JPH0478146A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0478146A
JPH0478146A JP2192522A JP19252290A JPH0478146A JP H0478146 A JPH0478146 A JP H0478146A JP 2192522 A JP2192522 A JP 2192522A JP 19252290 A JP19252290 A JP 19252290A JP H0478146 A JPH0478146 A JP H0478146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
lead
capillary
inner lead
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2192522A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Sakamoto
悟 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2192522A priority Critical patent/JPH0478146A/ja
Publication of JPH0478146A publication Critical patent/JPH0478146A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07553—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に、ダイパッド上に固着
された半導体素子のボンディングパッドと電気的に接続
されるインナーリートの構造に関する。
［発明の概要］ 本発明は、リードフレームのダイパッド上に半導体素子
が固着され、該半導体素子のボンディングパッドと上記
リードフレームのインナーリードとがワイヤリートで電
気的に接続されてなる半導体装置において、上記インナ
ーリードの先端に段差を設けて構成することにより、イ
ンナーリードに接続されるワイヤリードの垂れを容易に
防止して、半導体装置自体の高信軌性化並びに高歩留り
化を図れるようにすると共に、半導体装置に対する生産
効率の向上をも図れるようにしたものである。
〔従来の技術］ 一般に、リードフレームのダイパッド上に固着された半
導体素子のポンディングパッドとリードフレームのイン
ナーリードとを電気的に接続、即ちボンディング処理す
る方法として、これら両者をＡｕ線あるいはＭ線などの
ワイヤリードで接続する所謂ワイヤボンディング方法が
知られている。
また、最近では、ワイヤボンディングで用いられるキャ
ピラリを超音波で振動させることにより、ワイヤリード
とポンディングパッド並びにワイヤリードとインナーリ
ードとの接続強度を増大化させ、更にボンディング時間
の短縮化を図るようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の半導体装置においては、第３図Ａ
に示すように、リードフレームのダイパッド（３１）上
に固着された半導体素子（３２）のボンディングパッド
（３３）と電気的に接続されるインナーリード（３４）
の構造、特に、キャピラリ（３５）から導出されたワイ
ヤリード（３６）が圧着される部分の構造が面一となっ
ているため、このインナーリード（３４）にワイヤリー
ド（３６）を圧着する際、ワイヤリード（３６）自体に
弾性があることから、ワイヤリード（３６）が描く円弧
の下端をインナーリード（３４）で支える必要がある。
従って、第３図Ａで示す寸法ａは、約０．３ｍａ＋以上
必要となる。尚、第３図Ｂは、ワイヤリード（３６）を
インナーリード（３４）に熱圧着した状態を示す。
ここで、第３図Ａで示す寸法ａを０．３ｍｎ＋以下にし
た場合、第４図Ａ及びＢに示すように、ワイヤリート（
３６）↓こ垂れが生し、不良の原因となる。即ち、ワイ
ヤリー）’（３６）の垂れた部分かダイパント（３１）
や隣接する他のインナーリード（３４）に接触して半導
体装置自体の不良化を招くおそれがある。
この現象は、ワイヤ長の長いワイヤリートの場合、ワイ
ヤリードの自重の増加に伴ない発生し易くなる。またワ
イヤ長の短いワイヤリードにおいても、ワイヤリードの
描く円弧の曲率半径が短くなり、ワイヤリードの弾性も
増すことから、ワイヤ長の長い場合と同様に上記現象が
発生し易くなる。従って、第３図Ａで示すように、寸法
ａを長くとることにより、上記現象の発生をある程度防
止することができる。しかし、この場合、ワイヤリード
（３６）の消電量が増大化することと、半導体装置の小
型化に対応することができない等の不都合が生じる。
そこで、従来では、上記ワイヤリード（３６）の垂れを
防止する方法として、例えば ■　ワイヤ長を例えば最大値２．５ｍ＋ｗ、最小値１．
２ｗｍに制限する。
■　ワイヤボンディング装置のループコントロールを変
則的に制御して、停ヤビラリ（３５）の移動方向並びに
ワイヤリード（３６）の張力を制御する。
■　リードフレームを加熱処理するヒータブロンク自体
に、ワイヤリード（３６）の垂れを防止するための突出
部（土手）を形成する。
■　インナーリード（３４）に対するワイヤリード（３
６）の移動入射角を制限する。
という方法が考えられている。
しかし、上記■及び■の欠点として、半導体素子（３２
）に対するリードフレームの共用化（標準化）が困難に
なり、生産性の低下、製造コストの高価格化を招くとい
う不都合がある。特に、多数のビンを有するリードフレ
ームでは、ワイヤ長の長いワイヤリードが必要になるが
、上記の如くワイヤ長や入射角の制限を受けると、長い
ワイヤリードを用いることができず、そのため、リード
フレーム自体を加工する必要がでてくる。ところが、短
いワイヤリードに適応した上記リードフレームの加工は
製造上、困難性が伴なう。
また、上記■の欠点として、ボンディング処理のスピー
ドが低下し、生産性が低下する。旧式のワイヤボンディ
ング装置では対応できない。調整が微妙なため、安定性
、再現性に欠けるなどがあげられる。
また、上記■の欠点として、ヒータブロンク自体の加工
が困難、かつ高価である。リードフレームのデザイン（
形状）に制約がでる。各種リードフレーム毎に、その形
状に合ったヒータブロックが各種必要となるなどがあげ
られる。
このように、従来においては、ワイヤリード（３６）の
垂れに対する防止策として有効なものがないのが現状で
ある。
本発明は、このような点に鑑みて成されたもので、その
目的とするところは、インナーリードに圧着されるワイ
ヤリードの垂れを容易に防止でき、装置自体の高信頬性
化並びに高歩留り化を図ることができると共に、生産効
率の向上をも図ることができる半導体装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段］ 本発明は、リードフレーム（１）のダイパッド（２）上
に半導体素子（３）が固着され、該半導体素子（３）の
ボンディングパッド（４）とリードフレーム（１）のイ
ンナーリート（５）とがワイヤリード（６）で電気的に
接続されでなる半導体装置（Ａ）において、上記インナ
ーリード（５）の先端に段差（１２）を設けて構成する
。
〔作用〕
上述の本発明の構成によれば、インナーリード（５）の
先端に段差（１２）を設けるようにしたので、この段差
（１２）がワイヤボンディング時のワイヤリード（６）
に対する支えとなり、その結果、ワイヤリード（６）の
下方への垂れが容易に、かつ確実に防止される。従って
、半導体装置（Ａ）自体の高信顧性化並びに高歩留り化
を図ることができるようになると共に、半導体装置（Ａ
）における生産効率の向上をも同時に図ることができる
。
〔実施例〕
以下、第１図及び第２図を参照しながら本発明の詳細な
説明する。
第１図：よ、本実施例に係る半導体装置（Ａ）、特にワ
イヤボンディング状態の構成を示す要部の斜視図である
。
この半導体装置（Ａ）は、リードフレーム（＋）のダイ
パッド（２）上に半導体素子（チップ）（３）が固着さ
れ、該半導体素子（３）上の周辺に形成されたポンディ
ングパッド（４）とリードフレーム（１）のインナーリ
ード（５）とがＡｕ線あるいはＭ線等からなるワイヤリ
ード（６）で電気的に接続、即ちワイヤボンディングさ
れてなる。尚、図において、（７）はダイパッド吊りリ
ード、（８）はアウターリード、（９）はタイバー（モ
ールド樹脂流れ止め）　、（１０）は外枠、（１１）は
位置決め孔である。
しかして、本例においては、インナーリード（５）の先
端、即ち半導体素子（３）を臨む側の先端部分に上方に
突出する段差（Ｉ２）を形成してなる。この段差（１２
）は、ワイヤリード（６）のあらゆる方向の入射に対応
できるように、好ましくは、第１図の拡大図に示すよう
に、その輻ｄをインナーリード（５）の幅とほぼ同等に
設定する。また、その奥行きｒは、インナーリード（５
）の先端からワイヤリート（６）の圧着点までの距Ｍｎ
よりも小に設定する。そして、上記段差（１２）は、既
知のコイニング（圧印）処理にて容易に作製することが
でき、製造コストの増加を引き起こすことはない 次に、上記ワイヤボンディングの一例を第２図の工程図
に基いて説明する。
まず、第２図Ａに示すように、キャピラリ（２Ｉ）に例
えばＡｕ線（６）を通し、水素トーチ等を用いてＡｕ線
（６）の先端にＡｕボール（２２）を作る。
その後、第２図Ｂに示すように、第１図で示すグイハツ
ト（２）上の半導体素子（３）のボンディングパッド（
４）に上記Ａｕボール（２２）を熱圧着したのち、キャ
ピラリ（２１）をインナーリード（５）上に移動させる
。
このとき、Ａｕ線（６）が半導体素子（３）からインナ
ーリード（５）側に張られた状態となる。尚、この第２
図では、第１図で示すダイパッド（２）及び半導体素子
（３）等を省略して示す。
次に、第２図Ｃに示すようムこ、キャピラリ（２１）を
下げると共に、キャピラリ（２１）に熱と加重を加え、
更には超音波による振動を加えてＡ　ｕ　’ＩＡ　（６
）をインナーリード（５）に圧着する。その後、Ａｕ線
（６）をクランプしたのち、キャピラリ（２１）を斜め
上方に移動して＾Ｕ線（６）を引きちぎる。このとき、
インナーリード（５）の先端に設けた段差（１２）力（
Ａｕ線（６）の支えとなるため、Ａｕ線（６）の下方へ
の垂れを事前に防止することができる。
次に、第２図りに示すように、引きちぎったＡｕ、ｌ　
（６）の残りを再び水平トーチ等を用いて加熱し、Ａｕ
線（６）の先端にＡｕボール（２２）を作る。
上記一連の動作を順次繰返すことにより、第１図に示す
如く、Ａｕ線、即ちワイヤリード（６）を１本ずつ張っ
て本例に係る半導体装置（Ａ）を得る。
上述の如く、本例によれば、インナーリード（５）の先
端に段差（１２）を設けるようにしたので、この段差（
１２）がワイヤボンディング時のワイヤリード（６）に
対する支えとなり、ワイヤリード（６）の下方への垂れ
を容易に、かつ確実に防止することができる。その結果
、半導体装置（Ａ）における品質並びに歩留りが改善さ
れるとともに、各種ワイヤリード、即ち２．５ｍｍ以上
の長いワイヤリードや１　、２１１１１１以下の短いワ
イヤリードにも対応できることから、リードフレーム（
１）の共用化（標準化）が図れ、また、ワイヤリード（
６）の入射角の制限を緩和できることも相俟って半導体
装置（Ａ）の生産性の向上並びに製造コストの低廉化を
図ることができる。
ワイヤボンディング状態を示す説明図、第４図は他の従
来例↓こ係る半導体装置のワイヤボンティジグ状態を示
す説明図である。
（Ａ）は半導体装置、（＋１はり−トフレーム、（２）
はダイパッド、（３）は半導体素子、（４）はボンディ
ングパソト、（５）はインナーリード、（６）はワイヤ
リド、（１２）は段差である。
［発明の効果］ 本発明に係る半導体装置によれば、インナーリードに接
続されるワイヤリードの垂れを容易に防止でき、半導体
装置自体の高信顧性化並びに高歩留り化が図れると共に
、半導体装置に対する生産性の向上をも図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　リードフレームのダイパッド上に半導体素子が固着さ
    れ、該半導体素子のボンディングパッドと上記リードフ
    レームのインナーリードとがワイヤリードで電気的に接
    続されてなる半導体装置において、 上記インナーリードの先端に段差を設けてなる半導体装
    置。
JP2192522A 1990-07-20 1990-07-20 半導体装置 Pending JPH0478146A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2192522A JPH0478146A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2192522A JPH0478146A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0478146A true JPH0478146A (ja) 1992-03-12

Family

ID=16292687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2192522A Pending JPH0478146A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0478146A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5452841A (en) * 1993-07-23 1995-09-26 Nippondenso Co., Ltd. Wire bonding apparatus and method
JP2007295012A (ja) * 2007-08-10 2007-11-08 Rohm Co Ltd 樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5452841A (en) * 1993-07-23 1995-09-26 Nippondenso Co., Ltd. Wire bonding apparatus and method
JP2007295012A (ja) * 2007-08-10 2007-11-08 Rohm Co Ltd 樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5328079A (en) Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components
US5735030A (en) Low loop wire bonding
JP3017467B2 (ja) 密封型ボールボンディング方法
JPH0917819A (ja) マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法
US20080121679A1 (en) Flanged transducer having improved rigidity
JPH04334034A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH01276729A (ja) ワイヤボンディング方法
US6164518A (en) Wire bonding method and apparatus
KR0120454Y1 (ko) 단차를 가지는 히터블럭
KR200185996Y1 (ko) 반도체 패키지 제조용 와이어 본딩 장비의 전기방전봉
JPH0611066B2 (ja) ワイヤボンデイング装置
JPH0344051A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0423340A (ja) ワイヤボンダ
JPH09289276A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置
JP2904194B2 (ja) ワイヤーボンディング装置
JP3293757B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法
US6229199B1 (en) Packaged semiconductor device
KR20010009783A (ko) 와이어 본딩 장치
JPH04277642A (ja) ワイヤーボンディング方法
JPS6379331A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS639373B2 (ja)
JPH11135542A (ja) ワイヤボンディング装置用キャピラリ
JP2009076767A (ja) 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置
JPS62181449A (ja) バンプ形成方法
JPS59211240A (ja) 半導体装置のワイヤボンデイング方法