JPH0917819A - マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 - Google Patents
マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法Info
- Publication number
- JPH0917819A JPH0917819A JP8169725A JP16972596A JPH0917819A JP H0917819 A JPH0917819 A JP H0917819A JP 8169725 A JP8169725 A JP 8169725A JP 16972596 A JP16972596 A JP 16972596A JP H0917819 A JPH0917819 A JP H0917819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- bond
- lead
- lead finger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/041—Connecting or disconnecting interconnections to or from leadframes, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/464—Additional interconnections in combination with leadframes
- H10W70/465—Bumps or wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5366—Shapes of wire connectors the bond wires having kinks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5434—Dispositions of bond wires the connected ends being on auxiliary connecting means on bond pads, e.g. on other bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ループ高さを低くすることができる比較的安
価なワイヤボンディング技術を提供する。 【解決手段】 ボンドパッド(5)を搭載したマイクロ
エレクトロニクス装置(7)とリードフィンガ(9)と
ワイヤ(1)とを用意する。最初にボンドパッドにボー
ル(21)をボンディングする。ボール(21)は好ま
しくは金でできており、ワイヤの材料と電気的に適合性
がある。ワイヤの一端をボールボンド(23)によりリ
ードフィンガ(9)に接続し、それからワイヤの他端を
ボール(21)に接続して、接続が完成する。ボンドパ
ッドより上にワイヤループがないので、ループ高さを低
くすることができる。
価なワイヤボンディング技術を提供する。 【解決手段】 ボンドパッド(5)を搭載したマイクロ
エレクトロニクス装置(7)とリードフィンガ(9)と
ワイヤ(1)とを用意する。最初にボンドパッドにボー
ル(21)をボンディングする。ボール(21)は好ま
しくは金でできており、ワイヤの材料と電気的に適合性
がある。ワイヤの一端をボールボンド(23)によりリ
ードフィンガ(9)に接続し、それからワイヤの他端を
ボール(21)に接続して、接続が完成する。ボンドパ
ッドより上にワイヤループがないので、ループ高さを低
くすることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は2か所の接着位置間
を結線することに関するものであり、特に、半導体チッ
プすなわちダイ上のボンドパッドと、リードフィンガの
ような第2のボンディング位置間を結線するものであっ
て、ボンディング位置間のワイヤループが非常に低く
て、約0.002インチ(約0.05mm)くらいのも
のに関するものである。
を結線することに関するものであり、特に、半導体チッ
プすなわちダイ上のボンドパッドと、リードフィンガの
ような第2のボンディング位置間を結線するものであっ
て、ボンディング位置間のワイヤループが非常に低く
て、約0.002インチ(約0.05mm)くらいのも
のに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置とそのパッケージングがどん
どん小さくなっていくなかで、寸法に対する関心はパッ
ケージの長さと幅だけでなく、最終パッケージの厚さに
も及んでいる。チップのボンドパッドとリードフレーム
のフィンガ間を結線するための従来のワイヤボールボン
ディング技術では、チップボンドパッドの上にボールボ
ンドをつくり、リードフィンガに対してワイヤをループ
にし、ワイヤをリードフィンガにスティッチボンディン
グし、それからワイヤピグテールを施して結線を完成す
る。ワイヤがチップのボンドパッド上のボールボンドか
ら出て行く際に、ワイヤがリードフィンガに向かって曲
がるのでループをつくり、それが結線のループ高さを定
めている。ループの高さは通常一般的に約0.010〜
0.015インチ(約0.25〜0.38mm)である
から、パッケージの厚さはこの高さを収容しなければな
らない。より薄いパッケージが開発されるにつれて、従
来のボンディング技術を用いてループパラメータ、プロ
ファイルおよびワイヤの種類を変えることにより、ルー
プの高さは約0.006インチ(約0.15mm)まで
減った。しかしながらループ高さをこれ以上低くしよう
とするとワイヤの損傷をきたし、ワイヤの引っ張り強さ
が弱くなるので、この高さが可能な最小の高さだと考え
られる。
どん小さくなっていくなかで、寸法に対する関心はパッ
ケージの長さと幅だけでなく、最終パッケージの厚さに
も及んでいる。チップのボンドパッドとリードフレーム
のフィンガ間を結線するための従来のワイヤボールボン
ディング技術では、チップボンドパッドの上にボールボ
ンドをつくり、リードフィンガに対してワイヤをループ
にし、ワイヤをリードフィンガにスティッチボンディン
グし、それからワイヤピグテールを施して結線を完成す
る。ワイヤがチップのボンドパッド上のボールボンドか
ら出て行く際に、ワイヤがリードフィンガに向かって曲
がるのでループをつくり、それが結線のループ高さを定
めている。ループの高さは通常一般的に約0.010〜
0.015インチ(約0.25〜0.38mm)である
から、パッケージの厚さはこの高さを収容しなければな
らない。より薄いパッケージが開発されるにつれて、従
来のボンディング技術を用いてループパラメータ、プロ
ファイルおよびワイヤの種類を変えることにより、ルー
プの高さは約0.006インチ(約0.15mm)まで
減った。しかしながらループ高さをこれ以上低くしよう
とするとワイヤの損傷をきたし、ワイヤの引っ張り強さ
が弱くなるので、この高さが可能な最小の高さだと考え
られる。
【0003】タブボンディングとして知られている全く
別の結線技術を使うことにより、ループ高さを約0.0
03インチ(約0.076mm)まで減らすことができ
る。しかしながら、タブボンディングは高価な材料を必
要とするし、各々ダイが異なる度にカスタルフィルムを
必要とするので、経済的でない。またタブボンディング
には余分なプロセスも必要とするので、歩留りが悪くな
る。
別の結線技術を使うことにより、ループ高さを約0.0
03インチ(約0.076mm)まで減らすことができ
る。しかしながら、タブボンディングは高価な材料を必
要とするし、各々ダイが異なる度にカスタルフィルムを
必要とするので、経済的でない。またタブボンディング
には余分なプロセスも必要とするので、歩留りが悪くな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、約0.0
02インチ(約0.05mm)以下のループ高さを達成
することができる比較的安価なワイヤボンディング技術
が強く望まれていることは明らかである。
02インチ(約0.05mm)以下のループ高さを達成
することができる比較的安価なワイヤボンディング技術
が強く望まれていることは明らかである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目標に合うワイヤボンディング方法が得られる。要約す
ると、低ワイヤボンド高さは2ステップで行われる。最
初に、ボールオンリボンドをチップのボンドパッド上に
つくる。このことを行うのに、標準的なやり方でボンド
パッド上にボールボンドを形成し、それからボールボン
ドの所でピグテール操作を開始する。通常のルーピン
グ、リードフィンガスティッチボンド、ボールワイヤボ
ンディングで用いられる操作のピグテール開始シーケン
スという方法をとらない。第2のステップで、通常のボ
ンディングシーケンスを用いるが、ボールボンドをリー
ドフィンガ上につくって、チップのボンドパッド上に先
にボンディングしたボール上にスティッチボンドを行う
点が通常と異なる。リードフィンガは通常パッケージ内
ではチップの表面よりも低いので、リードフィンガから
来るワイヤのループを基本的にチップ表面と平行にする
ことが可能になる。最初のボールボンドは、第2のステ
ップのスティッチボンドが可能で、かつワイヤとチップ
表面とのすき間を約0.001インチ(約0.025m
m)に保てるように十分大きくつくる。ワイヤの直径を
このすき間に加えると、ループ高さの合計は約0.00
2インチ(約0.05mm)になる。
目標に合うワイヤボンディング方法が得られる。要約す
ると、低ワイヤボンド高さは2ステップで行われる。最
初に、ボールオンリボンドをチップのボンドパッド上に
つくる。このことを行うのに、標準的なやり方でボンド
パッド上にボールボンドを形成し、それからボールボン
ドの所でピグテール操作を開始する。通常のルーピン
グ、リードフィンガスティッチボンド、ボールワイヤボ
ンディングで用いられる操作のピグテール開始シーケン
スという方法をとらない。第2のステップで、通常のボ
ンディングシーケンスを用いるが、ボールボンドをリー
ドフィンガ上につくって、チップのボンドパッド上に先
にボンディングしたボール上にスティッチボンドを行う
点が通常と異なる。リードフィンガは通常パッケージ内
ではチップの表面よりも低いので、リードフィンガから
来るワイヤのループを基本的にチップ表面と平行にする
ことが可能になる。最初のボールボンドは、第2のステ
ップのスティッチボンドが可能で、かつワイヤとチップ
表面とのすき間を約0.001インチ(約0.025m
m)に保てるように十分大きくつくる。ワイヤの直径を
このすき間に加えると、ループ高さの合計は約0.00
2インチ(約0.05mm)になる。
【0006】本発明によるワイヤボンディング方法はボ
ールボンドとチップの表面より上のワイヤループの高さ
を本質的にゼロにするものであり、標準的で経済的な従
来のボンディング技術と装置を利用するものである。
ールボンドとチップの表面より上のワイヤループの高さ
を本質的にゼロにするものであり、標準的で経済的な従
来のボンディング技術と装置を利用するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】次に本発明について、図面を参照
して説明する。図1には従来技術による典型的な低ルー
プ結線を示す。典型的には、ワイヤ1を標準的なワイヤ
ボンディング毛細管を通し、ワイヤの端を熱してボール
にすることにより、接続がなされる(図示せず)。ボー
ル3をチップすなわちダイ7上のボンドパッド5に当て
て、ボンドパッドに接着する。それからワイヤ1を毛細
管に通したまま、毛細管をリードフィンガ9の方に移動
して、ワイヤをリードフィンガの所に持ってくる。それ
からワイヤ1をスティッチボンド2の所でリードフィン
ガにスティッチボンディングする。接続に当たり、ひび
割れのようなワイヤの損傷の可能性を最少にするため
に、ボンドパッド5の上のワイヤ1の首11の部分でワ
イヤ1をループにすることが必要である。ワイヤ1をル
ープにするためには、ワイヤがボンドパッドの上で少な
くとも0.006インチ(約0.15mm)、一般的に
はそれよりもっと長く立っていることが必要であり、そ
のために最終パッケージングもそれだけ厚くする必要が
ある。
して説明する。図1には従来技術による典型的な低ルー
プ結線を示す。典型的には、ワイヤ1を標準的なワイヤ
ボンディング毛細管を通し、ワイヤの端を熱してボール
にすることにより、接続がなされる(図示せず)。ボー
ル3をチップすなわちダイ7上のボンドパッド5に当て
て、ボンドパッドに接着する。それからワイヤ1を毛細
管に通したまま、毛細管をリードフィンガ9の方に移動
して、ワイヤをリードフィンガの所に持ってくる。それ
からワイヤ1をスティッチボンド2の所でリードフィン
ガにスティッチボンディングする。接続に当たり、ひび
割れのようなワイヤの損傷の可能性を最少にするため
に、ボンドパッド5の上のワイヤ1の首11の部分でワ
イヤ1をループにすることが必要である。ワイヤ1をル
ープにするためには、ワイヤがボンドパッドの上で少な
くとも0.006インチ(約0.15mm)、一般的に
はそれよりもっと長く立っていることが必要であり、そ
のために最終パッケージングもそれだけ厚くする必要が
ある。
【0008】図2と図3には本発明によるワイヤボンデ
ィング方法の流れが示してある。図2では従来技術と同
様に、チップすなわちダイ7の上にボンドパッド5があ
って、それからリードフィンガ9が示されている。最初
に、ボール21を標準的な方法でつくって、ボンドパッ
ド5に接着する。ボールを接着後ピグテール操作を行う
ことによりボールだけがつくられる。これはまた次のボ
ール接着のためのワイヤの準備にもなる。それからワイ
ヤ1を中に含む毛細管(図示せず)をリードフィンガ9
の所に移動して、標準的なやり方で毛細管から突き出て
いるワイヤからボールを形成する。それから標準的なや
り方でボール23をリードフィンガ9に接着する。それ
から毛細管をボール21の上方に移動して、ワイヤ1を
毛細管の中を通してボール21の所に持っていき、ボー
ル21の上でワイヤの位置を定め、それから標準的なや
り方でスティッチボンド20を用いてワイヤ1をボール
21にスティッチボンディングする。それから標準的な
やり方で毛細管によりワイヤ1をボール21の部分でス
ティッチボンドから引き離し、次のワイヤピグテールを
確立して、ボール形成の準備をする。図3に示すよう
に、ボール21のすぐ上でワイヤをループにする必要が
ない。それは接着がなされた順番のおかげであって、ワ
イヤ1を接着のためにボール21の上に持ってきたと
き、ボール21は既にボンドパッド5の上に接着してあ
ったからである。リードフィンガからボンドパッド5に
至るまでに必要なワイヤ1の首は一般にせいぜいリード
フィンガとボンドパッドとの高さの差である。なぜなら
ば通常ボンドパッドはリードフィンガより高い位置にあ
るからである。また、ダイパッド5上のボール21は、
毛細管とダイ間の最低高さを設定すると共に、毛細管と
ダイパッドそれ自体との間のすき間を供給している。
ィング方法の流れが示してある。図2では従来技術と同
様に、チップすなわちダイ7の上にボンドパッド5があ
って、それからリードフィンガ9が示されている。最初
に、ボール21を標準的な方法でつくって、ボンドパッ
ド5に接着する。ボールを接着後ピグテール操作を行う
ことによりボールだけがつくられる。これはまた次のボ
ール接着のためのワイヤの準備にもなる。それからワイ
ヤ1を中に含む毛細管(図示せず)をリードフィンガ9
の所に移動して、標準的なやり方で毛細管から突き出て
いるワイヤからボールを形成する。それから標準的なや
り方でボール23をリードフィンガ9に接着する。それ
から毛細管をボール21の上方に移動して、ワイヤ1を
毛細管の中を通してボール21の所に持っていき、ボー
ル21の上でワイヤの位置を定め、それから標準的なや
り方でスティッチボンド20を用いてワイヤ1をボール
21にスティッチボンディングする。それから標準的な
やり方で毛細管によりワイヤ1をボール21の部分でス
ティッチボンドから引き離し、次のワイヤピグテールを
確立して、ボール形成の準備をする。図3に示すよう
に、ボール21のすぐ上でワイヤをループにする必要が
ない。それは接着がなされた順番のおかげであって、ワ
イヤ1を接着のためにボール21の上に持ってきたと
き、ボール21は既にボンドパッド5の上に接着してあ
ったからである。リードフィンガからボンドパッド5に
至るまでに必要なワイヤ1の首は一般にせいぜいリード
フィンガとボンドパッドとの高さの差である。なぜなら
ば通常ボンドパッドはリードフィンガより高い位置にあ
るからである。また、ダイパッド5上のボール21は、
毛細管とダイ間の最低高さを設定すると共に、毛細管と
ダイパッドそれ自体との間のすき間を供給している。
【0009】この結果、本発明によるワイヤボンディン
グと接続方法は比較的安価で、ボンドパッド上のワイヤ
のループや首を必要とせずに、必要な接着を実現するも
のである。
グと接続方法は比較的安価で、ボンドパッド上のワイヤ
のループや首を必要とせずに、必要な接着を実現するも
のである。
【0010】以上特定の好ましい実施例について本発明
を説明したが、当業者には多くの変形例と修正例が直ち
に明らかになるであろう。したがって、請求の範囲は従
来技術を考慮してすべてのそうした変形例と修正例を含
むように、できるだけ広く解釈すべきである。
を説明したが、当業者には多くの変形例と修正例が直ち
に明らかになるであろう。したがって、請求の範囲は従
来技術を考慮してすべてのそうした変形例と修正例を含
むように、できるだけ広く解釈すべきである。
【0011】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1)(ア)ボンドパッドを搭載したマイクロエレクト
ロニクス装置を提供するステップと、(イ)リードフィ
ンガを提供するステップと、(ハ)前記リードフィンガ
と前記ボンドパッド間を接続するためのワイヤを提供す
るステップと、(ニ) 前記ボンドパッド上に前記ワイ
ヤの材料と電気的に適合する材料から成る突起(ボー
ル)を提供するステップと、(ホ) 前記ワイヤの一端
を前記リードフィンガに接続するステップと、(ヘ)
前記ボールに前記ワイヤの他端を接続するステップと、
を含む、マイクロエレクトロニクス装置の製造における
結線方法。
る。 (1)(ア)ボンドパッドを搭載したマイクロエレクト
ロニクス装置を提供するステップと、(イ)リードフィ
ンガを提供するステップと、(ハ)前記リードフィンガ
と前記ボンドパッド間を接続するためのワイヤを提供す
るステップと、(ニ) 前記ボンドパッド上に前記ワイ
ヤの材料と電気的に適合する材料から成る突起(ボー
ル)を提供するステップと、(ホ) 前記ワイヤの一端
を前記リードフィンガに接続するステップと、(ヘ)
前記ボールに前記ワイヤの他端を接続するステップと、
を含む、マイクロエレクトロニクス装置の製造における
結線方法。
【0012】(2) 第(1)項の方法において、前記
リードフィンガへの接続はボールボンドであり、前記ボ
ールへの接続はスティッチボンドである、結線方法。 (3) 第(1)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (4) 第(2)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (5) 第(1)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
リードフィンガへの接続はボールボンドであり、前記ボ
ールへの接続はスティッチボンドである、結線方法。 (3) 第(1)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (4) 第(2)項記載の方法において、前記ボールは
金であり、前記ワイヤは金である、結線方法。 (5) 第(1)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
【0013】(6) 第(2)項記載の方法において、
前記リードフィンガはリードフレームの一部である、結
線方法。 (7) 第(3)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。 (8) 第(4)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
前記リードフィンガはリードフレームの一部である、結
線方法。 (7) 第(3)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。 (8) 第(4)項記載の方法において、前記リードフ
ィンガはリードフレームの一部である、結線方法。
【0014】(9) マイクロエレクトロニクス装置、
好ましくは半導体装置、の製造における結線方法であっ
て、ボンドパッド5を搭載したマイクロエレクトロニク
ス装置7を提供するステップと、リードフレームのリー
ドフィンガのようなマイクロエレクトロニクス装置の外
部にワイヤボンディング位置9を提供するステップとを
含む。リードフィンガ9とボンドパッド5とを接続する
ためのワイヤが提供され、最初にボンドパッドにボール
21がボンディングされる。ボール21は好ましくは金
でできており、ボンドパッド上のワイヤの材料と電気的
に適合性がある。ワイヤの一端はボールボンド23によ
りリードフィンガ9に接続され、それからワイヤの他端
がボール21に接続されて接続が完成し、ボンドパッド
の上にループがない接続が提供される。
好ましくは半導体装置、の製造における結線方法であっ
て、ボンドパッド5を搭載したマイクロエレクトロニク
ス装置7を提供するステップと、リードフレームのリー
ドフィンガのようなマイクロエレクトロニクス装置の外
部にワイヤボンディング位置9を提供するステップとを
含む。リードフィンガ9とボンドパッド5とを接続する
ためのワイヤが提供され、最初にボンドパッドにボール
21がボンディングされる。ボール21は好ましくは金
でできており、ボンドパッド上のワイヤの材料と電気的
に適合性がある。ワイヤの一端はボールボンド23によ
りリードフィンガ9に接続され、それからワイヤの他端
がボール21に接続されて接続が完成し、ボンドパッド
の上にループがない接続が提供される。
【図1】従来技術による半導体ダイ上のボンドパッドか
らリードフィンガへの結線の略図。
らリードフィンガへの結線の略図。
【図2】本発明による半導体ダイ上のボンドパッドにリ
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
【図3】本発明による半導体ダイ上のボンドパッドにリ
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
ードフィンガを結線するプロセスの流れを示す図。
1 ワイヤ 2 スティッチボンド 3 ボール 5 ボンドパッド 7 チップ 9 リードフィンガ 20 スティッチボンド 21 ボール 23 ボール
Claims (1)
- 【請求項1】 (ア)ボンドパッドを搭載したマイクロ
エレクトロニクス装置を提供するステップと、 (イ)リードフィンガを提供するステップと、 (ハ)前記リードフィンガと前記ボンドパッド間を接続
するためのワイヤを提供するステップと、 (ニ)前記ボンドパッド上に前記ワイヤの材料と電気的
に適合する材料から成るボールを提供するステップと、 (ホ)前記ワイヤの一端を前記リードフィンガに接続す
るステップと、 (ヘ)前記ボールに前記ワイヤの他端を接続するステッ
プと、 を含む、マイクロエレクトロニクス装置の製造における
結線方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57395P | 1995-06-28 | 1995-06-28 | |
| US000573 | 1995-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917819A true JPH0917819A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=21692092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8169725A Pending JPH0917819A (ja) | 1995-06-28 | 1996-06-28 | マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0753891A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0917819A (ja) |
| KR (1) | KR980005922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013084848A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置及びワイヤーボンディング方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010035456A (ko) * | 2001-02-15 | 2001-05-07 | 최성규 | 반도체 발광 소자 패키지 및 그 제작 방법 |
| CN100401488C (zh) * | 2001-03-23 | 2008-07-09 | Nxp股份有限公司 | 具有小回路高度的接线连接的片状模块 |
| WO2002082527A1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-17 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Method of forming electrical connections |
| US6864166B1 (en) | 2001-08-29 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies |
| SG117395A1 (en) | 2001-08-29 | 2005-12-29 | Micron Technology Inc | Wire bonded microelectronic device assemblies and methods of manufacturing same |
| US20030222338A1 (en) * | 2002-01-04 | 2003-12-04 | Sandisk Corporation | Reverse wire bonding techniques |
| EP1367644A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof |
| KR20040023852A (ko) * | 2002-09-12 | 2004-03-20 | 송기영 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2004172477A (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Kaijo Corp | ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置 |
| SG143931A1 (en) | 2003-03-04 | 2008-07-29 | Micron Technology Inc | Microelectronic component assemblies employing lead frames having reduced-thickness inner lengths |
| US6933223B1 (en) | 2004-04-15 | 2005-08-23 | National Semiconductor Corporation | Ultra-low loop wire bonding |
| SG145547A1 (en) | 2004-07-23 | 2008-09-29 | Micron Technology Inc | Microelectronic component assemblies with recessed wire bonds and methods of making same |
| US8016182B2 (en) | 2005-05-10 | 2011-09-13 | Kaijo Corporation | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
| CN101123230A (zh) * | 2007-09-03 | 2008-02-13 | 葵和精密电子(上海)有限公司 | 半导体器件的内引线结构 |
| WO2014166547A1 (en) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic device and method for producing an electronic device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118643A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-11 | Toshiba Corp | Wire bonding process |
| JPH01293626A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Ricoh Co Ltd | フレキシブル配線板におけるワイヤボンディング法 |
| JPH0372641A (ja) * | 1989-05-09 | 1991-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Ic実装構造及びその実装方法 |
| JPH05211192A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-08-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のワイヤボンディング方法 |
| US5328079A (en) * | 1993-03-19 | 1994-07-12 | National Semiconductor Corporation | Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components |
-
1996
- 1996-06-10 KR KR1019960020568A patent/KR980005922A/ko not_active Ceased
- 1996-06-26 EP EP96304735A patent/EP0753891A3/en not_active Withdrawn
- 1996-06-28 JP JP8169725A patent/JPH0917819A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013084848A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置及びワイヤーボンディング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0753891A3 (en) | 1999-03-31 |
| EP0753891A2 (en) | 1997-01-15 |
| KR980005922A (ko) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5735030A (en) | Low loop wire bonding | |
| JPH0917819A (ja) | マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 | |
| US20100230809A1 (en) | Wire loop and method of forming the wire loop | |
| US5984162A (en) | Room temperature ball bonding | |
| JPH07335688A (ja) | 改良されたキャピラリおよび細かいピッチのボールボンディング法 | |
| JP2000114304A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0951011A (ja) | 半導体チップのワイヤボンディング方法 | |
| US5263246A (en) | Bump forming method | |
| CN102738103A (zh) | 短的和低的回路丝线键合 | |
| JP2814151B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP3400287B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP3049515B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP3455126B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| US20100147552A1 (en) | Method of forming bends in a wire loop | |
| JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2500655B2 (ja) | ワイヤ―ボンディング方法及びその装置 | |
| JPH05211192A (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング方法 | |
| US7153764B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process | |
| JPH0982738A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10125710A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2665061B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JP2954109B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2914337B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH0478146A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 |