JPH09172033A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH09172033A JPH09172033A JP7331246A JP33124695A JPH09172033A JP H09172033 A JPH09172033 A JP H09172033A JP 7331246 A JP7331246 A JP 7331246A JP 33124695 A JP33124695 A JP 33124695A JP H09172033 A JPH09172033 A JP H09172033A
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- semiconductor device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 チップサイズパッケージ型半導体装置の生産
性向上と低コスト化。 【解決手段】 主面に複数のバンプ電極２を有する半導
体チップ３と、半導体チップの主面に所定の間隔を隔て
て対面しかつそれぞれバンプ電極２に接続される複数の
平坦なリード４と、半導体チップの主面を覆いかつ少な
くとも半導体チップと各リードとを接着する絶縁性の樹
脂５とを有する。リードは半導体チップの略延在領域内
に位置している。
性向上と低コスト化。 【解決手段】 主面に複数のバンプ電極２を有する半導
体チップ３と、半導体チップの主面に所定の間隔を隔て
て対面しかつそれぞれバンプ電極２に接続される複数の
平坦なリード４と、半導体チップの主面を覆いかつ少な
くとも半導体チップと各リードとを接着する絶縁性の樹
脂５とを有する。リードは半導体チップの略延在領域内
に位置している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に関し、特に全体の大きさが半導体チップの
大きさと略同じとなるＣＳＰ（Chip Size Package)型半
導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
の製造方法に関し、特に全体の大きさが半導体チップの
大きさと略同じとなるＣＳＰ（Chip Size Package)型半
導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の小型化を図る構造として、
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）や近似ＣＳＰが開発
されている。
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）や近似ＣＳＰが開発
されている。
【０００３】チップサイズパッケージには、フレキシブ
ル配線板をパターン変換基板（インタポーザ）として半
導体チップよりも小さい領域にバンプ（パッド）を配列
したもの、インタポーザを用いずに半導体チップ上に直
接バンプを形成したもの、リードを使用して半導体チッ
プのパッド位置を変換するもの等が知られている。
ル配線板をパターン変換基板（インタポーザ）として半
導体チップよりも小さい領域にバンプ（パッド）を配列
したもの、インタポーザを用いずに半導体チップ上に直
接バンプを形成したもの、リードを使用して半導体チッ
プのパッド位置を変換するもの等が知られている。
【０００４】チップサイズパッケージ型半導体装置につ
いては、工業調査会発行「電子材料」1995年４月号、同
年４月１日発行、Ｐ22〜Ｐ28に記載されている。
いては、工業調査会発行「電子材料」1995年４月号、同
年４月１日発行、Ｐ22〜Ｐ28に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】チップサイズパッケー
ジ型半導体装置の一つに、半導体チップの電極を設けた
主面にカバーフィルムを介して段付き状のリードの先端
（内端）を固定し、電極とリード内端を電気的に接続
し、半導体チップの主面側にレジン（樹脂）を充填して
リードの外端部の一表面を露出させて外部端子とした構
造がある。
ジ型半導体装置の一つに、半導体チップの電極を設けた
主面にカバーフィルムを介して段付き状のリードの先端
（内端）を固定し、電極とリード内端を電気的に接続
し、半導体チップの主面側にレジン（樹脂）を充填して
リードの外端部の一表面を露出させて外部端子とした構
造がある。
【０００６】この構造のチップサイズパッケージ型半導
体装置は、リードの先端が段付き状となるリードフレー
ムを使用して製造されるが、チップサイズに対応させる
ため、その加工技術は微細となり、リードの屈曲部分の
プレスによる成形が難しく、高度なプレス技術を必要と
する。
体装置は、リードの先端が段付き状となるリードフレー
ムを使用して製造されるが、チップサイズに対応させる
ため、その加工技術は微細となり、リードの屈曲部分の
プレスによる成形が難しく、高度なプレス技術を必要と
する。
【０００７】本発明の目的は、生産性が高く低コスト化
が達成できるチップサイズパッケージ型半導体装置を提
供することにある。
が達成できるチップサイズパッケージ型半導体装置を提
供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１０】（１）主面に複数のバンプ電極を有する半
導体チップと、前記半導体チップの主面に所定の間隔を
隔てて対面しかつそれぞれ前記バンプ電極に接続される
複数の平坦なリードと、前記半導体チップの主面を覆い
かつ少なくとも前記半導体チップと各リードとを接着す
る絶縁性の樹脂とを有する。前記リードは前記半導体チ
ップの略延在領域内に位置している。
導体チップと、前記半導体チップの主面に所定の間隔を
隔てて対面しかつそれぞれ前記バンプ電極に接続される
複数の平坦なリードと、前記半導体チップの主面を覆い
かつ少なくとも前記半導体チップと各リードとを接着す
る絶縁性の樹脂とを有する。前記リードは前記半導体チ
ップの略延在領域内に位置している。
【００１１】このようなチップサイズパッケージ型半導
体装置は、複数のリードを有する平坦なリードフレーム
を用意する工程と、半導体チップの主面に設けられたバ
ンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前記リ
ードフレームに固定する工程と、前記半導体チップの主
面とリードフレームとの間に絶縁性の樹脂を充填して硬
化させる工程と、前記リードを前記半導体チップの略外
縁位置で切断する工程とによって製造される。
体装置は、複数のリードを有する平坦なリードフレーム
を用意する工程と、半導体チップの主面に設けられたバ
ンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前記リ
ードフレームに固定する工程と、前記半導体チップの主
面とリードフレームとの間に絶縁性の樹脂を充填して硬
化させる工程と、前記リードを前記半導体チップの略外
縁位置で切断する工程とによって製造される。
【００１２】（２）前記手段（１）の構成において、前
記各リードの一面に前記半導体チップを囲むように絶縁
性接着剤を介して絶縁性の枠体が固定され、前記枠体内
には前記半導体チップを覆うように前記樹脂が充填さ
れ、前記リードは前記枠体によって囲まれる領域内に位
置している。
記各リードの一面に前記半導体チップを囲むように絶縁
性接着剤を介して絶縁性の枠体が固定され、前記枠体内
には前記半導体チップを覆うように前記樹脂が充填さ
れ、前記リードは前記枠体によって囲まれる領域内に位
置している。
【００１３】このようなチップサイズパッケージ型半導
体装置は、複数のリードを有する平坦なリードフレーム
を用意する工程と、半導体チップの主面に設けられたバ
ンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前記リ
ードフレームに固定する工程と、前記半導体チップを囲
むように絶縁性の枠体を前記リードフレームに絶縁性の
接着剤によって固定する工程と、前記枠体内に絶縁性の
樹脂を充填して硬化させて前記半導体チップの主面を覆
うとともに少なくとも半導体チップとリード間を樹脂で
埋める工程と、前記リードを前記枠体の略外縁位置で切
断する工程とによって製造される。
体装置は、複数のリードを有する平坦なリードフレーム
を用意する工程と、半導体チップの主面に設けられたバ
ンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前記リ
ードフレームに固定する工程と、前記半導体チップを囲
むように絶縁性の枠体を前記リードフレームに絶縁性の
接着剤によって固定する工程と、前記枠体内に絶縁性の
樹脂を充填して硬化させて前記半導体チップの主面を覆
うとともに少なくとも半導体チップとリード間を樹脂で
埋める工程と、前記リードを前記枠体の略外縁位置で切
断する工程とによって製造される。
【００１４】（３）前記手段（１）または（２）の構成
において、前記リードには前記樹脂が充填される穴が設
けられている。
において、前記リードには前記樹脂が充填される穴が設
けられている。
【００１５】前記（１）の手段によれば、半導体チップ
の主面のバンプ電極にリードが接続されるが、各リード
は平坦な構造となっていることから、チップサイズパッ
ケージ型半導体装置の製造において、リードフレームに
対して相対的に半導体チップを位置決めして重ね合わせ
ることによってリードとバンプ電極は正確に重なって接
続されるため、ボンディングの信頼性が高くなるととも
に、歩留りも高くなる。また、リードは平坦であること
から各リードのバンプ電極接続面は同一平面となるた
め、バンプ電極との接触調整作業が不要となり、ボンデ
ィング信頼性（接続性）およびボンディング作業性が向
上する。
の主面のバンプ電極にリードが接続されるが、各リード
は平坦な構造となっていることから、チップサイズパッ
ケージ型半導体装置の製造において、リードフレームに
対して相対的に半導体チップを位置決めして重ね合わせ
ることによってリードとバンプ電極は正確に重なって接
続されるため、ボンディングの信頼性が高くなるととも
に、歩留りも高くなる。また、リードは平坦であること
から各リードのバンプ電極接続面は同一平面となるた
め、バンプ電極との接触調整作業が不要となり、ボンデ
ィング信頼性（接続性）およびボンディング作業性が向
上する。
【００１６】前記（２）の手段によれば、前記手段
（１）の場合と同様にリードとバンプ電極との接続性お
よびボンディング作業性が良好となるとともに、半導体
チップを枠体で囲むことから、半導体装置の取り扱い
時、枠体部分を保持でき、脆弱な半導体チップに触れる
ことがないため、半導体装置の取扱性が良くなる。
（１）の場合と同様にリードとバンプ電極との接続性お
よびボンディング作業性が良好となるとともに、半導体
チップを枠体で囲むことから、半導体装置の取り扱い
時、枠体部分を保持でき、脆弱な半導体チップに触れる
ことがないため、半導体装置の取扱性が良くなる。
【００１７】前記（３）の手段によれば、リードには穴
が設けられ、この穴に樹脂が入り込むことから、リード
と樹脂との接着性は高く、リードが樹脂から脱落しなく
なる。
が設けられ、この穴に樹脂が入り込むことから、リード
と樹脂との接着性は高く、リードが樹脂から脱落しなく
なる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】（実施形態１）図１は本発明の一実施形態
（実施形態１）である半導体装置の断面図、図２は本実
施形態１の半導体装置の平面図、図３は本実施形態１の
半導体装置の底面図、図４は本実施形態１の半導体装置
の製造に用いるリードフレーム等を示す平面図である。
（実施形態１）である半導体装置の断面図、図２は本実
施形態１の半導体装置の平面図、図３は本実施形態１の
半導体装置の底面図、図４は本実施形態１の半導体装置
の製造に用いるリードフレーム等を示す平面図である。
【００２０】本実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１は、
主面に複数のバンプ電極２を有する半導体チップ３と、
前記半導体チップ３の主面に所定の間隔を隔てて対面し
かつそれぞれ前記バンプ電極２に接続される複数の平坦
なリード４と、前記半導体チップ３の主面を覆いかつ少
なくとも前記半導体チップ３と各リード４とを接着する
絶縁性の樹脂５とからなっている。そして、ＣＳＰ型半
導体装置１は外観的には矩形体となり、各リード４の一
部が露出して外部端子を形成する状態となっている。
主面に複数のバンプ電極２を有する半導体チップ３と、
前記半導体チップ３の主面に所定の間隔を隔てて対面し
かつそれぞれ前記バンプ電極２に接続される複数の平坦
なリード４と、前記半導体チップ３の主面を覆いかつ少
なくとも前記半導体チップ３と各リード４とを接着する
絶縁性の樹脂５とからなっている。そして、ＣＳＰ型半
導体装置１は外観的には矩形体となり、各リード４の一
部が露出して外部端子を形成する状態となっている。
【００２１】前記半導体チップ３は、たとえば、幅５ｍ
ｍ，長さ１０ｍｍ，厚さ１ｍｍ程度となり、所望のＩＣ
が形成されている。また、図２の平面図および図３の底
面図に一部のみを示すが、半導体チップ３の主面には、
両側縁に沿って一定間隔でバンプ電極２が設けられてい
る。
ｍ，長さ１０ｍｍ，厚さ１ｍｍ程度となり、所望のＩＣ
が形成されている。また、図２の平面図および図３の底
面図に一部のみを示すが、半導体チップ３の主面には、
両側縁に沿って一定間隔でバンプ電極２が設けられてい
る。
【００２２】前記リード４は、たとえば、厚さが１．０
〜１．５ｍｍ程度の金属で形成され、その幅は１．０〜
１．５ｍｍ程度となっている。また、リード４の相互の
間隔は１．０ｍｍ程度となっている。リード４は、たと
えば、鉄−ニッケル系の合金板で形成されたリードフレ
ームのリード部分を切断することによって形成される。
前記リード４は半導体チップ３の略延在領域内に位置し
ている。すなわち、リード４の内端はバンプ電極２と接
続されるため半導体チップ３の中心側に位置し、リード
４の外端は半導体チップ３の外縁と略同じ位置となって
いる。これによって、半導体装置はチップサイズパッケ
ージ構造となる。
〜１．５ｍｍ程度の金属で形成され、その幅は１．０〜
１．５ｍｍ程度となっている。また、リード４の相互の
間隔は１．０ｍｍ程度となっている。リード４は、たと
えば、鉄−ニッケル系の合金板で形成されたリードフレ
ームのリード部分を切断することによって形成される。
前記リード４は半導体チップ３の略延在領域内に位置し
ている。すなわち、リード４の内端はバンプ電極２と接
続されるため半導体チップ３の中心側に位置し、リード
４の外端は半導体チップ３の外縁と略同じ位置となって
いる。これによって、半導体装置はチップサイズパッケ
ージ構造となる。
【００２３】前記バンプ電極２は、たとえば、ハンダバ
ンプからなり、バンプ電極２によって接続された半導体
チップ３の主面とリード４との間隔は広くとり、ＩＣ特
性に影響を与える大きさの寄生素子の発生を抑える構造
となっている。半導体チップ３の主面とリード４との間
隔は、バンプ電極２の高さを大きくすることによって得
られる。たとえば、バンプ電極２を融点の異なる二層の
半田の積層構造とし、リフローソルダ時、融点の低い半
田部分を溶かしてリード４とバンプ電極２の接続を行
い、高融点の半田部分でバンプ電極２の高さを得るよう
にする。
ンプからなり、バンプ電極２によって接続された半導体
チップ３の主面とリード４との間隔は広くとり、ＩＣ特
性に影響を与える大きさの寄生素子の発生を抑える構造
となっている。半導体チップ３の主面とリード４との間
隔は、バンプ電極２の高さを大きくすることによって得
られる。たとえば、バンプ電極２を融点の異なる二層の
半田の積層構造とし、リフローソルダ時、融点の低い半
田部分を溶かしてリード４とバンプ電極２の接続を行
い、高融点の半田部分でバンプ電極２の高さを得るよう
にする。
【００２４】つぎに、本実施形態１のＣＳＰ型半導体装
置１の製造について説明する。
置１の製造について説明する。
【００２５】最初に図４に示すように、リードフレーム
１０が用意される。リードフレーム１０は、厚さ０．１
〜０．１５ｍｍ程度の鉄−ニッケル系合金板をエッチン
グやプレスによって所望パターンに形成した構造となっ
ている。リードフレーム１０は、図４に示すように、一
対の平行に延在する外枠１１と、この一対の外枠１１を
連結し外枠１１に直交する方向に延在する一対の内枠１
２とによって形成される枠構造となっている。
１０が用意される。リードフレーム１０は、厚さ０．１
〜０．１５ｍｍ程度の鉄−ニッケル系合金板をエッチン
グやプレスによって所望パターンに形成した構造となっ
ている。リードフレーム１０は、図４に示すように、一
対の平行に延在する外枠１１と、この一対の外枠１１を
連結し外枠１１に直交する方向に延在する一対の内枠１
２とによって形成される枠構造となっている。
【００２６】また、前記外枠１１の内縁から枠内に向か
って複数のリード４が延在している。これらのリード４
は前記内枠１２に平行となっている。図４では、半導体
チップ３をリード４に取り付けた状態を示すが、前記リ
ード４は半導体チップ３の主面（同図では裏面）に設け
られたバンプ電極２が接続されるに充分の長さでかつ短
く形成されている。
って複数のリード４が延在している。これらのリード４
は前記内枠１２に平行となっている。図４では、半導体
チップ３をリード４に取り付けた状態を示すが、前記リ
ード４は半導体チップ３の主面（同図では裏面）に設け
られたバンプ電極２が接続されるに充分の長さでかつ短
く形成されている。
【００２７】また、図示はしないが、前記外枠１１に
は、リードフレームの搬送や位置決めに使用するガイド
孔が設けられている。
は、リードフレームの搬送や位置決めに使用するガイド
孔が設けられている。
【００２８】このようなリードフレーム１０に対して、
図４に示すように、半導体チップ３をフェイスダウンボ
ンディングによって接続する。すなわち、半導体チップ
３の各バンプ電極２がリードフレーム１０の各リード４
部分に重なるように位置決めした後、バンプ電極２をリ
フローソルダして半導体チップ３をリードフレーム１０
に固定する。
図４に示すように、半導体チップ３をフェイスダウンボ
ンディングによって接続する。すなわち、半導体チップ
３の各バンプ電極２がリードフレーム１０の各リード４
部分に重なるように位置決めした後、バンプ電極２をリ
フローソルダして半導体チップ３をリードフレーム１０
に固定する。
【００２９】つぎに、図示はしないが、前記リードフレ
ーム１０を裏返して半導体チップ３が上面側に位置する
ようにした後、半導体チップ３の主面に所定量の溶けた
樹脂を充填しかつ硬化させる。この樹脂充填によって、
半導体チップ３の露出する主面全域は樹脂５で被われる
とともに、半導体チップ３とリード４との隙間およびリ
ード４相互の隙間も塞がれる。
ーム１０を裏返して半導体チップ３が上面側に位置する
ようにした後、半導体チップ３の主面に所定量の溶けた
樹脂を充填しかつ硬化させる。この樹脂充填によって、
半導体チップ３の露出する主面全域は樹脂５で被われる
とともに、半導体チップ３とリード４との隙間およびリ
ード４相互の隙間も塞がれる。
【００３０】つぎに、前記リードフレーム１０のリード
４部分を、半導体チップ３の外縁に沿って切断し、図１
乃至図３に示すようなチップサイズパッケージ型の半導
体装置１を製造する。
４部分を、半導体チップ３の外縁に沿って切断し、図１
乃至図３に示すようなチップサイズパッケージ型の半導
体装置１を製造する。
【００３１】本実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１は、
半導体チップ３のバンプ電極２に平坦なリード４が接続
される構造となっていることから、その製造において、
平坦なリードフレーム１０を使用できる。このため、半
導体チップ３をリードフレーム１０に対して位置決めし
て重ねるだけで、半導体チップ３の各バンプ電極２は同
一平面に並ぶ各リード４部分に正確にかつ確実に接触す
るため、その後のリフローソルダによってリード４とバ
ンプ電極２は確実に接続される。したがって、リード４
とバンプ電極２のボンディングの信頼性が高くなるとと
もに、製造歩留りも向上する。
半導体チップ３のバンプ電極２に平坦なリード４が接続
される構造となっていることから、その製造において、
平坦なリードフレーム１０を使用できる。このため、半
導体チップ３をリードフレーム１０に対して位置決めし
て重ねるだけで、半導体チップ３の各バンプ電極２は同
一平面に並ぶ各リード４部分に正確にかつ確実に接触す
るため、その後のリフローソルダによってリード４とバ
ンプ電極２は確実に接続される。したがって、リード４
とバンプ電極２のボンディングの信頼性が高くなるとと
もに、製造歩留りも向上する。
【００３２】本実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１は、
その製造において、リード４とバンプ電極２との接続
は、リードフレーム１０に半導体チップ３を位置決めし
て重ね、かつリフローソルダするだけであることから、
作業性が高い。
その製造において、リード４とバンプ電極２との接続
は、リードフレーム１０に半導体チップ３を位置決めし
て重ね、かつリフローソルダするだけであることから、
作業性が高い。
【００３３】本実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１は、
半導体チップ３の電極とリード４との接続は、ワイヤに
比較して充分太いバンプ電極２によって接続されること
と、リード４が屈曲することなく真っ直ぐであることか
ら電流経路が短くなるため電気特性が向上する。
半導体チップ３の電極とリード４との接続は、ワイヤに
比較して充分太いバンプ電極２によって接続されること
と、リード４が屈曲することなく真っ直ぐであることか
ら電流経路が短くなるため電気特性が向上する。
【００３４】本実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１は、
その製造において曲げ加工を必要としない平坦な安価な
リードフレームを使用すること、バンプ電極２とリード
４の接続の歩留りが高いこと、リード４とバンプ電極２
の接続作業性が高いこと等により、製造コストの低減が
達成できる。
その製造において曲げ加工を必要としない平坦な安価な
リードフレームを使用すること、バンプ電極２とリード
４の接続の歩留りが高いこと、リード４とバンプ電極２
の接続作業性が高いこと等により、製造コストの低減が
達成できる。
【００３５】（実施形態２）図５は本発明の他の実施形
態（実施形態２）である半導体装置の底面図である。同
図に示すように、本実施形態のＣＳＰ型半導体装置１
は、リード４に穴１５が設けられている。この穴１５に
は樹脂５が充填されている。
態（実施形態２）である半導体装置の底面図である。同
図に示すように、本実施形態のＣＳＰ型半導体装置１
は、リード４に穴１５が設けられている。この穴１５に
は樹脂５が充填されている。
【００３６】この結果、各リード４に設けられた穴１５
に充填された樹脂５が、半導体チップ３の主面上に広が
る樹脂５と一体となって楔となるため、樹脂５から脱落
しなくなる。
に充填された樹脂５が、半導体チップ３の主面上に広が
る樹脂５と一体となって楔となるため、樹脂５から脱落
しなくなる。
【００３７】（実施形態３）図６は本発明の他の実施形
態（実施形態３）である半導体装置の断面図、図７は本
実施形態３の半導体装置の平面図、図８は本実施形態３
の半導体装置の底面図である。
態（実施形態３）である半導体装置の断面図、図７は本
実施形態３の半導体装置の平面図、図８は本実施形態３
の半導体装置の底面図である。
【００３８】本実施形態３のＣＳＰ型半導体装置１は、
図６に示すように、半導体チップ３のバンプ電極２に接
続されるリード４を半導体チップ３の外側に向けて長く
し、この長くなった部分に、図７にも示すように矩形枠
となる枠体１６を絶縁性の接着剤１７によって固定した
構造となっている。前記枠体１６は絶縁性のプラスチッ
クによって形成され、保持されても大丈夫な機械的強度
を有している。
図６に示すように、半導体チップ３のバンプ電極２に接
続されるリード４を半導体チップ３の外側に向けて長く
し、この長くなった部分に、図７にも示すように矩形枠
となる枠体１６を絶縁性の接着剤１７によって固定した
構造となっている。前記枠体１６は絶縁性のプラスチッ
クによって形成され、保持されても大丈夫な機械的強度
を有している。
【００３９】前記枠体１６の内側領域には樹脂５が充填
され、半導体チップ３全体を被っている。また、樹脂５
は、図６に示すように、リード４相互の隙間等を埋めて
いる。これにより、ＣＳＰ型半導体装置１は外観的に矩
形体となっている。そして、図８に示すように、各リー
ド４の一部が露出して外部端子を形成している。
され、半導体チップ３全体を被っている。また、樹脂５
は、図６に示すように、リード４相互の隙間等を埋めて
いる。これにより、ＣＳＰ型半導体装置１は外観的に矩
形体となっている。そして、図８に示すように、各リー
ド４の一部が露出して外部端子を形成している。
【００４０】本実施形態３のＣＳＰ型半導体装置は、複
数のリード４を有する平坦なリードフレームを用意する
工程と、半導体チップ３の主面に設けられたバンプ電極
２を前記リード４に接続して半導体チップ３を前記リー
ドフレームに固定する工程と、前記半導体チップ３を囲
むように絶縁性の枠体１６を前記リードフレームに絶縁
性の接着剤１７によって固定する工程と、前記枠体１６
内に絶縁性の樹脂５を充填して硬化させて前記半導体チ
ップ３の主面を覆うとともに少なくとも半導体チップ３
とリード４間を樹脂５で埋める工程と、前記リード４を
前記枠体１６の略外縁位置で切断する工程とを経て製造
される。
数のリード４を有する平坦なリードフレームを用意する
工程と、半導体チップ３の主面に設けられたバンプ電極
２を前記リード４に接続して半導体チップ３を前記リー
ドフレームに固定する工程と、前記半導体チップ３を囲
むように絶縁性の枠体１６を前記リードフレームに絶縁
性の接着剤１７によって固定する工程と、前記枠体１６
内に絶縁性の樹脂５を充填して硬化させて前記半導体チ
ップ３の主面を覆うとともに少なくとも半導体チップ３
とリード４間を樹脂５で埋める工程と、前記リード４を
前記枠体１６の略外縁位置で切断する工程とを経て製造
される。
【００４１】本実施形態３のＣＳＰ型半導体装置１は、
前記実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１が有する効果に
加えて、枠体１６および樹脂５で半導体チップ３全体を
保護していることから、耐湿性が良好になる。
前記実施形態１のＣＳＰ型半導体装置１が有する効果に
加えて、枠体１６および樹脂５で半導体チップ３全体を
保護していることから、耐湿性が良好になる。
【００４２】本実施形態３のＣＳＰ型半導体装置１は、
ＣＳＰ型半導体装置１の上部外周部分が機械的強度の高
い枠体１６で形成されていることから、枠体１６部分を
保持して実装等が行えるため、取扱性が良い。
ＣＳＰ型半導体装置１の上部外周部分が機械的強度の高
い枠体１６で形成されていることから、枠体１６部分を
保持して実装等が行えるため、取扱性が良い。
【００４３】なお、本実施形態３においても、リード４
に穴１５を設け、この穴１５に樹脂５を充填させてリー
ド４を樹脂５から脱落させないようにしても良い。
に穴１５を設け、この穴１５に樹脂５を充填させてリー
ド４を樹脂５から脱落させないようにしても良い。
【００４４】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４６】（１）ＣＳＰ型半導体装置は、半導体チッ
プの主面側に配置される各リードが平坦な構造となると
ともに、前記半導体チップのバンプ電極が接続される各
リード面は同一平面に位置する。したがって、ＣＳＰ型
半導体装置の製造において、平坦なリードフレームの使
用が可能となり、リードとバンプ電極の接続が確実かつ
容易となることから、ボンディングの信頼性向上が達成
できるとともに、作業性の向上，歩留りの向上から低コ
スト化が達成できる。
プの主面側に配置される各リードが平坦な構造となると
ともに、前記半導体チップのバンプ電極が接続される各
リード面は同一平面に位置する。したがって、ＣＳＰ型
半導体装置の製造において、平坦なリードフレームの使
用が可能となり、リードとバンプ電極の接続が確実かつ
容易となることから、ボンディングの信頼性向上が達成
できるとともに、作業性の向上，歩留りの向上から低コ
スト化が達成できる。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の平面図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の底面図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置の製造に用いるリー
ドフレーム等を示す平面図である。
ドフレーム等を示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半
導体装置の底面図である。
導体装置の底面図である。
【図６】本発明の他の実施形態（実施形態３）である半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図７】本実施形態３の半導体装置の平面図である。
【図８】本実施形態３の半導体装置の底面図である。
１…ＣＳＰ型半導体装置、２…バンプ電極、３…半導体
チップ、４…リード、５…樹脂、１０…リードフレー
ム、１１…外枠、１２…内枠、１６…枠体、１７…接着
剤。
チップ、４…リード、５…樹脂、１０…リードフレー
ム、１１…外枠、１２…内枠、１６…枠体、１７…接着
剤。
Claims (7)
- 【請求項１】 主面に複数のバンプ電極を有する半導体
チップと、前記半導体チップの主面に所定の間隔を隔て
て対面しかつそれぞれ前記バンプ電極に接続される複数
の平坦なリードと、前記半導体チップの主面を覆いかつ
少なくとも前記半導体チップと各リードとを接着する絶
縁性の樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記リードは前記半導体チップの略延在
領域内に位置していることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記各リードの一面に前記半導体チップ
を囲むように絶縁性接着剤を介して絶縁性の枠体が固定
され、前記枠体内には前記半導体チップを覆うように前
記樹脂が充填され、前記リードは前記枠体によって囲ま
れる領域内に位置していることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記リードには前記樹脂が充填される穴
が設けられていることを特徴とする請求項２または請求
項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 複数のリードを有する平坦なリードフレ
ームを用意する工程と、半導体チップの主面に設けられ
たバンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前
記リードフレームに固定する工程と、前記半導体チップ
の主面とリードフレームとの間に絶縁性の樹脂を充填し
て硬化させる工程と、前記リードを前記半導体チップの
略外縁位置で切断する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 複数のリードを有する平坦なリードフレ
ームを用意する工程と、半導体チップの主面に設けられ
たバンプ電極を前記リードに接続して半導体チップを前
記リードフレームに固定する工程と、前記半導体チップ
を囲むように絶縁性の枠体を前記リードフレームに絶縁
性の接着剤によって固定する工程と、前記枠体内に絶縁
性の樹脂を充填して硬化させて前記半導体チップの主面
を覆うとともに少なくとも半導体チップとリード間を樹
脂で埋める工程と、前記リードを前記枠体の略外縁位置
で切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項７】 前記リードフレームの樹脂で覆われるリ
ード部分には前記樹脂が充填される穴が設けられている
ことを特徴とする請求項５または請求項６記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124695A JP3670371B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33124695A JP3670371B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172033A true JPH09172033A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3670371B2 JP3670371B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=18241541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33124695A Expired - Fee Related JP3670371B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3670371B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6307269B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-10-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with chip size package |
| JP2004511081A (ja) * | 2000-03-10 | 2004-04-08 | チップパック，インク． | フリップ・チップ・イン・リードフレームのパッケージ及び方法 |
| KR100526667B1 (ko) * | 1997-10-27 | 2005-12-21 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 수지밀봉형반도체장치및그제조방법 |
| JP2006147921A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Akita Denshi Systems:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP33124695A patent/JP3670371B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7091620B2 (en) | 1996-03-22 | 2006-08-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7420284B2 (en) | 1996-03-22 | 2008-09-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6307269B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-10-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with chip size package |
| US6515371B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with elastic structure and wiring |
| US6639323B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-10-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| KR100526667B1 (ko) * | 1997-10-27 | 2005-12-21 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 수지밀봉형반도체장치및그제조방법 |
| JP2004511081A (ja) * | 2000-03-10 | 2004-04-08 | チップパック，インク． | フリップ・チップ・イン・リードフレームのパッケージ及び方法 |
| JP2006147921A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Akita Denshi Systems:Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP3670371B2 (ja) | 2005-07-13 |
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