JPH0917826A - 半導体製造装置及び方法 - Google Patents
半導体製造装置及び方法Info
- Publication number
- JPH0917826A JPH0917826A JP7165225A JP16522595A JPH0917826A JP H0917826 A JPH0917826 A JP H0917826A JP 7165225 A JP7165225 A JP 7165225A JP 16522595 A JP16522595 A JP 16522595A JP H0917826 A JPH0917826 A JP H0917826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- stage
- chip
- semiconductor
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップとインナーリードとの接合にお
ける信頼性を向上させることができる半導体製造装置及
び方法を提供する。 【構成】 半導体チップが配置されるチップステージの
外側に、インナーリードを下側から支えて直接加熱可能
なインナーリードステージを設けた。
ける信頼性を向上させることができる半導体製造装置及
び方法を提供する。 【構成】 半導体チップが配置されるチップステージの
外側に、インナーリードを下側から支えて直接加熱可能
なインナーリードステージを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップとインナ
ーリードとを接合する半導体製造装置及び方法に関する
ものである。
ーリードとを接合する半導体製造装置及び方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、特定用途に向けて必要な機能が集
積されているＡＳＩＣ（ApplicationSpecific IC ）に
代表されるように、ＩＣの分野ではパッケージの薄形化
及び多ピン化が進んでおり、これに有利なテープボンデ
ィング（略称「ＴＡＢ」と言う）方式による組立技術が
積極的に取り入れられている。また、このテープボンデ
ィング方式には、半導体チップとインナーリードとを一
括して接合するギャングボンディング方式と、各リード
を個々に接合するシングルポイントボンディング方式と
がある。
積されているＡＳＩＣ（ApplicationSpecific IC ）に
代表されるように、ＩＣの分野ではパッケージの薄形化
及び多ピン化が進んでおり、これに有利なテープボンデ
ィング（略称「ＴＡＢ」と言う）方式による組立技術が
積極的に取り入れられている。また、このテープボンデ
ィング方式には、半導体チップとインナーリードとを一
括して接合するギャングボンディング方式と、各リード
を個々に接合するシングルポイントボンディング方式と
がある。
【０００３】図３は、従来のギャングボンディング方式
を用いるテープボンディング装置の一例を示す概略構成
配置図である。図３において、符号５１は半導体チップ
であり、この半導体チップ５１の一面側には複数の電極
（リード）５２が形成されている。５３はテープキャリ
ヤ５４に繰り返し形成された導体のインナーリードで、
半導体チップ５１の電極５２と略同数有し、これが電極
５２に重ね合わされて接合される。
を用いるテープボンディング装置の一例を示す概略構成
配置図である。図３において、符号５１は半導体チップ
であり、この半導体チップ５１の一面側には複数の電極
（リード）５２が形成されている。５３はテープキャリ
ヤ５４に繰り返し形成された導体のインナーリードで、
半導体チップ５１の電極５２と略同数有し、これが電極
５２に重ね合わされて接合される。
【０００４】６１はチップステージであり、この上面に
半導体チップ５１が電極５２を上側に向けて配置され
る。６２はチップステージ６１の上方に配置された圧着
ツールである。また、チップステージ６１にはチップス
テージ用ヒータ６３が内蔵されているとともに、圧着ツ
ール６２には圧着ツール用ヒータ６４が内蔵されてお
り、接合時には、これらチップステージ用ヒータ６３及
び圧着ツール用ヒータ６４により、チップステージ６１
は約３００℃、圧着ツール６２は約６００℃までそれぞ
れ加熱される。
半導体チップ５１が電極５２を上側に向けて配置され
る。６２はチップステージ６１の上方に配置された圧着
ツールである。また、チップステージ６１にはチップス
テージ用ヒータ６３が内蔵されているとともに、圧着ツ
ール６２には圧着ツール用ヒータ６４が内蔵されてお
り、接合時には、これらチップステージ用ヒータ６３及
び圧着ツール用ヒータ６４により、チップステージ６１
は約３００℃、圧着ツール６２は約６００℃までそれぞ
れ加熱される。
【０００５】そして、このボンディング装置では、チッ
プステージ６１上に載せられた半導体チップ５１の上側
から、この半導体チップ５１の各電極５２に対応してい
るインナーリード５３をそれぞれ重ね合わせ、この後か
ら圧着ツール６２をインナーリード５３の上から押し付
けて加熱し、電極５２とインナーリード５３との間に予
め配されているはんだ等をリフローさせ、半導体チップ
５１の各電極５２とインナーリード５３を一括して接合
する。
プステージ６１上に載せられた半導体チップ５１の上側
から、この半導体チップ５１の各電極５２に対応してい
るインナーリード５３をそれぞれ重ね合わせ、この後か
ら圧着ツール６２をインナーリード５３の上から押し付
けて加熱し、電極５２とインナーリード５３との間に予
め配されているはんだ等をリフローさせ、半導体チップ
５１の各電極５２とインナーリード５３を一括して接合
する。
【０００６】次に、図４は従来のシングルポイントボン
ディング方式を用いるテープボンディング装置の他の例
を示す概略構成配置図である。図４において図３と同一
符号を付したものは図３と同一のものを示している。こ
こでは、図３に示したギャングボンディング方式のテー
プボンディングと異なる点について説明すると、符号６
５はチップステージ６１の上方に配置された圧着ツール
である。６６は超音波ホーンであり、圧着ツール６５を
保持しているとともに、接合時に圧着ツール６５を約２
００℃まで加熱させることができる。
ディング方式を用いるテープボンディング装置の他の例
を示す概略構成配置図である。図４において図３と同一
符号を付したものは図３と同一のものを示している。こ
こでは、図３に示したギャングボンディング方式のテー
プボンディングと異なる点について説明すると、符号６
５はチップステージ６１の上方に配置された圧着ツール
である。６６は超音波ホーンであり、圧着ツール６５を
保持しているとともに、接合時に圧着ツール６５を約２
００℃まで加熱させることができる。
【０００７】そして、このボンディングでは、まずチッ
プステージ６１上に載せられた半導体チップ５１の上側
から、この半導体チップ５１の各電極５２に対応してい
るインナーリード５３を重ね合わせる。次に、この後か
ら圧着ツール６５をボンド点に対応しているインナーリ
ード５３の上から押し付けて加熱し、電極５２とインナ
ーリード５３との間に予め配されているはんだ等をリフ
ローさせ、ボンド点毎に半導体チップ５１の電極５２と
インナーリード５３を順次接合して行く。なお、ここ
で、このシングルポイントボンディング方式を用いるテ
ープボンディングは、多数のピンを備えた高付加価値半
導体装置に対してボンド点毎に安定して均一なボンディ
ング特性を得ることができることで知られている。
プステージ６１上に載せられた半導体チップ５１の上側
から、この半導体チップ５１の各電極５２に対応してい
るインナーリード５３を重ね合わせる。次に、この後か
ら圧着ツール６５をボンド点に対応しているインナーリ
ード５３の上から押し付けて加熱し、電極５２とインナ
ーリード５３との間に予め配されているはんだ等をリフ
ローさせ、ボンド点毎に半導体チップ５１の電極５２と
インナーリード５３を順次接合して行く。なお、ここ
で、このシングルポイントボンディング方式を用いるテ
ープボンディングは、多数のピンを備えた高付加価値半
導体装置に対してボンド点毎に安定して均一なボンディ
ング特性を得ることができることで知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３及
び図４に示した従来の半導体製造装置では、チップステ
ージ６１にチップステージ用ヒータ６３を取り付け、こ
のヒータ６３で半導体チップ５１を加熱するとともに、
圧着ツール６２及び６５でインナーリード５３を介して
電極５２を加熱・加圧して接合を行っているが、チップ
ステージ６１でインナーリード自体を加熱する構造には
なっていない。このため、ギャングボンディング方式を
用いて半導体チップ５１の各電極５２とインナーリード
５３を一括して接合する構造を採った場合では、圧着ツ
ール６２内の温度部分布が悪いことから安定したボンデ
ィング条件が得にくい。このため、信頼性の高いボンデ
ィングを行うのが難しいと言う問題点があった。また、
インナーリード５３のボンド点近傍を支持する構造には
なっていないので、安定したボンディングを行うのが難
しいと言う問題点があった。
び図４に示した従来の半導体製造装置では、チップステ
ージ６１にチップステージ用ヒータ６３を取り付け、こ
のヒータ６３で半導体チップ５１を加熱するとともに、
圧着ツール６２及び６５でインナーリード５３を介して
電極５２を加熱・加圧して接合を行っているが、チップ
ステージ６１でインナーリード自体を加熱する構造には
なっていない。このため、ギャングボンディング方式を
用いて半導体チップ５１の各電極５２とインナーリード
５３を一括して接合する構造を採った場合では、圧着ツ
ール６２内の温度部分布が悪いことから安定したボンデ
ィング条件が得にくい。このため、信頼性の高いボンデ
ィングを行うのが難しいと言う問題点があった。また、
インナーリード５３のボンド点近傍を支持する構造には
なっていないので、安定したボンディングを行うのが難
しいと言う問題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は半導体チップとインナーリードと
の接合における信頼性を向上させることができる半導体
製造装置及び方法を提供することにある。
のであり、その目的は半導体チップとインナーリードと
の接合における信頼性を向上させることができる半導体
製造装置及び方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体製造装置は、半導体チップが配置される
チップステージの外側に、インナーリードを下側から支
えて加熱可能なインナーリードステージを設けたもので
ある。
本発明の半導体製造装置は、半導体チップが配置される
チップステージの外側に、インナーリードを下側から支
えて加熱可能なインナーリードステージを設けたもので
ある。
【００１１】また、上記目的を達成するため本発明の半
導体製造方法は、半導体チップが配置されるチップステ
ージの外側に、インナーリードを下側から支える加熱可
能なインナーリードステージを設け、前記インナーリー
ドを前記インナーリードステージにより加熱・支持しな
がら前記半導体チップのリードと前記インナーリードと
の間を接合するようにしたものである。
導体製造方法は、半導体チップが配置されるチップステ
ージの外側に、インナーリードを下側から支える加熱可
能なインナーリードステージを設け、前記インナーリー
ドを前記インナーリードステージにより加熱・支持しな
がら前記半導体チップのリードと前記インナーリードと
の間を接合するようにしたものである。
【００１２】
【作用】これによれば、インナーリードステージ上にイ
ンナーリードが配置されてインナーリードのボンド点近
傍が支持されることにより、インナーリードの座り及び
押さえが安定できる。また、インナーリードステージで
インナーリードを直接加熱させることで安定した接合条
件を得ることができ、同時にインナーリードと半導体チ
ップ内の温度差を少しでも抑え、半導体チップの変形を
抑えることができる。
ンナーリードが配置されてインナーリードのボンド点近
傍が支持されることにより、インナーリードの座り及び
押さえが安定できる。また、インナーリードステージで
インナーリードを直接加熱させることで安定した接合条
件を得ることができ、同時にインナーリードと半導体チ
ップ内の温度差を少しでも抑え、半導体チップの変形を
抑えることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１及び図２は発明に係る半導体製造
装置の要部構造を示すもので、図１はその概略構造縦断
側面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って見た平面図であ
る。
詳細に説明する。図１及び図２は発明に係る半導体製造
装置の要部構造を示すもので、図１はその概略構造縦断
側面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って見た平面図であ
る。
【００１４】図１及び図２において、この半導体製造装
置は、シングルポイントボンディング方式を用いた場合
を一例としている。そして、符号１は半導体チップであ
り、この半導体チップ１の一面側には複数の電極（リー
ド）２が形成されている。３はテープキャリヤ４に繰り
返し形成された導体のインナーリードで、半導体チップ
１の電極２と略同数有し、これが電極２に重ね合わされ
て接合される。
置は、シングルポイントボンディング方式を用いた場合
を一例としている。そして、符号１は半導体チップであ
り、この半導体チップ１の一面側には複数の電極（リー
ド）２が形成されている。３はテープキャリヤ４に繰り
返し形成された導体のインナーリードで、半導体チップ
１の電極２と略同数有し、これが電極２に重ね合わされ
て接合される。
【００１５】１１はチップステージであり、この上面に
半導体チップ１が電極２を上側に向けて配置される。ま
た、半導体チップ１が載置される部分には、このチップ
ステージ１１から略直角に上方へ向かって延びるインナ
ーリードステージ１２が、半導体チップ１の載置部分の
外側を周回した状態にして一体に形成されている。そし
て、このインナーリードステージ１２の内側に作られた
凹所内に半導体チップ１が落とし込まれてセットされ、
インナーリードステージ１２の上面にインナーリード３
を載置できる構造になっている。加えて、チップステー
ジ１１にはチップステージ用ヒータ１３が内蔵されてい
て、このチップステージ用ヒータ１３でチップステージ
１１及びインナーリードステージ１２が約３００℃まで
それぞれ加熱できる。
半導体チップ１が電極２を上側に向けて配置される。ま
た、半導体チップ１が載置される部分には、このチップ
ステージ１１から略直角に上方へ向かって延びるインナ
ーリードステージ１２が、半導体チップ１の載置部分の
外側を周回した状態にして一体に形成されている。そし
て、このインナーリードステージ１２の内側に作られた
凹所内に半導体チップ１が落とし込まれてセットされ、
インナーリードステージ１２の上面にインナーリード３
を載置できる構造になっている。加えて、チップステー
ジ１１にはチップステージ用ヒータ１３が内蔵されてい
て、このチップステージ用ヒータ１３でチップステージ
１１及びインナーリードステージ１２が約３００℃まで
それぞれ加熱できる。
【００１６】符号１５はチップステージ１１の上方に配
置された圧着ツールである。１６は圧着ツール１５を保
持しているとともに、接合時に圧着ツール１５を約２０
０℃まで加熱させることができる超音波ホーンである。
置された圧着ツールである。１６は圧着ツール１５を保
持しているとともに、接合時に圧着ツール１５を約２０
０℃まで加熱させることができる超音波ホーンである。
【００１７】そして、この半導体製造装置では、半導体
チップ１をインナーリード３と接合させる場合、まず半
導体チップ１をチップステージ１１上に載せ、その後、
この半導体チップ１の上側からインナーリード３を半導
体チップ１の各電極２と対応させてインナーリードステ
ージ１２上に配置する。なお、この状態では、未だ半導
体チップ１の電極２とインナーリード３との間には隙間
σが形成されている。また、半導体チップ１及びインナ
ーリード３は、チップステージ用ヒータ１３で加熱され
ているチップステージ１１及びインナーリードステージ
１２によって加熱される。
チップ１をインナーリード３と接合させる場合、まず半
導体チップ１をチップステージ１１上に載せ、その後、
この半導体チップ１の上側からインナーリード３を半導
体チップ１の各電極２と対応させてインナーリードステ
ージ１２上に配置する。なお、この状態では、未だ半導
体チップ１の電極２とインナーリード３との間には隙間
σが形成されている。また、半導体チップ１及びインナ
ーリード３は、チップステージ用ヒータ１３で加熱され
ているチップステージ１１及びインナーリードステージ
１２によって加熱される。
【００１８】次いで、圧着ツール１５がボンド点に対応
しているインナーリード３の上から下降されて、これに
対応しているインナーリード３を電極２に押し付けて加
熱し、電極２とインナーリード３との間に予め配されて
いるはんだ等をリフローさせる。また、リフロー後は圧
着ツール１５が上昇され、その後が接合される。続い
て、ボンド点を変えて同じ動作が繰り返され、全ての半
導体チップ１の電極２とインナーリード３との間が順番
に接合して行く。そして、１つの半導体チップ１の接合
が終了したら、次の半導体チップ１がチップステージ１
１上にセットされて、同じ動作が繰り返される。
しているインナーリード３の上から下降されて、これに
対応しているインナーリード３を電極２に押し付けて加
熱し、電極２とインナーリード３との間に予め配されて
いるはんだ等をリフローさせる。また、リフロー後は圧
着ツール１５が上昇され、その後が接合される。続い
て、ボンド点を変えて同じ動作が繰り返され、全ての半
導体チップ１の電極２とインナーリード３との間が順番
に接合して行く。そして、１つの半導体チップ１の接合
が終了したら、次の半導体チップ１がチップステージ１
１上にセットされて、同じ動作が繰り返される。
【００１９】したがって、この実施例の半導体製造装置
によれば、インナーリードステージ１２上にインナーリ
ード３が配置されてインナーリード３のボンド点近傍を
支持してセットされるので、インナーリード３の座り及
び押さえが安定できる。特に、本実施例のようにシング
ルポイントボンディングで超音波ホーン１６を併用する
ような場合には、超音波ホーン１６の超音波ロスを防ぐ
ことができ、安定して均一なボンディング性が得られ
る。また、インナーリードステージ１２でインナーリー
ド３を直接加熱させるようにしているので、チップステ
ージ１１と圧着ツール１５の加熱では、温度分布が十分
に得られないこともあるが、このように直接インナーリ
ード３も加熱することにより、安定して均一なボンディ
ング性が得られ、半導体装置の信頼性を向上させること
ができる。
によれば、インナーリードステージ１２上にインナーリ
ード３が配置されてインナーリード３のボンド点近傍を
支持してセットされるので、インナーリード３の座り及
び押さえが安定できる。特に、本実施例のようにシング
ルポイントボンディングで超音波ホーン１６を併用する
ような場合には、超音波ホーン１６の超音波ロスを防ぐ
ことができ、安定して均一なボンディング性が得られ
る。また、インナーリードステージ１２でインナーリー
ド３を直接加熱させるようにしているので、チップステ
ージ１１と圧着ツール１５の加熱では、温度分布が十分
に得られないこともあるが、このように直接インナーリ
ード３も加熱することにより、安定して均一なボンディ
ング性が得られ、半導体装置の信頼性を向上させること
ができる。
【００２０】なお、上記実施例では、シングルポイント
ボンディング方式について説明したが、ギャングボンデ
ィング方式のものについても同様にして適用することが
できるものである。
ボンディング方式について説明したが、ギャングボンデ
ィング方式のものについても同様にして適用することが
できるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
インナーリードステージ上にインナーリードが配置され
てインナーリードのボンド点近傍が支持されることによ
り、インナーリードの座り及び押さえが安定できる。ま
た、インナーリードステージでインナーリードを加熱さ
せることで安定した接合条件を得ることができ、半導体
チップとインナーリードとの接合が安定する。同時に、
インナーリードと半導体チップ内の温度差を少なくして
半導体チップの変形を抑えることができる。これによ
り、半導体装置の信頼性を向上させることができる等の
効果が期待できる。
インナーリードステージ上にインナーリードが配置され
てインナーリードのボンド点近傍が支持されることによ
り、インナーリードの座り及び押さえが安定できる。ま
た、インナーリードステージでインナーリードを加熱さ
せることで安定した接合条件を得ることができ、半導体
チップとインナーリードとの接合が安定する。同時に、
インナーリードと半導体チップ内の温度差を少なくして
半導体チップの変形を抑えることができる。これによ
り、半導体装置の信頼性を向上させることができる等の
効果が期待できる。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の要部構造を示す
概略構造縦断側面図である。
概略構造縦断側面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って見た平面図である。
【図３】従来装置の一例を示す概略構造縦断側面図であ
る。
る。
【図４】従来装置の他の例を示す概略構造縦断側面図で
ある。
ある。
１ 半導体チップ ２ 電極（リード） ３ インナーリード １１ チップステージ １２ インナーリードステージ １３ チップステージ用ヒータ １５ 圧着ツール １６ 超音波ホーン
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップとインナーリードを接合す
る半導体製造装置において、 前記半導体チップが配置されるチップステージの外側
に、前記インナーリードを下側から支えて加熱可能なイ
ンナーリードステージを設けたことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】 前記インナーリードステージは、前記チ
ップステージの一部で形成してなる請求項１に記載の半
導体製造装置。 - 【請求項３】 加熱されたチップステージの上に配置さ
れた半導体チップのリードにインナーリードを対応させ
て配置するとともに、前記チップステージとは別に加熱
された圧着ツールを前記インナーリードを介して前記半
導体チップのリードに押し付け、前記半導体チップのリ
ードと前記インナーリードとの間を接合する半導体接合
装置において、 前記半導体チップが配置されるチップステージの外側
に、前記インナーリードを下側から支える加熱可能なイ
ンナーリードステージを設け、 前記インナーリードステージ上に配置された前記インナ
ーリードを前記インナーリードステージにより直接加熱
できるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記インナーリードステージは、前記チ
ップステージの一部を上方に向かって一体的に延ばして
設けた請求項３に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記圧着ツールとしてシングルボンディ
ング方式用のツールを用いた請求項３に記載の半導体製
造装置。 - 【請求項６】 半導体チップとインナーリードを接合す
る半導体製造方法において、 前記半導体チップが配置されるチップステージの外側
に、前記インナーリードを下側から支える加熱可能なイ
ンナーリードステージを設け、 前記インナーリードを前記インナーリードステージによ
り加熱・支持しながら前記半導体チップのリードと前記
インナーリードとの間を接合することを特徴とする半導
体製造方法。 - 【請求項７】 加熱されたチップステージの上に配置さ
れた半導体チップのリードにインナーリードを対応させ
て配置するとともに、前記チップステージとは別に加熱
された圧着ツールを前記インナーリードを介して前記半
導体チップのリードに押し付け、前記半導体チップのリ
ードと前記インナーリードとの間を接合する半導体接合
方法において、 前記半導体チップが配置されるチップステージの外側
に、前記インナーリードを下側から支える加熱可能なイ
ンナーリードステージを設けて、 前記インナーリードを前記インナーリードステージによ
り直接加熱・支持しながら前記半導体チップのリードと
前記インナーリードとの間を接合することを特徴とする
半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165225A JPH0917826A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7165225A JPH0917826A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917826A true JPH0917826A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15808242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7165225A Pending JPH0917826A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016420A1 (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-27 | Sliontec Corporation | Thermal-reaction type flame-retardant pressure-sensitive adhesive tape and process for producing the same |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7165225A patent/JPH0917826A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016420A1 (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-27 | Sliontec Corporation | Thermal-reaction type flame-retardant pressure-sensitive adhesive tape and process for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08255862A (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| JP2001308220A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH0645409A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びその装置 | |
| JPH0917826A (ja) | 半導体製造装置及び方法 | |
| EP1033810A2 (en) | A method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus | |
| JPH01244630A (ja) | 半導体ペレットのボンディング方法 | |
| JP3428488B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH0236556A (ja) | ピングリッドアレイおよび半導体素子塔載方法 | |
| JPH0296342A (ja) | ワイヤボンド装置 | |
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JP2003007773A (ja) | ボンディングツールおよびボンディング方法 | |
| JP3338352B2 (ja) | ダイボンダーおよびワイヤーボンダーならびにそれらを用いる半導体装置の製造方法 | |
| JP2002016168A (ja) | 実装用基板およびそれを用いた半導体モジュール | |
| JPS6386530A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3548671B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08181165A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR970002101Y1 (ko) | 와이어 본딩 장비의 예열 장치 | |
| JP2891243B2 (ja) | フェイスダウンボンディング装置 | |
| CN117038624A (zh) | 引线上固定芯片的封装结构及方法 | |
| TW201232743A (en) | Method for connecting substrate and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPS6386442A (ja) | Ｔａｂ用ｉｃチツプ | |
| JPH01147847A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10178147A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2004303952A (ja) | 接合方法および接合装置 | |
| JPH01241836A (ja) | Ｉｃ部品のリード接続方法 |