JPH0917721A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0917721A JPH0917721A JP7182170A JP18217095A JPH0917721A JP H0917721 A JPH0917721 A JP H0917721A JP 7182170 A JP7182170 A JP 7182170A JP 18217095 A JP18217095 A JP 18217095A JP H0917721 A JPH0917721 A JP H0917721A
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- plate
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の伸縮があった場合に、重視したい方向
のパターンの連続性、重ねあわせ精度の向上を図る。 【構成】 顕微鏡３２によって基板上に予め形成された
直交２軸方向それぞれに応じたアライメントマーク（マ
ーク）が検出されると、主制御部５０では、各マークの
位置及び個数を検出し、検出された特定のマークの位置
情報と当該特定のマークの設計上の位置情報とに基づい
て基板の直交２軸方向の伸縮率をそれぞれ算出し、算出
された各軸方向の伸縮率を、検出された直交２軸方向の
それぞれの軸方向に応じたマークの数に応じて重み付け
してその平均値を求め、この求めた伸縮率の重みつき平
均値を倍率補正値として設定する。倍率コントローラ３
０では、この設定された倍率補正値に基づいて倍率調整
機構２８を介して投影光学系の倍率を補正する。
のパターンの連続性、重ねあわせ精度の向上を図る。 【構成】 顕微鏡３２によって基板上に予め形成された
直交２軸方向それぞれに応じたアライメントマーク（マ
ーク）が検出されると、主制御部５０では、各マークの
位置及び個数を検出し、検出された特定のマークの位置
情報と当該特定のマークの設計上の位置情報とに基づい
て基板の直交２軸方向の伸縮率をそれぞれ算出し、算出
された各軸方向の伸縮率を、検出された直交２軸方向の
それぞれの軸方向に応じたマークの数に応じて重み付け
してその平均値を求め、この求めた伸縮率の重みつき平
均値を倍率補正値として設定する。倍率コントローラ３
０では、この設定された倍率補正値に基づいて倍率調整
機構２８を介して投影光学系の倍率を補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に係り、更に詳
しくはマスクに形成されたパターンを投影光学系を介し
て基板上に連続的に存在する複数の領域につなぎ合わせ
て順次転写する露光装置に関する。
しくはマスクに形成されたパターンを投影光学系を介し
て基板上に連続的に存在する複数の領域につなぎ合わせ
て順次転写する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶デイスプレイ（ＬＣＤ）を製
造する露光装置として、レチクル（マスク）上に形成さ
れたパターンを液晶用ガラスプレート（以下、適宜「プ
レート」という）の所定領域に露光した後、当該プレー
トを一定距離だけステッピングさせて、再びレチクルの
パターンを露光することを繰り返す、いわゆるステップ
アンドリピート方式のものがある。
造する露光装置として、レチクル（マスク）上に形成さ
れたパターンを液晶用ガラスプレート（以下、適宜「プ
レート」という）の所定領域に露光した後、当該プレー
トを一定距離だけステッピングさせて、再びレチクルの
パターンを露光することを繰り返す、いわゆるステップ
アンドリピート方式のものがある。
【０００３】かかる露光装置には、レチクルとプレート
の正確な位置合わせを行うため、レチクルを投影光学系
の光軸に垂直な面内で移動させるレチクルステージや、
プレートを投影光学系の光軸に対して垂直な面内で移動
させるプレートステージの他、レチクル上のパターンを
所定の倍率でプレートに投影するため、投影光学系の投
影倍率を制御する倍率コントローラが設けられている。
の正確な位置合わせを行うため、レチクルを投影光学系
の光軸に垂直な面内で移動させるレチクルステージや、
プレートを投影光学系の光軸に対して垂直な面内で移動
させるプレートステージの他、レチクル上のパターンを
所定の倍率でプレートに投影するため、投影光学系の投
影倍率を制御する倍率コントローラが設けられている。
【０００４】これは、液晶ディスプレイの製造のために
は、プレート上に形成されたパターンの上に更に重ねて
レチクルのパターンを投影する必要があるが、前層露光
時以後のプロセスによってプレートが膨張し、前層露光
時にパターンが転写されたプレート上の領域（ショット
領域）が拡張することがあり、かかる重ね合わせ露光の
際に、投影光学系の投影倍率が固定のままでは、レチク
ルのパターンをショット領域に正確に重ね合わせて転写
できず、かかる場合に倍率コントローラによって投影倍
率を調整する必要のあることを考慮したものである。
は、プレート上に形成されたパターンの上に更に重ねて
レチクルのパターンを投影する必要があるが、前層露光
時以後のプロセスによってプレートが膨張し、前層露光
時にパターンが転写されたプレート上の領域（ショット
領域）が拡張することがあり、かかる重ね合わせ露光の
際に、投影光学系の投影倍率が固定のままでは、レチク
ルのパターンをショット領域に正確に重ね合わせて転写
できず、かかる場合に倍率コントローラによって投影倍
率を調整する必要のあることを考慮したものである。
【０００５】上述した従来の露光装置では、２層目以後
では、各層毎の露光に先だってプレート上に形成された
アライメントマークの位置を検出し、この検出結果に基
づいてプレートの２次元方向の伸縮率、具体的には、プ
レートステージの移動方向であるｘ方向のスケーリング
（γx とする）とＹ方向のスケーリング（γy とする）
を算出し、これらの単純平均値ｍ（ｍ＝（γx ＋γy ）
×１／２）を倍率補正値として設定し、この倍率補正値
ｍに基づいて倍率コントローラが投影光学系の投影倍率
を制御することにより、自動的に投影倍率を補正するこ
とがなされていた。
では、各層毎の露光に先だってプレート上に形成された
アライメントマークの位置を検出し、この検出結果に基
づいてプレートの２次元方向の伸縮率、具体的には、プ
レートステージの移動方向であるｘ方向のスケーリング
（γx とする）とＹ方向のスケーリング（γy とする）
を算出し、これらの単純平均値ｍ（ｍ＝（γx ＋γy ）
×１／２）を倍率補正値として設定し、この倍率補正値
ｍに基づいて倍率コントローラが投影光学系の投影倍率
を制御することにより、自動的に投影倍率を補正するこ
とがなされていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の如く、ｘ方向とｙ方向のスケーリングの単純平
均値を倍率補正値として投影光学系の投影倍率を補正し
たのでは、ｘ方向、ｙ方向どちらの方向においても正し
くパターンを重ね合わせることができない場合が多かっ
た。
来技術の如く、ｘ方向とｙ方向のスケーリングの単純平
均値を倍率補正値として投影光学系の投影倍率を補正し
たのでは、ｘ方向、ｙ方向どちらの方向においても正し
くパターンを重ね合わせることができない場合が多かっ
た。
【０００７】即ち、図７に示されるように、元々は点線
Ｓで示す領域であったショット領域がプロセスによって
プレートが膨張し、２層目以降の露光時に実線で示され
る領域Ｓ’まで拡ったとすると、ｘ方向とｙ方向のスケ
ーリングの単純平均値ｍに基づいて投影倍率の補正を行
なった場合には、同図中に斜線部で示されるように、ｘ
方向では各ショット領域より狭い領域でしかパターンが
転写されず、ｙ方向では各ショット領域をはみ出してパ
ターンが転写されるという不都合がしばしば生じてい
た。
Ｓで示す領域であったショット領域がプロセスによって
プレートが膨張し、２層目以降の露光時に実線で示され
る領域Ｓ’まで拡ったとすると、ｘ方向とｙ方向のスケ
ーリングの単純平均値ｍに基づいて投影倍率の補正を行
なった場合には、同図中に斜線部で示されるように、ｘ
方向では各ショット領域より狭い領域でしかパターンが
転写されず、ｙ方向では各ショット領域をはみ出してパ
ターンが転写されるという不都合がしばしば生じてい
た。
【０００８】ところで、液晶ディスプレイ製造のための
露光においては、相互に隣接するショット領域同士の継
ぎ目の部分におけるパターンの連続性、重ね合わせ精度
に対する要求は、ｘ方向、ｙ方向で必ずしも同レベルで
はなく、パターンの方向に応じてｘ方向あるいはｙ方向
のどちらかの一方向のパターンの連続性、重ね合わせ精
度が重視されることが多々ある。かかる場合に、上記従
来技術では満足できる結果が得られないことは明かであ
った。
露光においては、相互に隣接するショット領域同士の継
ぎ目の部分におけるパターンの連続性、重ね合わせ精度
に対する要求は、ｘ方向、ｙ方向で必ずしも同レベルで
はなく、パターンの方向に応じてｘ方向あるいはｙ方向
のどちらかの一方向のパターンの連続性、重ね合わせ精
度が重視されることが多々ある。かかる場合に、上記従
来技術では満足できる結果が得られないことは明かであ
った。
【０００９】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、基板の伸縮があった場合に、重視した
い方向のパターンの連続性、重ねあわせ精度の向上を図
ることができる露光装置を提供することにある。
で、その目的は、基板の伸縮があった場合に、重視した
い方向のパターンの連続性、重ねあわせ精度の向上を図
ることができる露光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスクに形成
されたパターンを投影光学系を介して基板上に連続的に
存在する複数の領域につなぎ合わせて順次転写する露光
装置であって、前記基板が載置される直交２軸方向に移
動可能なステージと；前記基板上に予め形成された前記
直交２軸方向それぞれに応じたアライメントマークの位
置及び個数を検出するマーク検出手段と；設定された倍
率補正値に基づいて前記投影光学系の倍率を補正する倍
率補正手段と；前記検出手段により検出された特定のア
ライメンマークの位置情報と当該特定のアライメントマ
ークの設計上の位置情報とに基づいて前記基板の前記直
交２軸方向の伸縮率をそれぞれ算出する演算手段と；前
記算出された前記直交２軸方向の各軸方向の伸縮率を、
前記検出手段により検出されたそれぞれの軸方向に応じ
たアライメントマークの数に応じて重み付けしてその平
均値を求め、この求めた前記伸縮率の重みつき平均値を
前記倍率補正値として設定する設定手段とを有する。
されたパターンを投影光学系を介して基板上に連続的に
存在する複数の領域につなぎ合わせて順次転写する露光
装置であって、前記基板が載置される直交２軸方向に移
動可能なステージと；前記基板上に予め形成された前記
直交２軸方向それぞれに応じたアライメントマークの位
置及び個数を検出するマーク検出手段と；設定された倍
率補正値に基づいて前記投影光学系の倍率を補正する倍
率補正手段と；前記検出手段により検出された特定のア
ライメンマークの位置情報と当該特定のアライメントマ
ークの設計上の位置情報とに基づいて前記基板の前記直
交２軸方向の伸縮率をそれぞれ算出する演算手段と；前
記算出された前記直交２軸方向の各軸方向の伸縮率を、
前記検出手段により検出されたそれぞれの軸方向に応じ
たアライメントマークの数に応じて重み付けしてその平
均値を求め、この求めた前記伸縮率の重みつき平均値を
前記倍率補正値として設定する設定手段とを有する。
【００１１】
【作用】本発明によれば、マーク検出手段によって基板
上に予め形成された直交２軸方向それぞれに応じたアラ
イメントマークの位置及び個数が検出されると、演算手
段では、検出手段により検出された特定のアライメンマ
ークの位置情報と当該特定のアライメントマークの設計
上の位置情報とに基づいて基板の前記直交２軸方向の伸
縮率をそれぞれ算出する。この伸縮率の算出がなされる
と、設定手段では、算出された前記直交２軸方向の各軸
方向の伸縮率を、検出手段により検出されたそれぞれの
軸方向に応じたアライメントマークの数に応じて重み付
けしてその平均値を求め、この求めた伸縮率の重みつき
平均値を倍率補正値として設定し、倍率補正手段では、
この設定された倍率補正値に基づいて投影光学系の倍率
を補正する。
上に予め形成された直交２軸方向それぞれに応じたアラ
イメントマークの位置及び個数が検出されると、演算手
段では、検出手段により検出された特定のアライメンマ
ークの位置情報と当該特定のアライメントマークの設計
上の位置情報とに基づいて基板の前記直交２軸方向の伸
縮率をそれぞれ算出する。この伸縮率の算出がなされる
と、設定手段では、算出された前記直交２軸方向の各軸
方向の伸縮率を、検出手段により検出されたそれぞれの
軸方向に応じたアライメントマークの数に応じて重み付
けしてその平均値を求め、この求めた伸縮率の重みつき
平均値を倍率補正値として設定し、倍率補正手段では、
この設定された倍率補正値に基づいて投影光学系の倍率
を補正する。
【００１２】これによれば、予め優先したい方向（以
下、この欄では「一の方向」という）に応じたアライメ
ントマークの数を多く基板上に形成しておくことによ
り、それに応じてその方向の伸縮率を重視した投影光学
系の投影倍率の補正が行なわれるので、この倍率補正が
なされた状態で、マスクに形成されたパターンが当該投
影光学系を介して基板上転写された場合、基板上に連続
的に存在する複数の領域相互間の前記一の方向における
パターンの連続性及び重ね合わせ精度を向上させること
が出来る。
下、この欄では「一の方向」という）に応じたアライメ
ントマークの数を多く基板上に形成しておくことによ
り、それに応じてその方向の伸縮率を重視した投影光学
系の投影倍率の補正が行なわれるので、この倍率補正が
なされた状態で、マスクに形成されたパターンが当該投
影光学系を介して基板上転写された場合、基板上に連続
的に存在する複数の領域相互間の前記一の方向における
パターンの連続性及び重ね合わせ精度を向上させること
が出来る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図６に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１４】図１には、一実施例に係る露光装置１０の
概略構成が示されている。この露光装置１０は、投影光
学系ＰＬと、この投影光学系ＰＬの上方に配置され投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向であるｚ軸方向に直交する
面内をｘ、ｙ２次元方向に移動可能であると共にその面
内で回転可能に構成されたレチクルステージ１２と、投
影光学系ＰＬの下方に配置されレチクルステージ１２の
移動面と平行な面内をｘ、ｙ２次元方向に移動可能なプ
レートステージ１４とを備えている。
概略構成が示されている。この露光装置１０は、投影光
学系ＰＬと、この投影光学系ＰＬの上方に配置され投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向であるｚ軸方向に直交する
面内をｘ、ｙ２次元方向に移動可能であると共にその面
内で回転可能に構成されたレチクルステージ１２と、投
影光学系ＰＬの下方に配置されレチクルステージ１２の
移動面と平行な面内をｘ、ｙ２次元方向に移動可能なプ
レートステージ１４とを備えている。
【００１５】前記レチクルステージ１２上には、マスク
としてのレチクルＲが載置され図示しない真空吸着手段
を介して吸着されている。このレチクルＲの裏面は所定
領域に回路パターンが形成されたパターン面とされてい
る。
としてのレチクルＲが載置され図示しない真空吸着手段
を介して吸着されている。このレチクルＲの裏面は所定
領域に回路パターンが形成されたパターン面とされてい
る。
【００１６】一方、プレートステージ１４上には、表面
にフォトレジストが塗布された基板としての液晶プレー
ト（以下、「プレート」という）１６が載置され、図示
しないプレートホルダに吸着され固定されている。
にフォトレジストが塗布された基板としての液晶プレー
ト（以下、「プレート」という）１６が載置され、図示
しないプレートホルダに吸着され固定されている。
【００１７】プレート１６表面は、投影光学系ＰＬに関
してレチクルＲのパターン面と共役となっている。この
ため、図示しない照射光学系から射出された露光光によ
ってレチクルＲのパターン面が照明されると、このレチ
クルＲに形成されたパターンが、投影光学系ＰＬを介し
てプレート１６上に投影され転写される。
してレチクルＲのパターン面と共役となっている。この
ため、図示しない照射光学系から射出された露光光によ
ってレチクルＲのパターン面が照明されると、このレチ
クルＲに形成されたパターンが、投影光学系ＰＬを介し
てプレート１６上に投影され転写される。
【００１８】レチクルステージ１２は、図１では図示を
省略したが、実際にはレチクルステージ駆動系１８によ
って前記の如くｘ、ｙ２次元方向、及びｚ軸回りの回転
方向（θ方向）に駆動されるようになっており、レチク
ルステージ駆動系１８がレチクルステージコントローラ
２０によつて制御されるようになっている（図３参
照）。
省略したが、実際にはレチクルステージ駆動系１８によ
って前記の如くｘ、ｙ２次元方向、及びｚ軸回りの回転
方向（θ方向）に駆動されるようになっており、レチク
ルステージ駆動系１８がレチクルステージコントローラ
２０によつて制御されるようになっている（図３参
照）。
【００１９】プレートステージ１４は、図１では図示を
省略したが、実際にはプレートステージ駆動系２２によ
って前記の如くｘ、ｙ２次元方向に駆動されるようにな
っており、プレートステージ駆動系２２がプレートステ
ージコントローラ２４によつて制御されるようになって
いる（図３参照）。また、このプレートステージ１４の
移動位置は、図１では図示を省略したが、実際には、高
精度な位置計測手段、例えばレーザ干渉計２６によって
計測されるようになっている（図３参照）。
省略したが、実際にはプレートステージ駆動系２２によ
って前記の如くｘ、ｙ２次元方向に駆動されるようにな
っており、プレートステージ駆動系２２がプレートステ
ージコントローラ２４によつて制御されるようになって
いる（図３参照）。また、このプレートステージ１４の
移動位置は、図１では図示を省略したが、実際には、高
精度な位置計測手段、例えばレーザ干渉計２６によって
計測されるようになっている（図３参照）。
【００２０】投影光学系ＰＬは、図１では図示を省略し
たが、実際には倍率調整機構２８によって倍率が調整さ
れるようになっており、倍率調整機構２８が倍率コント
ローラ３０によつて制御されるようになっている。ここ
で、倍率調整機構としては、例えば、特開昭６０−７８
４５４号に開示されているような「投影光学系を構成す
る複数のレンズエレメント間の特定の空間に封入された
気体（空気等）の圧力を変えて、その空間の屈折率を変
えることによって、倍率（や焦点位置）を変化させる」
倍率調整機構が使用される。この他、投影光学系を構成
する特定のレンズエレメントを光軸方向に移動させるこ
とにより投影倍率を変化させる倍率調整機構を使用して
も良い。
たが、実際には倍率調整機構２８によって倍率が調整さ
れるようになっており、倍率調整機構２８が倍率コント
ローラ３０によつて制御されるようになっている。ここ
で、倍率調整機構としては、例えば、特開昭６０−７８
４５４号に開示されているような「投影光学系を構成す
る複数のレンズエレメント間の特定の空間に封入された
気体（空気等）の圧力を変えて、その空間の屈折率を変
えることによって、倍率（や焦点位置）を変化させる」
倍率調整機構が使用される。この他、投影光学系を構成
する特定のレンズエレメントを光軸方向に移動させるこ
とにより投影倍率を変化させる倍率調整機構を使用して
も良い。
【００２１】投影光学系ＰＬの近傍には、投影光学系Ｐ
Ｌの光軸に対して所定の関係でアライメント顕微鏡３２
が配設され、プレートステージ１４上に載置されたプレ
ート１６上に形成されたアライメントマーク（これにつ
いては、後述する）がアライメント顕微鏡３２で計測さ
れるようになっている。
Ｌの光軸に対して所定の関係でアライメント顕微鏡３２
が配設され、プレートステージ１４上に載置されたプレ
ート１６上に形成されたアライメントマーク（これにつ
いては、後述する）がアライメント顕微鏡３２で計測さ
れるようになっている。
【００２２】更に、プレートステージ１４上には、レチ
クルＲに形成されたレチクルアライメントマークを計測
するためのレチクルアライメント系を構成する基準光源
３４が設けられている。レチクルステージ１２へのレチ
クルＲの搭載時には、プレートステージコントローラ２
４では、図２に示されるように、基準光源３０からの光
が投影光学系ＰＬを介してレチクルＲ上に形成されたレ
チクルアライメントマークを走査するようにプレートス
テージ駆動系２２を介してプレートステージ１４の移動
を制御する。このとき、アライメントセンサ３６で受光
する透過光量とレーザ干渉計２６の出力とに基づいてプ
レートステージ１４の移動座標系におけるレチクルアラ
イメントマークの位置がわかるようになっており、これ
に基づいてレチクルステージコントローラ２０では、レ
チクルステージ駆動系１８を介してレチクルステージ１
２をｘ、ｙ、θ方向に駆動してレチクルＲのアライメン
トを行なう。なお、レチクルステージ１２がｘ、ｙ方向
に移動できない構成となっている場合は、その移動量に
対応した量だけプレートステージ１４側を移動すること
で補正すれば良い。
クルＲに形成されたレチクルアライメントマークを計測
するためのレチクルアライメント系を構成する基準光源
３４が設けられている。レチクルステージ１２へのレチ
クルＲの搭載時には、プレートステージコントローラ２
４では、図２に示されるように、基準光源３０からの光
が投影光学系ＰＬを介してレチクルＲ上に形成されたレ
チクルアライメントマークを走査するようにプレートス
テージ駆動系２２を介してプレートステージ１４の移動
を制御する。このとき、アライメントセンサ３６で受光
する透過光量とレーザ干渉計２６の出力とに基づいてプ
レートステージ１４の移動座標系におけるレチクルアラ
イメントマークの位置がわかるようになっており、これ
に基づいてレチクルステージコントローラ２０では、レ
チクルステージ駆動系１８を介してレチクルステージ１
２をｘ、ｙ、θ方向に駆動してレチクルＲのアライメン
トを行なう。なお、レチクルステージ１２がｘ、ｙ方向
に移動できない構成となっている場合は、その移動量に
対応した量だけプレートステージ１４側を移動すること
で補正すれば良い。
【００２３】図３には、露光装置１０の制御系の構成が
概略的に示されている。この制御系は、マイクロコンピ
ュータ又はミニコンピュータから成る主制御部５０を中
心として構成され、この主制御部５０の入力側には、レ
ーザ干渉計２６、アライメント顕微鏡３２及びアライメ
ントセンサ３６等が接続されている。また、主制御部５
０の出力側には、レチクルステージコントローラ２０、
プレートステージコントローラ２４及び倍率コントロー
ラ３０等が接続されている。レチクルステージコントロ
ーラ２０、プレートステージコントローラ２４、倍率コ
ントローラ３０は、主制御部５０からの制御信号に基づ
いてレチクルステージ駆動系１８、プレートステージ駆
動系２２、倍率調整機構２８に、それぞれ制御指令を送
出するように構成されている。
概略的に示されている。この制御系は、マイクロコンピ
ュータ又はミニコンピュータから成る主制御部５０を中
心として構成され、この主制御部５０の入力側には、レ
ーザ干渉計２６、アライメント顕微鏡３２及びアライメ
ントセンサ３６等が接続されている。また、主制御部５
０の出力側には、レチクルステージコントローラ２０、
プレートステージコントローラ２４及び倍率コントロー
ラ３０等が接続されている。レチクルステージコントロ
ーラ２０、プレートステージコントローラ２４、倍率コ
ントローラ３０は、主制御部５０からの制御信号に基づ
いてレチクルステージ駆動系１８、プレートステージ駆
動系２２、倍率調整機構２８に、それぞれ制御指令を送
出するように構成されている。
【００２４】次に、上述のようにして構成された露光装
置１０の動作を説明する。
置１０の動作を説明する。
【００２５】《第１層目の露光》前記の如くしてレチク
ルアライメントが行なわれた後、プレートステージ１４
上にプレート１６が載置されると、主制御部５０によっ
て所定の手順によりプレートステージコントローラ２０
等が制御され、いわゆるステップアンドリピート動作に
よりプレートステージ１４のステッピングと露光が繰り
返され、１層目のレチクルパターンの転写が行なわれ
る。これにより、例えば図４（Ａ）に示されるように、
プレート１６上の所定の領域に複数（ここでは４つ）の
ショット領域Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 が形成される。こ
の場合、隣接するショット領域には連続したパターンが
存在する。また、この１層目の露光の際に、プレート１
６上には、アライメントマーク、例えばｘ方向位置決め
用のアライメントマークＭx1、Ｍx2、Ｍx3、Ｍx4、ｙ方
向位置決め用のアライメントマークＭy1、Ｍy2、Ｍy3、
Ｍy4、Ｍy5、Ｍy6が形成される。
ルアライメントが行なわれた後、プレートステージ１４
上にプレート１６が載置されると、主制御部５０によっ
て所定の手順によりプレートステージコントローラ２０
等が制御され、いわゆるステップアンドリピート動作に
よりプレートステージ１４のステッピングと露光が繰り
返され、１層目のレチクルパターンの転写が行なわれ
る。これにより、例えば図４（Ａ）に示されるように、
プレート１６上の所定の領域に複数（ここでは４つ）の
ショット領域Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 が形成される。こ
の場合、隣接するショット領域には連続したパターンが
存在する。また、この１層目の露光の際に、プレート１
６上には、アライメントマーク、例えばｘ方向位置決め
用のアライメントマークＭx1、Ｍx2、Ｍx3、Ｍx4、ｙ方
向位置決め用のアライメントマークＭy1、Ｍy2、Ｍy3、
Ｍy4、Ｍy5、Ｍy6が形成される。
【００２６】この１層目の露光の後、現像、エッチング
その他のプロセス処理が行なわれ、このプロセスによ
り、図４（Ｂ）に示されるように、プレート１６が膨張
して点線で示されるショット領域Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ
4 が、実線で示されるショット領域Ｓ1'、Ｓ2'、Ｓ3'、
Ｓ4'のように拡大したものとする。
その他のプロセス処理が行なわれ、このプロセスによ
り、図４（Ｂ）に示されるように、プレート１６が膨張
して点線で示されるショット領域Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ
4 が、実線で示されるショット領域Ｓ1'、Ｓ2'、Ｓ3'、
Ｓ4'のように拡大したものとする。
【００２７】《第２層目の露光》ここでは、主制御部５
０の主要な制御アルゴリズムを示す図５のフローチャー
トに沿って説明する。ここでは、オペレータは優先方向
及び投影倍率を何等指定していないものとする。また、
前提として表面にフォトレジストが塗布されたプレート
１６がプレートステージ１４上に載置され図示しないホ
ルダに吸着固定されているものとする。
０の主要な制御アルゴリズムを示す図５のフローチャー
トに沿って説明する。ここでは、オペレータは優先方向
及び投影倍率を何等指定していないものとする。また、
前提として表面にフォトレジストが塗布されたプレート
１６がプレートステージ１４上に載置され図示しないホ
ルダに吸着固定されているものとする。
【００２８】ステップ１００でプレート１６上のアライ
メントマークの位置及び数を計測（検出）する。このア
ライメントマークの位置及び数の計測は、具体的は、ア
ライメント顕微鏡３２とレーザ干渉計２６の出力をモニ
タしつつ、ステージコントローラ２４を介してプレート
ステージ駆動系２２を制御してプレートステージ１４を
ｘ、ｙ２次元方向に駆動することによりなされる。そし
て、この計測結果は、図示しないメモリに記憶される。
メントマークの位置及び数を計測（検出）する。このア
ライメントマークの位置及び数の計測は、具体的は、ア
ライメント顕微鏡３２とレーザ干渉計２６の出力をモニ
タしつつ、ステージコントローラ２４を介してプレート
ステージ駆動系２２を制御してプレートステージ１４を
ｘ、ｙ２次元方向に駆動することによりなされる。そし
て、この計測結果は、図示しないメモリに記憶される。
【００２９】次のステップ１０２では、ステップ１００
の計測値に基づいて各補正パラメータを算出する。
の計測値に基づいて各補正パラメータを算出する。
【００３０】ここで、各補正パラメータの算出方法につ
いて詳述する。算出方法（解析方法）としては、最小２
乗法が用いられる。
いて詳述する。算出方法（解析方法）としては、最小２
乗法が用いられる。
【００３１】即ち、プレート１６の伸縮及びアライメン
ト誤差等によってアライメントマークの位置に誤差が生
じ、アラメントマークの設計上の配列座標と、位置合わ
せすべき実際の配列座標（補正パラメータによって補正
されたアライメントマーク位置）とを、次式（１）で対
応させることにより、装置で補正可能なパラメータを算
出する。
ト誤差等によってアライメントマークの位置に誤差が生
じ、アラメントマークの設計上の配列座標と、位置合わ
せすべき実際の配列座標（補正パラメータによって補正
されたアライメントマーク位置）とを、次式（１）で対
応させることにより、装置で補正可能なパラメータを算
出する。
【００３２】
【数１】
【００３３】ここで、各補正パラメータは、次の通りで
ある。 プレートスケーリング（伸縮）：γx （ｘ方向）、
γy （ｙ方向）［ｐｐｍ］ プレートローテーション：θ［μｒａｄ］ 直交度：ω［μｒａｄ］ プレートシフト：εx （ｘ方向）、εy （ｙ方向）
［μｍ］
ある。 プレートスケーリング（伸縮）：γx （ｘ方向）、
γy （ｙ方向）［ｐｐｍ］ プレートローテーション：θ［μｒａｄ］ 直交度：ω［μｒａｄ］ プレートシフト：εx （ｘ方向）、εy （ｙ方向）
［μｍ］
【００３４】各補正パラメータは、次式（２）で表わさ
れる、上記式（１）に基づいて変換された実際の配列座
標と計測値との差の２乗和が最小になるような変換行列
の各要素を求めることにより決定される。
れる、上記式（１）に基づいて変換された実際の配列座
標と計測値との差の２乗和が最小になるような変換行列
の各要素を求めることにより決定される。
【００３５】
【数２】
【００３６】このようにして、求められた各補正パラメ
ータの値は、メモリに記憶される。
ータの値は、メモリに記憶される。
【００３７】次のステップ１０４では、所定のメモリ領
域をアクセスしてその内容を確認することにより、優先
方向はオペレータの設定に従うか否かを判断する。ここ
では、前記の如く、オペレータは何等の指定もしていな
いので、このステップ１０４における判断は否定され、
ステップ１０６に進んで計測したアライメントマーク数
に応じてｘ方向、ｙ方向の重み付け係数α、βを決定す
る。
域をアクセスしてその内容を確認することにより、優先
方向はオペレータの設定に従うか否かを判断する。ここ
では、前記の如く、オペレータは何等の指定もしていな
いので、このステップ１０４における判断は否定され、
ステップ１０６に進んで計測したアライメントマーク数
に応じてｘ方向、ｙ方向の重み付け係数α、βを決定す
る。
【００３８】具体的には、ステップ１００でメモリに格
納した、ｘ方向に対応するアライメントマーク数をＮ
個、ｙ方向に対応するアライメントマーク数をＭ個とす
ると、それぞれの方向につける重みは、ｘ方向では、α
＝Ｎ／（Ｎ＋Ｍ）、Ｙ方向では、β＝Ｍ／（Ｎ＋Ｍ）と
する。図４の例では、Ｎ＝４、Ｍ＝６であるから、α＝
０．４、β＝０．６となる。
納した、ｘ方向に対応するアライメントマーク数をＮ
個、ｙ方向に対応するアライメントマーク数をＭ個とす
ると、それぞれの方向につける重みは、ｘ方向では、α
＝Ｎ／（Ｎ＋Ｍ）、Ｙ方向では、β＝Ｍ／（Ｎ＋Ｍ）と
する。図４の例では、Ｎ＝４、Ｍ＝６であるから、α＝
０．４、β＝０．６となる。
【００３９】ステップ１１０では、求めた重み付けの係
数α、βに従って倍率補正値ｍ［ｐｐｍ］を決定する。
具体的には、上記ステップ１０２において求められたプ
レートスケーリング補正パラメータ（伸縮率）γx 、γ
y に重み付けの係数α、βにより重み付けをした重みつ
き平均値ｍ＝αγx ＋βγy を求める。図４の場合に
は、ｍ＝０．４γx ＋０．６γy となって、ｙ方向を重
視した（優先した）倍率補正値が算出される。
数α、βに従って倍率補正値ｍ［ｐｐｍ］を決定する。
具体的には、上記ステップ１０２において求められたプ
レートスケーリング補正パラメータ（伸縮率）γx 、γ
y に重み付けの係数α、βにより重み付けをした重みつ
き平均値ｍ＝αγx ＋βγy を求める。図４の場合に
は、ｍ＝０．４γx ＋０．６γy となって、ｙ方向を重
視した（優先した）倍率補正値が算出される。
【００４０】最後のステップ１１２では、ステップ１１
０で求めた倍率補正値ｍを倍率コントローラ３０に送っ
た後、本ルーチンの一連の処理を終了する。これによ
り、倍率コントローラ３０により倍率補正値ｍに従って
倍率調整機構２８が制御され、投影光学系ＰＬの投影倍
率が調整される。
０で求めた倍率補正値ｍを倍率コントローラ３０に送っ
た後、本ルーチンの一連の処理を終了する。これによ
り、倍率コントローラ３０により倍率補正値ｍに従って
倍率調整機構２８が制御され、投影光学系ＰＬの投影倍
率が調整される。
【００４１】この投影倍率の調整後、第２層目の露光の
ための、ステップアンドリピート動作が行なわれるが、
この際、各ショットの位置決めの際に、先にステップ１
０２で算出されメモリに記憶された各補正パラメータの
値に従って位置決めが行なわれる。なお、レチクルステ
ージ１２がｘ、ｙ方向に移動できない場合は、目標位置
からのｘ、ｙ各方向のずれ量を位置決めの際のオフセッ
トとして補正すれば良い。
ための、ステップアンドリピート動作が行なわれるが、
この際、各ショットの位置決めの際に、先にステップ１
０２で算出されメモリに記憶された各補正パラメータの
値に従って位置決めが行なわれる。なお、レチクルステ
ージ１２がｘ、ｙ方向に移動できない場合は、目標位置
からのｘ、ｙ各方向のずれ量を位置決めの際のオフセッ
トとして補正すれば良い。
【００４２】図６には、このようにしてｙ方向を極端に
重視した倍率補正値ｍに基づいて倍率調整がなされた状
態で露光された２層目のパターンの一例が示されてい
る。この図において、斜線で示す領域が２層目のパター
ンの転写領域を示す。この図によれば、重視したい方向
（ｙ方向）のパターンの連続性、及び重ね合わせ精度
が、図７の従来例に比較して格段良くなっていることが
わかる。
重視した倍率補正値ｍに基づいて倍率調整がなされた状
態で露光された２層目のパターンの一例が示されてい
る。この図において、斜線で示す領域が２層目のパター
ンの転写領域を示す。この図によれば、重視したい方向
（ｙ方向）のパターンの連続性、及び重ね合わせ精度
が、図７の従来例に比較して格段良くなっていることが
わかる。
【００４３】これまでの説明から明らかなように、本実
施例では、倍率調整機構２８と倍率コントローラ３０と
によって倍率補正手段が実現され、アライメント顕微鏡
３２と主制御部５０の機能によってマーク検出手段が実
現され、主制御部５０の機能によって演算手段、設定手
段が実現されている。
施例では、倍率調整機構２８と倍率コントローラ３０と
によって倍率補正手段が実現され、アライメント顕微鏡
３２と主制御部５０の機能によってマーク検出手段が実
現され、主制御部５０の機能によって演算手段、設定手
段が実現されている。
【００４４】以上説明したように、本実施例によると、
アライメントマーク計測から得られたｘ方向、ｙ方向の
スケーリングγx ，γy の範囲内、即ち γy ≦ｍ≦γx （γy ≦γx の場合） γx ≦ｍ≦γy （γx ≦γy の場合） の範囲で適当な倍率補正ｍが自動的に設定され、これに
応じて投影光学系ＰＬの投影倍率が調整される。従っ
て、重視したい方向に応じてアライメントマークの数を
決めておくだけで、その方向のパターンの連続性、重ね
合わせ精度を向上させることができる。特に、ｘ方向と
ｙ方向とのスケーリング差が大きいとき程、適当な倍率
補正値が設定できる可能性が広がるものと考えられる。
アライメントマーク計測から得られたｘ方向、ｙ方向の
スケーリングγx ，γy の範囲内、即ち γy ≦ｍ≦γx （γy ≦γx の場合） γx ≦ｍ≦γy （γx ≦γy の場合） の範囲で適当な倍率補正ｍが自動的に設定され、これに
応じて投影光学系ＰＬの投影倍率が調整される。従っ
て、重視したい方向に応じてアライメントマークの数を
決めておくだけで、その方向のパターンの連続性、重ね
合わせ精度を向上させることができる。特に、ｘ方向と
ｙ方向とのスケーリング差が大きいとき程、適当な倍率
補正値が設定できる可能性が広がるものと考えられる。
【００４５】また、アライメントマークのｘ方向、ｙ方
向のマーク数より重みづけを行う上記実施例の方法で
は、マーク数が増えることにより、優先方向のプレート
スケーリングの値はいわゆる平均化効果によりその精度
が向上するようになる。
向のマーク数より重みづけを行う上記実施例の方法で
は、マーク数が増えることにより、優先方向のプレート
スケーリングの値はいわゆる平均化効果によりその精度
が向上するようになる。
【００４６】なお、先のフローチャート中では優先方向
をオペレータが設定できる場合を設けており、従って、
オペレータが任意の方向を優先して倍率補正するとき
は、予め図示しないキーボードからアライメントマーク
数に相当するパラメータＮ、Ｍとして任意の値を入力す
ればよい。例えばＹ方向を完全に優先する場合Ｎ＝０，
Ｍ＝１とパラメータが設定されるとｍ＝γy となりＹ方
向において確実にパターンが重ね合わせられることにな
る。このように、オペレータ入力により、倍率補正値を
設定できるようにしているのは、優先度に応じてマーク
の数を設定して、試し焼きをした結果、何等かの原因に
より、必ずしも満足な結果が得られなかった場合を考慮
して、容易に倍率を変更できるようにしたものである。
をオペレータが設定できる場合を設けており、従って、
オペレータが任意の方向を優先して倍率補正するとき
は、予め図示しないキーボードからアライメントマーク
数に相当するパラメータＮ、Ｍとして任意の値を入力す
ればよい。例えばＹ方向を完全に優先する場合Ｎ＝０，
Ｍ＝１とパラメータが設定されるとｍ＝γy となりＹ方
向において確実にパターンが重ね合わせられることにな
る。このように、オペレータ入力により、倍率補正値を
設定できるようにしているのは、優先度に応じてマーク
の数を設定して、試し焼きをした結果、何等かの原因に
より、必ずしも満足な結果が得られなかった場合を考慮
して、容易に倍率を変更できるようにしたものである。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プロセスにより基板の伸縮があった場合に、重視したい
方向のパターンの連続性、重ね合わせ精度の向上を図る
ことができるという従来にない優れた効果がある。
プロセスにより基板の伸縮があった場合に、重視したい
方向のパターンの連続性、重ね合わせ精度の向上を図る
ことができるという従来にない優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例に係る露光装置の概略構成を示す斜視
図である。
図である。
【図２】レチクルアライメントマークの計測方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】図１の装置の制御系の概略構成を示すブロック
図である。
図である。
【図４】プレートの膨張によるショット領域の拡大の様
子を説明するための図である。
子を説明するための図である。
【図５】主制御部の主要な制御アルゴリズムを示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図６】投影倍率が補正された状態でプレート上にパタ
ーンが重ねて転写された状態を示す図である。
ーンが重ねて転写された状態を示す図である。
【図７】発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。
図である。
１０ 露光装置 １４ プレートステージ（ステージ） １６ プレート（基板） ２８ 倍率調整機構（倍率補正手段の一部） ３０ 倍率コントローラ（倍率補正手段の一部） ３２ アライメント顕微鏡（マーク検出手段の一部） ５０ 主制御部（演算手段、設定手段、マーク検出手段
の一部） Ｒ レチクル（マスク） ＰＬ 投影光学系
の一部） Ｒ レチクル（マスク） ＰＬ 投影光学系
Claims (1)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを投影光学
系を介して基板上に連続的に存在する複数の領域につな
ぎ合わせて順次転写する露光装置であって、 前記基板が載置される直交２軸方向に移動可能なステー
ジと；前記基板上に予め形成された前記直交２軸方向そ
れぞれに応じたアライメントマークの位置及び個数を検
出するマーク検出手段と；設定された倍率補正値に基づ
いて前記投影光学系の倍率を補正する倍率補正手段と；
前記検出手段により検出された特定のアライメンマーク
の位置情報と当該特定のアライメントマークの設計上の
位置情報とに基づいて前記基板の前記直交２軸方向の伸
縮率をそれぞれ算出する演算手段と；前記算出された前
記直交２軸方向の各軸方向の伸縮率を、前記検出手段に
より検出されたそれぞれの軸方向に応じたアライメント
マークの数に応じて重み付けしてその平均値を求め、こ
の求めた前記伸縮率の重みつき平均値を前記倍率補正値
として設定する設定手段とを有する露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18217095A JP3706951B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 露光装置 |
| KR1019960023166A KR100416870B1 (ko) | 1995-06-26 | 1996-06-24 | 노광장치및노광방법 |
| US08/933,949 US6104471A (en) | 1995-06-26 | 1997-09-19 | Exposure apparatus and method wherein the magnification of the projection optical system compensates for physical changes in the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18217095A JP3706951B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917721A true JPH0917721A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3706951B2 JP3706951B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=16113576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18217095A Expired - Fee Related JP3706951B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6104471A (ja) |
| JP (1) | JP3706951B2 (ja) |
| KR (1) | KR100416870B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245584A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Asml Netherlands Bv | ２重計量サンプリングを使用したオーバレイ制御のための方法及びシステム |
| JP2023089658A (ja) * | 2021-12-16 | 2023-06-28 | キオクシア株式会社 | 露光装置、接合装置、及び半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010064953A (ko) * | 1999-12-20 | 2001-07-11 | 강신탁 | 오니 배양조(Ｂ.Ｍ.Ｗ.Ｒｅａｃｔｏｒ)를 이용한 폐수처리장치 및 그 처리방법 |
| KR100361453B1 (ko) * | 2000-01-18 | 2002-11-22 | 주식회사 한미 | 농축, 잉여 또는 탈수슬러지를 이용한 자연정화 폐수처리방법 |
| KR20020031916A (ko) * | 2000-10-24 | 2002-05-03 | 김일선 | 토양 미생물을 이용한 유기성 폐수의 정화처리 방법과 그장치 |
| JP4565799B2 (ja) | 2002-07-01 | 2010-10-20 | 大林精工株式会社 | 横電界方式液晶表示装置、その製造方法、走査露光装置およびミックス走査露光装置 |
| JP2004342833A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、電気光学装置、集積回路及び電子機器。 |
| US7879514B2 (en) * | 2006-08-04 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and patterning device |
| JP5467531B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2014-04-09 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置 |
| EP3339959A1 (en) * | 2016-12-23 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a position of a feature |
| IT201700079201A1 (it) * | 2017-07-13 | 2019-01-13 | Lfoundry Srl | Metodo di allineamento di maschere fotolitografiche e relativo procedimento di fabbricazione di circuiti integrati in una fetta di materiale semiconduttore |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298761A (en) * | 1991-06-17 | 1994-03-29 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure process |
| JP3336649B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びその露光方法を含むデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP18217095A patent/JP3706951B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023166A patent/KR100416870B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-19 US US08/933,949 patent/US6104471A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245584A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Asml Netherlands Bv | ２重計量サンプリングを使用したオーバレイ制御のための方法及びシステム |
| US7651825B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for overlay control using dual metrology sampling |
| US7763403B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for overlay control using dual metrology sampling |
| JP2023089658A (ja) * | 2021-12-16 | 2023-06-28 | キオクシア株式会社 | 露光装置、接合装置、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970002486A (ko) | 1997-01-24 |
| KR100416870B1 (ko) | 2004-06-12 |
| JP3706951B2 (ja) | 2005-10-19 |
| US6104471A (en) | 2000-08-15 |
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