入力して被加熱物温度を求める。

【００５４】被加熱物がない時の電圧Ｖ２はＢ_TH1＝Ｂ
_TH2の場合には、図３に示すＶＡのように、周囲温度に
対して一定に出力される。しかし、互いにＢ定数値がわ
ずかでもずれている場合には、電圧Ｖ２はＶＢ、ＶＣの
ようにドリフトして出力される。Ｂ_TH1＞Ｂ_TH2の場合に
は、電圧Ｖ２はＶＢのように出力され、Ｂ_TH1＜Ｂ_TH2の
場合には、電圧Ｖ２はＶＣのように出力される。

【００５５】電圧Ｖ２の被加熱物温度特性を図４に示
す。周囲温度がある温度一定で、Ｂ_TH1≠Ｂ_TH2の場合、
ＶＡ’のように出力されたとしても、多少でも周囲温度
変化があれば、電圧Ｖ２はＶＢ’、ＶＣ’のようにドリ
フトして出力される。このような不具合を解消するた
め、演算処理部３は次のように補正する。電圧Ｖ２は図
５に示すように基本的に被加熱物温度から周囲温度を引
いた値に比例する特性を示す。これにより周囲温度補正
式（７）を立てる。

【００５６】（被加熱物温度）＝ａ×Ｖ２＋ｂ＋（周囲温度）・・・（７）ここで、ａ，ｂは定数である。周囲温度は電圧Ｖ１に基
づいて前述したような方法で算出される。更に、図３に
示すＶＢ’，ＶＣ’のような温度ドリフトは、その勾配
を考慮して補正される。即ち、電圧Ｖ２は次式のように
補正され、その後に周囲温度補正式（７）に代入され
る。

【００５７】Ｖ２→Ｖ２−(Δ周囲温度)×(温度ドリフト勾配)×(増幅率)・・・（８）ここで、Δ周囲温度はある一定時間の間隔での周囲温度
の変化分、増幅率は高精度差動増幅回路７の増幅率であ
る。温度ドリフト勾配はあらかじめ調べられ、ハード的
出力手段８に組み込まれている。この補正は輻射熱セン
サ１１から出力された電圧Ｖ２から、ある一定時間の間
隔での温度ドリフトの増加を引くという補正である。通
常温度ドリフト勾配は微小な値であり、有効な補正であ
る。

【００５８】このように、電圧Ｖ１と、電圧Ｖ２と、Δ
周囲温度と、温度ドリフト勾配と、定数ａ，ｂが与えら
れることにより、演算処理部３は、周囲温度補正及びＢ
定数の製造ばらつき補正をする。図６に示すように、補
正によって電圧Ｖ２と被加熱物温度は一義的に決まり、
高精度の温度測定ができる。又、図１に示すように、輻
射熱センサ１１に発熱体１６が設けられ、輻射熱センサ
１１の温度をある一定の温度に保つことにより、温度ド
リフトが抑えられるようにしている。

【００５９】更に、サーミスタＴＨ１、ＴＨ２の特性の
経年変化や凹面鏡１３の集光力の経年変化は、発熱温度
一定の発熱体１８を利用して補正する。補正された特性
データはＥ²ＲＯＭ９に記憶される。例えば、所定発熱
温度の測定でも、凹面鏡１３の表面に油が付着して集光
力が低下し、輻射熱センサ１１の出力が小さくなる場合
が考えられる。

【００６０】この場合には感度が低下しているので、定
数ａを小さな値に変更すればよい。このように被加熱物
への加熱中に被加熱物の温度が正確に測定されることに
より、被加熱物があらかじめ決められた設定温度になっ
た時点で自動的に被加熱物への加熱が終了することによ
って、加熱の不足や超過を防ぎ、被加熱物は適度な温度
状態に仕上がる。

【００６１】

【発明の効果】

＜請求項１の効果＞比較的安価で、被加熱物の温度が高
精度に測定される。この測定された被加熱物温度に基づ
いて被加熱物への加熱が制御され、被加熱物は適度な温
度状態に加熱される。又、非接触温度測定器として電子
レンジ以外にも幅広く応用できる。

【００６２】＜請求項２の効果＞輻射熱センサの出力が
最大となり、Ｓ／Ｎ比が良くなる。又、被加熱物の形状
や大きさによらず、正確に被加熱物が測定される。

【００６３】＜請求項３の効果＞２個の感温素子を用い
て輻射熱センサを構成したものにおける感温素子の温度
ドリフトが抑えられ、測定の精度が向上する。

【００６４】＜請求項４の効果＞輻射熱センサの出力
が、同じ温度条件でもしだいに変化する経年変化に対し
て補正が行え、測定精度が維持される。

【００６５】＜請求項５の効果＞輻射熱センサは被加熱
物より発生する蒸気、油、汚物等をあまり受けなくな
り、蒸気、油、汚物等によって測定精度が悪化するのが
防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の電子レンジの断面図。

【図２】その基本回路図。

【図３】その温度ドリフトを示す特性図。

【図４】その被加熱物温度特性図。

【図５】その（被加熱物温度−周囲温度）−出力電圧特
性図。

【図６】ドリフト補正後の被測定物温度と出力電圧との
関係図。

【図７】従来の電子レンジにおけるサーミスタボロメー
タの回路図。

【符号の説明】

１ＲＡＭ２ＲＡＭ３演算処理部４マイコン７高精度差動増幅器９Ｅ²ＲＯＭ１０Ｉ／Ｏ出力１１輻射熱センサ１２筐体１３凹面鏡１４カム機構１６発熱体１７加熱室１８発熱体１９マグネトロンＴＨ１サーミスタＴＨ２サーミスタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加熱室内に置かれた被加熱物から輻射され
る赤外線を検出する輻射熱センサによって前記被加熱物
の温度を測定し、その温度情報に基づいて前記被加熱物
への加熱を制御する電子レンジにおいて、前記輻射熱セ
ンサは感温素子を用いたボロメータタイプとし、前記輻
射熱センサの周囲温度を測定する周囲温度測定手段を設
け、前記輻射熱センサの出力を前記周囲温度測定手段の
出力に基づいて補正するようにしたことを特徴とする電
子レンジ。
【請求項２】前記輻射熱センサの入射口の方向を可変す
るように前記輻射熱センサの位置を制御する制御手段を
設け、該制御手段は前記被加熱物への加熱時に前記輻射
熱センサの出力が最大となる位置に前記輻射熱センサを
もたらすことを特徴とする請求項１に記載の電子レン
ジ。
【請求項３】前記輻射熱センサは前記感温素子を内蔵す
る部分と、入射赤外線を前記感温素子へ導く集光部とを
有する筐体を備えており、前記筐体に更に発熱体を設
け、それが加熱することにより前記輻射熱センサの温度
を一定に保つようにしたことを特徴とする請求項１に記
載の電子レンジ。
【請求項４】被加熱物が置かれる近辺の所定位置に所定
発熱温度の発熱体を設け、その発熱体の発熱温度を前記
輻射熱センサで測定することにより、前記輻射熱センサ
の出力に補正を行うようにしたことを特徴とする請求項
１又は請求項２又は請求項３に記載の電子レンジ。
【請求項５】前記加熱室に空気循環用として設けられた
吸気口の近辺に前記輻射熱センサを取り付けたことを特
徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３又は請求項
４に記載の電子レンジ。