JPH09180120A - 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH09180120A JPH09180120A JP33719495A JP33719495A JPH09180120A JP H09180120 A JPH09180120 A JP H09180120A JP 33719495 A JP33719495 A JP 33719495A JP 33719495 A JP33719495 A JP 33719495A JP H09180120 A JPH09180120 A JP H09180120A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法に於い
て、コア半体対の夫々のバックギャップ部での金等の貴
金属膜の占有面積をコントロールして再生出力をアップ
させると共に接合強度を所定値以上に保つ。 【解決手段】 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法に
於いて、コア半体対２Ｌ及び２Ｒの夫々のバックギャッ
プ部１４にスパッタリングする金等の接合用貴金属１２
の面積Ｓをコントロールし巻線溝６近傍に貴金属膜１２
を付けない様にする。
て、コア半体対の夫々のバックギャップ部での金等の貴
金属膜の占有面積をコントロールして再生出力をアップ
させると共に接合強度を所定値以上に保つ。 【解決手段】 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法に
於いて、コア半体対２Ｌ及び２Ｒの夫々のバックギャッ
プ部１４にスパッタリングする金等の接合用貴金属１２
の面積Ｓをコントロールし巻線溝６近傍に貴金属膜１２
を付けない様にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はビデオテープレコー
ダ（ＶＴＲ）、或はデジタルデータレコーダ等の高密度
記録可能な磁気記録再生装置に用いて好適な磁気ヘッド
及び磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に金属接合によ
って磁気ヘッド半体対の接合時にバックギャップ部に形
成した金属によって、巻線に流す記録、再生電流によっ
て生ずる渦電流損失の影響を回避可能な磁気ヘッド及び
磁気ヘッドの製造方法に関する。
ダ（ＶＴＲ）、或はデジタルデータレコーダ等の高密度
記録可能な磁気記録再生装置に用いて好適な磁気ヘッド
及び磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に金属接合によ
って磁気ヘッド半体対の接合時にバックギャップ部に形
成した金属によって、巻線に流す記録、再生電流によっ
て生ずる渦電流損失の影響を回避可能な磁気ヘッド及び
磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置に
おいては、高画質化等を目的として情報信号の短波長記
録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁性
体粉末を用いた所謂メタルテープやベースフィルム上に
強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ等の高抗磁力
磁気記録媒体が使用されるようになってきている。
おいては、高画質化等を目的として情報信号の短波長記
録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁性
体粉末を用いた所謂メタルテープやベースフィルム上に
強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ等の高抗磁力
磁気記録媒体が使用されるようになってきている。
【０００３】一方、これに対処すべく磁気ヘッドの分野
においても研究が進められており高抗磁力磁気記録媒体
への記録再生を可能ならしめるため、コア材料に金属磁
性材料を用いるとともに狭トラック化及び挟ギャップ化
を図った磁気ヘッドが開発されている。
においても研究が進められており高抗磁力磁気記録媒体
への記録再生を可能ならしめるため、コア材料に金属磁
性材料を用いるとともに狭トラック化及び挟ギャップ化
を図った磁気ヘッドが開発されている。
【０００４】かかる磁気ヘッドとしては非磁性材料より
なる基板で高透磁率かつ高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜を挟み込んだ所謂積層型の磁気ヘッドが知られてい
る。
なる基板で高透磁率かつ高飽和磁束密度を有する金属磁
性膜を挟み込んだ所謂積層型の磁気ヘッドが知られてい
る。
【０００５】上述の積層型磁気ヘッドを図６Ａ及びＢで
説明する。図６Ａは平面図、図６Ｂは斜視図を示すもの
である。
説明する。図６Ａは平面図、図６Ｂは斜視図を示すもの
である。
【０００６】図６Ａ及び図６Ｂで例示する積層型磁気ヘ
ッド１では磁気コアは閉磁路を構成するＣ型の一対の磁
気コア半体２Ｌ及び２Ｒで構成され、これら磁気コア半
体２Ｌ及び２Ｒが突き合わされ接合一体化され、テープ
摺動面３に磁気ギャップｇを構成している。上記磁気コ
ア半体２Ｌ，２Ｒは非磁性のガード材７，８，９，１０
と金属磁性膜４，５とからなり上記金属磁性膜４，５は
上記ガード材７，８並びに９，１０によって挟み込まれ
ている。
ッド１では磁気コアは閉磁路を構成するＣ型の一対の磁
気コア半体２Ｌ及び２Ｒで構成され、これら磁気コア半
体２Ｌ及び２Ｒが突き合わされ接合一体化され、テープ
摺動面３に磁気ギャップｇを構成している。上記磁気コ
ア半体２Ｌ，２Ｒは非磁性のガード材７，８，９，１０
と金属磁性膜４，５とからなり上記金属磁性膜４，５は
上記ガード材７，８並びに９，１０によって挟み込まれ
ている。
【０００７】そして、磁気コア半体２Ｌ，２Ｒ同士の突
き合わせ面においては、金属磁性膜４，５の端部が突き
合わされることによって磁気ギャップｇが構成されてい
る。この磁気ギャップｇのトラック幅は、ガード材７，
８並びに９，１０が非磁性体である事から、金属磁性膜
４，５の膜厚によって規制される。
き合わせ面においては、金属磁性膜４，５の端部が突き
合わされることによって磁気ギャップｇが構成されてい
る。この磁気ギャップｇのトラック幅は、ガード材７，
８並びに９，１０が非磁性体である事から、金属磁性膜
４，５の膜厚によって規制される。
【０００８】また、上記磁気コア半体２Ｌ，２Ｒの突き
合わせ面には、磁気ギャップｇのデプスＤｐを規制する
とともにコイルを巻回させるための巻線溝６が形成され
巻線溝６内上部には補強ガラス１１が充填されている。
合わせ面には、磁気ギャップｇのデプスＤｐを規制する
とともにコイルを巻回させるための巻線溝６が形成され
巻線溝６内上部には補強ガラス１１が充填されている。
【０００９】積層型磁気ヘッド１においては、金属磁性
膜の膜厚部分が磁気ギャップｇと成りトラック幅をも規
制するものであるから、金属磁性膜４，５の膜厚を制御
することで簡単に狭トラック化が図れること、及び構造
的に疑似ギャップが発生しないこと、さらに金属磁性膜
４，５とＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の酸化物
や窒化物等の如き電気的絶縁膜４′，５′とを交互に積
層させることで渦電流損失を回避できることにより、高
周波帯域での高出力化を望めるなど、種々の利点を有す
る。
膜の膜厚部分が磁気ギャップｇと成りトラック幅をも規
制するものであるから、金属磁性膜４，５の膜厚を制御
することで簡単に狭トラック化が図れること、及び構造
的に疑似ギャップが発生しないこと、さらに金属磁性膜
４，５とＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の酸化物
や窒化物等の如き電気的絶縁膜４′，５′とを交互に積
層させることで渦電流損失を回避できることにより、高
周波帯域での高出力化を望めるなど、種々の利点を有す
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来構成の積層
型磁気ヘッド１では図７Ａ及びＢに示す図６ＡのＸ−
Ｘ′矢視図及びＹ−Ｙ′矢視図に示されている様に、磁
気コア半体対２Ｌ及び２Ｒを構成する金属磁性膜５
（４）と絶縁材５′（４′）より構成された積層膜を挟
んでガード材９及び１０（７及び８）で構成された巻線
溝６及びこの巻線溝６の後部のバック切断部１３から巻
線溝６の下端までのバックギャップ部１４並びに巻線溝
６の前部のフロントギャップ部１５のすべての面積に亘
ってクローム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）等の貴金属膜をス
パッタリングしたＣｒ／Ａｕ膜１２が形成されている。
このＣｒ／Ａｕ膜１２の厚みは磁気ギャップ部ｇの厚み
を決定するもので、この磁気ギャップ厚は１００ｎｍ程
度に選択される。従って一方のコア半体２Ｌ又は２Ｒで
はこの１００ｎｍの１／２の厚みにスパッタリングされ
る。
型磁気ヘッド１では図７Ａ及びＢに示す図６ＡのＸ−
Ｘ′矢視図及びＹ−Ｙ′矢視図に示されている様に、磁
気コア半体対２Ｌ及び２Ｒを構成する金属磁性膜５
（４）と絶縁材５′（４′）より構成された積層膜を挟
んでガード材９及び１０（７及び８）で構成された巻線
溝６及びこの巻線溝６の後部のバック切断部１３から巻
線溝６の下端までのバックギャップ部１４並びに巻線溝
６の前部のフロントギャップ部１５のすべての面積に亘
ってクローム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）等の貴金属膜をス
パッタリングしたＣｒ／Ａｕ膜１２が形成されている。
このＣｒ／Ａｕ膜１２の厚みは磁気ギャップ部ｇの厚み
を決定するもので、この磁気ギャップ厚は１００ｎｍ程
度に選択される。従って一方のコア半体２Ｌ又は２Ｒで
はこの１００ｎｍの１／２の厚みにスパッタリングされ
る。
【００１１】又、バックギャップ部１４の長さＢＧ及び
チップ厚さＰの寸法は磁気ヘッドの種類によって定まる
が通常、チップ厚Ｐは一定でＰ＝０．２５ｍｍ程度に選
択され、バックギャップ部１４の長さＢＧは０．８６乃
至１．２５ｍｍ程度の範囲に選択される。従ってバック
ギャップ部１４の面積Ｓ＝ＢＧ×Ｐ＝０．８６ｍｍ×
０．２５ｍｍ＝０．２１５ｍｍ2 乃至１．２５ｍｍ×
０．２５ｍｍ＝０．３１２５ｍｍ2 に選択されている。
チップ厚さＰの寸法は磁気ヘッドの種類によって定まる
が通常、チップ厚Ｐは一定でＰ＝０．２５ｍｍ程度に選
択され、バックギャップ部１４の長さＢＧは０．８６乃
至１．２５ｍｍ程度の範囲に選択される。従ってバック
ギャップ部１４の面積Ｓ＝ＢＧ×Ｐ＝０．８６ｍｍ×
０．２５ｍｍ＝０．２１５ｍｍ2 乃至１．２５ｍｍ×
０．２５ｍｍ＝０．３１２５ｍｍ2 に選択されている。
【００１２】この様にＣｒ／Ａｕ膜１２を巻線溝６及び
フロントギャップ部１５並びにバックギャップ部１４に
スパッタリングしたコア半体２Ｌ及び２Ｒ同士は貴金属
のＡｕを介してギャップ接合される。
フロントギャップ部１５並びにバックギャップ部１４に
スパッタリングしたコア半体２Ｌ及び２Ｒ同士は貴金属
のＡｕを介してギャップ接合される。
【００１３】この様に貴金属接合された磁気ヘッド１は
加工歪が少なく、チップ接合強度が大きいメリットを持
っているが、磁気ヘッドの高周波に於ける出力磁性が劣
化する問題を有していた。
加工歪が少なく、チップ接合強度が大きいメリットを持
っているが、磁気ヘッドの高周波に於ける出力磁性が劣
化する問題を有していた。
【００１４】即ち、図４の破線で示す曲線１７は上述の
バックギャップ部１４のＡｕ塗布面積がＳ＝ＢＧ×Ｐ＝
０．８６ｍｍ×０．２５ｍｍ＝０．２１５ｍｍ2 のチッ
プコアを組立磁気ヘッドと成して、周波数対再生出力特
性曲線を測定した結果を示している。又、Ｓ＝ＢＧ×Ｐ
＝１．２５ｍｍ×０．２５ｍｍ＝０．３１２５ｍｍ2で
もコイル励磁電流周波数が４０ＭＨＺの比較ではＳ＝
０．２１５ｍｍ2 と変わらず全帯域で同じ出力レベルと
なっている。
バックギャップ部１４のＡｕ塗布面積がＳ＝ＢＧ×Ｐ＝
０．８６ｍｍ×０．２５ｍｍ＝０．２１５ｍｍ2 のチッ
プコアを組立磁気ヘッドと成して、周波数対再生出力特
性曲線を測定した結果を示している。又、Ｓ＝ＢＧ×Ｐ
＝１．２５ｍｍ×０．２５ｍｍ＝０．３１２５ｍｍ2で
もコイル励磁電流周波数が４０ＭＨＺの比較ではＳ＝
０．２１５ｍｍ2 と変わらず全帯域で同じ出力レベルと
なっている。
【００１５】上述の周波数対再生出力特性曲線１７から
解る様に磁気ヘッドを１０ＭＨＺ以上の高周波帯域で使
用する場合、特に巻線溝６近傍のバックギャップ部１４
のＡｕによる高周波ロスの為に記録電流が増加し、再生
出力低下を惹起す問題があった。
解る様に磁気ヘッドを１０ＭＨＺ以上の高周波帯域で使
用する場合、特に巻線溝６近傍のバックギャップ部１４
のＡｕによる高周波ロスの為に記録電流が増加し、再生
出力低下を惹起す問題があった。
【００１６】本発明は、叙上の問題点を解消するために
成されたもので、その課題とするところはバックギャッ
プ部の巻線周辺で起きる漏洩磁束がＡｕ膜に交叉して生
ずる渦電流損失に基づく再生出力の低下、並びに記録時
の記録電流増加を抑えるために巻線溝近傍のバックギャ
ップ部のＡｕ膜を剥離又は所定部分にＡｕ膜を塗布しな
い様に成している。この様にＡｕ膜を剥離又は塗布しな
いことはコア半体の金属接合強度（ヘッド抗折強度）を
弱める結果になるが、本発明ではＡｕ膜の持つ利点であ
る接合強度を維持しつつ、バックアップ部のＡｕ接合面
積をコントロールすることで高周波損失の少ない磁気ヘ
ッドを得ようとするものである。
成されたもので、その課題とするところはバックギャッ
プ部の巻線周辺で起きる漏洩磁束がＡｕ膜に交叉して生
ずる渦電流損失に基づく再生出力の低下、並びに記録時
の記録電流増加を抑えるために巻線溝近傍のバックギャ
ップ部のＡｕ膜を剥離又は所定部分にＡｕ膜を塗布しな
い様に成している。この様にＡｕ膜を剥離又は塗布しな
いことはコア半体の金属接合強度（ヘッド抗折強度）を
弱める結果になるが、本発明ではＡｕ膜の持つ利点であ
る接合強度を維持しつつ、バックアップ部のＡｕ接合面
積をコントロールすることで高周波損失の少ない磁気ヘ
ッドを得ようとするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドはそ
の例が図１に示されている様に一対の基板を介して少な
くとも金属磁性膜４及び５を挟み込んだ磁気コア半体２
Ｌ及び２Ｒ同士の該金属磁性膜４及び５を対向させ、貴
金属類１２で接合して、磁気ギャップｇを構成させて成
る磁気ヘッド１に於いて、磁気コア半体対２Ｌ及び２Ｒ
の各バックギャップ部１４の巻線溝６近傍を除いて貴金
属１２を形成して成るものである。
の例が図１に示されている様に一対の基板を介して少な
くとも金属磁性膜４及び５を挟み込んだ磁気コア半体２
Ｌ及び２Ｒ同士の該金属磁性膜４及び５を対向させ、貴
金属類１２で接合して、磁気ギャップｇを構成させて成
る磁気ヘッド１に於いて、磁気コア半体対２Ｌ及び２Ｒ
の各バックギャップ部１４の巻線溝６近傍を除いて貴金
属１２を形成して成るものである。
【００１８】本発明の磁気ヘッドの製造方法はその例が
図１乃至図３に示されている様に一対の基板２２を介し
て少なくとも金属磁性膜４を挟み込んだ磁気コア半体２
Ｌ及び２Ｒ同士の金属磁性膜４及び５を対向させ、貴金
属類で接合して、磁気ギャップｇを構成させて成る磁気
ヘッド１の製造方法に於いて、磁気コア半体対２Ｌ及び
２Ｒの各バックギャップ部１４の巻線溝６近傍に遮蔽部
材１９を配設して貴金属１２を形成する工程と、遮蔽部
材１９を配設して貴金属１２を形成した面を対向させて
接合を行なう工程とから成るものである。
図１乃至図３に示されている様に一対の基板２２を介し
て少なくとも金属磁性膜４を挟み込んだ磁気コア半体２
Ｌ及び２Ｒ同士の金属磁性膜４及び５を対向させ、貴金
属類で接合して、磁気ギャップｇを構成させて成る磁気
ヘッド１の製造方法に於いて、磁気コア半体対２Ｌ及び
２Ｒの各バックギャップ部１４の巻線溝６近傍に遮蔽部
材１９を配設して貴金属１２を形成する工程と、遮蔽部
材１９を配設して貴金属１２を形成した面を対向させて
接合を行なう工程とから成るものである。
【００１９】本発明の磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造
方法によるとチップコアのバックギャップ部分のバック
切断面１３から貴金属１２をスパッタする場合の面積を
０．０３７５乃至０．１９ｍｍ2 以内に選択したのでコ
ア半体２Ｌ及び２Ｒの接合強度を０．７５Ｎ以上に保証
し、高周波特性を２ｄＢ程度改善可能なものが得られ
る。
方法によるとチップコアのバックギャップ部分のバック
切断面１３から貴金属１２をスパッタする場合の面積を
０．０３７５乃至０．１９ｍｍ2 以内に選択したのでコ
ア半体２Ｌ及び２Ｒの接合強度を０．７５Ｎ以上に保証
し、高周波特性を２ｄＢ程度改善可能なものが得られ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気ヘッド及び磁
気ヘッドの製造方法を図６Ａ及びＢで示したと同様の積
層型磁気ヘッド１を得る工程を図１乃至図３によって説
明する。
気ヘッドの製造方法を図６Ａ及びＢで示したと同様の積
層型磁気ヘッド１を得る工程を図１乃至図３によって説
明する。
【００２１】先ず図２Ａ〜Ｅ及び図３Ｆ〜Ｊについて説
明する。先ず、図２Ａに示すように、両面が表面加工さ
れた非磁性材からなる基板２２の片面に磁気コアとなる
金属磁性膜４（５）をスパッタ等の真空薄膜形成法によ
り形成し図２Ｂに示す短冊状コア基板２２とする。
明する。先ず、図２Ａに示すように、両面が表面加工さ
れた非磁性材からなる基板２２の片面に磁気コアとなる
金属磁性膜４（５）をスパッタ等の真空薄膜形成法によ
り形成し図２Ｂに示す短冊状コア基板２２とする。
【００２２】金属磁性膜４（５）としては（１）Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓ
ｉ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ等、及びそれらに８原子％以下の
Ｃｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｒｕ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏを一種、または数種添加した結晶質材
料、（２）Ｃｏに主としてＺｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＨF ，Ｍ
O ，ＮB ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ等の一種または数種添加し
て構成されたアモルファス材料、（３）Ｃｏ，Ｆｅに主
としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒｕ等の一種
または数種と、Ｎ，Ｃ，Ｏの一種または数種を添加して
構成された微結晶材料、等が選ばれる。
Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓ
ｉ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ等、及びそれらに８原子％以下の
Ｃｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｒｕ，Ａｕ，Ｐ
ｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏを一種、または数種添加した結晶質材
料、（２）Ｃｏに主としてＺｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＨF ，Ｍ
O ，ＮB ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ等の一種または数種添加し
て構成されたアモルファス材料、（３）Ｃｏ，Ｆｅに主
としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒｕ等の一種
または数種と、Ｎ，Ｃ，Ｏの一種または数種を添加して
構成された微結晶材料、等が選ばれる。
【００２３】尚、上記基板２２に成膜する金属磁性膜４
（５）は高周波帯域での渦電流損失を回避させるために
金属磁性膜とＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の酸
化物や窒化物等の如き電気的絶縁膜を介して絶縁材４′
（５′）を交互に積層させた所謂積層厚とするを可とす
る（図６Ａ，Ｂ参照）。
（５）は高周波帯域での渦電流損失を回避させるために
金属磁性膜とＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の酸
化物や窒化物等の如き電気的絶縁膜を介して絶縁材４′
（５′）を交互に積層させた所謂積層厚とするを可とす
る（図６Ａ，Ｂ参照）。
【００２４】次に、図２Ｃに示すように、金属磁性膜４
（５′）の形成された複数の短冊状コア基板２２の両面
に接合膜として融着ガラス薄膜或はＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等
の貴金属薄膜をスパッタ等により形成した後、多数枚の
短冊状コア基板を整列させ加圧固定し、熱処理を施し接
合一体化させたコアブロック２３を得る。
（５′）の形成された複数の短冊状コア基板２２の両面
に接合膜として融着ガラス薄膜或はＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等
の貴金属薄膜をスパッタ等により形成した後、多数枚の
短冊状コア基板を整列させ加圧固定し、熱処理を施し接
合一体化させたコアブロック２３を得る。
【００２５】このコアブロック２３をＡ−Ａ′，Ｂ−
Ｂ′，Ｃ−Ｃ′の線に沿って切断し、図２Ｄに示される
互いに略対称な一対のコアブロック２６，２７を作製
し、この磁気コア半体ブロック２６，２７に、図２Ｅに
示すようにその長手方向に沿って伸びる巻線溝６を形成
する。この後、切り出されたブロック外周及び溝加工を
施した金属磁性膜の露出面に鏡面加工を行なう。
Ｂ′，Ｃ−Ｃ′の線に沿って切断し、図２Ｄに示される
互いに略対称な一対のコアブロック２６，２７を作製
し、この磁気コア半体ブロック２６，２７に、図２Ｅに
示すようにその長手方向に沿って伸びる巻線溝６を形成
する。この後、切り出されたブロック外周及び溝加工を
施した金属磁性膜の露出面に鏡面加工を行なう。
【００２６】そして、上記研磨面にギャップスペーサ兼
複合膜として融着用ガラス膜、或はＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等
の貴金属膜１２をスパッタ等の真空薄膜形成法により形
成し、これらコア半体ブロック２６，２７を図３Ｆに示
すようにそれぞれの貴金属膜１２同士が相対向するよう
に突き合わせガラス融着法、或は低温金属接合法により
接合一体化させる。尚この際の熱処理時に図３Ｇに示す
巻線溝６内およびバック溝（図示せず）に配置したガラ
ス棒２９を溶融させて巻線溝６内上部及び金属磁性膜と
平行に加工された溝に充填させ補強ガラスとする。
複合膜として融着用ガラス膜、或はＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等
の貴金属膜１２をスパッタ等の真空薄膜形成法により形
成し、これらコア半体ブロック２６，２７を図３Ｆに示
すようにそれぞれの貴金属膜１２同士が相対向するよう
に突き合わせガラス融着法、或は低温金属接合法により
接合一体化させる。尚この際の熱処理時に図３Ｇに示す
巻線溝６内およびバック溝（図示せず）に配置したガラ
ス棒２９を溶融させて巻線溝６内上部及び金属磁性膜と
平行に加工された溝に充填させ補強ガラスとする。
【００２７】その結果、各磁気コア半体ブロック２６，
２７にそれぞれ形成された金属磁性膜１２の突き合わせ
面間に、記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップ
ｇが形成されたコアブロック３０となる。
２７にそれぞれ形成された金属磁性膜１２の突き合わせ
面間に、記録再生ギャップとして動作する磁気ギャップ
ｇが形成されたコアブロック３０となる。
【００２８】そして、図３Ｈに示すようにコアブロック
３０に対し、曲率をもったテープ摺動面３１および巻線
用ガイド溝３２を形成し、図３Ｉに示す当たり幅規制溝
３３を入れた後図３Ｊに示すＤ−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−
Ｆ′，Ｇ−Ｇ′，Ｈ−Ｈ′の線に沿って切断することで
積層型磁気ヘッド１が完成する。
３０に対し、曲率をもったテープ摺動面３１および巻線
用ガイド溝３２を形成し、図３Ｉに示す当たり幅規制溝
３３を入れた後図３Ｊに示すＤ−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−
Ｆ′，Ｇ−Ｇ′，Ｈ−Ｈ′の線に沿って切断することで
積層型磁気ヘッド１が完成する。
【００２９】上述の工程に於ける図３Ｆの工程に於い
て、ギャップ膜及びコア半体ブロック２６及び２７同士
の接合は、貴金属であるＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等をコア半体
ブロック２６及び２７にスパッタした後に、鏡面加工
し、互いに対向させてギャップ接合するが、本例では図
１に示す様に巻線溝６の形成される近傍のバックギャッ
プ部１４にはマスク等の遮蔽部材１９で覆った後にＣｒ
／Ａｕをスパッタリングすることで図１Ａ及びＢに示す
様にフロントギャップ部１５及び巻線溝６内並びにバッ
クギャップ部１４の一部即ち、バックギャップ部１４の
バック切断面１３から所定の長さＢＧ×チップ厚Ｐの面
積ＳだけにＣｒ／Ａｕ膜１２が形成される。
て、ギャップ膜及びコア半体ブロック２６及び２７同士
の接合は、貴金属であるＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等をコア半体
ブロック２６及び２７にスパッタした後に、鏡面加工
し、互いに対向させてギャップ接合するが、本例では図
１に示す様に巻線溝６の形成される近傍のバックギャッ
プ部１４にはマスク等の遮蔽部材１９で覆った後にＣｒ
／Ａｕをスパッタリングすることで図１Ａ及びＢに示す
様にフロントギャップ部１５及び巻線溝６内並びにバッ
クギャップ部１４の一部即ち、バックギャップ部１４の
バック切断面１３から所定の長さＢＧ×チップ厚Ｐの面
積ＳだけにＣｒ／Ａｕ膜１２が形成される。
【００３０】この様にバックギャップ部１４に従来の様
に全体にＣｒ／Ａｕ膜の如き貴金属膜１２を塗布せずに
一部に非塗布部分を形成させて置く様に成すことで巻線
溝６内にコイルを巻回し、記録再生電流を流した際の漏
洩磁束の交叉による貴金属膜１２部分での渦電流損失は
大幅に低減されるために１０ＭＨＺ以上の高周波帯域で
の再生出力レベル低下を抑圧することの出来る磁気ヘッ
ド及び磁気ヘッドの製造方法が得られる。
に全体にＣｒ／Ａｕ膜の如き貴金属膜１２を塗布せずに
一部に非塗布部分を形成させて置く様に成すことで巻線
溝６内にコイルを巻回し、記録再生電流を流した際の漏
洩磁束の交叉による貴金属膜１２部分での渦電流損失は
大幅に低減されるために１０ＭＨＺ以上の高周波帯域で
の再生出力レベル低下を抑圧することの出来る磁気ヘッ
ド及び磁気ヘッドの製造方法が得られる。
【００３１】実施例 図１Ａ及びＢに示すバックギャップ部１４へのＣｒ／Ａ
ｕ膜１２のスパッタリング時にバック切断面１３からバ
ックギャップ部１４の長さＢＧ＝０．２０ｍｍ及びＢＧ
＝０．４５ｍｍの各位置を基準として巻線溝６の下端縁
までにマスク等の遮蔽部材１９を覆って巻線溝６近傍に
非塗布部を形成した磁気ヘッドチップコアを夫々試作
し、図３Ｇ〜Ｊの様に加工して図６Ａ，Ｂに示すと同様
形状の積層型磁気ヘッド１（勿論コイルも巻回済）を組
立てて周波数特性を測定した。
ｕ膜１２のスパッタリング時にバック切断面１３からバ
ックギャップ部１４の長さＢＧ＝０．２０ｍｍ及びＢＧ
＝０．４５ｍｍの各位置を基準として巻線溝６の下端縁
までにマスク等の遮蔽部材１９を覆って巻線溝６近傍に
非塗布部を形成した磁気ヘッドチップコアを夫々試作
し、図３Ｇ〜Ｊの様に加工して図６Ａ，Ｂに示すと同様
形状の積層型磁気ヘッド１（勿論コイルも巻回済）を組
立てて周波数特性を測定した。
【００３２】図４の周波数対再生出力レベル特性曲線１
８は図１Ａ，Ｂのバックギャップ部１４へのＣｒ／Ａｕ
塗布面積のＳ＝ＢＧ×Ｐ＝０．４５ｍｍ×０．２５ｍｍ
＝０．１１２５ｍｍ2 の場合の特性を示している。
８は図１Ａ，Ｂのバックギャップ部１４へのＣｒ／Ａｕ
塗布面積のＳ＝ＢＧ×Ｐ＝０．４５ｍｍ×０．２５ｍｍ
＝０．１１２５ｍｍ2 の場合の特性を示している。
【００３３】この場合は従来の塗布面積Ｓ＝ＢＧ×Ｐ＝
０．８６ｍｍ×０．２５＝０．２１５ｍｍ2 に比べて１
０ＭＨＺ以上の高周波帯で１．５ｄＢ特性が改善されて
いる。即ち積層型磁気ヘッド１の再生出力レベルを高周
波帯域でレベルアップさせている。
０．８６ｍｍ×０．２５＝０．２１５ｍｍ2 に比べて１
０ＭＨＺ以上の高周波帯で１．５ｄＢ特性が改善されて
いる。即ち積層型磁気ヘッド１の再生出力レベルを高周
波帯域でレベルアップさせている。
【００３４】又、Ｃｒ／Ａｕ膜のバックギャップ部１４
で貴金属膜１２が占める塗布面積Ｓ＝ＢＧ×Ｐ＝０．２
０ｍｍ×０．４５ｍｍ＝０．０５ｍｍ2 では再生出力レ
ベルは従来曲線１７に比べて略２ｄＢレベルアップされ
たものが得られた。
で貴金属膜１２が占める塗布面積Ｓ＝ＢＧ×Ｐ＝０．２
０ｍｍ×０．４５ｍｍ＝０．０５ｍｍ2 では再生出力レ
ベルは従来曲線１７に比べて略２ｄＢレベルアップされ
たものが得られた。
【００３５】これは前記した様にＡｕ等の貴金属類を巻
線溝６近傍で除去したことでコイル部周辺での渦電流損
失が減少したことによる効果である。
線溝６近傍で除去したことでコイル部周辺での渦電流損
失が減少したことによる効果である。
【００３６】この様な渦電流損失は巻線溝６に巻回した
近傍のフロントギャップ部１５にも当然起こるが、この
フロントギャップ部１５のギャップ部ｇはアモルファス
膜で構成されるが、この部分の接合力アップ及び特性維
持並びに低温接合の為にＡｕ接合しているため、この部
分のＡｕ等の貴金属類を除去又は占有面積を減少させる
ことは不可能である。実際には又、このフロントギャッ
プ部１５の面積は極めて小さいので渦電流損失による再
生出力低減に比べて金属接合による接合強度劣化による
周波数特性のあばれの影響が大きいと考えられる。
近傍のフロントギャップ部１５にも当然起こるが、この
フロントギャップ部１５のギャップ部ｇはアモルファス
膜で構成されるが、この部分の接合力アップ及び特性維
持並びに低温接合の為にＡｕ接合しているため、この部
分のＡｕ等の貴金属類を除去又は占有面積を減少させる
ことは不可能である。実際には又、このフロントギャッ
プ部１５の面積は極めて小さいので渦電流損失による再
生出力低減に比べて金属接合による接合強度劣化による
周波数特性のあばれの影響が大きいと考えられる。
【００３７】更に、本例ではバックギャップ部１４部分
の貴金属膜１２の占める割合を減らしているためにチッ
プコア半体２Ｌ及び２Ｒのバックギャップ部１４でのＣ
ｒ／Ａｕ膜１２による金属接着時の界面剥離度合を示す
接合強度（ヘッド抗折強度）は低下する。
の貴金属膜１２の占める割合を減らしているためにチッ
プコア半体２Ｌ及び２Ｒのバックギャップ部１４でのＣ
ｒ／Ａｕ膜１２による金属接着時の界面剥離度合を示す
接合強度（ヘッド抗折強度）は低下する。
【００３８】即ちバックギャップ部１４のＣｒ／Ａｕ膜
が占める面積が高周波帯域での出力特性への影響とヘッ
ド抗折強度とは相反する関係を呈する。
が占める面積が高周波帯域での出力特性への影響とヘッ
ド抗折強度とは相反する関係を呈する。
【００３９】この関係を図５で説明する。図５は横軸に
バックギャップ１４部分にＡｕ等の貴金属が占める面積
（Ｐｍｍ×ＢＧｍｍ＝Ｓｍｍ2 ×１０-2）を示し、縦軸
には磁気ヘッドの再生出力（ｄＢ）及び抗折強度（Ｎ）
を示している。
バックギャップ１４部分にＡｕ等の貴金属が占める面積
（Ｐｍｍ×ＢＧｍｍ＝Ｓｍｍ2 ×１０-2）を示し、縦軸
には磁気ヘッドの再生出力（ｄＢ）及び抗折強度（Ｎ）
を示している。
【００４０】図５で曲線３５は積層型磁気ヘッド１の巻
線溝６に巻回したコイルに流す記録、再生用励磁電流の
周波数を最短記録再生波長の４０ＭＨＺに選択した場合
の再生出力特性を示し、直線３６は抗折強度を示してい
る。点３７がバックギャップ１４のすべてに金がスパッ
タリングされている場合の面積Ｓを示している。
線溝６に巻回したコイルに流す記録、再生用励磁電流の
周波数を最短記録再生波長の４０ＭＨＺに選択した場合
の再生出力特性を示し、直線３６は抗折強度を示してい
る。点３７がバックギャップ１４のすべてに金がスパッ
タリングされている場合の面積Ｓを示している。
【００４１】この抗折強度は金属接合されたコアチップ
の接合界面に抗折強度メータのプローブを当てて金属接
合されたＣｒ／Ａｕ膜を剥離して金接合部が剥離する強
度を示したものである。
の接合界面に抗折強度メータのプローブを当てて金属接
合されたＣｒ／Ａｕ膜を剥離して金接合部が剥離する強
度を示したものである。
【００４２】一般にＶＴＲ等では回転ドラムにヘッドベ
ースを介してヘッドチップコア（磁気ヘッド）が配設さ
れる。従って、回転ドラムにヘッドベースを固定する前
に、ヘッドベースにヘッドチップコアを接着剤等を介し
て貼着する工程があるがこの様なヘッドチップコアをヘ
ッドベースに接着する際にコア半体対２Ｌ及び２Ｒの接
着強度の弱さに比例してヘッドチップコアが割れる事故
が発生している。
ースを介してヘッドチップコア（磁気ヘッド）が配設さ
れる。従って、回転ドラムにヘッドベースを固定する前
に、ヘッドベースにヘッドチップコアを接着剤等を介し
て貼着する工程があるがこの様なヘッドチップコアをヘ
ッドベースに接着する際にコア半体対２Ｌ及び２Ｒの接
着強度の弱さに比例してヘッドチップコアが割れる事故
が発生している。
【００４３】一般には、この抗折強度が０．７５Ｎ以下
で上述のチップコアの破壊が多発する。従って、抗折強
度は０．７５Ｎ以上あれば充分である。一方バックギャ
ップにＡｕの占める面積Ｓと抗折強度（Ｎ）とは反比例
の関係にある。この最小の抗折強度である０．７５Ｎで
のバックギャップ１４部分の面積Ｓ＝Ｐ×ＢＧを求める
と、図５の様に０．０３７５ｍｍ2 となる。
で上述のチップコアの破壊が多発する。従って、抗折強
度は０．７５Ｎ以上あれば充分である。一方バックギャ
ップにＡｕの占める面積Ｓと抗折強度（Ｎ）とは反比例
の関係にある。この最小の抗折強度である０．７５Ｎで
のバックギャップ１４部分の面積Ｓ＝Ｐ×ＢＧを求める
と、図５の様に０．０３７５ｍｍ2 となる。
【００４４】この面積Ｓ＝０．０３７５ｍｍ2 とするた
めにチップ厚Ｐを変化させた場合のＢＧの長さとの関係
の１例を表１に示す。
めにチップ厚Ｐを変化させた場合のＢＧの長さとの関係
の１例を表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】次に、バックギャップ１４内でのＡｕ等の
貴金属が占める面積Ｓの上限値は図５の様に磁気ヘッド
の再生出力アップ０〜２ｄＢのうち出力改善量が正確に
測定できる下限値を０．５ｄＢとした時のＳ＝Ｐ×ＢＧ
＝０．１９ｍｍ2 となる。
貴金属が占める面積Ｓの上限値は図５の様に磁気ヘッド
の再生出力アップ０〜２ｄＢのうち出力改善量が正確に
測定できる下限値を０．５ｄＢとした時のＳ＝Ｐ×ＢＧ
＝０．１９ｍｍ2 となる。
【００４７】この面積Ｓ＝０．１９ｍｍ2 とするために
チップ厚Ｐを変化させた場合のＢＧの長さとの関係の１
例を表２に示す。
チップ厚Ｐを変化させた場合のＢＧの長さとの関係の１
例を表２に示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】上述の事からヘッド抗折強度が最小０．７
５Ｎ以上で記録又は再生周波数が１０ＭＨＺ以上の磁気
ヘッドの出力改善量が０．５ｄＢ以上の条件を満たす図
５の範囲３８に示すバックギャップ部１４のバック切断
面１３からのＡｕ等の貴金属の占める面積Ｓは０．０３
７５ｍｍ2 乃至０．１９ｍｍ2 が最適となり、本発明に
よれば、ヘッド強度０．７５Ｎ以上を保証し、高周波帯
域の特性を０．５〜２ｄＢ改善される。
５Ｎ以上で記録又は再生周波数が１０ＭＨＺ以上の磁気
ヘッドの出力改善量が０．５ｄＢ以上の条件を満たす図
５の範囲３８に示すバックギャップ部１４のバック切断
面１３からのＡｕ等の貴金属の占める面積Ｓは０．０３
７５ｍｍ2 乃至０．１９ｍｍ2 が最適となり、本発明に
よれば、ヘッド強度０．７５Ｎ以上を保証し、高周波帯
域の特性を０．５〜２ｄＢ改善される。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、バックギャップ部へＡ
ｕ等の貴金属をスパッタする場合、マスクをして巻線周
囲を貴金属膜を塗布しない様にするか剥離することで、
渦電流損失を少なくし高周波帯のヘッドの再生出力をア
ップさせる事が出来る。同時に、スパッタ面積０．０３
７５ｍｍ2 〜０．１９ｍｍ2 に規制することでヘッド抗
折強度を０．７５Ｎ以上保証できるのでコア半体対の接
合界面での剥離や破損のない磁気ヘッド及び磁気ヘッド
の製造方法が得られる。
ｕ等の貴金属をスパッタする場合、マスクをして巻線周
囲を貴金属膜を塗布しない様にするか剥離することで、
渦電流損失を少なくし高周波帯のヘッドの再生出力をア
ップさせる事が出来る。同時に、スパッタ面積０．０３
７５ｍｍ2 〜０．１９ｍｍ2 に規制することでヘッド抗
折強度を０．７５Ｎ以上保証できるのでコア半体対の接
合界面での剥離や破損のない磁気ヘッド及び磁気ヘッド
の製造方法が得られる。
【図１】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示すコア半体
の平面及び側面図である。
の平面及び側面図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの製造工程図（Ｉ）であ
る。
る。
【図３】本発明の磁気ヘッドの製造工程図（II）であ
る。
る。
【図４】本発明のバックギャップ上の金剥離時の周波数
−出力特性図である。
−出力特性図である。
【図５】本発明のバックギャップ上の金の占める面積と
出力及び抗折強度の関係を示す特性図である。
出力及び抗折強度の関係を示す特性図である。
【図６】従来の磁気ヘッドの平面及び斜視図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの製造方法を示すコア半体の
平面及び側面図である。
平面及び側面図である。
１ 積層型磁気ヘッド ２Ｌ，２Ｒ コア半体 ４，５ 金属磁性膜 ６ 巻線溝 ７，８，９，１０ ガード材 １２ Ｃｒ／Ａｕ膜（貴金属膜） １３ バック切断端部 １４ バックギャップ部 １５ フロントギャップ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳竹 房重 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 平田 昂士 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 土門 大志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の基板を介して少なくとも金属磁性
膜を挟み込んだ磁気コア半体同士の該金属磁性膜を対向
させ、貴金属類で接合して、磁気ギャップを構成させて
成る磁気ヘッドに於いて、 上記磁気コア半体対の各バックギャップ部の巻線溝近傍
を除いて上記貴金属類を形成して成ることを特徴とする
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 一対の基板を介して少なくとも金属磁性
膜を挟み込んだ磁気コア半体同士の該金属磁性膜を対向
させ、貴金属類で接合して、磁気ギャップを構成させて
成る磁気ヘッドの製造方法に於いて、 上記磁気コア半体対の各バックギャップ部の巻線溝近傍
に遮蔽部材を配設して上記貴金属を形成する工程と、 上記遮蔽部材を配設して上記貴金属を形成した面を対向
させて接合を行なう工程とから成ることを特徴とする磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記磁気ヘッド半体対の夫々のバックギ
ャップ部に形成する前記貴金属類の面積が該バックギャ
ップ部の切断端部から０．０３７５乃至０．１９ｍｍ2
以内と成して高周波域での出力レベルを向上させて成る
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記磁気ヘッド半体対の夫々のバックギ
ャップ部に形成する前記貴金属類の面積が該バックギャ
ップ部の切断端部から０．０３７５乃至０．１９ｍｍ2
以内であることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項５】 前記磁気ヘッド半体対の夫々のバックギ
ャップ部に形成する前記貴金属類の接合による界面の剥
離度合（ヘッド抗折強度）を０．７５ニュートン以上と
して成ることを特徴とする請求項２又は請求項４記載の
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33719495A JPH09180120A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33719495A JPH09180120A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180120A true JPH09180120A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18306334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33719495A Pending JPH09180120A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180120A (ja) |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP33719495A patent/JPH09180120A/ja active Pending
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