JPH09179301A - ポジ型感放射線性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は遠紫外領域の光を用いたハーフミクロ
ンリソグラフィーに対応できる高解像力を有し、しかも
露光と露光後ベークとの間の引置き時間に対する安定性
が良好な化学増幅型ポジ型フォトレジストを提供するこ
とにある。 【解決手段】 構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａ、構造単位
（ＩＩ）を含む樹脂Ｂおよび光または電子線などの放射
線により酸を発生する化合物Ｃを主成分として含有する
ことよりなるポジ型感放射線性組成物。 【化１】 （上記式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁷、Ｒ⁸、及びＲ⁹は水素
原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、Ｒ⁴及び
Ｒ⁵は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を表わ
し、Ｒ⁶及びＲ¹⁰は炭素数１〜１０のアルキル基を表わ
す。また、Ｒ⁴とＲ⁵或いはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合し
て、炭素数３〜１０の環を形成していてもよい。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は一般に輻射線に感応
するポジ型感放射線性組成物に関するものであり、詳し
くは本発明は、特定の構造単位を含む２種類の樹脂およ
び光または電子線などの放射線により酸を発生する化合
物Ｃを主成分として含有する解像力及び安定性に優れた
感放射線性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積度化は、一般に
言われるように３年間に４倍のスピードで進行し、例え
ばダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー（ＤＲ
ＡＭ）を例にとれば、現在では、４Ｍビットの記憶容量
を持つものの本格生産が開始されている。それにともな
って集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラフィー技
術に対する要求も次第にきびしくなってきており、例え
ば、４ＭビットＤＲＡＭの生産には、０．８μmレベル
のリソグラフィー技術が必要とされ、更に高集積度化の
進んだ１６ＭＤＲＡＭにおいては、０．５μmレベル、
６４ＭＤＲＡＭでは０．３５μmレベルのリソグラフィ
ー技術が必要とされるものと予想されている。これにと
もない、レジストの露光に用いられる波長も、水銀灯の
ｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、さらにＫ
ｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）へと短波長化が進
んでいる。ところが従来のナフトキノンジアジドを感光
剤とするポジ型フォトレジストでは、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光などの遠紫外領域の光に対しては透過率が非常に
低く、低感度かつ低解像力となってしまう。

【０００３】このような問題を解決するために新しいポ
ジ型レジストとして、光酸発生剤と酸触媒反応によりア
ルカリ現像液に対する溶解性が増大するような化合物と
からなる化学増幅型ポジ型フォトレジストが種々提案さ
れている。しかして、このような化学増幅型ポジ型フォ
トレジストにおいて、高解像力を得るためには、酸触媒
反応によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するよ
うな化合物の構造の選定が非常に重要である。また、化
学増幅型ポジ型フォトレジストにおける特有の問題とし
て、露光と露光後ベーク（ポスト・エクスポージャー・
ベーク）との間の引置き時間に対する安定性の問題があ
る。すなわち、露光とポスト・エクスポージャー・ベー
クとの間に時間が空くと露光部分のレジスト膜表面がア
ルカリ現像液に不溶となり、レジストの解像力が低下す
るという現象がしばしば起こるのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決した遠紫外領域の光を用いたハ
ーフミクロンリソグラフィーに対応できる高解像力を有
し、しかも露光と露光後ベークとの間の引置き時間に対
する安定性が良好な化学増幅型ポジ型フォトレジストを
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】化学増幅型ポジ型フォト
レジストにおいて、その解像力を高くするためには、露
光により発生した酸が有効に作用し、露光量に対するレ
ジスト膜のアルカリ溶解性変化を大きくすることが必要
である。また、露光後の露光部分のレジスト膜表面がア
ルカリ現像液に不溶となる現象の原因一つは、化学増幅
型ポジ型レジストでは一般に、露光によって発生した微
量の酸の触媒作用により、レジスト膜にアルカリ不溶性
を与えている保護基が切断され、アルカリ可溶性となる
機構によって画像形成が行われ、しかもこの脱保護基反
応が主として、露光後ベークの段階で進行することにあ
る。すなわち、露光後、脱保護基反応が進行する前に、
露光によって発生した微量の酸が大気中の塩基性不純物
によって失活し、レジスト膜表面の酸濃度が不足するた
めに、アルカリ不溶となり、レジストの解像力が低下す
るのである。

【０００６】この問題を解決するために、露光によって
発生した微量の酸が大気中の塩基性不純物によって失活
する前に、脱保護基反応を充分進行させるような保護基
の種類とその脱離反応性につき着目し、脱離しやすい保
護基の選択について鋭意検討した結果、特定の構造単位
を含む樹脂を２種類用いることにより、従来使用されて
いるものと比較して、解像力の高いしかも露光と露光後
ベークとの間の引置き時間に対する安定性が良好な化学
増幅型ポジ型フォトレジスト組成物が得られることを見
いだし本発明に至った。

【０００７】すなわち本発明の要旨は、構造単位（Ｉ）
を含む樹脂Ａ、構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂおよび光
または電子線などの放射線により酸を発生する化合物Ｃ
を主成分として含有することを特徴とするポジ型感放射
線性組成物に存する。

【０００８】

【化１】

【０００９】（上記式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁷、Ｒ⁸、
及びＲ⁹は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表
わし、Ｒ⁴及びＲ⁵は水素原子又は炭素数１〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ⁶及びＲ¹⁰は炭素数１〜１０のアル
キル基を表わす。また、Ｒ⁴とＲ⁵あるいはＲ⁴とＲ⁶とが
互いに結合して、炭素数３〜１０の環を形成していても
よい。）

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においては、樹脂Ａとしては構造単位（Ｉ）を含
む樹脂であり現像時に露光部がアルカリ可溶性となり、
アルカリ現像液に溶出し、均一なレジスト膜形成能のあ
るものであれば何でも用いることができるが、例えばヒ
ドロキシスチレン単独での重合またはヒドロキシスチレ
ンと各種のビニルモノマーとを共重合して得られる樹脂
のヒドロキシスチレン由来の水酸基の一部分をアセター
ル化またはケタール化したものを用いることができる。
ヒドロキシスチレンと共重合するビニルモノマーとして
は、アクリル酸、ビニルアルコールまたは、これらの誘
導体などが用いられる。樹脂Ａとして特に好ましくはポ
リビニルフェノールの水酸基の一部を前記式（ＩＩＩ）
で保護した樹脂が用いられる。

【００１１】ポリビニルフェノールの場合、具体的に
は、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレ
ン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）プロピレン、２−（ｍ−ヒドロキシフェニル）
プロピレン、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロピレ
ンなどのヒドロキシスチレン類の単独または２種以上を
ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤またはカチオ
ン重合開始剤の存在下で重合した樹脂が用いられる。ま
た、重合後樹脂の吸光度を下げるために水素添加を行な
ったものを用いてもよい。ポリビニルフェノールの重量
平均分子量はポリスチレン換算値（ゲル・パーミエーシ
ョン・クロマトグラフィ測定）で、１，０００〜１０
０，０００、好ましくは７，０００以上６０，０００以
下、さらに好ましくは９，０００以上６０，０００以下
のものが用いられる。ポリビニルフェノールの分子量
が、この範囲よりも小さいとレジストとしての十分な塗
膜が得られず、耐熱性も悪くなり、この範囲よりも大き
いと露光部分のアルカリ現像液に対する溶解性が小さく
なり、レジストのパターンが得られない。

【００１２】構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａが、ポリビニ
ルフェノールの水酸基の一部を式（ＩＩＩ）で保護した
樹脂である場合、プロトンＮＭＲスペクトルで芳香族水
素に由来するδ値６．０から７．２までのピーク面積
と、アセタール基の水素に由来するδ値５．０から５．
６までのピーク面積との比が８：１以上４０：１以下で
あることが好ましい。構造単位（Ｉ）において、Ｒ⁴及
びＲ⁵は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基であ
り、Ｒ⁶は炭素数１〜１０のアルキル基であれば、Ｒ⁴と
Ｒ⁵あるいはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合して、炭素数３〜
１０の環を形成していてもよいが、好ましくはＲ⁴が炭
素数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ⁵が水素原子であ
り、Ｒ⁶は炭素数１〜１０のアルキル基である。

【００１３】樹脂Ｂとしては構造単位（ＩＩ）を含む樹
脂であり、樹脂Ａと同様現像時に露光部がアルカリ可溶
性となり、アルカリ現像液に溶出し、均一なレジスト膜
形成能のあるものであれば何でも用いることができる
が、例えばヒドロキシスチレン単独での重合またはヒド
ロキシスチレンと各種のビニルモノマーとを共重合して
得られる樹脂のヒドロキシスチレン由来の水酸基の一部
分を炭酸エステル化したものを用いることができる。ヒ
ドロキシスチレンと共重合するビニルモノマーとして
は、アクリル酸、ビニルアルコールまたは、これらの誘
導体などが用いられる。樹脂Ｂとして特に好ましくはポ
リビニルフェノールの水酸基の一部を前記式（ＩＶ）で
保護した樹脂が用いられる。また、その保護基の導入率
は熱分解による重量減少率で推定することが可能である
が、通常これらカーボネート基はポリマー主鎖の分解温
度よりも低い５０℃〜２５０℃程度で分解し脱離する。
本発明のポジ型感放射線性組成物においては、このカー
ボネート基の５０℃〜２５０℃での分解による重量減少
率が１０％以上４０％以下が好ましく、さらに好ましく
は１５％以上３０％以下である。重量減少率がこの範囲
よりも小さいと、露光前後のアルカリ現像液に対する溶
解速度差が小さくなり、レジストの解像力が低下する。
また重量減少率がこの範囲よりも大きいと露光後のカー
ボネート基の脱離に多くの酸が必要となり、露光後の引
置き時の酸の失活による影響を受けやすくなる。

【００１４】ポリビニルフェノールの場合、具体的に
は、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレ
ン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−（ｏ−ヒドロキシフ
ェニル）プロピレン、２−（ｍ−ヒドロキシフェニル）
プロピレン、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロピレ
ンなどのヒドロキシスチレン類の単独または２種以上を
ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤またはカチオ
ン重合開始剤の存在下で重合した樹脂が用いられる。ま
た、重合後樹脂の吸光度を下げるために水素添加を行な
ったものを用いてもよい。ポリビニルフェノールの重量
平均分子量はポリスチレン換算値（ゲル・パーミエーシ
ョン・クロマトグラフィ測定）で、１，０００〜１０
０，０００、好ましくは１，０００以上６０，０００以
下のものが用いられる。ポリビニルフェノールの分子量
が、この範囲よりも小さいとレジストとしての十分な塗
膜が得られず、耐熱性も悪くなり、この範囲よりも大き
いと露光部分のアルカリ現像液に対する溶解性が小さく
なり、レジストのパターンが得られない。

【００１５】光または電子線などの放射線により酸を発
生する化合物（光酸発生剤）Ｃとしては、露光に用いら
れる光または電子線によって酸を発生するものであれ
ば、何でも用いることができるが、具体的には、たとえ
ば、トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ト
リス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、トリス
（ジブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス
（トリブロモメチル）−６−ｐ−メトキシフェニル−ｓ
−トリアジンなどのハロゲン含有ｓ−トリアジン誘導
体、１，２，３，４−テトラブロモブタン、１，１，
２，２−テトラブロモエタン、四臭化炭素、ヨードホル
ムなどのハロゲン置換パラフィン系炭化水素、ヘキサブ
ロモシクロヘキサン、ヘキサクロロシクロヘキサン、ヘ
キサブロモシクロドデカンなどのハロゲン置換シクロパ
ラフィン系炭化水素、ビス（トリクロロメチル）ベンゼ
ン、ビス（トリブロモメチル）ベンゼンなどのハロゲン
含有ベンゼン誘導体、トリブロモメチルフェニルスルホ
ン、トリクロロメチルフェニルスルホン、２，３−ジブ
ロモスルホランなどのハロゲン含有スルホン化合物、ト
リス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレートな
どのハロゲン含有イソシアヌレート誘導体、トリフェニ
ルスルホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウム
メタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
テトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスホネートなどのスルホニウム塩、ジ
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、
ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、
ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネートな
どのヨードニウム塩が挙げられる。

【００１６】更に、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ
−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸
ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸フェニル、１，２，３
−トリ（ｐ−トルエンスルホニル）ベンゼン、ｐ−トル
エンスルホン酸ベンゾインエステル、メタンスルホン酸
メチル、メタンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸ブ
チル、１，２，３−トリ（メタンスルホニル）ベンゼ
ン、メタンスルホン酸フェニル、メタンスルホン酸ベン
ゾインエステル、トリフルオロメタンスルホン酸メチ
ル、トリフルオロメタンスルホン酸エチル、トリフルオ
ロメタンスルホン酸ブチル、１，２，３−トリ（トリフ
ルオロメタンスルホニル）ベンゼン、トリフルオロメタ
ンスルホン酸フェニル、トリフルオロメタンスルホン酸
ベンゾインエステルなどのスルホン酸エステル類、ジフ
ェニルジスルホンなどのジスルホン類、ジ（フェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、ジ（シクロヘキシルスルホニ
ル）ジアゾメタンなどのスルホンジアジド類、ｏ−ニト
ロベンジル−ｐ−トルエンスルホネートなどのｏ−ニト
ロベンジルエステル類、Ｎ，Ｎ’−ジ（フェニルスルホ
ニル）ヒドラジドなどのスルホンヒドラジド類なども挙
げられる。

【００１７】これら酸発生剤のうちで特に好ましくは、
発生する酸がスルホン酸、スルフェン酸、スルフィン酸
のいずれかである化合物である。具体的には、トリフェ
ニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムｐ−トルエンスルホネートなどのオニウ
ムのスルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸フェニル、
１，２，３−トリ（ｐ−トルエンスルホニル）ベンゼン
などのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンな
どのジスルホン類、ジ（フェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ジ（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンな
どのスルホンジアジド類、ｏ−ニトロベンジル−ｐ−ト
ルエンスルホネートなどのｏ−ニトロベンジルエステル
類などが好適に用いられる。

【００１８】本発明のポジ型感放射線性組成物において
は、構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａ１００重量部に対し、
構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂを１〜１００重量部、好
ましくは１〜６０重量部、光または電子線などの放射線
により酸を発生する化合物Ｃを０．０１〜１０重量部、
好ましくは０．１〜５重量部の割合で用いられる。構造
単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂの量が、この範囲よりも少な
いと、露光部と未露光部との間で十分な溶解速度変化が
得られず良好なレジストパターンが得られない。また、
構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂの量が、この範囲よりも
多いと露光後ベークまでの引置き安定性が悪くなり、露
光と露光後ベークの時間間隔が長くなったときに十分な
解像力が得られなくなる。

【００１９】光または電子線などの放射線により酸を発
生する化合物Ｃの量が、この範囲よりも少ないと感度が
非常に低くなり、実用にならない。光または電子線など
の放射線により酸を発生する化合物Ｃの量がこの範囲よ
りも多いと、光酸発生剤によるレジスト膜の透明性の低
下により、レジストパターンが台形になり解像力の低下
を引き起こす。

【００２０】本発明のポジ型感放射線性組成物は、通
常、これらの樹脂Ａ、樹脂Ｂ及び光酸発生剤Ｃを適当な
溶媒に溶解して調製する。使用する溶媒としては、該光
酸発生剤および該樹脂に対して、十分な溶解度を持ち良
好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限はないが、２
−ヘキサノン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロ
ソルブ系溶媒、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチ
ル、エチル−２−ヒドロキシブチレート、エチルアセト
アセテート、酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、酪
酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、３−メトキシプロ
ピオン酸メチルなどのエステル系溶媒、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテ
ート、ジプロピレングリコールジメチルエーテルなどの
プロピレングリコール系溶媒、シクロヘキサノン、メチ
ルアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン系溶媒、
あるいはこれらの混合溶媒、あるいはさらに芳香族炭化
水素を添加したものなどが挙げられる。溶媒の使用割合
は、感光剤組成物中の固形分の総量に対して重量比とし
て１〜２０倍の範囲であることが好ましい。

【００２１】本発明のポジ型感放射線性組成物を用いて
半導体基板上にレジストパターンを形成する場合には、
通常、上記のような溶媒に溶解した本発明のポジ型感光
性組成物を半導体基板上に塗布し、プリベーク、露光に
よるパターンの転写、露光後ベーク、現像の各工程を経
てフォトレジストとして使用することができる。半導体
基板は、通常半導体製造用基板として使用されているも
のであり、シリコン基板、ガリウムヒ素基板などであ
る。塗布には通常スピンコーターが使用され、露光に
は、高圧水銀灯の４３６ｎｍ、３６５ｎｍの光、低圧水
銀灯の２５４ｎｍ、エキシマレーザーなどを光源とする
１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２２２ｎｍ、２４８ｎｍの光
または電子線などが好適に用いられる。露光の際の光
は、単色光でなくブロードであってもよい。また、位相
シフト法による露光も適用可能である。

【００２２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、
アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ
−プロピルアミンなどの第１級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第２級アミン類、ト
リエチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジエチルメチルアミンなどの
第３級アミン類、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイ
ドロオキシドなどの第４級アンモニウム塩、もしくはこ
れにアルコール、界面活性剤などを添加したものを使用
することができる。本発明のポジ型フォトレジスト組成
物は超ＬＳＩの製造のみならず一般のＩＣ製造用、マス
ク製造用、画像形成用、液晶画面製造用、カラーフィル
ター製造用あるいはオフセット印刷用としても有用であ
る。

【００２３】

【実施例】次に実施例及び合成例を挙げて本発明を更に
詳しく説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以
下の実施例により何等制約を受けるものではない。 合成例１（１−メチル−１−メトキシエチル化ポリビニ
ルフェノールの合成） 窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四つ口フ
ラスコにポリビニルフェノール（重量平均分子量４１４
００）３０ｇと酢酸エチル３００ｍｌとを加え、均一に
溶解させたあと、２−メトキシプロペン１４．４ｇを加
え、ウオーターバスで４０℃に加熱した。これに、３６
％塩酸０．３ｇを加え、４時間攪拌を続けた。反応後、
この反応溶液を４００ｍｌの１％炭酸水素ナトリウム水
溶液で抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、ロータリエバポレーターで約１００ｍｌに濃
縮した。この濃縮液を１リットルのｎ−ヘキサンに投入し
て、ポリマーを回収した。析出したポリマーを真空乾燥
して、３３．２ｇの１−メチル−１−メトキシエチル化
ポリビニルフェノールを得た。

【００２４】合成例２（１−エトキシエチル化ポリビニ
ルフェノールの合成） 窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四つ口フ
ラスコにポリビニルフェノール（重量平均分子量４１４
００）３０ｇと酢酸エチル３００ｍｌとを加え、均一に
溶解させたあと、エチルビニルエーテル１４．４ｇを加
え、ウオーターバスで４０℃に加熱した。これに、３６
％塩酸０．３ｇを加え、４時間攪拌を続けた。反応後、
この反応溶液を４００ｍｌの１％炭酸水素ナトリウム水
溶液で抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、ロータリエバポレーターで約１００ｍｌに濃
縮した。この濃縮液を１リットルのｎ−ヘキサンに投入し
て、ポリマーを回収した。析出したポリマーを真空乾燥
して、３６．１ｇの１−エトキシエチル化ポリビニルフ
ェノールを得た。得られたポリマーを重水素化アセトン
に溶解し、プロトンＮＭＲスペクトルを測定したとこ
ろ、δ値６．２〜７．０の芳香族水素のシグナルとδ値
５．２〜５．５のアセタールメチン水素のシグナルとの
面積比は、１４．８５：１であった。

【００２５】合成例３（テトラヒドロピラニル化ポリビ
ニルフェノールの合成） 窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四つ口フ
ラスコにポリビニルフェノール（重量平均分子量４１４
００）３０ｇと酢酸エチル３００ｍｌとを加え、均一に
溶解させたあと、ジヒドロピラン２１．０ｇを加え、ウ
オーターバスで４０℃に加熱した。これに、３６％塩酸
０．３ｇを加え、４時間攪拌を続けた。反応後、この反
応溶液を４００ｍｌの１％炭酸水素ナトリウム水溶液で
抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、ロータリエバポレーターで約１００ｍｌに濃縮し
た。この濃縮液を１リットルのｎ−ヘキサンに投入して、ポ
リマーを回収した。析出したポリマーを真空乾燥して、
３４．３ｇのテトラヒドロピラニル化ポリビニルフェノ
ールを得た。得られたポリマーを重水素化アセトンに溶
解し、プロトンＮＭＲスペクトルを測定したところ、δ
値６．２〜７．０の芳香族水素のシグナルとδ値５．２
〜５．５のアセタールメチン水素のシグナルとの面積比
は、１０．８１：１であった。

【００２６】合成例４（tert−ブトキシカルボニルオキ
シ化ポリビニルフェノールの合成） 窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四つ口フ
ラスコにポリビニルフェノール（重量平均分子量１２１
００）３６．０５ｇとアセトン１５０ｍｌとを加え、均
一に溶解させたあと、触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルアミ
ノピリジン０．０１ｇを加えて、ウオーターバスで４０
℃に加熱した。これに、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カ
ーボネート１７．６８ｇをゆっくり加え、４時間攪拌を
続けた。反応後、この反応溶液を１．５リットルのイオン交
換水に投入して、ポリマーを回収した。このポリマーを
アセトン１００ｍｌに溶解させ、１．５リットルのイオン交
換水に再沈させて、ポリマーを回収した。このポリマー
をアセトン１００ｍｌに再び溶解させ、１．５リットルのイ
オン交換水に再沈させてポリマーを回収したあと、真空
乾燥して、４４．２８ｇのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ化ポリビニルフェノールを得た。得られたポリ
マーをＴＧ／ＤＴＡにより、重量減少率を求めたところ
９９．７℃から２１５．１℃の間で１９．２％の重量減
少が認められた。（ＴＧ／ＤＴＡ測定条件：温度範囲３
０〜２８０℃、昇温速度１０℃／分、窒素流量１００ｍ
ｌ／分）

【００２７】実施例１ 合成例１で合成した樹脂０．３５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．１５ｇ、光酸発生剤として、ジ（シクロヘキ
シルスルホニル）ジアゾメタン０．０１７５ｇ、および
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。この感光液
をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレート上
で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５μｍのレ
ジスト膜とした。このシリコン基板上のレジスト膜をニ
コン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ
＝０．４２）を用い、３１．５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９０秒
間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で１分
間現像した。この現像後に得られたレジストパターンを
走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価し
た。その結果、０．２６μmのライン アンドスペース
が良好な形状で解像していた。

【００２８】実施例２ 合成例２で合成した樹脂０．３５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．１５ｇ、光酸発生剤として、トリフェニルス
ルホニウム ｐ−トルエンスルホネート０．０１７５
ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。こ
の感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプ
レート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５
μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジス
ト膜をニコン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装
置（ＮＡ＝０．４２）を用い、２４．５ｍＪ／ｃｍ²の
エネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０
℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水
溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジスト
パターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力
を評価した。その結果、０．２６μmのラインアンド
スペースが良好な形状で解像していた。

【００２９】実施例３ 合成例２で合成した樹脂０．４０ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．１０ｇ、光酸発生剤として、トリフェニルス
ルホニウム ｐ−トルエンスルホネート０．０１７５
ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。こ
の感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプ
レート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５
μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジス
ト膜をニコン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装
置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１７．５ｍＪ／ｃｍ²の
エネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０
℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水
溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジスト
パターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力
を評価した。その結果、０．２６μmのラインアンド
スペースが良好な形状で解像していた。

【００３０】実施例４ 合成例２で合成した樹脂０．４５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．０５ｇ、光酸発生剤として、トリフェニルス
ルホニウム ｐ−トルエンスルホネート０．０１７５
ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。こ
の感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプ
レート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５
μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジス
ト膜をニコン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装
置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１３．５ｍＪ／ｃｍ²の
エネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０
℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水
溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジスト
パターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力
を評価した。その結果、０．２６μmのラインアンド
スペースが良好な形状で解像していた。

【００３１】実施例５ 合成例２で合成した樹脂０．３５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．１５ｇ、光酸発生剤として、ジ（シクロヘキ
シルスルホニル）ジアゾメタン０．００３５ｇ、および
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。この感光液
をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレート上
で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５μｍのレ
ジスト膜とした。このシリコン基板上のレジスト膜をニ
コン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ
＝０．４２）を用い、２７．５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９０秒
間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で１分
間現像した。この現像後に得られたレジストパターンを
走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価し
た。その結果、０．２８μmのライン アンドスペース
が良好な形状で解像していた。

【００３２】実施例６ 合成例２で合成した樹脂０．３５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．１５ｇ、光酸発生剤として、ジ（シクロヘキ
シルスルホニル）ジアゾメタン０．０１７５ｇ、および
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。この感光液
をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレート上
で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５μｍのレ
ジスト膜とした。このシリコン基板上のレジスト膜をニ
コン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ
＝０．４２）を用い、１３．０ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９０秒
間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で１分
間現像した。この現像後に得られたレジストパターンを
走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価し
た。その結果、０．３０μmのライン アンドスペース
が良好な形状で解像していた。

【００３３】実施例７ 合成例２で合成した樹脂０．４５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．０５ｇ、光酸発生剤として、ジ（シクロヘキ
シルスルホニル）ジアゾメタン０．００３５ｇ、および
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。この感光液
をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレート上
で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５μｍのレ
ジスト膜とした。このシリコン基板上のレジスト膜をニ
コン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ
＝０．４２）を用い、１７．５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９０秒
間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で１分
間現像した。この現像後に得られたレジストパターンを
走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価し
た。その結果、０．２８μmのライン アンドスペース
が良好な形状で解像していた。

【００３４】実施例８ 合成例２で合成した樹脂０．４５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．０５ｇ、光酸発生剤として、ジ（シクロヘキ
シルスルホニル）ジアゾメタン０．０１７５ｇ、および
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。この感光液
をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレート上
で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５μｍのレ
ジスト膜とした。このシリコン基板上のレジスト膜をニ
コン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ
＝０．４２）を用い、１７．５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギ
ー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９０秒
間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で１分
間現像した。この現像後に得られたレジストパターンを
走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価し
た。その結果、０．３０μmのライン アンドスペース
が良好な形状で解像していた。

【００３５】実施例９ 合成例３で合成した樹脂０．４５ｇ、合成例４で合成し
た樹脂０．０５ｇ、光酸発生剤として、トリフェニルス
ルホニウム ｐ−トルエンスルホネート０．０１７５
ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート２．７ｇを混合し、レジスト感光液とした。こ
の感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプ
レート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５
μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジス
ト膜をニコン社製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装
置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１３．５ｍＪ／ｃｍ²の
エネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０
℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水
溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジスト
パターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力
を評価した。その結果、０．２６μmのラインアンド
スペースが良好な形状で解像していた。

【００３６】実施例１０ 実施例４で使用したレジスト感光液をシリコン基板上に
スピンコートし、ホットプレート上で１２０℃、９０秒
間ベークし、膜厚０．７５μｍのレジスト膜とした。こ
のシリコン基板上のレジスト膜をニコン社製ＫｒＦエキ
シマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用
い、３４．５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量で露光した
後、１０ｐｐｂのアンモニアを含む空気中で１時間放置
した。その後、ホットプレート上で８０℃、９０秒間ベ
ークし、このレジスト膜をテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド２．３８重量％水溶液で１分間現像した。こ
の現像後に得られたレジストパターンを走査電子顕微鏡
で観察することにより解像力を評価した。その結果、実
施例４と同じ形状のレジストパターンが得られた。

【００３７】比較例１ 合成例１で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
ジ（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．０１
７５ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート５．９ｇを混合し、レジスト感光液とした。
この感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホット
プレート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７
５μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジ
スト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装
置（ＮＡ＝０．４２）を用い、２８ｍＪ／ｃｍ²のエネ
ルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、９
０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液で
１分間現像した。この現像後に得られたレジストパター
ンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評価
した。その結果、０．５０μmのライン アンド スペ
ースまでしか良好な形状で解像せず、これより小さいパ
ターンは残膜率が著しく低くなっていた。

【００３８】比較例２ 合成例２で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
トリフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート
０．００７ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート５．９ｇを混合し、レジスト感光液と
した。この感光液をシリコン基板上にスピンコートし、
ホットプレート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚
０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上
のレジスト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影
露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１５ｍＪ／ｃｍ²
のエネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０
℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水
溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジスト
パターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力
を評価した。その結果、０．４０μmのライン アンド
スペースまでしか良好な形状で解像せず、これより小
さいパターンは残膜率が著しく低くなっていた。

【００３９】比較例３ 合成例１で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
ジ（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．００
７ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート５．９ｇを混合し、レジスト感光液とした。こ
の感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホットプ
レート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．７５
μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上のレジス
ト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影露光装置
（ＮＡ＝０．４２）を用い、１１．５ｍＪ／ｃｍ²のエ
ネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８０℃、
９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜をテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％水溶液
で１分間現像した。この現像後に得られたレジストパタ
ーンを走査電子顕微鏡で観察することにより解像力を評
価した。その結果、０．４０μmのライン アンド ス
ペースまでしか良好な形状で解像せず、これより小さい
パターンは残膜率が著しく低くなっていた。

【００４０】比較例４ 合成例３で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
トリフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート
０．００７ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート５．９ｇを混合し、レジスト感光液と
した。この感光液をシリコン基板上にスピンコートし、
ホットプレート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚
０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上
のレジスト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影
露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１０．５ｍＪ／ｃ
ｍ²のエネルギー量で露光した後、ホットプレート上で
８０℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜
をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量
％水溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジ
ストパターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解
像力を評価した。その結果、０．５５μmのライン ア
ンド スペースまでしか良好な形状で解像せず、これよ
り小さいパターンは残膜率が著しく低くなっていた。

【００４１】比較例５ 合成例４で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
トリフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート
０．０７ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート４．６ｇを混合し、レジスト感光液とし
た。この感光液をシリコン基板上にスピンコートし、ホ
ットプレート上で１２０℃、９０秒間ベークし、膜厚
０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリコン基板上
のレジスト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小投影
露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１００ｍＪ／ｃｍ
²のエネルギー量で露光した後、ホットプレート上で８
０℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜を
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量％
水溶液で１分間現像した。しかし現像後にレジストパタ
ーンは得られなかった。

【００４２】比較例６ 合成例４で合成した樹脂１．０ｇ、光酸発生剤として、
トリフェニルスルホニウム トリフロロメタンスルホネ
ート０．０７ｇおよびプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート４．６ｇを混合し、レジスト感光液
とした。この感光液をシリコン基板上にスピンコート
し、ホットプレート上で１２０℃、９０秒間ベークし、
膜厚０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリコン基
板上のレジスト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレーザ縮小
投影露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、２５ｍＪ／ｃ
ｍ²のエネルギー量で露光した後、ホットプレート上で
８０℃、９０秒間ベークした。この後、このレジスト膜
をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８重量
％水溶液で１分間現像した。この現像後に得られたレジ
ストパターンを走査電子顕微鏡で観察することにより解
像力を評価した。その結果、０．４０μmのライン ア
ンド スペースまで解像したが、パターン形状はレジス
ト上部がひさしの様に突き出た形状となり不良であっ
た。

【００４３】比較例７ 比較例４で使用したレジスト感光液をシリコン基板上に
スピンコートし、ホットプレート上で１２０℃、９０秒
間ベークし、膜厚０．７５μｍのレジスト膜とした。こ
のシリコン基板上のレジスト膜をニコン社製ＫｒＦエキ
シマレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用
い、８８ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量で露光した後、１
０ｐｐｂのアンモニアを含む空気中で１時間放置した。
その後、ホットプレート上で８０℃、９０秒間ベークし
このレジスト膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド２．３８重量％水溶液で１分間現像した。しかし現像
後にレジストパターンは得られなかった。

【００４４】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性組成物は、構
造単位を異にする２種類の樹脂を使用することにより、
高解像力を保持しながら、従来化学増幅型ポジ型フォト
レジストの欠点とされる露光と露光後のベークとの間の
引き置き時間に対する安定性も良好であるので、高集積
度ＬＳＩの製造はもちろんのことその他の画像形成用と
して極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 淳 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 田中 由紀 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａ、構造単位
   （ＩＩ）を含む樹脂Ｂおよび光または電子線などの放射
   線により酸を発生する化合物Ｃを主成分として含有する
   ことを特徴とするポジ型感放射線性組成物。 【化１】 （上記式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁷、Ｒ⁸、及びＲ⁹は水素
   原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、Ｒ⁴及び
   Ｒ⁵は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を表わ
   し、Ｒ⁶及びＲ¹⁰は炭素数１〜１０のアルキル基を表わ
   す。また、Ｒ⁴とＲ⁵あるいはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合し
   て、炭素数３〜１０の環を形成していてもよい。）
2. 【請求項２】 該構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａが、ポリ
   ビニルフェノールの水酸基の一部を式（ＩＩＩ）で表わ
   される保護基で保護されたものであることを特徴とする
   請求項１記載のポジ型感放射線性組成物。 【化２】 （式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は請求項１に記載の定義と同
   義である。）
3. 【請求項３】該構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂが、ポリ
   ビニルフェノールの水酸基の一部を式（ＩＶ）で表わさ
   れる保護基で保護されたものであることを特徴とする請
   求項１記載のポジ型感放射線性組成物。 【化３】 −ＣＯ−ＯＲ¹⁰ ・・・・（ＩＶ） （式中、Ｒ¹⁰は請求項１に記載の定義と同義である。）
4. 【請求項４】 該構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａにおい
   て、Ｒ⁴が炭素数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ⁵が水
   素原子であることを特徴とする請求項１記載のポジ型感
   放射線性組成物。
5. 【請求項５】 該構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａが、プロ
   トンＮＭＲスペクトルで芳香族水素に由来するδ値６．
   ０から７．２までのピーク面積と、アセタール基の水素
   に由来するδ値５．０から５．６までのピーク面積との
   比が８：１以上４０：１以下であることを特徴とする請
   求項４記載のポジ型感放射線性組成物。
6. 【請求項６】 該構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａ１００重
   量部に対し、該構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂを１〜６
   ０重量部、該光または電子線などの放射線により酸を発
   生する化合物Ｃを０．１〜５重量部含むことを特徴とす
   る請求項１記載のポジ型感放射線性組成物。
7. 【請求項７】 該構造単位（Ｉ）を含む樹脂Ａを与える
   ポリビニルフェノールのポリスチレン換算重量平均分子
   量が、７，０００以上６０，０００以下であることを特
   徴とする請求項２記載のポジ型感放射線性組成物。
8. 【請求項８】 該構造単位（ＩＩ）を含む樹脂Ｂを与え
   るポリビニルフェノールのポリスチレン換算重量平均分
   子量が、１，０００以上６０，０００以下であることを
   特徴とする請求項３記載のポジ型感放射線性組成物。