JPH09180964A - チップ型固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH09180964A JPH09180964A JP34023795A JP34023795A JPH09180964A JP H09180964 A JPH09180964 A JP H09180964A JP 34023795 A JP34023795 A JP 34023795A JP 34023795 A JP34023795 A JP 34023795A JP H09180964 A JPH09180964 A JP H09180964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode lead
- layer
- anode
- lead frame
- insulating member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 54
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 14
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- OUNVHRVEZKVXQB-UHFFFAOYSA-N copper;dodecyl benzenesulfonate Chemical compound [Cu].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 OUNVHRVEZKVXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical group [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンデンサ素子を樹脂外装する必要がなく、
漏れ電流劣化の少ない、薄形のチップ型固体電解コンデ
ンサを安価に製造する。 【解決手段】 陽極体１に植立された陽極リード２に、
外部陽極リードフレーム３を溶接した後、この溶接点を
含む陽極リード２導出面をモールドして、絶縁部材４を
形成する。しかる後、陽極体１の周面に順次、誘電体皮
膜層５，固体電解質層６，導電金属層７を形成する。次
に、絶縁部材４より導出した外部陰極リードフレーム３
を切断し、絶縁部材４に沿って折り曲げて外部陽極端子
を形成し、固体電解コンデンサを形成する。
漏れ電流劣化の少ない、薄形のチップ型固体電解コンデ
ンサを安価に製造する。 【解決手段】 陽極体１に植立された陽極リード２に、
外部陽極リードフレーム３を溶接した後、この溶接点を
含む陽極リード２導出面をモールドして、絶縁部材４を
形成する。しかる後、陽極体１の周面に順次、誘電体皮
膜層５，固体電解質層６，導電金属層７を形成する。次
に、絶縁部材４より導出した外部陰極リードフレーム３
を切断し、絶縁部材４に沿って折り曲げて外部陽極端子
を形成し、固体電解コンデンサを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型固体電解
コンデンサの製造方法に関し、特に外部陽，陰極端子の
形成方法に関する。
コンデンサの製造方法に関し、特に外部陽，陰極端子の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型固体電解コンデンサは、
図３に示すように、誘電体皮膜層，固体電解質層，陰極
金属層を形成してなるコンデンサ素子１１に外部陰極端
子１３を銀ペーストからなる導電性接着剤１５にて接続
するとともにコンデンサ素子１１より導出した陽極リー
ド１２を外部陽極端子１４に抵抗溶接によって接続した
後、素子１１と外部陽，陰極端子１４，１３の一部をエ
ポキシ系の外装樹脂材１６にてモールド成型し、モール
ド樹脂材１から導出する外部陽，陰極端子１４，１３を
折り曲げ成型していた。
図３に示すように、誘電体皮膜層，固体電解質層，陰極
金属層を形成してなるコンデンサ素子１１に外部陰極端
子１３を銀ペーストからなる導電性接着剤１５にて接続
するとともにコンデンサ素子１１より導出した陽極リー
ド１２を外部陽極端子１４に抵抗溶接によって接続した
後、素子１１と外部陽，陰極端子１４，１３の一部をエ
ポキシ系の外装樹脂材１６にてモールド成型し、モール
ド樹脂材１から導出する外部陽，陰極端子１４，１３を
折り曲げ成型していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のチップ型固体電解コンデンサの製造方法では、コンデ
ンサ素子１１をエポキシ系等の樹脂材１６で外装するの
で、樹脂材１６から全方向よりの応力を受け、コンデン
サの漏れ電流が増大するという問題があった。また、樹
脂厚の分だけ製品が厚くなり、薄型化の妨げとなってい
た。さらに、外部陰極端子１３を高価な銀ペーストかな
る導電性接着剤１５で接続するため、コスト高になった
り接続の信頼性に問題があった。
のチップ型固体電解コンデンサの製造方法では、コンデ
ンサ素子１１をエポキシ系等の樹脂材１６で外装するの
で、樹脂材１６から全方向よりの応力を受け、コンデン
サの漏れ電流が増大するという問題があった。また、樹
脂厚の分だけ製品が厚くなり、薄型化の妨げとなってい
た。さらに、外部陰極端子１３を高価な銀ペーストかな
る導電性接着剤１５で接続するため、コスト高になった
り接続の信頼性に問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型固体電
解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極体
に植立した弁作用金属からなる陽極リードに半田付け可
能な外部陽極リードフレームを接続する工程と、該外部
陽極リードフレーム接続部を含む陽極リード導出面にモ
ールド成型により絶縁部材を形成する工程と、陽極体の
周面に順次誘電体皮膜，固体電解質層，陰極金属層を形
成する工程と、外部陽極リードフレームを切断した後絶
縁部材に沿って折り曲げ成型することを特徴とする。
解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極体
に植立した弁作用金属からなる陽極リードに半田付け可
能な外部陽極リードフレームを接続する工程と、該外部
陽極リードフレーム接続部を含む陽極リード導出面にモ
ールド成型により絶縁部材を形成する工程と、陽極体の
周面に順次誘電体皮膜，固体電解質層，陰極金属層を形
成する工程と、外部陽極リードフレームを切断した後絶
縁部材に沿って折り曲げ成型することを特徴とする。
【０００５】本発明は、陽極体に誘電体皮膜，固体電解
質層，陰極金属層を形成してなるコンデンサ素子全周面
上に、絶縁部となる外装樹脂を形成せずに陽極リード導
出面にのみモールド成型により絶縁部材を形成している
ので、コンデンサ素子が外装樹脂からの応力を受けず漏
れ電流の劣化を防止できる。また、コンデンサ素子の陰
極金属層が外部陰極単位の役割を果たすので、外部陰極
リードを高価な銀ペーストで取り付ける必要がなくな
り、接続の信頼性が向上する。さらに、従来のものに比
して外部陰極リードと外装樹脂の分だけ薄型化が可能に
なるという利点がある。
質層，陰極金属層を形成してなるコンデンサ素子全周面
上に、絶縁部となる外装樹脂を形成せずに陽極リード導
出面にのみモールド成型により絶縁部材を形成している
ので、コンデンサ素子が外装樹脂からの応力を受けず漏
れ電流の劣化を防止できる。また、コンデンサ素子の陰
極金属層が外部陰極単位の役割を果たすので、外部陰極
リードを高価な銀ペーストで取り付ける必要がなくな
り、接続の信頼性が向上する。さらに、従来のものに比
して外部陰極リードと外装樹脂の分だけ薄型化が可能に
なるという利点がある。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、チップ型
タンタル固体電解コンデンサを例にとり説明する。図１
は、本発明の製造方法によって得られたチップ型タンタ
ル固体電解コンデンサの断面図である。図において１は
タンタル金属粒子の焼結体からなる陽極体、１はタンタ
ル金属線からなる陽極リード、３は半田めっきを施した
外部陽極リードフレーム、４はエポキシ樹脂からなる絶
縁部材、５は五酸化タンタル被膜からなる誘電体皮膜、
６はポリピロールからなる固体電解質層、７はグラファ
イト層と銀ペーストからなる導電金属層、８はニッケル
めっき層、９は半田、１０は外部陰極端子を構成する陰
極金属層である。
タンタル固体電解コンデンサを例にとり説明する。図１
は、本発明の製造方法によって得られたチップ型タンタ
ル固体電解コンデンサの断面図である。図において１は
タンタル金属粒子の焼結体からなる陽極体、１はタンタ
ル金属線からなる陽極リード、３は半田めっきを施した
外部陽極リードフレーム、４はエポキシ樹脂からなる絶
縁部材、５は五酸化タンタル被膜からなる誘電体皮膜、
６はポリピロールからなる固体電解質層、７はグラファ
イト層と銀ペーストからなる導電金属層、８はニッケル
めっき層、９は半田、１０は外部陰極端子を構成する陰
極金属層である。
【０００７】以下、上記チップ型固体電解コンデンサの
製造方法について説明する。粒径が１ミクロンオーダー
のタンタル粉末をプレス成型した陽極体１に、タンタル
金属線からなる陽極リード２を植立させる。次に、１５
００℃以上の温度に設定した真空炉内にて焼結させた
後、図２に示すように鉄とニッケルの合金からなるリー
ドフレームへ厚さ約５ミクロンの半田メッキを形成した
外部陽極リードフレーム３にタンタル金属線からなる陽
極リード２を抵抗溶接により接続する。次に、外部陽極
リードフレーム３に陽極リード２を固着した状態でモー
ルド成型により、外部陽極リードフレーム３と陽極リー
ド２との溶接点を含む陽極体１の陽極リード２導出面に
エポキシ樹脂からなる絶縁部材４を形成する。絶縁部材
４の厚みは、陽極体１の厚みとほぼ同一にし、陽極体１
と絶縁部材４がほぼ同一面上になることが望ましい。
製造方法について説明する。粒径が１ミクロンオーダー
のタンタル粉末をプレス成型した陽極体１に、タンタル
金属線からなる陽極リード２を植立させる。次に、１５
００℃以上の温度に設定した真空炉内にて焼結させた
後、図２に示すように鉄とニッケルの合金からなるリー
ドフレームへ厚さ約５ミクロンの半田メッキを形成した
外部陽極リードフレーム３にタンタル金属線からなる陽
極リード２を抵抗溶接により接続する。次に、外部陽極
リードフレーム３に陽極リード２を固着した状態でモー
ルド成型により、外部陽極リードフレーム３と陽極リー
ド２との溶接点を含む陽極体１の陽極リード２導出面に
エポキシ樹脂からなる絶縁部材４を形成する。絶縁部材
４の厚みは、陽極体１の厚みとほぼ同一にし、陽極体１
と絶縁部材４がほぼ同一面上になることが望ましい。
【０００８】次に、外部陽極リードフレーム３に固着し
た陽極体１を０．１ｖｏｌ％の燐酸水溶液中に浸漬し、
１分間に１Ｖの昇圧速度にて陽極酸化を行い、厚さ約１
０００オグストロームの五酸化タンタル皮膜からなる誘
電体被膜層５を形成する。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸銅の２０ｖｏｌ％メタノール溶液に、陽極体１を
浸漬し、陽極体１内部に含浸させた後、温度５０℃のオ
ーブンにてメタノールを蒸発させる。次に、１０％のピ
ロールモノマー溶液中に浸漬し、固体電解質層となるポ
リピロール層６を形成する。ドデシルベンゼンスルホン
酸銅とピロールモノマーの浸漬は陽極体１の内部に約
０．１〜０．５ミクロン、陽極体１外部に５〜２０ミク
ロンのポリピロール層６が形成されるまで１０〜２０回
繰り返し行われる。次にポリピロール層６上にグラファ
イト層，銀ペースト層からなる導電金属層７と周知の方
法で形成した後、無電解ニッケルめっき浴に３０分間浸
漬し、厚さ約５ミクロンのニッケルめっき層８を温度２
２０℃の共晶半田浴に陽極体１をディッピングしてニッ
ケルめっき層８上に、半田層９を形成する。このように
して、グラファイト層、ニッケルめっき層、半田層の３
層からなる陰極金属層１０を形成する。次に、絶縁部材
４から導出している外部陽極リードフレーム３を切断し
た後絶縁部材４に沿ってＬ字形に折り曲げてチップ型固
体電解コンデンサを作製した。
た陽極体１を０．１ｖｏｌ％の燐酸水溶液中に浸漬し、
１分間に１Ｖの昇圧速度にて陽極酸化を行い、厚さ約１
０００オグストロームの五酸化タンタル皮膜からなる誘
電体被膜層５を形成する。次に、ドデシルベンゼンスル
ホン酸銅の２０ｖｏｌ％メタノール溶液に、陽極体１を
浸漬し、陽極体１内部に含浸させた後、温度５０℃のオ
ーブンにてメタノールを蒸発させる。次に、１０％のピ
ロールモノマー溶液中に浸漬し、固体電解質層となるポ
リピロール層６を形成する。ドデシルベンゼンスルホン
酸銅とピロールモノマーの浸漬は陽極体１の内部に約
０．１〜０．５ミクロン、陽極体１外部に５〜２０ミク
ロンのポリピロール層６が形成されるまで１０〜２０回
繰り返し行われる。次にポリピロール層６上にグラファ
イト層，銀ペースト層からなる導電金属層７と周知の方
法で形成した後、無電解ニッケルめっき浴に３０分間浸
漬し、厚さ約５ミクロンのニッケルめっき層８を温度２
２０℃の共晶半田浴に陽極体１をディッピングしてニッ
ケルめっき層８上に、半田層９を形成する。このように
して、グラファイト層、ニッケルめっき層、半田層の３
層からなる陰極金属層１０を形成する。次に、絶縁部材
４から導出している外部陽極リードフレーム３を切断し
た後絶縁部材４に沿ってＬ字形に折り曲げてチップ型固
体電解コンデンサを作製した。
【０００９】上記の方法にて作製した定格電圧１６Ｖ、
静電容量１０μＦのチップ型タンタル固体電解コンデン
サ１００個に電圧１６Ｖを印加し、１分経過後の漏れ電
流不良発生結果を表１に示す。但し、漏れ電流が１μＡ
を超えるものを不良とした。また、比較のため、従来技
術にて作製したコンデンサについても漏れ電流を測定し
た。本発明により保たれたコンデンサは、従来品に較べ
漏れ電流不良が明らかに減少していることがわかる。
静電容量１０μＦのチップ型タンタル固体電解コンデン
サ１００個に電圧１６Ｖを印加し、１分経過後の漏れ電
流不良発生結果を表１に示す。但し、漏れ電流が１μＡ
を超えるものを不良とした。また、比較のため、従来技
術にて作製したコンデンサについても漏れ電流を測定し
た。本発明により保たれたコンデンサは、従来品に較べ
漏れ電流不良が明らかに減少していることがわかる。
【００１０】
【表１】
【００１１】ここで、銀ペースト層上にニッケルめっき
層を形成する理由は、銀ペーストが半田に拡散するいわ
ゆる銀喰われ現象防止の為である。本発明の製造方法で
は、コンデンサ素子の陰極金属層をそのままの状態で外
部陽極端子として用いるので、陰極金属層の耐熱性を上
げるためにニッケルめっき層を用いる必要がある。ま
た、銀ペースト層は無電解ニッケルめっき層を形成する
ための触媒として用いるので、銅ペーストがパラジウム
ペースト及びそれらの混合物を用いても良い。さらに、
ニッケルめっきの他に、銅，金等のめっきを用いてもよ
い。
層を形成する理由は、銀ペーストが半田に拡散するいわ
ゆる銀喰われ現象防止の為である。本発明の製造方法で
は、コンデンサ素子の陰極金属層をそのままの状態で外
部陽極端子として用いるので、陰極金属層の耐熱性を上
げるためにニッケルめっき層を用いる必要がある。ま
た、銀ペースト層は無電解ニッケルめっき層を形成する
ための触媒として用いるので、銅ペーストがパラジウム
ペースト及びそれらの混合物を用いても良い。さらに、
ニッケルめっきの他に、銅，金等のめっきを用いてもよ
い。
【００１２】本発明の他の実施例として、固体電解質６
として、ポリピロールの代わりに、導電性高分子材の一
種であるポリアニリンを形成した。ポリアニリンの形成
は、パラトルエンスルホン酸とアニリンモノマーを同モ
ル混合した溶液を水にて４０％に希釈した水溶液に陽極
体１を浸漬した後、重クロム酸アンモニウム５％の水溶
液に浸漬して、酸化重合してポリアニリン膜を形成し
た。固体電解質層６として、ポリアニリンを使用する
と、ポリピロールより耐熱性および材料コストを低減で
きるメリットがある。固体電解質層６にポリピロールや
ポリチオフィンを用いると、従来の硝酸マンガンの熱分
解により生成された二酸化マンガンに較べ、室温で固体
電解質層６を形成できるので、固体電解質層６の形成前
に半田めっきを施した外部陽極リードフレーム３を接続
できるという利点が生まれる。このため、従来の二酸化
マンガンお固体電解質６とするコンデンサの製造方法に
較べ工程を簡略化できるメリットがある。
として、ポリピロールの代わりに、導電性高分子材の一
種であるポリアニリンを形成した。ポリアニリンの形成
は、パラトルエンスルホン酸とアニリンモノマーを同モ
ル混合した溶液を水にて４０％に希釈した水溶液に陽極
体１を浸漬した後、重クロム酸アンモニウム５％の水溶
液に浸漬して、酸化重合してポリアニリン膜を形成し
た。固体電解質層６として、ポリアニリンを使用する
と、ポリピロールより耐熱性および材料コストを低減で
きるメリットがある。固体電解質層６にポリピロールや
ポリチオフィンを用いると、従来の硝酸マンガンの熱分
解により生成された二酸化マンガンに較べ、室温で固体
電解質層６を形成できるので、固体電解質層６の形成前
に半田めっきを施した外部陽極リードフレーム３を接続
できるという利点が生まれる。このため、従来の二酸化
マンガンお固体電解質６とするコンデンサの製造方法に
較べ工程を簡略化できるメリットがある。
【００１３】なお、本発明実施例では、チップ型タンタ
ル固体電解コンデンサを例にとり説明したが、チップ型
アルミ固体電解コンデンサ等にも適用できることは持ち
論である。
ル固体電解コンデンサを例にとり説明したが、チップ型
アルミ固体電解コンデンサ等にも適用できることは持ち
論である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、陽極リ
ードに外部陽極リードフレームを接続した後陽極リード
導出面にのみモールド成型により絶縁部材を設け、順
次、陽極体の周面に誘電体皮膜層，固体電解質層，陰極
金属層を形成したことにより、下記にのべる効果があ
る。 コンデンサ素子を樹脂外装しないで、チップ型コン
デンサが得られるので、樹脂から受ける応力がなくなり
漏れ電流の劣化が防止できる。 外装樹脂厚の分だけ薄型化が可能となる。 外部陰極端子とそれを取り付ける高価な導電性接着
剤が不要になるので、コスト削減が可能になるだけでな
く接続の信頼性が向上する。 製造工程が簡略化できるので、製造コストの低減が
できる。
ードに外部陽極リードフレームを接続した後陽極リード
導出面にのみモールド成型により絶縁部材を設け、順
次、陽極体の周面に誘電体皮膜層，固体電解質層，陰極
金属層を形成したことにより、下記にのべる効果があ
る。 コンデンサ素子を樹脂外装しないで、チップ型コン
デンサが得られるので、樹脂から受ける応力がなくなり
漏れ電流の劣化が防止できる。 外装樹脂厚の分だけ薄型化が可能となる。 外部陰極端子とそれを取り付ける高価な導電性接着
剤が不要になるので、コスト削減が可能になるだけでな
く接続の信頼性が向上する。 製造工程が簡略化できるので、製造コストの低減が
できる。
【図１】 本発明実施例の製造方法によって作製された
チップ型固体電解コンデンサの縦断面図
チップ型固体電解コンデンサの縦断面図
【図２】 同製造方法途中のコンデンサ素子を外部陽極
リードフレームに固着した状態を示す断面図
リードフレームに固着した状態を示す断面図
【図３】 従来の製造方法によって作製されたチップ型
固体電解コンデンサの縦断面図
固体電解コンデンサの縦断面図
１ 陽極体 ２ 陽極リード ３ 外部陽極リードフレーム ４ 絶縁部材 ５ 誘電体皮膜層 ６ 固体電解質層（ポリピロール） ７ 導電金属層（グラファイト，銀ペースト） ８ めっき層（ニッケルめっき層） ９ 半田層 １０ 陰極金属層（外部陰極端子）
Claims (3)
- 【請求項１】弁作用金属からなる陽極体に植立した弁作
用金属からなる陽極リードに半田付け可能な外部陽極リ
ードフレームを接続する工程と、該外部陽極リードフレ
ーム接続部を含む陽極リード導出面にモールド成型によ
り絶縁部材を形成する工程と、陽極体の周面に順次誘電
体皮膜層，固体電解質層，陰極金属層を形成する工程
と、外部陽極リードフレームを切断した後絶縁部材に沿
って折り曲げ成型する工程とを含むことを特徴とするチ
ップ型固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】前記固体電解質層が、ポリピロール，ポリ
チオフェン，ポリアニリンのいずれかからなることを特
徴とする請求項１記載のチップ型固体電解コンデンサの
製造方法。 - 【請求項３】前記陰極金属層が、導電金属層，めっき
層，半田層の積層体からなることを特徴とする請求項１
〜２記載のチップ型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34023795A JP2850823B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34023795A JP2850823B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180964A true JPH09180964A (ja) | 1997-07-11 |
| JP2850823B2 JP2850823B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=18335021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34023795A Expired - Lifetime JP2850823B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850823B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1094982C (zh) * | 1997-03-14 | 2002-11-27 | 阿奇亚斯佩丝阿里特尔尼公司 | 晶粒取向电工钢板生产中控制抑制作用的方法 |
| US6891716B2 (en) | 2000-11-20 | 2005-05-10 | Epcos Ag | Capacitor |
| US7061772B2 (en) | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
| WO2009102800A3 (en) * | 2008-02-12 | 2009-11-12 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency method of making |
| CN114273552A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-04-05 | 湖州新江浩电子有限公司 | 一种电容器引线弯折压扁装置及其使用方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34023795A patent/JP2850823B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1094982C (zh) * | 1997-03-14 | 2002-11-27 | 阿奇亚斯佩丝阿里特尔尼公司 | 晶粒取向电工钢板生产中控制抑制作用的方法 |
| US6891716B2 (en) | 2000-11-20 | 2005-05-10 | Epcos Ag | Capacitor |
| US7061772B2 (en) | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
| WO2009102800A3 (en) * | 2008-02-12 | 2009-11-12 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency method of making |
| CN114273552A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-04-05 | 湖州新江浩电子有限公司 | 一种电容器引线弯折压扁装置及其使用方法 |
| CN114273552B (zh) * | 2022-01-14 | 2022-09-23 | 湖州新江浩电子有限公司 | 一种电容器引线弯折压扁装置及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850823B2 (ja) | 1999-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4534184B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| US5142452A (en) | Chip-type solid electrolytic capacitors | |
| US20090237865A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same | |
| JP2000208367A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| KR20040019926A (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| JP2850823B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| EP3767654A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing solid electrolytic capacitor | |
| JPH04119623A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH04216608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4953090B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2850819B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4748726B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3433478B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3266205B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0499308A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH05326341A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0613269A (ja) | 積層型固体電解コンデンサ | |
| JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4574544B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2976518B2 (ja) | ヒューズ機能付チップ型コンデンサ | |
| JPS5879715A (ja) | チツプ型電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH07183167A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09293646A (ja) | タンタル固体電解コンデンサ | |
| JPH04360508A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH04354318A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981013 |