JPH09171999A - プラズマクリーニング処理方法 - Google Patents
プラズマクリーニング処理方法Info
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- JPH09171999A JPH09171999A JP33217895A JP33217895A JPH09171999A JP H09171999 A JPH09171999 A JP H09171999A JP 33217895 A JP33217895 A JP 33217895A JP 33217895 A JP33217895 A JP 33217895A JP H09171999 A JPH09171999 A JP H09171999A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ａｌを含む膜とＴｉＷ，ＴｉＮ等のバリアメタ
ルとの積層構造膜のエッチングによってエッチング処理
室内に残留したＣ成分，Ａｌ成分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分
等を有効に除去する。 【解決手段】エッチング処理後のエッチング処理室内を
Ｈ２Ｏガスでプラズマ処理し、次にエッチング処理室内
を塩素成分を含むガスでプラズマ処理し、さらにエッチ
ング処理室内を酸素ガスでプラズマ処理する。
ルとの積層構造膜のエッチングによってエッチング処理
室内に残留したＣ成分，Ａｌ成分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分
等を有効に除去する。 【解決手段】エッチング処理後のエッチング処理室内を
Ｈ２Ｏガスでプラズマ処理し、次にエッチング処理室内
を塩素成分を含むガスでプラズマ処理し、さらにエッチ
ング処理室内を酸素ガスでプラズマ処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明はプラズマクリーニン
グ処理方法に係り、特にＡｌを含む膜とＴｉＷ，ＴｉＮ
等の積層構造膜のエッチングにおける処理室内のクリー
ニングに好適なプラズマクリーニング処理方法に関する
ものである。
グ処理方法に係り、特にＡｌを含む膜とＴｉＷ，ＴｉＮ
等の積層構造膜のエッチングにおける処理室内のクリー
ニングに好適なプラズマクリーニング処理方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、クリーニング方法としては、例え
ば、１９９２年秋季第５３回応用物理学会学術講演会講
演予稿集４６５Ｐ「ＨＢｒ ＲＩＥにおけるｉｎ ｓｉ
ｔｕチャンバークリーニング」に記載されているよう
に、Ｓｉ系膜のエッチング処理時にチャンバー内に堆積
する反応生成物の除去にＯ２あるいはＳＦ６＋Ｏ２等の
混合ガスを用いたプラズマ処理方法が示され、チャンバ
ー壁に付着した反応生成物の除去ができることが示され
ている。
ば、１９９２年秋季第５３回応用物理学会学術講演会講
演予稿集４６５Ｐ「ＨＢｒ ＲＩＥにおけるｉｎ ｓｉ
ｔｕチャンバークリーニング」に記載されているよう
に、Ｓｉ系膜のエッチング処理時にチャンバー内に堆積
する反応生成物の除去にＯ２あるいはＳＦ６＋Ｏ２等の
混合ガスを用いたプラズマ処理方法が示され、チャンバ
ー壁に付着した反応生成物の除去ができることが示され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】エッチング処理時に発
生する反応生成物による堆積物は、終点検出用発光モニ
ター窓の曇りを発生させ、終点検出精度の低下によるエ
ッチング性能の不均一やパーティクル発生の原因となっ
ている。このため、反応生成物による堆積物を監視し、
プラズマ発光強度や、パーティクル発生数を計測して一
定の管理基準により適宜クリーニング処理を行ってい
る。上記従来のクリーニング方法は、Ａｌを含む層とＴ
ｉＷ，ＴｉＮ膜等の積層膜のエッチングにおけるクリー
ニング及びウエハ１枚毎のプラズマ処理におけるクリー
ニングについて配慮がされておらず、Ａｌを含む積層膜
のエッチングにおけるエッチング処理室内のクリーニン
グ時に、反応生成物の成分であるＣ成分，Ｃｌ成分，Ｔ
ｉ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分を有効に除去することが重
要であるが、酸素やフッ素を含むプラズマ処理ではＡｌ
成分が過度に酸化され非常に除去しにくくなるという問
題があった。
生する反応生成物による堆積物は、終点検出用発光モニ
ター窓の曇りを発生させ、終点検出精度の低下によるエ
ッチング性能の不均一やパーティクル発生の原因となっ
ている。このため、反応生成物による堆積物を監視し、
プラズマ発光強度や、パーティクル発生数を計測して一
定の管理基準により適宜クリーニング処理を行ってい
る。上記従来のクリーニング方法は、Ａｌを含む層とＴ
ｉＷ，ＴｉＮ膜等の積層膜のエッチングにおけるクリー
ニング及びウエハ１枚毎のプラズマ処理におけるクリー
ニングについて配慮がされておらず、Ａｌを含む積層膜
のエッチングにおけるエッチング処理室内のクリーニン
グ時に、反応生成物の成分であるＣ成分，Ｃｌ成分，Ｔ
ｉ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分を有効に除去することが重
要であるが、酸素やフッ素を含むプラズマ処理ではＡｌ
成分が過度に酸化され非常に除去しにくくなるという問
題があった。
【０００４】本発明の目的は、Ａｌを含む膜とＴｉＷ，
ＴｉＮ等のバリアメタルとの積層構造膜のエッチングに
よってエッチング処理室内に残留したＣ成分，Ａｌ成
分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分等を有効に除去することのでき
るプラズマクリーニング処理方法を提供することにあ
る。
ＴｉＮ等のバリアメタルとの積層構造膜のエッチングに
よってエッチング処理室内に残留したＣ成分，Ａｌ成
分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分等を有効に除去することのでき
るプラズマクリーニング処理方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、配線パター
ンが形成された有機膜を用いたＡｌを含む膜とバリアメ
タルとの積層構造膜のエッチング処理によってエッチン
グ処理室内に付着した反応生成物を除去する際に、エッ
チング処理室内をＨ２Ｏガスプラズマに曝す工程と、該
工程の後エッチング処理室内を塩素成分を含むガスプラ
ズマに曝す工程と、該工程の後エッチング処理室内を酸
素ガスプラズマに曝す工程とを連続して行うことによ
り、達成される。
ンが形成された有機膜を用いたＡｌを含む膜とバリアメ
タルとの積層構造膜のエッチング処理によってエッチン
グ処理室内に付着した反応生成物を除去する際に、エッ
チング処理室内をＨ２Ｏガスプラズマに曝す工程と、該
工程の後エッチング処理室内を塩素成分を含むガスプラ
ズマに曝す工程と、該工程の後エッチング処理室内を酸
素ガスプラズマに曝す工程とを連続して行うことによ
り、達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１お
よび図２により説明する。図１は本発明を実施する装置
の一例であるマイクロ波エッチング装置を示す。エッチ
ング室６内には試料を載置する試料台８が設けられてお
り、試料台８に対向してエッチング室６の上部に石英窓
７が取付けてある。エッチング室６内に処理ガスを供給
する処理ガス導入管１２と、図示を省略した真空ポンプ
につながりエッチング室６内を所定の圧力に減圧排気す
るための排気口１４が設けてある。ここでエッチング室
６と石英窓７とによってエッチング処理室が形成され
る。なお、コイル１１と高周波電源１３はプラズマクリ
ーニング処理時には使用しない。本装置を用いてエッチ
ング処理する場合、コイル１１は石英窓内に４００〜１
５００ガウスの磁場を作るために使用し、高周波電源１
３は試料台８に入射するプラズマ中のイオンエネルギを
制御するために使用する。
よび図２により説明する。図１は本発明を実施する装置
の一例であるマイクロ波エッチング装置を示す。エッチ
ング室６内には試料を載置する試料台８が設けられてお
り、試料台８に対向してエッチング室６の上部に石英窓
７が取付けてある。エッチング室６内に処理ガスを供給
する処理ガス導入管１２と、図示を省略した真空ポンプ
につながりエッチング室６内を所定の圧力に減圧排気す
るための排気口１４が設けてある。ここでエッチング室
６と石英窓７とによってエッチング処理室が形成され
る。なお、コイル１１と高周波電源１３はプラズマクリ
ーニング処理時には使用しない。本装置を用いてエッチ
ング処理する場合、コイル１１は石英窓内に４００〜１
５００ガウスの磁場を作るために使用し、高周波電源１
３は試料台８に入射するプラズマ中のイオンエネルギを
制御するために使用する。
【０００７】上記構成の装置により、配線パターンが形
成された有機膜を用いたＡｌを含む膜とバリアメタル
（例えば、ＴｉＷまたはＴｉＮ）との積層構造膜をＢＣ
ｌ３とＣｌ２との混合ガスプラズマによってエッチング
処理する（これを図１のステップ１に示す）。これによ
ってエッチング処理室内に反応生成物が付着する。この
付着した反応生成物を次のようにして除去する。まず、
処理ガス導入管１２によりエッチング室６内にＨ２Ｏガ
ス１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入し、エッチング室６
内の圧力を１００Ｐａに保持して、マグネトロン１０に
より、１０００Ｗのマイクロ波を発生させ、導波管９に
より石英窓７を介してエッチング室６内に導入し、２分
間プラズマ処理する（これを図１のステップ２に示
す）。次に、Ｈ２Ｏガスに替えて塩素を含むガス、この
場合、Ｃｌ２ガスを１５０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入
し、エッチング室６内の圧力を１００Ｐａに保持して、
マグネトロン１０により１０００Ｗのマイクロ波を発生
させ、エッチング室６内で３分間プラズマ処理する（こ
れを図１のステップ３に示す）。その後、さらにＯ２ガ
ス２００ｃｃ／ｍｉｎの流量でエッチング室６に導入
し、エッチング室６内の圧力を２００Ｐａに保持した状
態で前述と同様１０００Ｗのマイクロ波出力で３分間の
プラズマ処理を行う（これを図１のステップ４に示
す）。また、エッチング処理室内のプラズマクリーニン
グ後に、次のエッチングのためにエッチング処理時と同
じガスのプラズマを発生させて、エッチング処理室内を
エッチング雰囲気に置換しておく（これを図１のステッ
プ５に示す）。なおここで、塩素を含むガスとしてＣｌ
２ガスの代わりにＢＣｌ３ガスあるいはＣｌ２ガスとＢ
Ｃｌ３ガスの混合ガスを用いることができる。
成された有機膜を用いたＡｌを含む膜とバリアメタル
（例えば、ＴｉＷまたはＴｉＮ）との積層構造膜をＢＣ
ｌ３とＣｌ２との混合ガスプラズマによってエッチング
処理する（これを図１のステップ１に示す）。これによ
ってエッチング処理室内に反応生成物が付着する。この
付着した反応生成物を次のようにして除去する。まず、
処理ガス導入管１２によりエッチング室６内にＨ２Ｏガ
ス１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入し、エッチング室６
内の圧力を１００Ｐａに保持して、マグネトロン１０に
より、１０００Ｗのマイクロ波を発生させ、導波管９に
より石英窓７を介してエッチング室６内に導入し、２分
間プラズマ処理する（これを図１のステップ２に示
す）。次に、Ｈ２Ｏガスに替えて塩素を含むガス、この
場合、Ｃｌ２ガスを１５０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入
し、エッチング室６内の圧力を１００Ｐａに保持して、
マグネトロン１０により１０００Ｗのマイクロ波を発生
させ、エッチング室６内で３分間プラズマ処理する（こ
れを図１のステップ３に示す）。その後、さらにＯ２ガ
ス２００ｃｃ／ｍｉｎの流量でエッチング室６に導入
し、エッチング室６内の圧力を２００Ｐａに保持した状
態で前述と同様１０００Ｗのマイクロ波出力で３分間の
プラズマ処理を行う（これを図１のステップ４に示
す）。また、エッチング処理室内のプラズマクリーニン
グ後に、次のエッチングのためにエッチング処理時と同
じガスのプラズマを発生させて、エッチング処理室内を
エッチング雰囲気に置換しておく（これを図１のステッ
プ５に示す）。なおここで、塩素を含むガスとしてＣｌ
２ガスの代わりにＢＣｌ３ガスあるいはＣｌ２ガスとＢ
Ｃｌ３ガスの混合ガスを用いることができる。
【０００８】以上、本実施例によれば、Ｈ２Ｏガス，塩
素を含むガス，Ｏ２ガスによる連続したプラズマ処理を
行うことで、エッチング室内に残留したＣ成分やＡｌ成
分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分を有効に除去することができ
る。
素を含むガス，Ｏ２ガスによる連続したプラズマ処理を
行うことで、エッチング室内に残留したＣ成分やＡｌ成
分，Ｔｉ成分，Ｓｉ成分を有効に除去することができ
る。
【０００９】特に、エッチング室内に残留する反応生成
物を除去するため最初にＨ２Ｏプラズマ処理を行うこと
により、Ｈ２Ｏガス中の水素成分によってエッチング室
内に残留する反応生成分を過度に酸化することなくＣ
Ｏ，ＨＣｌ等の生成物にして、エッチング室から炭素成
分、塩素成分を除去することができる。また次に、塩素
成分を主体とするプラズマ処理を行うことにより、酸化
が抑制されたＡｌ，Ｔｉ，Ｓｉ成分等を有効に除去でき
る。さらにＯ２を主体とするプラズマ処理にてエッチン
グ室に付着した有機物を除去できる。これにより、従来
法に比較して、特にＡｌ，Ｔｉ，Ｓｉ成分を過度に酸化
することなく有効に除去できる。
物を除去するため最初にＨ２Ｏプラズマ処理を行うこと
により、Ｈ２Ｏガス中の水素成分によってエッチング室
内に残留する反応生成分を過度に酸化することなくＣ
Ｏ，ＨＣｌ等の生成物にして、エッチング室から炭素成
分、塩素成分を除去することができる。また次に、塩素
成分を主体とするプラズマ処理を行うことにより、酸化
が抑制されたＡｌ，Ｔｉ，Ｓｉ成分等を有効に除去でき
る。さらにＯ２を主体とするプラズマ処理にてエッチン
グ室に付着した有機物を除去できる。これにより、従来
法に比較して、特にＡｌ，Ｔｉ，Ｓｉ成分を過度に酸化
することなく有効に除去できる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｌを含む膜とＴｉ
Ｗ，ＴｉＮ等との積層構造膜のエッチングによって、エ
ッチング処理室内に残留したＣ成分，Ａｌ成分，Ｔｉ成
分，Ｓｉ成分を有効に除去することができるという効果
がある。
Ｗ，ＴｉＮ等との積層構造膜のエッチングによって、エ
ッチング処理室内に残留したＣ成分，Ａｌ成分，Ｔｉ成
分，Ｓｉ成分を有効に除去することができるという効果
がある。
【図１】本発明のプラズマクリーニング処理方法の一実
施例の処理フローを示す図である。
施例の処理フローを示す図である。
【図２】本発明のプラズマクリーニング処理方法を実施
するための装置の一例を示す断面図。
するための装置の一例を示す断面図。
６…エッチング室、７…石英窓、８…試料台、９…導波
管、１０…マグネトロン。
管、１０…マグネトロン。
Claims (4)
- 【請求項１】配線パターンが形成された有機膜を用いた
Ａｌを含む膜とバリアメタルとの積層構造膜のエッチン
グ処理によってエッチング処理室内に付着した反応生成
物を除去する際に、前記エッチング処理室内をＨ２Ｏガ
スプラズマに曝す工程と、該工程の後前記エッチング処
理室内を塩素成分を含むガスプラズマに曝す工程と、該
工程の後前記エッチング処理室内を酸素ガスプラズマに
曝す工程とを連続して行うことを特徴とするプラズマク
リーニング処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載のエッチング処理時の前記バ
リアメタルがＴｉＷまたはＴｉＮであるプラズマクリー
ニング処理方法。 - 【請求項３】請求項１記載のプラズマクリーニングにお
ける前記エッチング処理室内の処理圧力を５０Ｐａ〜３
００Ｐａとするプラズマクリーニング処理方法。 - 【請求項４】請求項１記載の塩素成分を含むガスはＣｌ
２ガス，ＢＣｌ３ガス，あるいはこれらの混合ガスを用
いるプラズマクリーニング処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07332178A JP3117187B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | プラズマクリーニング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07332178A JP3117187B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | プラズマクリーニング処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171999A true JPH09171999A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3117187B2 JP3117187B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=18252044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07332178A Expired - Fee Related JP3117187B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | プラズマクリーニング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3117187B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186226A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置内のプラズマクリーニング方法 |
| JP2001308068A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nec Corp | エッチング装置のチャンバークリーニング方法 |
| KR100321697B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-07-06 | 박종섭 | 반도체장치제조방법 |
| KR100347540B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 알루미늄 금속막 식각 방법 |
| JP2012084600A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマの処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2013046050A3 (en) * | 2011-09-30 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Limited | Dry cleaning method for recovering etch process condition |
| WO2014034396A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
| CN112840039A (zh) * | 2018-10-05 | 2021-05-25 | 朗姆研究公司 | 处理室表面移除金属污染物 |
| JP2022188064A (ja) * | 2017-03-27 | 2022-12-20 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
| KR20230134978A (ko) * | 2022-03-15 | 2023-09-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US12573593B2 (en) | 2020-02-10 | 2026-03-10 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10236442B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming an interconnection line and methods of fabricating a magnetic memory device using the same |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP07332178A patent/JP3117187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186226A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置内のプラズマクリーニング方法 |
| KR100321697B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-07-06 | 박종섭 | 반도체장치제조방법 |
| KR100347540B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 알루미늄 금속막 식각 방법 |
| JP2001308068A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nec Corp | エッチング装置のチャンバークリーニング方法 |
| JP2012084600A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマの処理方法及びプラズマ処理装置 |
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| WO2014034396A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
| JP2014045063A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
| US9460896B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-10-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| JP2022188064A (ja) * | 2017-03-27 | 2022-12-20 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
| US12368031B2 (en) | 2017-03-27 | 2025-07-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
| CN112840039A (zh) * | 2018-10-05 | 2021-05-25 | 朗姆研究公司 | 处理室表面移除金属污染物 |
| US12191125B2 (en) | 2018-10-05 | 2025-01-07 | Lam Research Corporation | Removing metal contamination from surfaces of a processing chamber |
| US12573593B2 (en) | 2020-02-10 | 2026-03-10 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
| KR20230134978A (ko) * | 2022-03-15 | 2023-09-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3117187B2 (ja) | 2000-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |