JPH0917819A - マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 - Google Patents

マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法

Info

Publication number
JPH0917819A
JPH0917819A JP8169725A JP16972596A JPH0917819A JP H0917819 A JPH0917819 A JP H0917819A JP 8169725 A JP8169725 A JP 8169725A JP 16972596 A JP16972596 A JP 16972596A JP H0917819 A JPH0917819 A JP H0917819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
ball
bond
lead
lead finger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8169725A
Other languages
English (en)
Inventor
W Orcatt John
ダブリュ.オーカット ジョン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH0917819A publication Critical patent/JPH0917819A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/041Connecting or disconnecting interconnections to or from leadframes, e.g. connecting bond wires or bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/464Additional interconnections in combination with leadframes
    • H10W70/465Bumps or wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/015Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551Changing the shapes of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5366Shapes of wire connectors the bond wires having kinks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5434Dispositions of bond wires the connected ends being on auxiliary connecting means on bond pads, e.g. on other bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/59Bond pads specially adapted therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ループ高さを低くすることができる比較的安
価なワイヤボンディング技術を提供する。 【解決手段】 ボンドパッド(5)を搭載したマイクロ
エレクトロニクス装置(7)とリードフィンガ(9)と
ワイヤ(1)とを用意する。最初にボンドパッドにボー
ル(21)をボンディングする。ボール(21)は好ま
しくは金でできており、ワイヤの材料と電気的に適合性
がある。ワイヤの一端をボールボンド(23)によりリ
ードフィンガ(9)に接続し、それからワイヤの他端を
ボール(21)に接続して、接続が完成する。ボンドパ
ッドより上にワイヤループがないので、ループ高さを低
くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は2か所の接着位置間
を結線することに関するものであり、特に、半導体チッ
プすなわちダイ上のボンドパッドと、リードフィンガの
ような第2のボンディング位置間を結線するものであっ
て、ボンディング位置間のワイヤループが非常に低く
て、約0.002インチ(約0.05mm)くらいのも
のに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置とそのパッケージングがどん
どん小さくなっていくなかで、寸法に対する関心はパッ
ケージの長さと幅だけでなく、最終パッケージの厚さに
も及んでいる。チップのボンドパッドとリードフレーム
のフィンガ間を結線するための従来のワイヤボールボン
ディング技術では、チップボンドパッドの上にボールボ
ンドをつくり、リードフィンガに対してワイヤをループ
にし、ワイヤをリードフィンガにスティッチボンディン
グし、それからワイヤピグテールを施して結線を完成す
る。ワイヤがチップのボンドパッド上のボールボンドか
ら出て行く際に、ワイヤがリードフィンガに向かって曲
がるのでループをつくり、それが結線のループ高さを定
めている。ループの高さは通常一般的に約0.010〜
0.015インチ(約0.25〜0.38mm)である
から、パッケージの厚さはこの高さを収容しなければな
らない。より薄いパッケージが開発されるにつれて、従
来のボンディング技術を用いてループパラメータ、プロ
ファイルおよびワイヤの種類を変えることにより、ルー
プの高さは約0.006インチ(約0.15mm)まで
減った。しかしながらループ高さをこれ以上低くしよう
とするとワイヤの損傷をきたし、ワイヤの引っ張り強さ
が弱くなるので、この高さが可能な最小の高さだと考え
られる。
【0003】タブボンディングとして知られている全く
別の結線技術を使うことにより、ループ高さを約0.0
03インチ(約0.076mm)まで減らすことができ
る。しかしながら、タブボンディングは高価な材料を必
要とするし、各々ダイが異なる度にカスタルフィルムを
必要とするので、経済的でない。またタブボンディング
には余分なプロセスも必要とするので、歩留りが悪くな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、約0.0
02インチ(約0.05mm)以下のループ高さを達成
することができる比較的安価なワイヤボンディング技術
が強く望まれていることは明らかである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目標に合うワイヤボンディング方法が得られる。要約す
ると、低ワイヤボンド高さは2ステップで行われる。最
初に、ボールオンリボンドをチップのボンドパッド上に
つくる。このことを行うのに、標準的なやり方でボンド
パッド上にボールボンドを形成し、それからボールボン
ドの所でピグテール操作を開始する。通常のルーピン
グ、リードフィンガスティッチボンド、ボールワイヤボ
ンディングで用いられる操作のピグテール開始シーケン
スという方法をとらない。第2のステップで、通常のボ
ンディングシーケンスを用いるが、ボールボンドをリー
ドフィンガ上につくって、チップのボンドパッド上に先
にボンディングしたボール上にスティッチボンドを行う
点が通常と異なる。リードフィンガは通常パッケージ内
ではチップの表面よりも低いので、リードフィンガから
来るワイヤのループを基本的にチップ表面と平行にする
ことが可能になる。最初のボールボンドは、第2のステ
ップのスティッチボンドが可能で、かつワイヤとチップ
表面とのすき間を約0.001インチ(約0.025m
m)に保てるように十分大きくつくる。ワイヤの直径を
このすき間に加えると、ループ高さの合計は約0.00
2インチ(約0.05mm)になる。
【0006】本発明によるワイヤボンディング方法はボ
ールボンドとチップの表面より上のワイヤループの高さ
を本質的にゼロにするものであり、標準的で経済的な従
来のボンディング技術と装置を利用するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】次に本発明について、図面を参照
して説明する。図1には従来技術による典型的な低ルー
プ結線を示す。典型的には、ワイヤ1を標準的なワイヤ
ボンディング毛細管を通し、ワイヤの端を熱してボール
にすることにより、接続がなされる(図示せず)。ボー
ル3をチップすなわちダイ7上のボンドパッド5に当て
て、ボンドパッドに接着する。それからワイヤ1を毛細
管に通したまま、毛細管をリードフィンガ9の方に移動
して、ワイヤをリードフィンガの所に持ってくる。それ
からワイヤ1をスティッチボンド2の所でリードフィン
ガにスティッチボンディングする。接続に当たり、ひび
割れのようなワイヤの損傷の可能性を最少にするため
に、ボンドパッド5の上のワイヤ1の首11の部分でワ
イヤ1をループにすることが必要である。ワイヤ1をル
ープにするためには、ワイヤがボンドパッドの上で少な
くとも0.006インチ(約0.15mm)、一般的に
はそれよりもっと長く立っていることが必要であり、そ
のために最終パッケージングもそれだけ厚くする必要が
ある。
【0008】図2と図3には本発明によるワイヤボンデ
ィング方法の流れが示してある。図2では従来技術と同
様に、チップすなわちダイ7の上にボンドパッド5があ
って、それからリードフィンガ9が示されている。最初
に、ボール21を標準的な方法でつくって、ボンドパッ
ド5に接着する。ボールを接着後ピグテール操作を行う
ことによりボールだけがつくられる。これはまた次のボ
ール接着のためのワイヤの準備にもなる。それからワイ
ヤ1を中に含む毛細管(図示せず)をリードフィンガ9
の所に移動して、標準的なやり方で毛細管から突き出て
いるワイヤからボールを形成する。それから標準的なや
り方でボール23をリードフィンガ9に接着する。それ
から毛細管をボール21の上方に移動して、ワイヤ1を
毛細管の中を通してボール21の所に持っていき、ボー
ル21の上でワイヤの位置を定め、それから標準的なや
り方でスティッチボンド20を用いてワイヤ1をボール
21にスティッチボンディングする。それから標準的な
やり方で毛細管によりワイヤ1をボール21の部分でス
ティッチボンドから引き離し、次のワイヤピグテールを
確立して、ボール形成の準備をする。図3に示すよう
に、ボール21のすぐ上でワイヤをループにする必要が
ない。それは接着がなされた順番のおかげであって、ワ
イヤ1を接着のためにボール21の上に持ってきたと
き、ボール21は既にボンドパッド5の上に接着してあ
ったからである。リードフィンガからボンドパッド5に
至るまでに必要なワイヤ1の首は一般にせいぜいリード
フィンガとボンドパッドとの高さの差である。なぜなら
ば通常ボンドパッドはリードフィンガより高い位置にあ
るからである。また、ダイパッド5上のボール21は、
毛細管とダイ間の最低高さを設定すると共に、毛細管と
ダイパッドそれ自体との間のすき間を供給している。
【0009】この結果、本発明によるワイヤボンディン
グと接続方法は比較的安価で、ボンドパッド上のワイヤ
のループや首を必要とせずに、必要な接着を実現するも
のである。
【0010】以上特定の好ましい実施例について本発明
を説明したが、当業者には多くの変形例と修正例が直ち
に明らかになるであろう。したがって、請求の範囲は従
来技術を考慮してすべてのそうした変形例と修正例を含
むように、できるだけ広く解釈すべきである。
【0011】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1)(ア)ボンドパッドを搭載したマイクロエレクト
ロニクス装置を提供するステップと、(イ)リードフィ
ンガを提供するステップと、(ハ)前記リードフィンガ
と前記ボンドパッド間を接続するためのワイヤを提供す
るステップと、(ニ) 前記ボンドパッド上に前記ワイ
ヤの材料と電気的に適合する材料から成る突起(ボー
ル)を提供するステップと、(ホ) 前記ワイヤの一端
を前記リードフィンガに接続するステップと、(ヘ)
前記ボールに前記ワイヤの他端を接続するステップと、
を含む、マイクロエレクトロニクス装置の製造における
結線方法。
【0012】(2) 第(1)項の方法において、前記
リードフィンガへの接続はボールボンドであり、前記ボ
ールへの接続はスティッチボンドである、結線方法。 (3) 第(1)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (4) 第(2)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (5) 第(1)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
【0013】(6) 第(2)項記載の方法において、
前記リードフィンガはリードフレームの一部である、結
線方法。 (7) 第(3)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。 (8) 第(4)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
【0014】(9) マイクロエレクトロニクス装置、
好ましくは半導体装置、の製造における結線方法であっ
て、ボンドパッド5を搭載したマイクロエレクトロニク
ス装置7を提供するステップと、リードフレームのリー
ドフィンガのようなマイクロエレクトロニクス装置の外
部にワイヤボンディング位置9を提供するステップとを
含む。リードフィンガ9とボンドパッド5とを接続する
ためのワイヤが提供され、最初にボンドパッドにボール
21がボンディングされる。ボール21は好ましくは金
でできており、ボンドパッド上のワイヤの材料と電気的
に適合性がある。ワイヤの一端はボールボンド23によ
りリードフィンガ9に接続され、それからワイヤの他端
がボール21に接続されて接続が完成し、ボンドパッド
の上にループがない接続が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術による半導体ダイ上のボンドパッドか
らリードフィンガへの結線の略図。
【図2】本発明による半導体ダイ上のボンドパッドにリ
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
【図3】本発明による半導体ダイ上のボンドパッドにリ
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
【符号の説明】
1 ワイヤ 2 スティッチボンド 3 ボール 5 ボンドパッド 7 チップ 9 リードフィンガ 20 スティッチボンド 21 ボール 23 ボール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (ア)ボンドパッドを搭載したマイクロ
    エレクトロニクス装置を提供するステップと、 (イ)リードフィンガを提供するステップと、 (ハ)前記リードフィンガと前記ボンドパッド間を接続
    するためのワイヤを提供するステップと、 (ニ)前記ボンドパッド上に前記ワイヤの材料と電気的
    に適合する材料から成るボールを提供するステップと、 (ホ)前記ワイヤの一端を前記リードフィンガに接続す
    るステップと、 (ヘ)前記ボールに前記ワイヤの他端を接続するステッ
    プと、 を含む、マイクロエレクトロニクス装置の製造における
    結線方法。
JP8169725A 1995-06-28 1996-06-28 マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 Pending JPH0917819A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US57395P 1995-06-28 1995-06-28
US000573 1995-06-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0917819A true JPH0917819A (ja) 1997-01-17

Family

ID=21692092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8169725A Pending JPH0917819A (ja) 1995-06-28 1996-06-28 マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0753891A3 (ja)
JP (1) JPH0917819A (ja)
KR (1) KR980005922A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084848A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体装置及びワイヤーボンディング方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035456A (ko) * 2001-02-15 2001-05-07 최성규 반도체 발광 소자 패키지 및 그 제작 방법
CN100401488C (zh) * 2001-03-23 2008-07-09 Nxp股份有限公司 具有小回路高度的接线连接的片状模块
WO2002082527A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-17 Stmicroelectronics Pte Ltd Method of forming electrical connections
US6864166B1 (en) 2001-08-29 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies
SG117395A1 (en) 2001-08-29 2005-12-29 Micron Technology Inc Wire bonded microelectronic device assemblies and methods of manufacturing same
US20030222338A1 (en) * 2002-01-04 2003-12-04 Sandisk Corporation Reverse wire bonding techniques
EP1367644A1 (en) * 2002-05-29 2003-12-03 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof
KR20040023852A (ko) * 2002-09-12 2004-03-20 송기영 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2004172477A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Kaijo Corp ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置
SG143931A1 (en) 2003-03-04 2008-07-29 Micron Technology Inc Microelectronic component assemblies employing lead frames having reduced-thickness inner lengths
US6933223B1 (en) 2004-04-15 2005-08-23 National Semiconductor Corporation Ultra-low loop wire bonding
SG145547A1 (en) 2004-07-23 2008-09-29 Micron Technology Inc Microelectronic component assemblies with recessed wire bonds and methods of making same
US8016182B2 (en) 2005-05-10 2011-09-13 Kaijo Corporation Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method
CN101123230A (zh) * 2007-09-03 2008-02-13 葵和精密电子(上海)有限公司 半导体器件的内引线结构
WO2014166547A1 (en) * 2013-04-12 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electronic device and method for producing an electronic device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55118643A (en) * 1979-03-06 1980-09-11 Toshiba Corp Wire bonding process
JPH01293626A (ja) * 1988-05-23 1989-11-27 Ricoh Co Ltd フレキシブル配線板におけるワイヤボンディング法
JPH0372641A (ja) * 1989-05-09 1991-03-27 Citizen Watch Co Ltd Ic実装構造及びその実装方法
JPH05211192A (ja) * 1991-07-02 1993-08-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置のワイヤボンディング方法
US5328079A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 National Semiconductor Corporation Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084848A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体装置及びワイヤーボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0753891A3 (en) 1999-03-31
EP0753891A2 (en) 1997-01-15
KR980005922A (ko) 1998-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5735030A (en) Low loop wire bonding
JPH0917819A (ja) マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法
US20100230809A1 (en) Wire loop and method of forming the wire loop
US5984162A (en) Room temperature ball bonding
JPH07335688A (ja) 改良されたキャピラリおよび細かいピッチのボールボンディング法
JP2000114304A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0951011A (ja) 半導体チップのワイヤボンディング方法
US5263246A (en) Bump forming method
CN102738103A (zh) 短的和低的回路丝线键合
JP2814151B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3400287B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3049515B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3455126B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
US20100147552A1 (en) Method of forming bends in a wire loop
JPH04255237A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
JPH05211192A (ja) 半導体装置のワイヤボンディング方法
US7153764B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
JPH0982738A (ja) 半導体装置
JPH10125710A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2665061B2 (ja) ワイヤーボンディング方法
JP2954109B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2914337B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0478146A (ja) 半導体装置
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法