JPH09172112A - 発熱性素子の放熱装置 - Google Patents
発熱性素子の放熱装置Info
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- JPH09172112A JPH09172112A JP7348714A JP34871495A JPH09172112A JP H09172112 A JPH09172112 A JP H09172112A JP 7348714 A JP7348714 A JP 7348714A JP 34871495 A JP34871495 A JP 34871495A JP H09172112 A JPH09172112 A JP H09172112A
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱体の熱伝導板に設けた放熱板を外部に突
出させることにより、発熱性素子からの熱を外部に確実
に放熱できると共に、放熱効率を向上させることにより
放熱体の基板上の面積を小さくでき、全体を小型化でき
るようにする。 【解決手段】 支持台21に接着層23を介して固定さ
れた基板22には、熱伝導板25と各放熱板28とから
なるヒートシンク24を配設する。そして、各放熱板2
8を基板22および支持台21の各挿通穴22A,21
Aから外部に突出した状態で、熱伝導板25を半田層2
6を介して基板22上に固定する。また、熱伝導板25
上には半田層27を介してトランジスタ6を固定する。
そして、トランジスタ6のソース8,ゲート9をボンデ
ィングワイヤ29,30を介して基板22上の各配線パ
ターンに接続し、ドレイン10を熱伝導板25を介して
基板22上の配線パターンに接続する。
出させることにより、発熱性素子からの熱を外部に確実
に放熱できると共に、放熱効率を向上させることにより
放熱体の基板上の面積を小さくでき、全体を小型化でき
るようにする。 【解決手段】 支持台21に接着層23を介して固定さ
れた基板22には、熱伝導板25と各放熱板28とから
なるヒートシンク24を配設する。そして、各放熱板2
8を基板22および支持台21の各挿通穴22A,21
Aから外部に突出した状態で、熱伝導板25を半田層2
6を介して基板22上に固定する。また、熱伝導板25
上には半田層27を介してトランジスタ6を固定する。
そして、トランジスタ6のソース8,ゲート9をボンデ
ィングワイヤ29,30を介して基板22上の各配線パ
ターンに接続し、ドレイン10を熱伝導板25を介して
基板22上の配線パターンに接続する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパワートラ
ンジスタ等の発熱性素子から発生する熱を外部に放熱さ
せるのに用いて好適な発熱性素子の放熱装置に関する。
ンジスタ等の発熱性素子から発生する熱を外部に放熱さ
せるのに用いて好適な発熱性素子の放熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術による発熱性素子の放熱装置と
して図3に基き、ベアチップ型の電界効果トランジスタ
の放熱装置を例に挙げて説明する。
して図3に基き、ベアチップ型の電界効果トランジスタ
の放熱装置を例に挙げて説明する。
【0003】図中、1は例えばコントロールユニットの
ケーシング等により構成された支持台を示し、該支持台
1は例えばアルミニウム,樹脂材料等から平板状に形成
され、該支持台1の裏面側(図3中の下面側)はコント
ロールユニット等の外側面1Aとなっている。
ケーシング等により構成された支持台を示し、該支持台
1は例えばアルミニウム,樹脂材料等から平板状に形成
され、該支持台1の裏面側(図3中の下面側)はコント
ロールユニット等の外側面1Aとなっている。
【0004】2は後述のトランジスタ6等を搭載した基
板を示し、該基板2は例えば酸化アルミニウム(Al2
O3 )等のセラミック材料から平板状に形成され、熱伝
導性の高い接着剤等からなる接着層3を介して支持台1
上に固着されている。また、基板2上には後述するトラ
ンジスタ6のソース8,ゲート9およびドレイン10と
接続される3系統の配線パターン(いずれも図示せず)
が形成されている。
板を示し、該基板2は例えば酸化アルミニウム(Al2
O3 )等のセラミック材料から平板状に形成され、熱伝
導性の高い接着剤等からなる接着層3を介して支持台1
上に固着されている。また、基板2上には後述するトラ
ンジスタ6のソース8,ゲート9およびドレイン10と
接続される3系統の配線パターン(いずれも図示せず)
が形成されている。
【0005】4は基板2上に半田層5を介して固着され
た放熱体としてのヒートスプレッダを示し、該ヒートス
プレッダ4は熱伝導性の高い材料、例えば銅(Cu),
モリブデン(Mo)等の金属材料から、その外形寸法が
10mm角程度、厚さ寸法が1〜1.5mm程度の四角形状
をなす平板として形成されている。ここで、ヒートスプ
レッダ4は前記トランジスタ6の発熱量に応じて十分に
大きい面積をもつことにより、トランジスタ6が通電中
に発生する熱を基板2側に効果的に放熱(伝導)するも
のである。
た放熱体としてのヒートスプレッダを示し、該ヒートス
プレッダ4は熱伝導性の高い材料、例えば銅(Cu),
モリブデン(Mo)等の金属材料から、その外形寸法が
10mm角程度、厚さ寸法が1〜1.5mm程度の四角形状
をなす平板として形成されている。ここで、ヒートスプ
レッダ4は前記トランジスタ6の発熱量に応じて十分に
大きい面積をもつことにより、トランジスタ6が通電中
に発生する熱を基板2側に効果的に放熱(伝導)するも
のである。
【0006】6は発熱性素子としてのトランジスタを示
し、該トランジスタ6は例えば5mm角程度の四角形状を
有するベアチップ型の電界効果トランジスタ(FET)
として構成され、半田層7を介してヒートスプレッダ4
上の中央部に固着されている。そして、トランジスタ6
の入出力用端子のうち、ソース8側端子,ゲート9側端
子は互いに離間して該トランジスタ6の表面上に形成さ
れると共に、ドレイン10側端子は該トランジスタ6の
裏面側に形成され、該ドレイン10側端子はヒートスプ
レッダ4および半田層5,7を介して基板2上に形成さ
れた前記配線パターンに接続されている。
し、該トランジスタ6は例えば5mm角程度の四角形状を
有するベアチップ型の電界効果トランジスタ(FET)
として構成され、半田層7を介してヒートスプレッダ4
上の中央部に固着されている。そして、トランジスタ6
の入出力用端子のうち、ソース8側端子,ゲート9側端
子は互いに離間して該トランジスタ6の表面上に形成さ
れると共に、ドレイン10側端子は該トランジスタ6の
裏面側に形成され、該ドレイン10側端子はヒートスプ
レッダ4および半田層5,7を介して基板2上に形成さ
れた前記配線パターンに接続されている。
【0007】11,12はボンディングワイヤで、該ボ
ンディングワイヤ11,12は、基端側が各アルミパッ
ド13を介してトランジスタ6のソース8側端子,ゲー
ト9側端子に固着され、先端側は各アルミパッド14を
介して基板2上に形成された他の各配線パターンに固着
されている。そして、ボンディングワイヤ11,12の
中間部は略円弧状の大きなたるみをもって配設され、こ
れによりボンディングワイヤ11,12は、トランジス
タ6のドレイン10に導通されたヒートスプレッダ4か
ら離間した状態で、ソース8,ゲート9と基板2上の各
配線パターンとを接続している。
ンディングワイヤ11,12は、基端側が各アルミパッ
ド13を介してトランジスタ6のソース8側端子,ゲー
ト9側端子に固着され、先端側は各アルミパッド14を
介して基板2上に形成された他の各配線パターンに固着
されている。そして、ボンディングワイヤ11,12の
中間部は略円弧状の大きなたるみをもって配設され、こ
れによりボンディングワイヤ11,12は、トランジス
タ6のドレイン10に導通されたヒートスプレッダ4か
ら離間した状態で、ソース8,ゲート9と基板2上の各
配線パターンとを接続している。
【0008】このように構成される従来技術では、基板
2上の配線パターンからボンディングワイヤ12等を介
してトランジスタ6のゲート9に電圧信号を入力する
と、この電圧信号に応じてトランジスタ6のソース8,
ドレイン10間が電気的に導通するから、ドレイン10
側に接続された基板2上の配線パターンから、ヒートス
プレッダ4,トランジスタ6およびボンディングワイヤ
11等を介してソース8側の配線パターンへと大電流が
流れる。
2上の配線パターンからボンディングワイヤ12等を介
してトランジスタ6のゲート9に電圧信号を入力する
と、この電圧信号に応じてトランジスタ6のソース8,
ドレイン10間が電気的に導通するから、ドレイン10
側に接続された基板2上の配線パターンから、ヒートス
プレッダ4,トランジスタ6およびボンディングワイヤ
11等を介してソース8側の配線パターンへと大電流が
流れる。
【0009】そして、ソース8,ドレイン10間に大き
な電流が流れることにより、トランジスタ6は通電中
(動作中)に発熱を伴うが、この熱はヒートスプレッダ
4を介して基板2に伝導され、さらに該基板2から支持
台1へと伝導されることにより、該支持台1から外部へ
と放熱される。
な電流が流れることにより、トランジスタ6は通電中
(動作中)に発熱を伴うが、この熱はヒートスプレッダ
4を介して基板2に伝導され、さらに該基板2から支持
台1へと伝導されることにより、該支持台1から外部へ
と放熱される。
【0010】これにより、従来技術では、トランジスタ
6が通電中に発生する熱をヒートスプレッダ4,基板2
および支持台1等を介して外部に放熱することにより、
トランジスタ6の温度を耐久温度以下の例えば100℃
程度に保持し、トランジスタ6が通電中に高温となって
破損するのを防止している。
6が通電中に発生する熱をヒートスプレッダ4,基板2
および支持台1等を介して外部に放熱することにより、
トランジスタ6の温度を耐久温度以下の例えば100℃
程度に保持し、トランジスタ6が通電中に高温となって
破損するのを防止している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術では、トランジスタ6から発生した熱は、半田層
7を介してヒートスプレッダ4へと伝導し、該ヒートス
プレッダ4から半田層5を介して基板2へと伝導した後
に、該基板2から接着層3を介して支持台1へと伝導
し、最終的に支持台1から外部に放熱される。
来技術では、トランジスタ6から発生した熱は、半田層
7を介してヒートスプレッダ4へと伝導し、該ヒートス
プレッダ4から半田層5を介して基板2へと伝導した後
に、該基板2から接着層3を介して支持台1へと伝導
し、最終的に支持台1から外部に放熱される。
【0012】ここで、半田層5,7および接着層3は、
放熱装置の組立工程でトランジスタ6,ヒートスプレッ
ダ4,基板2および支持台1の間にそれぞれ塗布した液
状の半田,接着剤等が固化することにより形成され、例
えば接着層3では、基板2と支持台1との間に液状の接
着剤等を塗布した後に両者を衝合することにより、固化
した接着剤が接着層3を形成し、これによって基板2と
支持台1とが接着層3を介して接着されるものである。
放熱装置の組立工程でトランジスタ6,ヒートスプレッ
ダ4,基板2および支持台1の間にそれぞれ塗布した液
状の半田,接着剤等が固化することにより形成され、例
えば接着層3では、基板2と支持台1との間に液状の接
着剤等を塗布した後に両者を衝合することにより、固化
した接着剤が接着層3を形成し、これによって基板2と
支持台1とが接着層3を介して接着されるものである。
【0013】ところが、上述した接着工程では、基板2
と支持台1とを衝合する段階で塗布した接着剤に空気が
混入し、接着層3の内部に気泡が形成されることがあ
り、接着層3内に熱伝導性の悪い気泡(空気等)が形成
されると、基板2と支持台1との間の熱伝導性が悪化す
るばかりでなく、放熱装置毎に熱伝導性にばらつきが生
じるという問題がある。
と支持台1とを衝合する段階で塗布した接着剤に空気が
混入し、接着層3の内部に気泡が形成されることがあ
り、接着層3内に熱伝導性の悪い気泡(空気等)が形成
されると、基板2と支持台1との間の熱伝導性が悪化す
るばかりでなく、放熱装置毎に熱伝導性にばらつきが生
じるという問題がある。
【0014】さらに、半田層5,7の内部にも同様に気
泡が形成されることがあるため、従来技術では、トラン
ジスタ6,ヒートスプレッダ4,基板2および支持台1
の各衝合面間における熱伝導性が気泡等によって悪化
し、トランジスタ6からの熱が外部に放出されにくくな
り、トランジスタ6が通電中に高温となって破損した
り、熱で早期に劣化したりするという問題がある。
泡が形成されることがあるため、従来技術では、トラン
ジスタ6,ヒートスプレッダ4,基板2および支持台1
の各衝合面間における熱伝導性が気泡等によって悪化
し、トランジスタ6からの熱が外部に放出されにくくな
り、トランジスタ6が通電中に高温となって破損した
り、熱で早期に劣化したりするという問題がある。
【0015】特に、支持台1が熱伝導性の低い樹脂材料
から形成されている場合には、トランジスタ6から支持
台1までの間に高い熱伝導性が要求されるため、気泡等
によってこの間の放熱性が妨げられると、トランジスタ
6が通電中にさらに高温になり易く、破損,劣化等の問
題を起こす可能性が高くなる。
から形成されている場合には、トランジスタ6から支持
台1までの間に高い熱伝導性が要求されるため、気泡等
によってこの間の放熱性が妨げられると、トランジスタ
6が通電中にさらに高温になり易く、破損,劣化等の問
題を起こす可能性が高くなる。
【0016】また、放熱装置毎にトランジスタ6から支
持台1までの熱伝導性にばらつきがあるため、トランジ
スタ6の信頼性を確保するためには、設計段階でヒート
スプレッダ4の面積を大きく設計することによりトラン
ジスタ6から支持台1への放熱性能に余裕をもたせざる
を得ず、放熱装置全体の小型化が難しくなるという問題
がある。
持台1までの熱伝導性にばらつきがあるため、トランジ
スタ6の信頼性を確保するためには、設計段階でヒート
スプレッダ4の面積を大きく設計することによりトラン
ジスタ6から支持台1への放熱性能に余裕をもたせざる
を得ず、放熱装置全体の小型化が難しくなるという問題
がある。
【0017】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、放熱装置毎に熱伝導性がばらつくことな
く発熱性素子からの熱を外部に確実に放熱できると共
に、基板上における放熱体の面積を小さくでき、全体を
小型化できるようにした発熱性素子の放熱装置を提供す
ることを目的としている。
されたもので、放熱装置毎に熱伝導性がばらつくことな
く発熱性素子からの熱を外部に確実に放熱できると共
に、基板上における放熱体の面積を小さくでき、全体を
小型化できるようにした発熱性素子の放熱装置を提供す
ることを目的としている。
【0018】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項1に記載の発明は、支持台に設けられた基
板と、該基板に設けられた熱伝導性材料からなる放熱体
と、該放熱体上に熱伝導可能に設けられ、外部からの通
電により熱を発生させる発熱性素子とからなる発熱性素
子の放熱装置において、前記放熱体は、前記基板と前記
発熱性素子との間に配設された熱伝導板と、基端側が該
熱伝導板に一体的に連結され、先端側が前記基板および
前記支持台を介して該支持台の外部に突出する放熱板と
から構成したことを特徴している。
ために請求項1に記載の発明は、支持台に設けられた基
板と、該基板に設けられた熱伝導性材料からなる放熱体
と、該放熱体上に熱伝導可能に設けられ、外部からの通
電により熱を発生させる発熱性素子とからなる発熱性素
子の放熱装置において、前記放熱体は、前記基板と前記
発熱性素子との間に配設された熱伝導板と、基端側が該
熱伝導板に一体的に連結され、先端側が前記基板および
前記支持台を介して該支持台の外部に突出する放熱板と
から構成したことを特徴している。
【0019】このように構成することにより、放熱体上
に設けた発熱性素子が通電中に発生させる熱を該放熱体
の熱伝導板から放熱板側へと伝導させ、該放熱板の先端
側から支持台の外部へと直接放熱できるから、発熱性素
子からの熱を基板,支持台等の熱伝導性に影響されるこ
となく外部に放熱でき、該発熱性素子が通電中に高温と
なるのを防止できる。
に設けた発熱性素子が通電中に発生させる熱を該放熱体
の熱伝導板から放熱板側へと伝導させ、該放熱板の先端
側から支持台の外部へと直接放熱できるから、発熱性素
子からの熱を基板,支持台等の熱伝導性に影響されるこ
となく外部に放熱でき、該発熱性素子が通電中に高温と
なるのを防止できる。
【0020】また、請求項2に記載の発明では、前記放
熱体を断面略コ字状に形成し、前記熱伝導板の両端側に
は前記放熱板をそれぞれ設ける構成としている。
熱体を断面略コ字状に形成し、前記熱伝導板の両端側に
は前記放熱板をそれぞれ設ける構成としている。
【0021】これにより、発熱性素子からの熱を熱伝導
板の両端側から各放熱板側へと効率よく伝導させること
ができ、この熱を該各放熱板の先端側から支持台の外部
へと広い放熱面積をもって放熱できる。
板の両端側から各放熱板側へと効率よく伝導させること
ができ、この熱を該各放熱板の先端側から支持台の外部
へと広い放熱面積をもって放熱できる。
【0022】そして、請求項3に記載の発明では、前記
発熱性素子は高電圧または高電流用のパワー系ベアチッ
プからなり、前記放熱体は該ベアチップからの熱を支持
台の外部に放熱させる構成としている。
発熱性素子は高電圧または高電流用のパワー系ベアチッ
プからなり、前記放熱体は該ベアチップからの熱を支持
台の外部に放熱させる構成としている。
【0023】この結果、パワー系ベアチップが通電中に
発生させる熱を放熱体の熱伝導板から放熱板側へと伝導
させ、該放熱板の先端側から支持台の外部に効率よく放
熱でき、該ベアチップの温度上昇を抑えることができ
る。
発生させる熱を放熱体の熱伝導板から放熱板側へと伝導
させ、該放熱板の先端側から支持台の外部に効率よく放
熱でき、該ベアチップの温度上昇を抑えることができ
る。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に従い、ベアチップ型の電界効果トランジスタを発
熱性素子として用いた場合を例に挙げて詳細に説明す
る。なお、実施例では、従来技術と同一の構成要素に同
一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
図面に従い、ベアチップ型の電界効果トランジスタを発
熱性素子として用いた場合を例に挙げて詳細に説明す
る。なお、実施例では、従来技術と同一の構成要素に同
一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0025】図中、21は本実施例による放熱装置の支
持台を示し、該支持台21は従来技術と同様に、例えば
アルミニウム,樹脂材料等から平板状に形成され、その
表面にはトランジスタ6等を搭載した従来技術と同様の
基板22が接着層23を介して固定されているものの、
本実施例では、後述するヒートシンク24の各放熱板2
8を挿通する挿通穴21A,21Aが支持台21に、挿
通穴22A,22Aが基板22に形成されている。
持台を示し、該支持台21は従来技術と同様に、例えば
アルミニウム,樹脂材料等から平板状に形成され、その
表面にはトランジスタ6等を搭載した従来技術と同様の
基板22が接着層23を介して固定されているものの、
本実施例では、後述するヒートシンク24の各放熱板2
8を挿通する挿通穴21A,21Aが支持台21に、挿
通穴22A,22Aが基板22に形成されている。
【0026】ここで、各挿通穴21Aは図2に示すよう
に、互いに離間したスリット状の貫通穴として支持台2
1に形成されると共に、各挿通穴22Aは該各挿通穴2
1Aの位置に対応した貫通穴として基板22に形成され
ている。そして、基板22を支持台21上に固着した状
態では、各挿通穴21A,22Aが互いに連通し、これ
によって支持台21と基板22とには、基板22の表面
側と支持台21の裏面側(外側面)とを連通する一対の
貫通穴が形成される。
に、互いに離間したスリット状の貫通穴として支持台2
1に形成されると共に、各挿通穴22Aは該各挿通穴2
1Aの位置に対応した貫通穴として基板22に形成され
ている。そして、基板22を支持台21上に固着した状
態では、各挿通穴21A,22Aが互いに連通し、これ
によって支持台21と基板22とには、基板22の表面
側と支持台21の裏面側(外側面)とを連通する一対の
貫通穴が形成される。
【0027】24は本実施例による放熱体としてのヒー
トシンクを示し、該ヒートシンク24は熱伝導性の高い
材料、例えば銅(Cu),モリブデン(Mo)等の金属
材料から断面コ字状に形成され、後述の熱伝導板25
と、該熱伝導板25の両端側に一体形成された後述の放
熱板28,28とから構成されている。
トシンクを示し、該ヒートシンク24は熱伝導性の高い
材料、例えば銅(Cu),モリブデン(Mo)等の金属
材料から断面コ字状に形成され、後述の熱伝導板25
と、該熱伝導板25の両端側に一体形成された後述の放
熱板28,28とから構成されている。
【0028】25は熱伝導板を示し、該熱伝導板25は
従来技術によるヒートスプレッダ4と同様に、図2に示
す如く四角形状の平板として形成されているものの、本
実施例による熱伝導板25は、その外形寸法がヒートス
プレッダ4よりも小さく形成されている。そして、熱伝
導板25は半田層26を介して基板22上に固着され、
これによりヒートシンク24は基板22上に固定されて
いる。また、熱伝導板25上には図1に示すように、半
田層27を介してトランジスタ6が固着され、該トラン
ジスタ6の裏面側に形成されたドレイン10側端子は、
半田層27,熱伝導板25および半田層26を介して基
板22上に形成されたドレイン接続用の配線パターン
(図示せず)に接続されている。
従来技術によるヒートスプレッダ4と同様に、図2に示
す如く四角形状の平板として形成されているものの、本
実施例による熱伝導板25は、その外形寸法がヒートス
プレッダ4よりも小さく形成されている。そして、熱伝
導板25は半田層26を介して基板22上に固着され、
これによりヒートシンク24は基板22上に固定されて
いる。また、熱伝導板25上には図1に示すように、半
田層27を介してトランジスタ6が固着され、該トラン
ジスタ6の裏面側に形成されたドレイン10側端子は、
半田層27,熱伝導板25および半田層26を介して基
板22上に形成されたドレイン接続用の配線パターン
(図示せず)に接続されている。
【0029】28,28は放熱板を示し、該各放熱板2
8は基端側が基板22上に固着された熱伝導板25の両
端側に一体形成され、図1に示す如く互いに平行となっ
て垂直方向下向きに伸長している。そして、各放熱板2
8の先端側28Aは、基板22の各挿通穴22Aおよび
支持台21の各挿通穴21Aに順次挿通されることによ
り、該支持台21の裏面側から外部に突出した状態で配
設されている。
8は基端側が基板22上に固着された熱伝導板25の両
端側に一体形成され、図1に示す如く互いに平行となっ
て垂直方向下向きに伸長している。そして、各放熱板2
8の先端側28Aは、基板22の各挿通穴22Aおよび
支持台21の各挿通穴21Aに順次挿通されることによ
り、該支持台21の裏面側から外部に突出した状態で配
設されている。
【0030】29,30は例えばアルミニウム等の金属
材料からなるボンディングワイヤで、該ボンディングワ
イヤ29,30は従来技術と同様に、トランジスタ6の
ソース8,ゲート9と、基板22に形成された該ソース
8,ゲート9接続用の配線パターン(いずれも図示せ
ず)とを各アルミパッド31,32を介して接続してい
る。しかし、本実施例では、熱伝導板25の外形寸法が
ヒートスプレッダ4よりも小さく、アルミパッド31,
32間の接続距離が従来技術に比較して短くなっている
ため、ボンディングワイヤ29,30の中間部には比較
的小さなたるみが与えられている。
材料からなるボンディングワイヤで、該ボンディングワ
イヤ29,30は従来技術と同様に、トランジスタ6の
ソース8,ゲート9と、基板22に形成された該ソース
8,ゲート9接続用の配線パターン(いずれも図示せ
ず)とを各アルミパッド31,32を介して接続してい
る。しかし、本実施例では、熱伝導板25の外形寸法が
ヒートスプレッダ4よりも小さく、アルミパッド31,
32間の接続距離が従来技術に比較して短くなっている
ため、ボンディングワイヤ29,30の中間部には比較
的小さなたるみが与えられている。
【0031】本実施例による接続装置は上述の如き構成
を有するもので、その基本的動作については従来技術に
よるものと格別差異はない。
を有するもので、その基本的動作については従来技術に
よるものと格別差異はない。
【0032】然るに、本実施例では、トランジスタ6か
らの熱を外部に放熱するヒートシンク24を、トランジ
スタ6と基板22との間に配設された熱伝導板25と、
基端側が該熱伝導板25に一体形成され、先端側28A
が基板22,支持台21を貫通して外部に突出する一対
の放熱板28とから構成したから、トランジスタ6が通
電中に発生する熱を各放熱板28の先端側28Aから十
分な露出面積をもって外部に効率よく放熱でき、ヒート
シンク24によるトランジスタ6の放熱効率を従来技術
に比較して大幅に向上させることができる。
らの熱を外部に放熱するヒートシンク24を、トランジ
スタ6と基板22との間に配設された熱伝導板25と、
基端側が該熱伝導板25に一体形成され、先端側28A
が基板22,支持台21を貫通して外部に突出する一対
の放熱板28とから構成したから、トランジスタ6が通
電中に発生する熱を各放熱板28の先端側28Aから十
分な露出面積をもって外部に効率よく放熱でき、ヒート
シンク24によるトランジスタ6の放熱効率を従来技術
に比較して大幅に向上させることができる。
【0033】従って、支持台21が例えば樹脂材料から
なる場合であっても、トランジスタ6が通電中に高熱と
なって破損したり、早期に劣化したりするのを確実に防
止でき、その安定した動作状態を長期間に亘って保持で
きると共に、トランジスタ6による電流等の制御装置と
しての信頼性を大幅に向上させることができる。
なる場合であっても、トランジスタ6が通電中に高熱と
なって破損したり、早期に劣化したりするのを確実に防
止でき、その安定した動作状態を長期間に亘って保持で
きると共に、トランジスタ6による電流等の制御装置と
しての信頼性を大幅に向上させることができる。
【0034】そして、トランジスタ6からの熱をヒート
シンク24の各放熱板28を介して外部に直接放熱でき
るから、ヒートシンク24の熱伝導板25と基板22と
の間や基板22と支持台21との間の熱伝導性等に影響
されることなく、トランジスタ6からの熱を支持台1の
外部に確実に放熱できると共に、トランジスタ6から支
持台1までの熱伝導性のばらつきを効果的に低減でき、
放熱装置としての信頼性を大幅に向上させることができ
る。
シンク24の各放熱板28を介して外部に直接放熱でき
るから、ヒートシンク24の熱伝導板25と基板22と
の間や基板22と支持台21との間の熱伝導性等に影響
されることなく、トランジスタ6からの熱を支持台1の
外部に確実に放熱できると共に、トランジスタ6から支
持台1までの熱伝導性のばらつきを効果的に低減でき、
放熱装置としての信頼性を大幅に向上させることができ
る。
【0035】また、ヒートシンク24の放熱効率を支持
台1の外部に露出した各放熱板28により向上できるか
ら、熱伝導板25の外形寸法を従来技術のヒートスプレ
ッダ4等の放熱部材よりも小さく形成でき、これによっ
てヒートシンク24(熱伝導板25)を基板22上に容
易に配設できると共に、当該放熱装置全体の大きさを確
実に小型化することができる。
台1の外部に露出した各放熱板28により向上できるか
ら、熱伝導板25の外形寸法を従来技術のヒートスプレ
ッダ4等の放熱部材よりも小さく形成でき、これによっ
てヒートシンク24(熱伝導板25)を基板22上に容
易に配設できると共に、当該放熱装置全体の大きさを確
実に小型化することができる。
【0036】そして、熱伝導板25を小さく形成するこ
とにより、ボンディングワイヤ29,30によるトラン
ジスタ6側と基板22上の配線パターンとの接続距離を
短かくできるから、ボンディングワイヤ29,30が屈
曲等によりヒートシンク24と短絡(ショート)するの
を確実に防止でき、その信頼性を大幅に向上させること
ができる。
とにより、ボンディングワイヤ29,30によるトラン
ジスタ6側と基板22上の配線パターンとの接続距離を
短かくできるから、ボンディングワイヤ29,30が屈
曲等によりヒートシンク24と短絡(ショート)するの
を確実に防止でき、その信頼性を大幅に向上させること
ができる。
【0037】さらに、ヒートシンク24のみを介して放
熱を行うことにより、トランジスタ6の放熱経路を簡素
化できるから、設計時に基板22,支持台21等の熱伝
導性を特別に考慮する必要がなくなり、当該放熱装置の
設計および製造管理を効率化することができる。
熱を行うことにより、トランジスタ6の放熱経路を簡素
化できるから、設計時に基板22,支持台21等の熱伝
導性を特別に考慮する必要がなくなり、当該放熱装置の
設計および製造管理を効率化することができる。
【0038】なお、前記実施例では、一対の放熱板28
を熱伝導板25の両端側に配設することにより、ヒート
シンク24を断面コ字状に形成したが、本発明はこれに
限らず、放熱板28等の放熱部をトランジスタ6と基板
22との間に配設した熱伝導板25から支持台1の外部
に突出させる構成とすればよい。従って、例えば1枚ま
たは3枚の放熱板と熱伝導板とからヒートシンク(放熱
体)を断面T字状または断面E字状に形成してもよく、
さらには4枚以上の放熱板や棒状の放熱部(放熱板)を
熱伝導板25に一体に設けることにより、放熱体を構成
してもよい。
を熱伝導板25の両端側に配設することにより、ヒート
シンク24を断面コ字状に形成したが、本発明はこれに
限らず、放熱板28等の放熱部をトランジスタ6と基板
22との間に配設した熱伝導板25から支持台1の外部
に突出させる構成とすればよい。従って、例えば1枚ま
たは3枚の放熱板と熱伝導板とからヒートシンク(放熱
体)を断面T字状または断面E字状に形成してもよく、
さらには4枚以上の放熱板や棒状の放熱部(放熱板)を
熱伝導板25に一体に設けることにより、放熱体を構成
してもよい。
【0039】また、前記実施例では、熱伝導板25と各
放熱板28とを一体形成する構成とした場合を例に挙げ
て述べたが、本発明はこれに限らず、熱伝導板25と各
放熱板28とを別部材から形成し、これらを一体的に連
結することによりヒートシンク24を構成してもよい。
放熱板28とを一体形成する構成とした場合を例に挙げ
て述べたが、本発明はこれに限らず、熱伝導板25と各
放熱板28とを別部材から形成し、これらを一体的に連
結することによりヒートシンク24を構成してもよい。
【0040】一方、前記実施例では、トランジスタ6の
表面側にソース8側端子およびゲート9側端子を、裏面
側にドレイン10側端子を配設する構成としたが、本発
明はこれに限らず、例えばドレイン10側端子をトラン
ジスタ6の表面側に配設し、ソース8側の端子をトラン
ジスタ6の裏面側に配設する構成としてもよく、この場
合には、ドレイン10側端子をボンディングワイヤ29
等を介して基板22上の配線パターンに接続し、ソース
8側端子をヒートシンク24の熱伝導板25等を介して
基板22上の他の配線パターンに接続する構成とすれば
よい。
表面側にソース8側端子およびゲート9側端子を、裏面
側にドレイン10側端子を配設する構成としたが、本発
明はこれに限らず、例えばドレイン10側端子をトラン
ジスタ6の表面側に配設し、ソース8側の端子をトラン
ジスタ6の裏面側に配設する構成としてもよく、この場
合には、ドレイン10側端子をボンディングワイヤ29
等を介して基板22上の配線パターンに接続し、ソース
8側端子をヒートシンク24の熱伝導板25等を介して
基板22上の他の配線パターンに接続する構成とすれば
よい。
【0041】さらに、前記実施例においては、発熱性素
子としてベアチップ型の電界効果トランジスタを用いた
場合を例に挙げて述べたが、本発明はこれに限らず、こ
れ以外のパワートランジスタ等に適用してもよく、さら
にはトランジスタ以外のパワー系電子素子、例えばサイ
リスタ,3端子レギュレータ等に適用してもよい。
子としてベアチップ型の電界効果トランジスタを用いた
場合を例に挙げて述べたが、本発明はこれに限らず、こ
れ以外のパワートランジスタ等に適用してもよく、さら
にはトランジスタ以外のパワー系電子素子、例えばサイ
リスタ,3端子レギュレータ等に適用してもよい。
【0042】さらにまた、前記実施例では、ヒートシン
ク24の熱伝導板25上に単一の発熱性素子(トランジ
スタ6)を配設した場合を例に挙げて述べたが、本発明
はこれに限らず、複数個の発熱性素子を熱伝導板25上
に配設した発熱性素子の放熱装置に適用してもよい。
ク24の熱伝導板25上に単一の発熱性素子(トランジ
スタ6)を配設した場合を例に挙げて述べたが、本発明
はこれに限らず、複数個の発熱性素子を熱伝導板25上
に配設した発熱性素子の放熱装置に適用してもよい。
【0043】
【発明の効果】以上詳述した通り、請求項1に記載の発
明によれば、放熱体を、発熱性素子と基板との間に配設
された熱伝導板と、基端側が該熱伝導板に一体形成さ
れ、先端側が基板および支持台を介して該支持台の外部
に突出する放熱板とから構成したので、発熱性素子が通
電中に発生する熱を放熱板の先端側から外部に効率よく
放熱でき、発熱性素子が通電中に高熱となって破損した
り、早期に劣化したりするのを確実に防止できる。ま
た、発熱性素子からの熱を放熱板を介して支持台の外部
に直接放熱できるから、発熱性素子からの熱を基板,支
持台等の熱伝導性に影響されることなく確実に放熱でき
ると共に、発熱性素子から支持台までの熱伝導性のばら
つきを効果的に低減でき、放熱装置としての信頼性を大
幅に向上させることができる。
明によれば、放熱体を、発熱性素子と基板との間に配設
された熱伝導板と、基端側が該熱伝導板に一体形成さ
れ、先端側が基板および支持台を介して該支持台の外部
に突出する放熱板とから構成したので、発熱性素子が通
電中に発生する熱を放熱板の先端側から外部に効率よく
放熱でき、発熱性素子が通電中に高熱となって破損した
り、早期に劣化したりするのを確実に防止できる。ま
た、発熱性素子からの熱を放熱板を介して支持台の外部
に直接放熱できるから、発熱性素子からの熱を基板,支
持台等の熱伝導性に影響されることなく確実に放熱でき
ると共に、発熱性素子から支持台までの熱伝導性のばら
つきを効果的に低減でき、放熱装置としての信頼性を大
幅に向上させることができる。
【0044】また、請求項2に記載の発明によれば、放
熱体を熱伝導板と一対の放熱板とにより断面略コ字状に
形成したから、発熱性素子からの熱を熱伝導板の両端側
から各放熱板側へと効率よく伝導させることができると
共に、この熱を該各放熱板の先端側から支持台の外部へ
と広い放熱面積をもって確実に放熱でき、発熱性素子の
温度上昇を効果的に抑えることができる。
熱体を熱伝導板と一対の放熱板とにより断面略コ字状に
形成したから、発熱性素子からの熱を熱伝導板の両端側
から各放熱板側へと効率よく伝導させることができると
共に、この熱を該各放熱板の先端側から支持台の外部へ
と広い放熱面積をもって確実に放熱でき、発熱性素子の
温度上昇を効果的に抑えることができる。
【0045】そして、請求項3に記載の発明によれば、
発熱性素子をパワー系ベアチップから構成し、該ベアチ
ップからの熱を放熱体により外部に放熱する構成とした
から、該放熱体の放熱板によりベアチップが通電中に発
生する熱を支持台の外部に効果的に放熱することがで
き、ベアチップが通電中に温度上昇するのを確実に防止
することができる。
発熱性素子をパワー系ベアチップから構成し、該ベアチ
ップからの熱を放熱体により外部に放熱する構成とした
から、該放熱体の放熱板によりベアチップが通電中に発
生する熱を支持台の外部に効果的に放熱することがで
き、ベアチップが通電中に温度上昇するのを確実に防止
することができる。
【図1】本発明の実施例による電界効果トランジスタの
放熱装置を示す縦断面図である。
放熱装置を示す縦断面図である。
【図2】図1中の電界効果トランジスタの放熱装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図3】従来技術による電界効果トランジスタの放熱装
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
6 トランジスタ(発熱性素子) 8 ソース 9 ゲート 10 ドレイン 21 支持台 22 基板 24 ヒートシンク(放熱体) 25 熱伝導板 28 放熱板
Claims (3)
- 【請求項1】 支持台に設けられた基板と、該基板に設
けられた熱伝導性材料からなる放熱体と、該放熱体上に
熱伝導可能に設けられ、外部からの通電により熱を発生
させる発熱性素子とからなる発熱性素子の放熱装置にお
いて、 前記放熱体は、前記基板と前記発熱性素子との間に配設
された熱伝導板と、基端側が該熱伝導板に一体的に連結
され、先端側が前記基板および前記支持台を介して該支
持台の外部に突出する放熱板とから構成したことを特徴
とする発熱性素子の放熱装置。 - 【請求項2】 前記放熱体を断面略コ字状に形成し、前
記熱伝導板の両端側には前記放熱板をそれぞれ設ける構
成としてなる請求項1に記載の発熱性素子の放熱装置。 - 【請求項3】 前記発熱性素子は高電圧または高電流用
のパワー系ベアチップからなり、前記放熱体は該ベアチ
ップからの熱を前記支持台の外部に放熱させる構成とし
てなる請求項1または2に記載の発熱性素子の放熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348714A JPH09172112A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 発熱性素子の放熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348714A JPH09172112A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 発熱性素子の放熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172112A true JPH09172112A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18398879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7348714A Pending JPH09172112A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 発熱性素子の放熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031742A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Rohm Co Ltd | チップアレイモジュール |
| US7746659B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-06-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| WO2018051499A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 冷凍サイクル装置 |
-
1995
- 1995-12-19 JP JP7348714A patent/JPH09172112A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031742A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Rohm Co Ltd | チップアレイモジュール |
| US7746659B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-06-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| WO2018051499A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 冷凍サイクル装置 |
| JPWO2018051499A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2019-06-24 | 三菱電機株式会社 | 冷凍サイクル装置 |
| US11112130B2 (en) | 2016-09-16 | 2021-09-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Refrigeration cycle apparatus |
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