JPH0572005B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0572005B2 JPH0572005B2 JP57060878A JP6087882A JPH0572005B2 JP H0572005 B2 JPH0572005 B2 JP H0572005B2 JP 57060878 A JP57060878 A JP 57060878A JP 6087882 A JP6087882 A JP 6087882A JP H0572005 B2 JPH0572005 B2 JP H0572005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- substrate
- magnetic layer
- track width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高抗磁力記録媒体に対して充分な記
録能力を有する磁気ヘツドの製造方法に関するも
のである。
録能力を有する磁気ヘツドの製造方法に関するも
のである。
従来より、VTRあるいは磁気デイスク用のヘ
ツドコアにはフエライト材料が多く用いられてき
た。これは数ＭHz以上の高い周波数領域における
透磁率の高さと耐摩耗性の良好なことによるもの
である。
ツドコアにはフエライト材料が多く用いられてき
た。これは数ＭHz以上の高い周波数領域における
透磁率の高さと耐摩耗性の良好なことによるもの
である。
ところが、近年、記録密度の向上を図るため合
金粉末、メツキあるいは蒸着等による高抗磁力記
録媒体が使われる傾向にある。
金粉末、メツキあるいは蒸着等による高抗磁力記
録媒体が使われる傾向にある。
しかし、従来のフエライト材料によるヘツドコ
アでは飽和磁束密度が低いため、抗磁力が1000
（Oe）を超えるような記録媒体に対する記録能力
が不充分である。
アでは飽和磁束密度が低いため、抗磁力が1000
（Oe）を超えるような記録媒体に対する記録能力
が不充分である。
そこで、従来より特殊な用途として放送用
VTRのヘツドとして使われてきた飽和磁束密度
の高いセンダストヘツドが見直されている。
VTRのヘツドとして使われてきた飽和磁束密度
の高いセンダストヘツドが見直されている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
トラツク幅を精度よく出すことができ、かつ容易
に任意のトラツク幅とすることのできる磁気ヘツ
ドの製造方法を提供するものである。
トラツク幅を精度よく出すことができ、かつ容易
に任意のトラツク幅とすることのできる磁気ヘツ
ドの製造方法を提供するものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図ａ，ｂは本発明の第一実施例で製造した
磁気ヘツドを示している。
磁気ヘツドを示している。
第１図において、１ａはフエライト材料からな
るヘツドコア半体、２ａはガラス、セラミツクス
等の非磁性基板上に高飽和磁束密度の金属磁性層
３が形成されたヘツドコア半体である。
るヘツドコア半体、２ａはガラス、セラミツクス
等の非磁性基板上に高飽和磁束密度の金属磁性層
３が形成されたヘツドコア半体である。
このヘツドコア半体１ａ，２ａの間には、
SiO2，Ａ2O3等からなる非磁性層７が介在され
ている。
SiO2，Ａ2O3等からなる非磁性層７が介在され
ている。
なお、非磁性層７は、ヘツドギヤツプを形成す
るもので、ヘツドギヤツプ長に相当する厚味を有
している。
るもので、ヘツドギヤツプ長に相当する厚味を有
している。
そして、ヘツドコア半体２ａは、矢印Ａの記録
媒体走行方向に対してヘツドギヤツプの後縁側に
設けられている。
媒体走行方向に対してヘツドギヤツプの後縁側に
設けられている。
さらに、金属磁性層３の厚さは、使用する周波
数帯域での表皮効果によるスキンデプスの２倍程
度に設定するのが好ましい。
数帯域での表皮効果によるスキンデプスの２倍程
度に設定するのが好ましい。
しかし、長波長での形状効果によるレスポンス
のうねりが問題となる場合にはより厚くしてもよ
い。
のうねりが問題となる場合にはより厚くしてもよ
い。
一方、フエライト材料からなるヘツドコア半体
１ａのギヤツプ突合わせ面１a′には、巻線溝（巻
線用窓）４が形成されていて、この巻線溝４を介
してヘツドコア半体１ａ，２ａに巻線（図示せ
ず）がそれぞれ捲回される。
１ａのギヤツプ突合わせ面１a′には、巻線溝（巻
線用窓）４が形成されていて、この巻線溝４を介
してヘツドコア半体１ａ，２ａに巻線（図示せ
ず）がそれぞれ捲回される。
なお、図中、２a′はヘツドコア半体２ａのギヤ
ツプ突合わせ面、５はヘツドコア半体１ａ，２ａ
のテープ当接面側に形成されたトラツク幅規制用
溝、６はこのトラツク幅規制用溝５に埋込まれた
ガラスである。
ツプ突合わせ面、５はヘツドコア半体１ａ，２ａ
のテープ当接面側に形成されたトラツク幅規制用
溝、６はこのトラツク幅規制用溝５に埋込まれた
ガラスである。
第２図ａ〜ｅは上記第一実施例の磁気ヘツドの
製造方法を示している。
製造方法を示している。
これによれば、まず第２図ａに示すように、ア
モルフアス、センダスト等を短冊状に加工する
か、あるいはバルクの金属磁性材料から短冊状に
加工してなる厚さ20μm〜150μm程度の高飽和磁
束密度の金属磁性層３を得る。
モルフアス、センダスト等を短冊状に加工する
か、あるいはバルクの金属磁性材料から短冊状に
加工してなる厚さ20μm〜150μm程度の高飽和磁
束密度の金属磁性層３を得る。
次いで、この金属磁性層３をガラス、セラミツ
ク等からなる非磁性基板２にガラス溶着する（同
図ｂ参照）。この際、金属磁性層３の接合面（裏
面）に予めSiO2，Ａ2O3等をスパツタリング、
蒸着等の手段で付着させておくと良好な接合強度
が得られる。
ク等からなる非磁性基板２にガラス溶着する（同
図ｂ参照）。この際、金属磁性層３の接合面（裏
面）に予めSiO2，Ａ2O3等をスパツタリング、
蒸着等の手段で付着させておくと良好な接合強度
が得られる。
そして、金属磁性層３の表面を鏡面仕上げす
る。
る。
一方、第２図ｃに示すように、表面をダイアポ
リツシユ等で鏡面仕上げ、かつ巻線溝４を加工し
たフエライト材料からなる磁性基板１を用意す
る。
リツシユ等で鏡面仕上げ、かつ巻線溝４を加工し
たフエライト材料からなる磁性基板１を用意す
る。
次いで、同図ｄに示すように、磁性基板１と非
磁性基板２、金属磁性層３にブレードあるいはワ
イアーソーによりトラツク加工を施し、トラツク
幅規制用溝５を形成する。
磁性基板２、金属磁性層３にブレードあるいはワ
イアーソーによりトラツク加工を施し、トラツク
幅規制用溝５を形成する。
この後、磁性基板１のトラツク幅規制用溝５が
形成された面と、非磁性基板２の金属磁性層３が
形成された面（トラツク幅規制用溝５が形成され
ている）との間に非磁性層７を介在させて磁性基
板１と非磁性基板２とをガラス溶着する。このと
きガラス溶着の作業温度は金属磁性層３を非磁性
基板２にガラス溶着する際の温度よりも低くす
る。
形成された面と、非磁性基板２の金属磁性層３が
形成された面（トラツク幅規制用溝５が形成され
ている）との間に非磁性層７を介在させて磁性基
板１と非磁性基板２とをガラス溶着する。このと
きガラス溶着の作業温度は金属磁性層３を非磁性
基板２にガラス溶着する際の温度よりも低くす
る。
そして、磁性基板１と非磁性基板２とに形成さ
れたトラツク幅規制用溝５にガラス６を埋込む。
れたトラツク幅規制用溝５にガラス６を埋込む。
さらに、第２図ｅに示すように、ヘツドコアブ
ロツク１０のフロントギヤツプブロツク（テープ
当接面）を円研磨した後、同図に示す一点鎖線に
沿つてブレード、ワイアーソーを使用して切断す
ると、第１図ａ，ｂに示すヘツドコアが得られ
る。
ロツク１０のフロントギヤツプブロツク（テープ
当接面）を円研磨した後、同図に示す一点鎖線に
沿つてブレード、ワイアーソーを使用して切断す
ると、第１図ａ，ｂに示すヘツドコアが得られ
る。
第３図ａ，ｂは本発明の第二実施例で製造した
磁気ヘツドを示している。
磁気ヘツドを示している。
なお、図中第１図ａ，ｂに示す部分と同一部分
には同一符号を付してその説明を省略する。
には同一符号を付してその説明を省略する。
この第二実施例で製造した磁気ヘツドにあつて
は、金属磁性層３が蒸着、スパツタリング等の手
段で形成されて厚さが2μm〜20μm程度に薄く設
定され、かつ非磁性材料からなるヘツドコア半体
２ａにはトラツク幅規制用溝５が形成されていな
い点が前述した第一実施例と相違している。
は、金属磁性層３が蒸着、スパツタリング等の手
段で形成されて厚さが2μm〜20μm程度に薄く設
定され、かつ非磁性材料からなるヘツドコア半体
２ａにはトラツク幅規制用溝５が形成されていな
い点が前述した第一実施例と相違している。
また、ヘツドコアのテープ当接面と反対側の面
にはガラス溜めの切欠き１１が形成されている。
にはガラス溜めの切欠き１１が形成されている。
第４図ａ〜ｉは上記第二実施例の磁気ヘツドの
製造方法を示している。
製造方法を示している。
これによれば、まず第４図ａ，ｂに示すよう
に、フエライト材料からなる磁性基板１とガラ
ス、セラミツク等からなる非磁性基板２を用意
し、それぞれの表面をダイアポリツシユ等で鏡面
仕上げを行なう。
に、フエライト材料からなる磁性基板１とガラ
ス、セラミツク等からなる非磁性基板２を用意
し、それぞれの表面をダイアポリツシユ等で鏡面
仕上げを行なう。
次いで、同図ｃに示すように、磁性基板１の表
面にはトラツク幅規制用溝５と巻線溝４とガラス
溜めの切欠き１１とをブレードかあるいはワイア
ーソーにより加工する。
面にはトラツク幅規制用溝５と巻線溝４とガラス
溜めの切欠き１１とをブレードかあるいはワイア
ーソーにより加工する。
一方、非磁性基板２の表面には、第４図ｄに示
すように、センダスト、パーマロイ等の高飽和磁
束密度の金属磁性層３を蒸着、スパツタリング等
の手段で2μm〜20μm程度の厚さに形成する。
すように、センダスト、パーマロイ等の高飽和磁
束密度の金属磁性層３を蒸着、スパツタリング等
の手段で2μm〜20μm程度の厚さに形成する。
なお、始めに蒸着、スパツタリング等の手段で
薄い金属磁性層３を形成した後、さらにメツキに
より2μm〜20μm程度の厚さにしてもよい。
薄い金属磁性層３を形成した後、さらにメツキに
より2μm〜20μm程度の厚さにしてもよい。
そして、この後必要ならばダイアポリッシュ等
の鏡面仕上げをしてもよい。
の鏡面仕上げをしてもよい。
次いで、第４図ｅに示すように、エツチング加
工により磁性基板１のトラツクに対応する寸法の
トラツク幅Ｔ；トラツクピツチTpに金属磁性層
３を加工する。
工により磁性基板１のトラツクに対応する寸法の
トラツク幅Ｔ；トラツクピツチTpに金属磁性層
３を加工する。
なお、磁極３ａの後部ギヤツプ部はコア飽和し
ないようにトラツク幅よりも広く設定されてい
る。
ないようにトラツク幅よりも広く設定されてい
る。
そして、第４図ｆに示すように、磁性基板１の
トラツク幅規制用溝５等が形成された面と、非磁
性基板２の磁極３ａが形成された面との間に非磁
性層７を介在させ、磁性基板１と非磁性基板２を
巻線溝４と切欠き１１とに挿入したガラス棒１２
を溶融してガラス溶着することにより、ヘツドコ
アブロツク１０が得られる。
トラツク幅規制用溝５等が形成された面と、非磁
性基板２の磁極３ａが形成された面との間に非磁
性層７を介在させ、磁性基板１と非磁性基板２を
巻線溝４と切欠き１１とに挿入したガラス棒１２
を溶融してガラス溶着することにより、ヘツドコ
アブロツク１０が得られる。
次いで、第４図ｇに示すように、このヘツドコ
アブロツク１０のテープ当接面を円研磨し、その
後同図ｈに示す一点鎖線に沿つてブレードあるい
はワイアーソーにより切断すると、第３図ａ，ｂ
に示すヘツドコアが得られる。
アブロツク１０のテープ当接面を円研磨し、その
後同図ｈに示す一点鎖線に沿つてブレードあるい
はワイアーソーにより切断すると、第３図ａ，ｂ
に示すヘツドコアが得られる。
なお、第４図ｅに示すようにエツチングする代
わりに、第４図ｉに示すようにブレードあるいは
ワイアーソーで金属磁性層３と、非磁性基板２と
に磁性基板１で行なつたトラツク加工と同じトラ
ツク幅、同じトラツクピツチでトラツク加工を施
してトラツク幅規制用溝５を形成してもよい。こ
の場合、ブレードで行なつたときにはバリが生じ
る問題があるが、ワイアーソーで行なつたときに
はバリの問題がなくブレード加工よりも加工歪が
少ない。このようにすると、第１図ａ，ｂで示す
ものと同じ形状となる。
わりに、第４図ｉに示すようにブレードあるいは
ワイアーソーで金属磁性層３と、非磁性基板２と
に磁性基板１で行なつたトラツク加工と同じトラ
ツク幅、同じトラツクピツチでトラツク加工を施
してトラツク幅規制用溝５を形成してもよい。こ
の場合、ブレードで行なつたときにはバリが生じ
る問題があるが、ワイアーソーで行なつたときに
はバリの問題がなくブレード加工よりも加工歪が
少ない。このようにすると、第１図ａ，ｂで示す
ものと同じ形状となる。
第５図は上記第二実施例で製造した磁気ヘツド
と従来のフエライト磁気ヘツドのヘツド特性図で
ある。
と従来のフエライト磁気ヘツドのヘツド特性図で
ある。
抗磁力Hc1400（Oe）の700（Oe）のテープに対
する出力は、従来のフエライト磁気ヘツドでは点
線に示すように＋3dB〜＋6dB程度であるのに対
し、本発明の第二実施例で製造した磁気ヘツドで
は実線で示すように＋10dB〜＋12dBに向上し
た。すなわち、本発明の第二実施例で製造した磁
気ヘツドでは、抗磁力１４00（Oe）程度の高抗磁
力テープに充分記録することができる。
する出力は、従来のフエライト磁気ヘツドでは点
線に示すように＋3dB〜＋6dB程度であるのに対
し、本発明の第二実施例で製造した磁気ヘツドで
は実線で示すように＋10dB〜＋12dBに向上し
た。すなわち、本発明の第二実施例で製造した磁
気ヘツドでは、抗磁力１４00（Oe）程度の高抗磁
力テープに充分記録することができる。
以上説明したように、本発明によれば、金属磁
性層を形成した後にトラツク加工を施しているの
で、トラツク幅を精度よく出すことができる。
性層を形成した後にトラツク加工を施しているの
で、トラツク幅を精度よく出すことができる。
また、トラツク加工を施すことにより、任意の
トラツク幅を有する磁気ヘツドを容易に製造する
ことができる。
トラツク幅を有する磁気ヘツドを容易に製造する
ことができる。
第１図ａ，ｂは本発明の第一実施例で製造した
磁気ヘツドを示し、第１図ａはヘツドコアの平面
図、第１図ｂは正面図、第２図ａ〜ｅは本発明の
第一実施例の磁気ヘツドの製造方法を説明する説
明図、第３図ａ，ｂは本発明の第二実施例で製造
した磁気ヘツドを示し、第３図ａはヘツドコアの
平面図、第３図ｂは正面図、第４図ａ〜ｉは本発
明の第二実施例の磁気ヘツドの製造方法を説明す
る説明図、第５図はヘツド特性図である。 １……磁性基板、２……非磁性基板、１ａ，２
ａ……ヘツドコア半体、３……金属磁性層、５…
…トラツク幅規制用溝、６……ガラス、７……非
磁性層、１２……ガラス棒。
磁気ヘツドを示し、第１図ａはヘツドコアの平面
図、第１図ｂは正面図、第２図ａ〜ｅは本発明の
第一実施例の磁気ヘツドの製造方法を説明する説
明図、第３図ａ，ｂは本発明の第二実施例で製造
した磁気ヘツドを示し、第３図ａはヘツドコアの
平面図、第３図ｂは正面図、第４図ａ〜ｉは本発
明の第二実施例の磁気ヘツドの製造方法を説明す
る説明図、第５図はヘツド特性図である。 １……磁性基板、２……非磁性基板、１ａ，２
ａ……ヘツドコア半体、３……金属磁性層、５…
…トラツク幅規制用溝、６……ガラス、７……非
磁性層、１２……ガラス棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス等の非磁性基板に高飽和磁束密度の金
属磁性層を形成し、 この金属磁性層あるいは前記金属磁性層と前記
非磁性基板にトラツク加工を施すことにより所定
間隔で並んだ複数のトラツク幅規制用溝を形成
し、 次いでフエライト材料からなる磁性基板のトラ
ツク加工が施された面と前記非磁性基板の金属磁
性層が形成された面との間にヘツドギヤツプを形
成する非磁性体層を介在させて前記磁性基板と前
記非磁性基板とを一体に接合してヘツドコアブロ
ツクを形成し、 その後このヘツドコアブロツクを前記所定間隔
で並んだ各トラツク幅規制用溝の中央位置で切断
することによりヘツドコア単体に切り分けること を特徴とする磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087882A JPS58179920A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087882A JPS58179920A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179920A JPS58179920A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0572005B2 true JPH0572005B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13155070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087882A Granted JPS58179920A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179920A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770018B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気消去ヘツド |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116810A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Hitachi Ltd | Magnetic head core |
| JPS5514550A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-01 | Hitachi Ltd | Manufacture for magnetic head |
| JPS55117723A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-10 | Sony Corp | Magnetic head |
| JPS55157121A (en) * | 1979-05-19 | 1980-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic head core |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6087882A patent/JPS58179920A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58179920A (ja) | 1983-10-21 |
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