JPH08130180A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH08130180A JPH08130180A JP6289153A JP28915394A JPH08130180A JP H08130180 A JPH08130180 A JP H08130180A JP 6289153 A JP6289153 A JP 6289153A JP 28915394 A JP28915394 A JP 28915394A JP H08130180 A JPH08130180 A JP H08130180A
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- photosensitive substrate
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は露光方法において、従来に比して位置
合わせ精度を一段と向上させる。 【構成】マスク（３）と感光基板（４）の相対的な位置
関係の検出により求めた偏差に基づいて補正値を算出
し、補正値に基づいてマスク（３）と感光基板（４）を
相対移動させる。この後露光を開始する前に、相対移動
の終了後におけるマスク（３）と感光基板（４）の相対
的な位置関係を再度検出し、この再検出結果と所定の位
置関係との差分が許容範囲内になるか判別する。このと
き許容範囲内とならない場合には前述の処理を繰り返
す。これにより補正値に基づく相対移動時における誤差
についても管理することができ、常に高い精度でマスク
上のパターンを感光基板上に転写することができる。
合わせ精度を一段と向上させる。 【構成】マスク（３）と感光基板（４）の相対的な位置
関係の検出により求めた偏差に基づいて補正値を算出
し、補正値に基づいてマスク（３）と感光基板（４）を
相対移動させる。この後露光を開始する前に、相対移動
の終了後におけるマスク（３）と感光基板（４）の相対
的な位置関係を再度検出し、この再検出結果と所定の位
置関係との差分が許容範囲内になるか判別する。このと
き許容範囲内とならない場合には前述の処理を繰り返
す。これにより補正値に基づく相対移動時における誤差
についても管理することができ、常に高い精度でマスク
上のパターンを感光基板上に転写することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光方法に関し、例えば
液晶表示基板の製造に用いる露光装置に適用して好適な
ものである。
液晶表示基板の製造に用いる露光装置に適用して好適な
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の露光方法では次の手順に
よつてマスクと感光基板とを位置合わせしている。まず
マスク上に形成された位置決め用マークと感光基板上に
形成された位置決め用マークとの相対的な位置関係を多
点に亘つて（複数点）計測し、その計測結果からマスク
と感光基板との位置関係、又はマスクのパターンと感光
基板上に形成されている像との位置関係を適正な位置に
補正する補正値を最小二乗法により求める。次に補正値
に従つてマスクと感光基板を相対的に移動させ、若しく
は、結像光学系の結像特性を補正することにより、マス
クと感光基板との位置関係、又はマスクのパターンと感
光基板上に形成されている像との位置関係を修正してか
ら露光を行う。
よつてマスクと感光基板とを位置合わせしている。まず
マスク上に形成された位置決め用マークと感光基板上に
形成された位置決め用マークとの相対的な位置関係を多
点に亘つて（複数点）計測し、その計測結果からマスク
と感光基板との位置関係、又はマスクのパターンと感光
基板上に形成されている像との位置関係を適正な位置に
補正する補正値を最小二乗法により求める。次に補正値
に従つてマスクと感光基板を相対的に移動させ、若しく
は、結像光学系の結像特性を補正することにより、マス
クと感光基板との位置関係、又はマスクのパターンと感
光基板上に形成されている像との位置関係を修正してか
ら露光を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来のごとき
露光方法では、マスク上のパターンが感光基板に対して
位置ずれを起こしたまま露光されてしまい製品の不良を
招いていた。本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比して一段と高い精度の露光を実現すること
ができる露光方法を提案しようとするものである。
露光方法では、マスク上のパターンが感光基板に対して
位置ずれを起こしたまま露光されてしまい製品の不良を
招いていた。本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比して一段と高い精度の露光を実現すること
ができる露光方法を提案しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、マスク（３）と感光基板（４）と
の相対的な位置関係を検出する第１工程と、検出結果の
所定の位置関係からの偏差を求める第２工程と（ステツ
プＳＰ２、ＳＰ３）、偏差に基づいてマスク（３）と感
光基板（４）とを所定の位置関係にするのに必要な補正
値を算出する第３工程と（ステツプＳＰ４）、補正値に
基づいてマスク（３）と感光基板（４）とを相対移動す
る第４工程と（ステツプＳＰ５）、マスク（３）の像を
投影光学系（２）を介して感光基板（４）上に露光する
第５工程とからなる露光方法において、第４工程と第５
工程との間に、第１工程と第２工程とを実行するととも
に、偏差が所定の許容範囲外の場合は第３工程と第４工
程とを実行することを少なくとも１回繰り返す第６工程
（ステツプＳＰ６〜ＳＰ９）を加入し、偏差が所定の許
容範囲内となつた後に、第５工程を実行するようにす
る。
め本発明においては、マスク（３）と感光基板（４）と
の相対的な位置関係を検出する第１工程と、検出結果の
所定の位置関係からの偏差を求める第２工程と（ステツ
プＳＰ２、ＳＰ３）、偏差に基づいてマスク（３）と感
光基板（４）とを所定の位置関係にするのに必要な補正
値を算出する第３工程と（ステツプＳＰ４）、補正値に
基づいてマスク（３）と感光基板（４）とを相対移動す
る第４工程と（ステツプＳＰ５）、マスク（３）の像を
投影光学系（２）を介して感光基板（４）上に露光する
第５工程とからなる露光方法において、第４工程と第５
工程との間に、第１工程と第２工程とを実行するととも
に、偏差が所定の許容範囲外の場合は第３工程と第４工
程とを実行することを少なくとも１回繰り返す第６工程
（ステツプＳＰ６〜ＳＰ９）を加入し、偏差が所定の許
容範囲内となつた後に、第５工程を実行するようにす
る。
【０００５】
【作用】マスク（３）と感光基板（４）の相対的な位置
関係の検出により求めた偏差に基づいて補正値を算出
し、補正値に基づいてマスク（３）と感光基板（４）を
相対移動させたり、投影光学系の結像特性を変更する。
続いて相対移動又は、結像特性の変更終了後におけるマ
スク（３）と感光基板（４）の相対的な位置関係を再度
検出し、この再検出結果の所定の位置関係からの偏差が
許容範囲内になるか判別し、許容範囲内とならない場合
には前述の作業を繰り返す。この結果、常に高い精度で
マスク（３）と感光基板（４）とを位置決めしてマスク
（３）上のパターンを感光基板（４）上に転写すること
ができる。
関係の検出により求めた偏差に基づいて補正値を算出
し、補正値に基づいてマスク（３）と感光基板（４）を
相対移動させたり、投影光学系の結像特性を変更する。
続いて相対移動又は、結像特性の変更終了後におけるマ
スク（３）と感光基板（４）の相対的な位置関係を再度
検出し、この再検出結果の所定の位置関係からの偏差が
許容範囲内になるか判別し、許容範囲内とならない場合
には前述の作業を繰り返す。この結果、常に高い精度で
マスク（３）と感光基板（４）とを位置決めしてマスク
（３）上のパターンを感光基板（４）上に転写すること
ができる。
【０００６】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【０００７】複数の投影光学系を有する走査型露光装置
のうち位置合わせに関する部分を示す図１を用いて説明
する。この走査型露光装置１は投影光学系２を挟んで対
面するように配置されたマスク３と感光基板４と所定の
位置関係に調整した後、該マスク３及び感光基板４を投
影光学系２に対して相対移動させることによりマスク３
の全面を感光基板４上に露光するようになされている。
のうち位置合わせに関する部分を示す図１を用いて説明
する。この走査型露光装置１は投影光学系２を挟んで対
面するように配置されたマスク３と感光基板４と所定の
位置関係に調整した後、該マスク３及び感光基板４を投
影光学系２に対して相対移動させることによりマスク３
の全面を感光基板４上に露光するようになされている。
【０００８】この実施例の場合、マスク３と感光基板４
との相対的な位置関係の調整のため顕微鏡５Ａ及び５
Ｂ、偏差検出部６Ａ、補正値計算部６Ｂ、制御部６Ｃ、
ステージ駆動部７Ａ〜７Ｃ及び結像特性調整機構８が用
意されている。まず顕微鏡５Ａ及び５Ｂはマスク３及び
感光基板４の相対的な位置関係の検出用であり、マスク
３及び感光基板４上に形成された４つの位置決め用マー
ク３Ａ〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄを撮像することにより位置
関係を検出するようになされている。
との相対的な位置関係の調整のため顕微鏡５Ａ及び５
Ｂ、偏差検出部６Ａ、補正値計算部６Ｂ、制御部６Ｃ、
ステージ駆動部７Ａ〜７Ｃ及び結像特性調整機構８が用
意されている。まず顕微鏡５Ａ及び５Ｂはマスク３及び
感光基板４の相対的な位置関係の検出用であり、マスク
３及び感光基板４上に形成された４つの位置決め用マー
ク３Ａ〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄを撮像することにより位置
関係を検出するようになされている。
【０００９】偏差検出部６Ａは４つの位置決め用マーク
３Ａ〜３Ｄについての検出結果を基に適切な位置に対す
るマスク３の偏差を求め、補正値計算部６Ｂに与える。
補正値計算部６Ｂはこれら４つの偏差を基に算出された
補正量を制御部６Ｃを介してステージ駆動部７Ａ〜７Ｃ
や結像特性調整機構８に与えるようになされている。こ
のステージ駆動部７Ａ〜７Ｃを駆動すればマスク３を搭
載するマスクステージ９を平行移動（Ｘ方向、Ｙ方向）
及びＺ軸まわりに回転移動することができ、また結像特
性調整機構８を調整すれば投影像を回転、平行移動、又
は拡大、縮小することができる。
３Ａ〜３Ｄについての検出結果を基に適切な位置に対す
るマスク３の偏差を求め、補正値計算部６Ｂに与える。
補正値計算部６Ｂはこれら４つの偏差を基に算出された
補正量を制御部６Ｃを介してステージ駆動部７Ａ〜７Ｃ
や結像特性調整機構８に与えるようになされている。こ
のステージ駆動部７Ａ〜７Ｃを駆動すればマスク３を搭
載するマスクステージ９を平行移動（Ｘ方向、Ｙ方向）
及びＺ軸まわりに回転移動することができ、また結像特
性調整機構８を調整すれば投影像を回転、平行移動、又
は拡大、縮小することができる。
【００１０】ところが以上の調整動作が終了した後すぐ
さま走査露光に移行したのでは従来の場合と同様、ステ
ージ駆動部７Ａ〜７Ｂによるマスクステージ９の移動時
に生じた誤差や投影光学系２の光学特性を補正する際に
生じた誤差による位置ずれや結像特性の劣化を取り除く
ことができない。そこでこの実施例では補正終了後に再
度マスク３と感光基板４との相対的な位置関係を検出
し、この検出結果から算出される補正値が許容範囲内の
値になるまで上述の調整動作を繰り返すようになされて
いる。因に補正後の再検査の際には処理時間短縮のため
４つの位置決め用マークのうち２つについてのみ観察
し、この観察結果を基に補正値を算出するようになされ
ている。
さま走査露光に移行したのでは従来の場合と同様、ステ
ージ駆動部７Ａ〜７Ｂによるマスクステージ９の移動時
に生じた誤差や投影光学系２の光学特性を補正する際に
生じた誤差による位置ずれや結像特性の劣化を取り除く
ことができない。そこでこの実施例では補正終了後に再
度マスク３と感光基板４との相対的な位置関係を検出
し、この検出結果から算出される補正値が許容範囲内の
値になるまで上述の調整動作を繰り返すようになされて
いる。因に補正後の再検査の際には処理時間短縮のため
４つの位置決め用マークのうち２つについてのみ観察
し、この観察結果を基に補正値を算出するようになされ
ている。
【００１１】以上の構成において、走査型露光装置１に
よる一連の位置合わせ動作手順を図２を用いて説明す
る。まずマスク３及び感光基板４を図３（Ａ）に示すよ
うに移動させて撮像部５Ａ及び５Ｂによつて観察し、位
置決め用マーク３Ａ、４Ａ及び３Ｂ、４Ｂのそれぞれに
ついてずれ量（ΔｘA1、ΔｙA1）及び（ΔｘB1、Δ
ｙB1）を測定する（ステツプＳＰ２）。次にマスク３及
び感光基板４の位置関係を保持したまま図３（Ｂ）に示
すように平行移動させ、Ａ点及びＢ点と同様に位置決め
用マーク３Ｃ、４Ｃ及び３Ｄ、４Ｄについて相対的なず
れ量（ΔｘC1、ΔｙC1）及び（ΔｘD1、ΔｙD1）を測定
する（ステツプＳＰ３）。
よる一連の位置合わせ動作手順を図２を用いて説明す
る。まずマスク３及び感光基板４を図３（Ａ）に示すよ
うに移動させて撮像部５Ａ及び５Ｂによつて観察し、位
置決め用マーク３Ａ、４Ａ及び３Ｂ、４Ｂのそれぞれに
ついてずれ量（ΔｘA1、ΔｙA1）及び（ΔｘB1、Δ
ｙB1）を測定する（ステツプＳＰ２）。次にマスク３及
び感光基板４の位置関係を保持したまま図３（Ｂ）に示
すように平行移動させ、Ａ点及びＢ点と同様に位置決め
用マーク３Ｃ、４Ｃ及び３Ｄ、４Ｄについて相対的なず
れ量（ΔｘC1、ΔｙC1）及び（ΔｘD1、ΔｙD1）を測定
する（ステツプＳＰ３）。
【００１２】補正値計算部６Ｂは偏差検出部６Ａにおい
てこのように４点についてのずれ量の測定が終了する
と、これら４点についての値を基にマスク３と感光基板
４とを重ねるのに必要な補正値を平行移動、回転、倍
率、直交度（パターンに対する投影像の２次元方向の直
交度）に分けて計算する（ステツプＳＰ４）。そして制
御部６Ｃは算出された値を基にマスクステージ９を移動
させると共に投影光学系２の結像特性を調整する（ステ
ツプＳＰ５）。またこのとき補正値計算部６ＢはＣ点及
びＤ点の補正後におけるずれ量の予測値（ΔｘC1' 、Δ
ｙC1' ）及び（ΔｘD1' 、ΔｙD1' ）を計算によつて求
めておく（ステツプＳＰ６）。因に予測値は、マークが
２点以上ある場合、２組のマークそれぞれを正確に一致
させることはほとんど無理なので平均的にずれが最小と
なる位置関係（第２の位置関係）を目標に移動して位置
合わせする。この第２の位置関係が上記予測値である。
てこのように４点についてのずれ量の測定が終了する
と、これら４点についての値を基にマスク３と感光基板
４とを重ねるのに必要な補正値を平行移動、回転、倍
率、直交度（パターンに対する投影像の２次元方向の直
交度）に分けて計算する（ステツプＳＰ４）。そして制
御部６Ｃは算出された値を基にマスクステージ９を移動
させると共に投影光学系２の結像特性を調整する（ステ
ツプＳＰ５）。またこのとき補正値計算部６ＢはＣ点及
びＤ点の補正後におけるずれ量の予測値（ΔｘC1' 、Δ
ｙC1' ）及び（ΔｘD1' 、ΔｙD1' ）を計算によつて求
めておく（ステツプＳＰ６）。因に予測値は、マークが
２点以上ある場合、２組のマークそれぞれを正確に一致
させることはほとんど無理なので平均的にずれが最小と
なる位置関係（第２の位置関係）を目標に移動して位置
合わせする。この第２の位置関係が上記予測値である。
【００１３】このように補正値計算部６Ｂによるずれ量
の計算及びステージ駆動部７Ａ〜７Ｃによる補正動作が
完了すると、図４（Ｂ）に示すように顕微鏡５Ａ及び５
Ｂの下部にＣ点及びＤ点を移動させ、位置決め用マーク
３Ｃ及び３Ｄの相対的なずれ量（ΔｘC1、ΔｙC1）及び
（ΔｘD1、ΔｙD1）を計測する（ステツプＳＰ７）。こ
のように位置決め用マーク３Ｃ及び３Ｄの相対的なずれ
量が計測されると、制御部６は予め計算しておいた予測
値（ΔｘC1' 、ΔｙC1' ）及び（ΔｘD1' 、ΔｙD1' ）
と計測値（ΔｘC1、ΔｙC1）及び（ΔｘD1、ΔｙD1）と
を比較し（ステツプＳＰ８）、その差分が予め設定して
おいた許容値より小さいか否か判定する（ステツプＳＰ
９）。
の計算及びステージ駆動部７Ａ〜７Ｃによる補正動作が
完了すると、図４（Ｂ）に示すように顕微鏡５Ａ及び５
Ｂの下部にＣ点及びＤ点を移動させ、位置決め用マーク
３Ｃ及び３Ｄの相対的なずれ量（ΔｘC1、ΔｙC1）及び
（ΔｘD1、ΔｙD1）を計測する（ステツプＳＰ７）。こ
のように位置決め用マーク３Ｃ及び３Ｄの相対的なずれ
量が計測されると、制御部６は予め計算しておいた予測
値（ΔｘC1' 、ΔｙC1' ）及び（ΔｘD1' 、ΔｙD1' ）
と計測値（ΔｘC1、ΔｙC1）及び（ΔｘD1、ΔｙD1）と
を比較し（ステツプＳＰ８）、その差分が予め設定して
おいた許容値より小さいか否か判定する（ステツプＳＰ
９）。
【００１４】このとき許容値より大きい差分が発生して
いた場合（すなわち否定結果が得られた場合）、走査型
露光装置１はステツプＳＰ２からのステツプＳＰ８まで
の処理を繰り返し実行し、ステージ駆動部７Ａ〜７Ｃに
おける駆動誤差をなくすように動作する。やがて差分が
許容値以下になると（すなわち肯定結果が得られる
と）、この位置合わせ動作を終了し、走査露光を開始す
る。
いた場合（すなわち否定結果が得られた場合）、走査型
露光装置１はステツプＳＰ２からのステツプＳＰ８まで
の処理を繰り返し実行し、ステージ駆動部７Ａ〜７Ｃに
おける駆動誤差をなくすように動作する。やがて差分が
許容値以下になると（すなわち肯定結果が得られる
と）、この位置合わせ動作を終了し、走査露光を開始す
る。
【００１５】以上の構成によれば、補正値に基づいてマ
スクステージ９を移動し、また結像特性調整機構８の結
像特性を補正した状態で補正後におけるマスク３及び感
光基板４の実測値と予測値との差が許容値以内であるか
（すなわち実測値が予測値とほぼ一致するか）露光開始
前に再度検出し、許容値より大きい場合には何度でも位
置合わせ処理動作を繰り返すようにしたことにより、従
来に比して一段と補正精度の高い位置合わせ機能を備え
る走査型露光装置を実現することができる。
スクステージ９を移動し、また結像特性調整機構８の結
像特性を補正した状態で補正後におけるマスク３及び感
光基板４の実測値と予測値との差が許容値以内であるか
（すなわち実測値が予測値とほぼ一致するか）露光開始
前に再度検出し、許容値より大きい場合には何度でも位
置合わせ処理動作を繰り返すようにしたことにより、従
来に比して一段と補正精度の高い位置合わせ機能を備え
る走査型露光装置を実現することができる。
【００１６】なお上述の実施例においては、マスク３及
び感光基板４上にそれぞれ４つの位置決め用マーク３Ａ
〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄが形成されている場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、２つ以上形成されてい
れば位置決め用マークは幾つ形成されていても良い。
び感光基板４上にそれぞれ４つの位置決め用マーク３Ａ
〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄが形成されている場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、２つ以上形成されてい
れば位置決め用マークは幾つ形成されていても良い。
【００１７】また上述の実施例においては、再計測時、
４つの位置決め用マーク３Ａ〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄのう
ち２つの位置決め用マーク３Ｃ、３Ｄ及び４Ｃ、４Ｄに
ついて実測値と予測値との差分を求める場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、再計測時に使用するマ
ークの数は３個であつても４個であつても構わない。
４つの位置決め用マーク３Ａ〜３Ｄ及び４Ａ〜４Ｄのう
ち２つの位置決め用マーク３Ｃ、３Ｄ及び４Ｃ、４Ｄに
ついて実測値と予測値との差分を求める場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、再計測時に使用するマ
ークの数は３個であつても４個であつても構わない。
【００１８】さらに上述の実施例においては、制御部６
Ｃによりマスク３を搭載するマスクステージ９を制御し
てマスク３と感光基板４との相対的な位置関係を補正す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、感光
基板４を搭載するステージ側を制御しても良く、またマ
スク３を搭載するステージ及び感光基板４を搭載するス
テージの双方を制御しても良い。
Ｃによりマスク３を搭載するマスクステージ９を制御し
てマスク３と感光基板４との相対的な位置関係を補正す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、感光
基板４を搭載するステージ側を制御しても良く、またマ
スク３を搭載するステージ及び感光基板４を搭載するス
テージの双方を制御しても良い。
【００１９】さらに上述の実施例においては、算出され
た補正値に基づいてマスクステージ９及び結像特性調整
機構８を制御する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、マスクステージ９のみを制御する場合にも結
像特性調整機構８のみを調整する場合にも適用し得る。
た補正値に基づいてマスクステージ９及び結像特性調整
機構８を制御する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、マスクステージ９のみを制御する場合にも結
像特性調整機構８のみを調整する場合にも適用し得る。
【００２０】さらに上述の実施例においては、投影光学
系２の具体的な構成について言及しなかつたが、屈折系
であつても良く、また反射系であつても良い。さらに上
述の実施例においては、マスク３及び感光基板４の位置
関係を投影光学系２を介して観察する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、投影光学系を介さずに観
察するものにも適用し得る。さらに上述の実施例におい
ては、走査型露光装置の位置合わせ機構について述べた
が、本発明はこれに限らず、いわゆるステツパの位置合
わせ機構にも適用し得る。
系２の具体的な構成について言及しなかつたが、屈折系
であつても良く、また反射系であつても良い。さらに上
述の実施例においては、マスク３及び感光基板４の位置
関係を投影光学系２を介して観察する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、投影光学系を介さずに観
察するものにも適用し得る。さらに上述の実施例におい
ては、走査型露光装置の位置合わせ機構について述べた
が、本発明はこれに限らず、いわゆるステツパの位置合
わせ機構にも適用し得る。
【００２１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、補正後に
おけるマスクと感光基板の相対的な位置関係と所定の位
置関係の偏差が許容範囲内の値となるまで相対的な位置
関係の計測と補正値に基づく駆動手段による相対移動と
を繰り返し実行するようにしたことにより、従来に比し
て一段と高い精度で位置合わせ機能を有する露光方法を
容易に実現することができる。
おけるマスクと感光基板の相対的な位置関係と所定の位
置関係の偏差が許容範囲内の値となるまで相対的な位置
関係の計測と補正値に基づく駆動手段による相対移動と
を繰り返し実行するようにしたことにより、従来に比し
て一段と高い精度で位置合わせ機能を有する露光方法を
容易に実現することができる。
【図１】本発明による露光装置の一実施例を示す略線的
斜視図である。
斜視図である。
【図２】位置合わせ手順を示すフローチヤートである。
【図３】位置補正前におけるずれ量の測定動作の説明に
供する略線的平面図である。
供する略線的平面図である。
【図４】位置補正後のずれ量の再測定動作の説明に供す
る略線的平面図である。
る略線的平面図である。
１……走査型露光装置、２……投影光学系、３……マス
ク、４……感光基板、５Ａ、５Ｂ……顕微鏡、６Ａ……
偏差検出部、６Ｂ……補正値計算部、６Ｃ……制御部、
７Ａ〜７Ｃ……ステージ駆動部、８……結像特性調整機
構、９……マスクステージ。
ク、４……感光基板、５Ａ、５Ｂ……顕微鏡、６Ａ……
偏差検出部、６Ｂ……補正値計算部、６Ｃ……制御部、
７Ａ〜７Ｃ……ステージ駆動部、８……結像特性調整機
構、９……マスクステージ。
Claims (4)
- 【請求項１】マスクと感光基板との相対的な位置関係を
検出する第１工程と、前記検出結果の所定の位置関係か
らの偏差を求める第２工程と、前記偏差に基づいて前記
マスクと前記感光基板とを前記所定の位置関係にするの
に必要な補正値を算出する第３工程と、前記補正値に基
づいて前記マスクと前記感光基板とを相対移動する第４
工程と、前記マスクの像を投影光学系を介して前記感光
基板上に露光する第５工程とからなる露光方法におい
て、 前記第４工程と第５工程との間に、前記第１工程と前記
第２工程とを実行するとともに、前記偏差が所定の許容
範囲外の場合は、前記第３工程と第４工程とを実行する
ことを少なくとも１回繰り返す第６工程を加入し、 前記偏差が所定の許容範囲内となつた後に、前記第５工
程を実行することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】前記第１工程は、前記マスクと感光基板と
の対応する複数箇所について検出するものであり、 前記第２工程は、前記マスクと感光基板とを位置決めす
るための、前記所定の位置関係とは異なる第２の位置関
係を予め決定し、前記検出結果と前記第２の位置関係か
らの偏差を求めることを特徴とする請求項１に記載の露
光方法。 - 【請求項３】前記第３工程は、前記投影光学系を介して
検出された前記検出結果に基づいて前記投影光学系の結
像特性を補正する第２の補正値を算出することをさらに
含み、 前記第４工程は、さらに前記第２の補正値に基づいて前
記結像特性を制御することを含むことを特徴とする請求
項１に記載の露光方法。 - 【請求項４】前記第１工程は、前記マスクと感光基板と
の対応する複数箇所について検出するものであり、 前記第６工程は、前記複数箇所の数より少ない数の箇所
について検出することを特徴とする請求項１に記載の露
光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289153A JPH08130180A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 露光方法 |
| US08/548,402 US5623343A (en) | 1994-10-28 | 1995-10-26 | Exposure method and apparatus |
| KR1019950037698A KR960015096A (ko) | 1994-10-28 | 1995-10-27 | 노광 방법 및 노광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289153A JPH08130180A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130180A true JPH08130180A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17739456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6289153A Pending JPH08130180A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5623343A (ja) |
| JP (1) | JPH08130180A (ja) |
| KR (1) | KR960015096A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1994
- 1994-10-28 JP JP6289153A patent/JPH08130180A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-26 US US08/548,402 patent/US5623343A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-27 KR KR1019950037698A patent/KR960015096A/ko not_active Ceased
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960015096A (ko) | 1996-05-22 |
| US5623343A (en) | 1997-04-22 |
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|---|---|---|---|
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