JPH0917712A - Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0917712A JPH0917712A JP16189495A JP16189495A JPH0917712A JP H0917712 A JPH0917712 A JP H0917712A JP 16189495 A JP16189495 A JP 16189495A JP 16189495 A JP16189495 A JP 16189495A JP H0917712 A JPH0917712 A JP H0917712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray
- transparent support
- polishing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコンウエハー基板の表面に形成されたシリ
コン窒化膜の表面をバフ研磨法によって均一にすること
によって、パターンに歪みや欠陥が発生することを解消
することにある。 【構成】シリコンウエハー基板上に、所定の膜厚の１．
１〜１．５倍にＬＰＣＶＤ法により成膜したＸ線透過支
持膜の表面を、研磨圧０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 の
バフ研磨法にて研磨することにより、前記Ｘ線透過支持
膜を、所定の膜厚に且つその周辺部に亘って同一高さに
形成する。
コン窒化膜の表面をバフ研磨法によって均一にすること
によって、パターンに歪みや欠陥が発生することを解消
することにある。 【構成】シリコンウエハー基板上に、所定の膜厚の１．
１〜１．５倍にＬＰＣＶＤ法により成膜したＸ線透過支
持膜の表面を、研磨圧０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 の
バフ研磨法にて研磨することにより、前記Ｘ線透過支持
膜を、所定の膜厚に且つその周辺部に亘って同一高さに
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光用マスクブラ
ンクのＸ線透過支持膜形成方法に関する。
ンクのＸ線透過支持膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光用マスクブランクは、これをパ
ターン形成してＸ線露光用マスクを製造するために使用
されている。
ターン形成してＸ線露光用マスクを製造するために使用
されている。
【０００３】Ｘ線露光用マスクブランクは、シリコンウ
エハー基板上にＸ線透過支持膜であるシリコン窒化膜
（ＳｉＮx 膜）が、例えば２μｍ程度の所定の膜厚に均
一に積層形成されている。
エハー基板上にＸ線透過支持膜であるシリコン窒化膜
（ＳｉＮx 膜）が、例えば２μｍ程度の所定の膜厚に均
一に積層形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記シリコンウエハー
基板上に、ＬＰＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し
たとき、ウエハー基板の表面においては、時として膜厚
に不均一な分布状態が発生する。
基板上に、ＬＰＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し
たとき、ウエハー基板の表面においては、時として膜厚
に不均一な分布状態が発生する。
【０００５】これは、後においてパターン形成する際の
パターンの歪みなどに影響を及ぼすため、膜厚分布には
できるかぎり均一性が求められている。
パターンの歪みなどに影響を及ぼすため、膜厚分布には
できるかぎり均一性が求められている。
【０００６】また、膜に窪みなどがある場合は、形成さ
れるパターンに欠陥を生じる恐れがある。
れるパターンに欠陥を生じる恐れがある。
【０００７】本発明の目的は、ウエハー基板の表面に形
成されたシリコン窒化膜の表面をバフ研磨法によって均
一にすることによって、パターンに歪みや欠陥が発生す
ることを解消することにある。
成されたシリコン窒化膜の表面をバフ研磨法によって均
一にすることによって、パターンに歪みや欠陥が発生す
ることを解消することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコンウエ
ハー基板上に、所定の膜厚の１．１〜１．５倍にＬＰＣ
ＶＤ法により成膜したＸ線透過支持膜の表面を、研磨圧
０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 のバフ研磨法にて研磨す
ることにより、前記Ｘ線透過支持膜を、所定の膜厚に且
つその周辺部に亘って同一高さに形成することを特徴と
するＸ線露光用マスクブランクのＸ線透過支持膜形成方
法である。
ハー基板上に、所定の膜厚の１．１〜１．５倍にＬＰＣ
ＶＤ法により成膜したＸ線透過支持膜の表面を、研磨圧
０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 のバフ研磨法にて研磨す
ることにより、前記Ｘ線透過支持膜を、所定の膜厚に且
つその周辺部に亘って同一高さに形成することを特徴と
するＸ線露光用マスクブランクのＸ線透過支持膜形成方
法である。
【０００９】
【実施例】本発明のＸ線露光用マスクブランクのＸ線透
過支持膜形成方法を、以下に実施例に従って詳細に説明
する。
過支持膜形成方法を、以下に実施例に従って詳細に説明
する。
【００１０】まず、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、
成膜工程では、シリコンウエハー基板１の表裏両面に、
ＬＰＣＶＤ法（化学的減圧気相成長法）により、少なく
とも所定の膜厚よりも１．１〜１．５倍程度の膜厚に
て、あるいは１．５倍以上の膜厚にて、シリコン窒化膜
２を成膜する。
成膜工程では、シリコンウエハー基板１の表裏両面に、
ＬＰＣＶＤ法（化学的減圧気相成長法）により、少なく
とも所定の膜厚よりも１．１〜１．５倍程度の膜厚に
て、あるいは１．５倍以上の膜厚にて、シリコン窒化膜
２を成膜する。
【００１１】図１（ｂ）に示すように、前記基板１上に
成膜されたシリコン窒化膜２は、基板１の中央領域ａと
その周辺領域ｂにおいてそれぞれ膜厚が異なり、中央領
域ａに比較して周辺領域ｂが、１．１〜１．２倍程度の
比較的厚い膜のシリコン窒化膜２となって全体的に摺り
鉢状に形成される。なお図２は、図１（ｂ）の平面図で
ある。
成膜されたシリコン窒化膜２は、基板１の中央領域ａと
その周辺領域ｂにおいてそれぞれ膜厚が異なり、中央領
域ａに比較して周辺領域ｂが、１．１〜１．２倍程度の
比較的厚い膜のシリコン窒化膜２となって全体的に摺り
鉢状に形成される。なお図２は、図１（ｂ）の平面図で
ある。
【００１２】上記成膜工程におけるシリコンウエハー基
板１のシリコン窒化膜２の成膜は、ＬＰＣＶＤ法（化学
的減圧気相成長法；Ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅ
ｍ−ｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
により、ジクロルシランとアンモニアのガスを用いて形
成する。
板１のシリコン窒化膜２の成膜は、ＬＰＣＶＤ法（化学
的減圧気相成長法；Ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｈｅ
ｍ−ｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
により、ジクロルシランとアンモニアのガスを用いて形
成する。
【００１３】なおＬＰＣＶＤ法の条件としては、例えば
下記の通りである。 装置形式；バレル形式、拡散炉形式 ガス圧（減圧条件）；２０〜６０（Ｐａ） 加熱形式；高周波加熱、ランプ加熱 加熱温度；７５０〜９５０℃
下記の通りである。 装置形式；バレル形式、拡散炉形式 ガス圧（減圧条件）；２０〜６０（Ｐａ） 加熱形式；高周波加熱、ランプ加熱 加熱温度；７５０〜９５０℃
【００１４】上記成膜工程においてＬＰＣＶＤ法により
形成されるシリコン窒化膜２の膜厚は、本発明において
は特に限定されないが、少なくとも、後の研磨によって
形成される所定の膜厚（例えば１．６〜２．５μｍ）の
１．１〜１．５倍程度が適当であり、一実施例として
は、２．０〜３．０μｍ程度が適当であり、好ましくは
２．２μｍ程度である。
形成されるシリコン窒化膜２の膜厚は、本発明において
は特に限定されないが、少なくとも、後の研磨によって
形成される所定の膜厚（例えば１．６〜２．５μｍ）の
１．１〜１．５倍程度が適当であり、一実施例として
は、２．０〜３．０μｍ程度が適当であり、好ましくは
２．２μｍ程度である。
【００１５】次に、研磨工程では、同図１（ｂ）に示す
基板１に形成されたシリコン窒化膜２の表面を、研磨圧
０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 にて、バフ研磨すること
により、周辺領域ｂの厚い膜のシリコン窒化膜２を中央
領域ａと同一高さになるように研磨する。
基板１に形成されたシリコン窒化膜２の表面を、研磨圧
０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 にて、バフ研磨すること
により、周辺領域ｂの厚い膜のシリコン窒化膜２を中央
領域ａと同一高さになるように研磨する。
【００１６】図１（ｃ）に示すように、研磨によって、
中央領域ａから周辺領域ｂにかけて基板１のシリコン窒
化膜２の表面は全面的に平坦に形成され、シリコン窒化
膜２の膜厚は、所定の膜厚（例えば１．６〜３．０μｍ
の範囲のいずれか、好ましくは２．０〜２．２μｍの範
囲のいずれか）になるように研磨される。
中央領域ａから周辺領域ｂにかけて基板１のシリコン窒
化膜２の表面は全面的に平坦に形成され、シリコン窒化
膜２の膜厚は、所定の膜厚（例えば１．６〜３．０μｍ
の範囲のいずれか、好ましくは２．０〜２．２μｍの範
囲のいずれか）になるように研磨される。
【００１７】また、研磨によって、中央領域ａと周辺領
域ｂの両領域に発生している凹凸面が平坦化され、面に
発生している微細なピットも消去されて平滑化される。
域ｂの両領域に発生している凹凸面が平坦化され、面に
発生している微細なピットも消去されて平滑化される。
【００１８】上記研磨工程では、図３に示すように、成
膜後のシリコンウエハー基板１を、例えば、基板１とほ
ぼ同じ厚さの中ぐりされたスペーサー治具１０（基板１
を装填可能な枠状治具）の窓部１０ａ内に装填して、該
基板１を窓部１０ａの互いに対向する内周面にて締め付
け固定する。
膜後のシリコンウエハー基板１を、例えば、基板１とほ
ぼ同じ厚さの中ぐりされたスペーサー治具１０（基板１
を装填可能な枠状治具）の窓部１０ａ内に装填して、該
基板１を窓部１０ａの互いに対向する内周面にて締め付
け固定する。
【００１９】続いて、基板１を固定した治具１０を、平
坦なステージ１４上面に取り付けたスウェード生地１３
の上面に載置する。
坦なステージ１４上面に取り付けたスウェード生地１３
の上面に載置する。
【００２０】次に、前記基板１及び治具１０の上側に、
基板１及び成膜されたシリコン窒化膜２の損傷を防ぐた
めにシート状の緩衝材１１（例えば、柔軟性のあるフェ
ルト材、ゴムシート、合成樹脂シートなど）を載せ、そ
の上から押圧手段１２の押板１２ａで押さえ、スウェー
ド生地１３面に基板１の研磨すべきシリコン窒化膜２面
を、０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 の研磨圧、好ましく
は０．２〜０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 の研磨圧にて押圧接触
させる。
基板１及び成膜されたシリコン窒化膜２の損傷を防ぐた
めにシート状の緩衝材１１（例えば、柔軟性のあるフェ
ルト材、ゴムシート、合成樹脂シートなど）を載せ、そ
の上から押圧手段１２の押板１２ａで押さえ、スウェー
ド生地１３面に基板１の研磨すべきシリコン窒化膜２面
を、０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 の研磨圧、好ましく
は０．２〜０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 の研磨圧にて押圧接触
させる。
【００２１】続いて、ステージ１４上方に配置した研磨
液滴下用のノズル１５から、酸化セリウム水溶液（濃
度；５０〜２００ｇ／リットル、好ましくは１００ｇ／
リットル）による研磨液１６を滴下して、基板１のシリ
コン窒化膜２とスウェード生地１３との界面に研磨液１
６を供給しながら、シリコン窒化膜２面とスウェード生
地１３面とを相対的に摺動させて、シリコン窒化膜２面
を、スウェード生地１３面によって研磨する。
液滴下用のノズル１５から、酸化セリウム水溶液（濃
度；５０〜２００ｇ／リットル、好ましくは１００ｇ／
リットル）による研磨液１６を滴下して、基板１のシリ
コン窒化膜２とスウェード生地１３との界面に研磨液１
６を供給しながら、シリコン窒化膜２面とスウェード生
地１３面とを相対的に摺動させて、シリコン窒化膜２面
を、スウェード生地１３面によって研磨する。
【００２２】上記研磨動作は、一例として、前記押圧手
段１２又はステージ１４のいずれか一方を、基板１面の
中心、若しくは中心よりも偏位する位置を垂直に通る軸
を回転軸（回転中心）として、例えば回転数６０〜８０
ｒｐｍにて回転させることにより行う。なお、研磨動作
における回転中心位置は定位置でもよいし、二次元的に
その位置を移動させて研磨してもよい。
段１２又はステージ１４のいずれか一方を、基板１面の
中心、若しくは中心よりも偏位する位置を垂直に通る軸
を回転軸（回転中心）として、例えば回転数６０〜８０
ｒｐｍにて回転させることにより行う。なお、研磨動作
における回転中心位置は定位置でもよいし、二次元的に
その位置を移動させて研磨してもよい。
【００２３】また、上記研磨動作は、他の例として、前
記押圧手段１２又はステージ１４の両方を、基板１面の
中心若しくは中心よりも偏位する位置を垂直に通る軸を
回転軸（回転中心）として、異なる回転方向に、若しく
は異なる回転速度で同一回転方向に、例えば相対的な回
転数６０〜８０ｒｐｍにて回転させることにより行うよ
うにしてもよい。なお、研磨動作における回転中心位置
は、同様に定位置でもよいし、二次元的にその位置を移
動させて研磨してもよい。
記押圧手段１２又はステージ１４の両方を、基板１面の
中心若しくは中心よりも偏位する位置を垂直に通る軸を
回転軸（回転中心）として、異なる回転方向に、若しく
は異なる回転速度で同一回転方向に、例えば相対的な回
転数６０〜８０ｒｐｍにて回転させることにより行うよ
うにしてもよい。なお、研磨動作における回転中心位置
は、同様に定位置でもよいし、二次元的にその位置を移
動させて研磨してもよい。
【００２４】また、上記研磨動作は、その他の例とし
て、前記押圧手段１２又はステージ１４の一方若しくは
両方を、適宜に設定した方向に直線的に、３０〜４０サ
イクル／分にて往復移動させるようにして行ってもよ
い。
て、前記押圧手段１２又はステージ１４の一方若しくは
両方を、適宜に設定した方向に直線的に、３０〜４０サ
イクル／分にて往復移動させるようにして行ってもよ
い。
【００２５】以下に、本発明方法の具体的実施例を示
す。 ＜実施例１＞減圧化学気相成長法にてジシクロシランガ
スとアンモニアガスとを用いて、シリコンウエハー基板
の表裏面上にシリコン窒化膜を成膜した。
す。 ＜実施例１＞減圧化学気相成長法にてジシクロシランガ
スとアンモニアガスとを用いて、シリコンウエハー基板
の表裏面上にシリコン窒化膜を成膜した。
【００２６】成膜したシリコン窒化膜の中央領域の膜厚
は２．１２μｍ程度であり、周辺領域の膜厚は２．１８
μｍ程度であった。
は２．１２μｍ程度であり、周辺領域の膜厚は２．１８
μｍ程度であった。
【００２７】次に、前記基板をスペーサー治具に装着固
定した後、上面にスウェード生地を備えた平坦な研磨ス
テージ上に載置し、該基板及び治具上に緩衝材を載せ
た。
定した後、上面にスウェード生地を備えた平坦な研磨ス
テージ上に載置し、該基板及び治具上に緩衝材を載せ
た。
【００２８】その緩衝材上から押さえ板で、０．２〜
０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 圧にて押さえ、スウェード生地面
に、研磨液として酸化セリウム水溶液（濃度；１００ｇ
／リットル）を滴下しながら、基板をスウェード生地上
で、１５分間、回転数６０〜８０ｒｐｍにて接触回転さ
せ、該基板のシリコン窒化膜の表面を研磨することによ
り、基板の片面に膜厚１．９２μｍのシリコン窒化膜を
得た。
０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 圧にて押さえ、スウェード生地面
に、研磨液として酸化セリウム水溶液（濃度；１００ｇ
／リットル）を滴下しながら、基板をスウェード生地上
で、１５分間、回転数６０〜８０ｒｐｍにて接触回転さ
せ、該基板のシリコン窒化膜の表面を研磨することによ
り、基板の片面に膜厚１．９２μｍのシリコン窒化膜を
得た。
【００２９】次に、上記スウェード生地上に載置されて
いる基板及び治具上より緩衝材を除去し、基板をスペー
サー治具に装着固定した状態で表裏反転させて、スウェ
ード生地上に再度載置し、該基板及び治具上に緩衝材を
載せた。
いる基板及び治具上より緩衝材を除去し、基板をスペー
サー治具に装着固定した状態で表裏反転させて、スウェ
ード生地上に再度載置し、該基板及び治具上に緩衝材を
載せた。
【００３０】その緩衝材上から押さえ板で、０．２〜
０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 圧にて押さえ、スウェード生地面
に、研磨液として酸化セリウム水溶液（濃度；１００ｇ
／リットル）を滴下しながら、前述と同様にして、該基
板のシリコン窒化膜の表面を研磨することにより、基板
の他面に膜厚１．９２μｍのシリコン窒化膜を得た。
０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 圧にて押さえ、スウェード生地面
に、研磨液として酸化セリウム水溶液（濃度；１００ｇ
／リットル）を滴下しながら、前述と同様にして、該基
板のシリコン窒化膜の表面を研磨することにより、基板
の他面に膜厚１．９２μｍのシリコン窒化膜を得た。
【００３１】次に、前記基板を治具より取り外して、基
板に付着している研磨液を洗浄処理した後、該基板を８
０℃前後にて加熱乾燥処理して、基板の表裏両面にＸ線
透過支持膜を得た。得られたＸ線透過支持膜は、研磨液
の洗浄処理及び支持膜の乾燥処理により多少目減りが生
じたが、必要とするＸ線透過支持膜の膜厚１．８５μｍ
が得られた。
板に付着している研磨液を洗浄処理した後、該基板を８
０℃前後にて加熱乾燥処理して、基板の表裏両面にＸ線
透過支持膜を得た。得られたＸ線透過支持膜は、研磨液
の洗浄処理及び支持膜の乾燥処理により多少目減りが生
じたが、必要とするＸ線透過支持膜の膜厚１．８５μｍ
が得られた。
【００３２】＜比較結果＞上記実施例１により研磨処理
して得られたＸ線透過支持膜と、研磨処理前のＸ線透過
支持膜とのそれぞれ片面の膜厚分布を、プリズムカプラ
ー方式の膜厚測定機により測定して、その膜厚分布状態
を比較したところ、表１のＸ線透過支持膜面内膜厚分布
に示すように、実施例１により研磨処理したＸ線透過支
持膜は、処理前の支持膜よりも基板全面に亘って均一で
良好な膜厚が得られた。
して得られたＸ線透過支持膜と、研磨処理前のＸ線透過
支持膜とのそれぞれ片面の膜厚分布を、プリズムカプラ
ー方式の膜厚測定機により測定して、その膜厚分布状態
を比較したところ、表１のＸ線透過支持膜面内膜厚分布
に示すように、実施例１により研磨処理したＸ線透過支
持膜は、処理前の支持膜よりも基板全面に亘って均一で
良好な膜厚が得られた。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１（ａ）は、横軸を基板のＸ方向面内位
置（ｍｍ）、縦軸をその位置でのＸ線透過支持膜の膜厚
（μｍ）とするＸ線透過支持膜面内膜厚分布を示すグラ
フであり、表１（ｂ）は、横軸を基板のＹ方向面内位置
（ｍｍ）、縦軸をその位置でのＸ線透過支持膜の膜厚
（μｍ）とするＸ線透過支持膜面内膜厚分布を示すグラ
フである。
置（ｍｍ）、縦軸をその位置でのＸ線透過支持膜の膜厚
（μｍ）とするＸ線透過支持膜面内膜厚分布を示すグラ
フであり、表１（ｂ）は、横軸を基板のＹ方向面内位置
（ｍｍ）、縦軸をその位置でのＸ線透過支持膜の膜厚
（μｍ）とするＸ線透過支持膜面内膜厚分布を示すグラ
フである。
【００３５】但し、表１（ａ）、（ｂ）において、×は
研磨処理前におけるＸ線透過支持膜の膜厚、□は研磨処
理終了直後のＸ線透過支持膜の膜厚、○は研磨処理終了
後の研磨液の洗浄処理及び乾燥処理後におけるＸ線透過
支持膜の膜厚を示す。
研磨処理前におけるＸ線透過支持膜の膜厚、□は研磨処
理終了直後のＸ線透過支持膜の膜厚、○は研磨処理終了
後の研磨液の洗浄処理及び乾燥処理後におけるＸ線透過
支持膜の膜厚を示す。
【００３６】
【作用】本発明のＸ線露光用マスクブランクのＸ線透過
支持膜形成方法は、シリコンウエハー基板１上に所定の
膜厚の１．１〜１．５倍の膜厚に成膜したＸ線透過支持
膜の表面を、研磨圧０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 にて
バフ研磨することによりＸ線透過支持膜を所定の膜厚に
且つその周辺部に亘って同一高さに形成することができ
る。
支持膜形成方法は、シリコンウエハー基板１上に所定の
膜厚の１．１〜１．５倍の膜厚に成膜したＸ線透過支持
膜の表面を、研磨圧０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 にて
バフ研磨することによりＸ線透過支持膜を所定の膜厚に
且つその周辺部に亘って同一高さに形成することができ
る。
【００３７】
【発明の効果】本発明のＸ線露光用マスクブランクのＸ
線透過支持膜形成方法は、ウエハー基板の表面に形成さ
れたＸ線透過支持膜の表面を、バフ研磨法によって研磨
することにより、Ｘ線透過支持膜を所定の膜厚に且つそ
の周辺部に亘って同一高さに形成することができ、Ｘ線
透過支持膜の不均一な膜厚分布の発生によるＸ線露光用
マスクパターン成形の際におけるパターンの歪みや欠陥
の発生を解消できる効果がある。
線透過支持膜形成方法は、ウエハー基板の表面に形成さ
れたＸ線透過支持膜の表面を、バフ研磨法によって研磨
することにより、Ｘ線透過支持膜を所定の膜厚に且つそ
の周辺部に亘って同一高さに形成することができ、Ｘ線
透過支持膜の不均一な膜厚分布の発生によるＸ線露光用
マスクパターン成形の際におけるパターンの歪みや欠陥
の発生を解消できる効果がある。
【図１】本発明のＸ線露光用マスクブランクのＸ線透過
支持膜形成方法の工程を示す側断面図である。
支持膜形成方法の工程を示す側断面図である。
【図２】本発明方法の成膜工程における基板上に成膜さ
れたＸ線透過支持膜の膜厚分布を示す平面図である。
れたＸ線透過支持膜の膜厚分布を示す平面図である。
【図３】本発明方法の研磨工程を説明する概要側断面図
である。
である。
１…シリコンウエハー基板 ２…Ｘ線透過支持膜 ａ…
中央領域 ｂ…周辺領域 １０…スペーサー治具 １０ａ…窓部 １１…緩衝材
１２…押圧手段 １２ａ…押さえ板 １３…スウェード生地 １４…研磨
ステージ １５…研磨液供給ノズル １６…研磨液
中央領域 ｂ…周辺領域 １０…スペーサー治具 １０ａ…窓部 １１…緩衝材
１２…押圧手段 １２ａ…押さえ板 １３…スウェード生地 １４…研磨
ステージ １５…研磨液供給ノズル １６…研磨液
Claims (1)
- 【請求項１】シリコンウエハー基板上に、所定の膜厚の
１．１〜１．５倍にＬＰＣＶＤ法により成膜したＸ線透
過支持膜の表面を、研磨圧０．１〜０．４ｋｇｆ／ｃｍ
2 のバフ研磨法にて研磨することにより、前記Ｘ線透過
支持膜を、所定の膜厚に且つその周辺部に亘って同一高
さに形成することを特徴とするＸ線露光用マスクブラン
クのＸ線透過支持膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16189495A JPH0917712A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16189495A JPH0917712A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917712A true JPH0917712A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15744033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16189495A Pending JPH0917712A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943339B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2010-02-19 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 흡착고정장치 및 그 제조방법 |
| JP2014194547A (ja) * | 2012-03-23 | 2014-10-09 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP16189495A patent/JPH0917712A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943339B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2010-02-19 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 흡착고정장치 및 그 제조방법 |
| JP2014194547A (ja) * | 2012-03-23 | 2014-10-09 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04206930A (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック | |
| TW520317B (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
| JPH08197415A (ja) | ウエーハ研磨装置 | |
| JPH07227757A (ja) | ウエーハのポリッシング装置 | |
| US20110081841A1 (en) | Wafer support member, method for manufacturing the same and wafer polishing unit comprising the same | |
| JPH0917712A (ja) | Ｘ線露光用マスクブランクのｘ線透過支持膜形成方法 | |
| JP2000233366A (ja) | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 | |
| JPH09277163A (ja) | 研磨方法と研磨装置 | |
| JPH02208931A (ja) | 化合物半導体基板の研磨方法 | |
| US7156933B2 (en) | Configuration and method for mounting a backing film to a polish head | |
| JPH08181092A (ja) | 半導体ウエハ研磨用保持プレート | |
| JP2002329690A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP3821947B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
| JPH08267357A (ja) | 基板の研磨装置及びその研磨方法 | |
| JPH05315305A (ja) | ウェーハ研磨方法 | |
| JPH11285967A (ja) | ウエハの化学的機械的研磨装置およびそれを用いてウエハを研磨する方法 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JPH071759B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH09277159A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH08162432A (ja) | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置並びに研磨されたウエハ | |
| JP2009010071A (ja) | ウエハの研磨方法 | |
| JP3820432B2 (ja) | ウエーハ研磨方法 | |
| JP2575489B2 (ja) | ウエハー研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH07263386A (ja) | 半導体ウェーハの表面基準研磨装置 | |
| JPH0582728B2 (ja) |