JPH09180130A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH09180130A JPH09180130A JP33851095A JP33851095A JPH09180130A JP H09180130 A JPH09180130 A JP H09180130A JP 33851095 A JP33851095 A JP 33851095A JP 33851095 A JP33851095 A JP 33851095A JP H09180130 A JPH09180130 A JP H09180130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetoresistive effect
- head
- conductive resin
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気効果型ヘッドでヘッドの歩留まりを向上さ
せ、高密度化，高出力化を容易に実現できるＭＲヘッド
を得る。 【解決手段】感磁部に信号検出電流を流すための一対の
電極３を導電性樹脂１で短絡し、研磨加工，組立てを行
う。これにより、作業中の静電破壊が防止できる。この
樹脂は作業終了時に有機系溶剤で洗浄することができ
る。一方、上部シールド膜７と電極３の一方と下部シー
ルド膜４をスルーホール内の導電性樹脂１により電気的
に短絡することにより、上部ギャップ膜６または下部ギ
ャップ膜５に静電気によるピンホールは生成しない。
せ、高密度化，高出力化を容易に実現できるＭＲヘッド
を得る。 【解決手段】感磁部に信号検出電流を流すための一対の
電極３を導電性樹脂１で短絡し、研磨加工，組立てを行
う。これにより、作業中の静電破壊が防止できる。この
樹脂は作業終了時に有機系溶剤で洗浄することができ
る。一方、上部シールド膜７と電極３の一方と下部シー
ルド膜４をスルーホール内の導電性樹脂１により電気的
に短絡することにより、上部ギャップ膜６または下部ギ
ャップ膜５に静電気によるピンホールは生成しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘ
ッド）は感磁部に磁気磁気記録媒体からの漏洩磁束有効
に取り入れるため感磁部の上下に磁気ギャップ膜を介し
て、磁気シールド膜を配置した構造をとる。さらに、ウ
エハ上に作製した素子を切り出し、研磨して記録媒体と
対抗する面に感磁部を露出させ、磁気磁気記録媒体から
の漏洩磁束を検出する。高感度，高記録密度化のために
は磁気ギャップ膜を薄くする，感磁部の高さを低くす
る，感磁部の膜厚を薄くする，電流を増やすなどの方法
がある。
ッド）は感磁部に磁気磁気記録媒体からの漏洩磁束有効
に取り入れるため感磁部の上下に磁気ギャップ膜を介し
て、磁気シールド膜を配置した構造をとる。さらに、ウ
エハ上に作製した素子を切り出し、研磨して記録媒体と
対抗する面に感磁部を露出させ、磁気磁気記録媒体から
の漏洩磁束を検出する。高感度，高記録密度化のために
は磁気ギャップ膜を薄くする，感磁部の高さを低くす
る，感磁部の膜厚を薄くする，電流を増やすなどの方法
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドの感磁部は
極薄膜からなるため、静電破壊しやすいという問題があ
る。高感度化により、さらに静電破壊に対する耐量は低
くなる。一方、磁気ヘッドの上下磁気シールド膜と磁気
センサ部の磁気ギャップは現状では３００ｎｍである
が、電極等の段差部ではつきまわりが悪く、膜が薄くな
るためこの部分で絶縁破壊が生じやすいという問題があ
った。高密度化が進み、狭トラック，狭ギャップ化に対
応するにはさらに絶縁膜の膜厚は薄くなり、絶縁耐圧が
さらに低下することが予想される。
極薄膜からなるため、静電破壊しやすいという問題があ
る。高感度化により、さらに静電破壊に対する耐量は低
くなる。一方、磁気ヘッドの上下磁気シールド膜と磁気
センサ部の磁気ギャップは現状では３００ｎｍである
が、電極等の段差部ではつきまわりが悪く、膜が薄くな
るためこの部分で絶縁破壊が生じやすいという問題があ
った。高密度化が進み、狭トラック，狭ギャップ化に対
応するにはさらに絶縁膜の膜厚は薄くなり、絶縁耐圧が
さらに低下することが予想される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ヘッドの加工工程中の最
上面に常に導電性樹脂を塗布し、感磁部電気的信号を伝
えるための一対の電極を感磁部以外の部分で短絡してお
く。加工後、アセトン等の有機系溶剤で導電性樹脂を除
去する。また、加工後の運搬，組立て等の際も導電性樹
脂を塗布しておくことにより、感磁部の静電破壊を防止
できる。一方、感磁部に電気的信号を伝えるための一対
の電極のうち一方を導電性樹脂を用いて、磁気抵抗効果
膜の上部及び下部に配置された磁気シールド膜と電気的
に接続することにより、静電気により上下磁気ギャップ
膜にピンホールが生成することはなく、目的を達成でき
る。
上面に常に導電性樹脂を塗布し、感磁部電気的信号を伝
えるための一対の電極を感磁部以外の部分で短絡してお
く。加工後、アセトン等の有機系溶剤で導電性樹脂を除
去する。また、加工後の運搬，組立て等の際も導電性樹
脂を塗布しておくことにより、感磁部の静電破壊を防止
できる。一方、感磁部に電気的信号を伝えるための一対
の電極のうち一方を導電性樹脂を用いて、磁気抵抗効果
膜の上部及び下部に配置された磁気シールド膜と電気的
に接続することにより、静電気により上下磁気ギャップ
膜にピンホールが生成することはなく、目的を達成でき
る。
【０００５】なお、このような導電性樹脂はたとえば、
Acheson Products社製から入手可能である。
Acheson Products社製から入手可能である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を詳述
する。
する。
【０００７】（実施例１）図１に作製した磁気ヘッドの
斜視図を示す。非磁性基板８上に下地膜、下部シールド
膜４，磁気ギャップ膜５を形成した後、磁区制御層とし
て、ＮｉＯ膜を５０ｎｍ形成する。この上に、リフトオ
フ技術によりＡｌ2Ｏ3を１０ｎｍ形成後、感磁部１を形
成する。感磁部は軟磁性膜であるＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ膜，
磁気分離膜Ｔａ，ＮｉＦｅ膜（ＭＲ膜）をスパッタリン
グ法で形成する。３層を成膜後、ホトリソグラフィ技術
により、所定の形状にパターニングする。レジスト除去
後、電極形成のため再びホトリソグラフィ技術により、
レジストを形成し、電極Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ膜２を形成
後、レジストを除去する。レジスト除去後に、磁気ギャ
ップ膜６，保護膜９としてレジストを形成後、磁気シー
ルド膜７を形成した。磁区制御層を着磁するため、トラ
ック幅方向に３ｋＯｅの直流磁界を印加しながら２７５
℃で３０分間熱処理を行う。ここで、基板全体に導電性
樹脂としてコロイド状カーボンを塗布した後、所定の大
きさの磁気抵抗効果型ヘッドに加工した。加工は研磨に
より行うが、最終工程まで電極が短絡してあるため、加
工中に静電気が発生しても感磁部には電気が流れないの
で感磁部が破壊することなくヘッドの加工ができる。ま
た、所定のＭＲ高さまで加工する後、アセトンで洗浄す
ることによりコロイド状カーボンは除去できる。さら
に、運搬，組立て時に再びコロイド状カーボンを塗布す
れば、この工程中の静電破壊も防止できる。
斜視図を示す。非磁性基板８上に下地膜、下部シールド
膜４，磁気ギャップ膜５を形成した後、磁区制御層とし
て、ＮｉＯ膜を５０ｎｍ形成する。この上に、リフトオ
フ技術によりＡｌ2Ｏ3を１０ｎｍ形成後、感磁部１を形
成する。感磁部は軟磁性膜であるＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ膜，
磁気分離膜Ｔａ，ＮｉＦｅ膜（ＭＲ膜）をスパッタリン
グ法で形成する。３層を成膜後、ホトリソグラフィ技術
により、所定の形状にパターニングする。レジスト除去
後、電極形成のため再びホトリソグラフィ技術により、
レジストを形成し、電極Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂ膜２を形成
後、レジストを除去する。レジスト除去後に、磁気ギャ
ップ膜６，保護膜９としてレジストを形成後、磁気シー
ルド膜７を形成した。磁区制御層を着磁するため、トラ
ック幅方向に３ｋＯｅの直流磁界を印加しながら２７５
℃で３０分間熱処理を行う。ここで、基板全体に導電性
樹脂としてコロイド状カーボンを塗布した後、所定の大
きさの磁気抵抗効果型ヘッドに加工した。加工は研磨に
より行うが、最終工程まで電極が短絡してあるため、加
工中に静電気が発生しても感磁部には電気が流れないの
で感磁部が破壊することなくヘッドの加工ができる。ま
た、所定のＭＲ高さまで加工する後、アセトンで洗浄す
ることによりコロイド状カーボンは除去できる。さら
に、運搬，組立て時に再びコロイド状カーボンを塗布す
れば、この工程中の静電破壊も防止できる。
【０００８】本実施例では、分解能の高いヘッドを得る
ために磁気シールド膜を設けたが、高分解能を要求しな
い場合は設けなくてもよい。また、磁気分離膜にはＡｌ
2Ｏ3にＺｒＯ2やＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5などを混合したもの
でも同様の効果が得られる。また、軟磁性膜はＮｉ−Ｆ
ｅ−Ｎｂ−Ｃｏ系薄膜，磁区制御層はＦｅＭｎでもよ
い。
ために磁気シールド膜を設けたが、高分解能を要求しな
い場合は設けなくてもよい。また、磁気分離膜にはＡｌ
2Ｏ3にＺｒＯ2やＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5などを混合したもの
でも同様の効果が得られる。また、軟磁性膜はＮｉ−Ｆ
ｅ−Ｎｂ−Ｃｏ系薄膜，磁区制御層はＦｅＭｎでもよ
い。
【０００９】本実施例では、再生用ヘッドの作成工程を
示したが、書き込み用ヘッドを搭載したヘッドでも本発
明が有効である。
示したが、書き込み用ヘッドを搭載したヘッドでも本発
明が有効である。
【００１０】また、導電性樹脂にはAcheson Products社
製のアクアダック，エレクトロダックなどが有効であ
る。これらの樹脂は水性グラファイトであり、加工後の
洗浄で容易に除去が可能である。
製のアクアダック，エレクトロダックなどが有効であ
る。これらの樹脂は水性グラファイトであり、加工後の
洗浄で容易に除去が可能である。
【００１１】（実施例２）図２は本発明の他の一実施例
による感磁部の平面図及びＡ−Ａ′断面図を示す。
による感磁部の平面図及びＡ−Ａ′断面図を示す。
【００１２】上部シールド膜までの形成法は実施例１と
同じである。上部シールド膜形成後、ホトリソ技術によ
り、図２に示すようなスルーホール３をドライエッチン
グにより形成する。さらに、スルーホール内に導電性樹
脂を注入し、上部シールド膜７，下部シールド膜４と一
対の電極２の片側を電気的に短絡させる。これにより、
上部ギャップ膜６または下部ギャップ膜５に静電気によ
るピンホールは生成しない。上部シールド膜７，下部シ
ールド膜４と一対の電極２の片側を電気的に短絡させる
には、導電性金属膜をスパッタリング法や蒸着法，めっ
き法などによりスルーホール内に埋め込む方法もある
が、時間がかかる、カバレッジが悪いなどの問題があ
り、これと比較しても本発明は有効である。磁区制御層
を着磁するため、トラック幅方向に３ｋＯｅの直流磁界
を印加しながら２７５℃で３０分間熱処理を行い、基板
全体に導電性樹脂としてコロイド状カーボンを塗布した
後、所定の大きさの磁気抵抗効果型ヘッドに加工する工
程は実施例１と同じである。
同じである。上部シールド膜形成後、ホトリソ技術によ
り、図２に示すようなスルーホール３をドライエッチン
グにより形成する。さらに、スルーホール内に導電性樹
脂を注入し、上部シールド膜７，下部シールド膜４と一
対の電極２の片側を電気的に短絡させる。これにより、
上部ギャップ膜６または下部ギャップ膜５に静電気によ
るピンホールは生成しない。上部シールド膜７，下部シ
ールド膜４と一対の電極２の片側を電気的に短絡させる
には、導電性金属膜をスパッタリング法や蒸着法，めっ
き法などによりスルーホール内に埋め込む方法もある
が、時間がかかる、カバレッジが悪いなどの問題があ
り、これと比較しても本発明は有効である。磁区制御層
を着磁するため、トラック幅方向に３ｋＯｅの直流磁界
を印加しながら２７５℃で３０分間熱処理を行い、基板
全体に導電性樹脂としてコロイド状カーボンを塗布した
後、所定の大きさの磁気抵抗効果型ヘッドに加工する工
程は実施例１と同じである。
【００１３】実施例１，実施例２では感磁部にＭＲ膜を
用いているが、感磁部に巨大磁気抵抗効果膜を用いた場
合、さらに膜が薄くなるためこれらの発明は有効であ
る。
用いているが、感磁部に巨大磁気抵抗効果膜を用いた場
合、さらに膜が薄くなるためこれらの発明は有効であ
る。
【００１４】本実施例では、再生用ヘッドの作成工程を
示したが、書き込み用ヘッドを搭載したヘッドでも本発
明が有効である。
示したが、書き込み用ヘッドを搭載したヘッドでも本発
明が有効である。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ヘッド作製工程中の静
電破壊を防止することができ、ヘッドの歩留まりが向上
する。したがって、高記録密度化による狭ギャップ，狭
トラック化へも容易に対応できる。
電破壊を防止することができ、ヘッドの歩留まりが向上
する。したがって、高記録密度化による狭ギャップ，狭
トラック化へも容易に対応できる。
【図１】電極が導電性樹脂で短絡された構造を持つ磁気
効果型ヘッドの斜視図。
効果型ヘッドの斜視図。
【図２】上部シールド膜と電極と下部シールド膜がスル
ーホール内の導電性樹脂により電気的に短絡された構造
を持つ磁気抵抗効果型ヘッドの感磁部の説明図。
ーホール内の導電性樹脂により電気的に短絡された構造
を持つ磁気抵抗効果型ヘッドの感磁部の説明図。
１，１０…導電性樹脂、２…感磁部、３…電極、４…下
部シールド膜、５…下部ギャップ膜、６…上部ギャップ
膜、７…上部シールド膜、８…非磁性基板、９…レジス
ト膜。
部シールド膜、５…下部ギャップ膜、６…上部ギャップ
膜、７…上部シールド膜、８…非磁性基板、９…レジス
ト膜。
Claims (3)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
の近くに位置し磁気分離膜によって前記磁気抵抗効果膜
と磁気的に分離された軟磁性膜と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵
抗効果膜の磁区を制御する磁区制御層とを有し、これら
の積層膜の上部及び下部に磁気シールド膜を有する磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法において、ヘッドの加工工
程中、導電性樹脂により端子間を常に短絡していること
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記導電性樹脂は最終
工程で容易に除去でき、短絡が解除できる磁気抵抗効果
型ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
の近くに位置し磁気分離膜によって前記磁気抵抗効果膜
と磁気的に分離された軟磁性膜と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵
抗効果膜の磁区を制御する磁区制御層とを有し、これら
の積層膜の上部及び下部に磁気シールド膜を有する磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記電極のうち
の一方と上部及び下部シールド膜が導電性樹脂により電
気的に接続されていることを特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33851095A JPH09180130A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33851095A JPH09180130A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180130A true JPH09180130A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18318840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33851095A Pending JPH09180130A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09180130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718621B1 (en) | 1999-05-11 | 2004-04-13 | Nec Corporation | Magnetoresistive head production method |
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP33851095A patent/JPH09180130A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718621B1 (en) | 1999-05-11 | 2004-04-13 | Nec Corporation | Magnetoresistive head production method |
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
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