JPH09185045A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH09185045A JPH09185045A JP7344057A JP34405795A JPH09185045A JP H09185045 A JPH09185045 A JP H09185045A JP 7344057 A JP7344057 A JP 7344057A JP 34405795 A JP34405795 A JP 34405795A JP H09185045 A JPH09185045 A JP H09185045A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＴＯ膜からなる透明電極のパタンニング時に
用いるエッチング液によって、平坦化層の剥れやマイク
ロラックの発生を防止する。 【解決手段】平坦化層４上にアモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜５を成膜してフォトレジストを塗布し、弱酸のエ
ッチング液を用いパタンニングすることにより、平坦化
層４の剥れやマイクロラックの発生が防止される。
用いるエッチング液によって、平坦化層の剥れやマイク
ロラックの発生を防止する。 【解決手段】平坦化層４上にアモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜５を成膜してフォトレジストを塗布し、弱酸のエ
ッチング液を用いパタンニングすることにより、平坦化
層４の剥れやマイクロラックの発生が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶素子の製造方
法に係り、特にＩＴＯ膜からなる透明電極をエッチング
処理する工程を有する液晶素子の製造方法に関する。
法に係り、特にＩＴＯ膜からなる透明電極をエッチング
処理する工程を有する液晶素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＮ（Twisted Nematic ）やＳＴＮ（Su
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、その透明電極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
が一般に用いられている。
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、その透明電極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
が一般に用いられている。
【０００３】ＩＴＯ膜は結晶性が高く、Ｘ線回折におい
て、２２２面あるいは４００面にピークを有することが
知られている。このように、透明電極には、蒸着・スパ
ッタに関係なく高い透明性と低いシート抵抗が要求され
るため、結晶性の高いＩＴＯ膜が広く用いられている。
て、２２２面あるいは４００面にピークを有することが
知られている。このように、透明電極には、蒸着・スパ
ッタに関係なく高い透明性と低いシート抵抗が要求され
るため、結晶性の高いＩＴＯ膜が広く用いられている。
【０００４】そして、ＩＴＯ膜からなる透明電極をパタ
ーニングするエッチング処理工程において、従来は、塩
酸−塩化第二鉄系、臭化水素酸系、ヨウ化水素酸系等の
強酸のエッチング液が一般的に用いられている。
ーニングするエッチング処理工程において、従来は、塩
酸−塩化第二鉄系、臭化水素酸系、ヨウ化水素酸系等の
強酸のエッチング液が一般的に用いられている。
【０００５】また、不均一なエッチングを防止するため
に、塩化第二鉄を混合したヨウ化水素酸のエッチング液
も用いられるが、いずれも強酸の部類に属するものであ
る。
に、塩化第二鉄を混合したヨウ化水素酸のエッチング液
も用いられるが、いずれも強酸の部類に属するものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＩ
ＴＯ膜からなる透明電極のパターンを、樹脂材からなる
カラーフィルタとその上に配した平坦化層で構成される
カラーフィルタ基板上に形成する場合、上述したＩＴＯ
膜のエッチング液に含まれる塩素イオン・臭素イオンは
容易に樹脂材からなる平坦化層を通過し、透明電極（Ｉ
ＴＯ膜）、カラーフィルタ、平坦化層が形成されたガラ
ス基板に含まれるＮａとの塩をつくる。
ＴＯ膜からなる透明電極のパターンを、樹脂材からなる
カラーフィルタとその上に配した平坦化層で構成される
カラーフィルタ基板上に形成する場合、上述したＩＴＯ
膜のエッチング液に含まれる塩素イオン・臭素イオンは
容易に樹脂材からなる平坦化層を通過し、透明電極（Ｉ
ＴＯ膜）、カラーフィルタ、平坦化層が形成されたガラ
ス基板に含まれるＮａとの塩をつくる。
【０００７】また、上述した強酸の塩酸−塩化第二鉄系
（ｐＨ：−１．５２〜−１．２２）、臭化水素酸系（ｐ
Ｈ：−１．５８〜−１．２８）、ヨウ化水素酸（５７ｗ
ｔ％で、ｐＨ：−１．５８〜−１．２８）、ヨウ化水素
酸−塩化第二鉄系（ｐＨ：−１．３９〜−１．０９）等
のエッチング液は、平坦化層に微量添加されている金属
成分と反応して、図３に示すように、液晶素子のカラー
フィルタ１０上に形成される平坦化層１１に剥れ部分１
２やマイクロラック１３の発生を誘発する。尚、図中、
１４はガラス基板、１５はブラックマトリックス、１６
はＩＴＯ膜からなる透明電極である。また、上述したエ
ッチング液のｐＨは、エッチング液を１００倍に希釈し
た試料をｐＨメータで実測したｐＨ値から２を引いた値
である。このように、ＩＴＯ膜からなる透明電極１６を
パターニングするエッチング液によって平坦化層１１に
剥れ部分１２やマイクロラック１３が発生すると、平坦
化層１２の密着強度の低下、後工程での加熱により広範
囲で平坦化層１１が剥れるなどの欠陥が発生するという
問題があった。
（ｐＨ：−１．５２〜−１．２２）、臭化水素酸系（ｐ
Ｈ：−１．５８〜−１．２８）、ヨウ化水素酸（５７ｗ
ｔ％で、ｐＨ：−１．５８〜−１．２８）、ヨウ化水素
酸−塩化第二鉄系（ｐＨ：−１．３９〜−１．０９）等
のエッチング液は、平坦化層に微量添加されている金属
成分と反応して、図３に示すように、液晶素子のカラー
フィルタ１０上に形成される平坦化層１１に剥れ部分１
２やマイクロラック１３の発生を誘発する。尚、図中、
１４はガラス基板、１５はブラックマトリックス、１６
はＩＴＯ膜からなる透明電極である。また、上述したエ
ッチング液のｐＨは、エッチング液を１００倍に希釈し
た試料をｐＨメータで実測したｐＨ値から２を引いた値
である。このように、ＩＴＯ膜からなる透明電極１６を
パターニングするエッチング液によって平坦化層１１に
剥れ部分１２やマイクロラック１３が発生すると、平坦
化層１２の密着強度の低下、後工程での加熱により広範
囲で平坦化層１１が剥れるなどの欠陥が発生するという
問題があった。
【０００８】そこで、本発明は、平坦化層に剥れやマイ
クロラックを発生させることなく透明電極（ＩＴＯ膜）
を形成することができる液晶素子の製造方法を提供する
ことを目的とする。
クロラックを発生させることなく透明電極（ＩＴＯ膜）
を形成することができる液晶素子の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、液晶がその間に注入される対
向する一対の基板の少なくとも一方に、カラーフィルタ
と、該カラーフィルタの表面を平坦化する平坦化層と、
ＩＴＯ膜からなる透明電極とを形成する工程を少なくと
も有する液晶素子の製造方法において、前記平坦化層上
にアモルファス成分を含む前記ＩＴＯ膜を成膜してフォ
トレジストを塗布し、弱酸のエッチング液を用いてエッ
チング処理して前記透明電極をパターニングすることを
特徴としている。
みなされたものであって、液晶がその間に注入される対
向する一対の基板の少なくとも一方に、カラーフィルタ
と、該カラーフィルタの表面を平坦化する平坦化層と、
ＩＴＯ膜からなる透明電極とを形成する工程を少なくと
も有する液晶素子の製造方法において、前記平坦化層上
にアモルファス成分を含む前記ＩＴＯ膜を成膜してフォ
トレジストを塗布し、弱酸のエッチング液を用いてエッ
チング処理して前記透明電極をパターニングすることを
特徴としている。
【００１０】また、前記ＩＴＯ膜は、該ＩＴＯ膜の膜厚
をｄ（μｍ）、前記ＩＴＯ膜の２２２面のピーク強度を
Ｈ1 、３°入射のＸ線回折による標準物質Ｓｉパウダー
の１１１面のピーク強度をＨ2 とすると、１／ｄ×（Ｈ
1 ／Ｈ2 ）≦１／５を満足する結晶性の低いＩＴＯ膜で
あることを特徴としている。
をｄ（μｍ）、前記ＩＴＯ膜の２２２面のピーク強度を
Ｈ1 、３°入射のＸ線回折による標準物質Ｓｉパウダー
の１１１面のピーク強度をＨ2 とすると、１／ｄ×（Ｈ
1 ／Ｈ2 ）≦１／５を満足する結晶性の低いＩＴＯ膜で
あることを特徴としている。
【００１１】上述したアモルファス成分を含むＩＴＯ膜
は、その２２２面のピーク強度Ｈ1が低い程、アモルフ
ァス性が高くなる。ただし、アモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜の２２２面のピーク強度Ｈ1 はＸ線回折の分析感
度と、その膜厚によっても値が変わるので、標準物質Ｓ
ｉパウダーの１１１面のピーク強度Ｈ2 と、アモルファ
ス成分を含むＩＴＯ膜の膜厚ｄで規格化した値でアモル
ファス性を数値化（１／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）≦１／５）
した。
は、その２２２面のピーク強度Ｈ1が低い程、アモルフ
ァス性が高くなる。ただし、アモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜の２２２面のピーク強度Ｈ1 はＸ線回折の分析感
度と、その膜厚によっても値が変わるので、標準物質Ｓ
ｉパウダーの１１１面のピーク強度Ｈ2 と、アモルファ
ス成分を含むＩＴＯ膜の膜厚ｄで規格化した値でアモル
ファス性を数値化（１／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）≦１／５）
した。
【００１２】また、１／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）が１／５よ
り大きくなると、上述したＩＴＯ膜に結晶部分が存在す
ることにより、この“１／５”の値は、弱酸のエッチン
グ液でエッチング処理しても残渣を発生する上限値を示
す。
り大きくなると、上述したＩＴＯ膜に結晶部分が存在す
ることにより、この“１／５”の値は、弱酸のエッチン
グ液でエッチング処理しても残渣を発生する上限値を示
す。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１４】図１は、第１の実施の形態に係る液晶素子
の基板を示す概略断面図である。この図に示すように、
１は強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶（図示省
略）を挟持する一対のガラス基板（図では一方の基板だ
けを示している）、２は遮光層であるブラックマトリッ
クス、３はカラーフィルタ、４は平坦化層（オーバーコ
ート）、５は透明電極（ＩＴＯ膜）である。
の基板を示す概略断面図である。この図に示すように、
１は強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶（図示省
略）を挟持する一対のガラス基板（図では一方の基板だ
けを示している）、２は遮光層であるブラックマトリッ
クス、３はカラーフィルタ、４は平坦化層（オーバーコ
ート）、５は透明電極（ＩＴＯ膜）である。
【００１５】カラーフィルタ３は、赤（Ｒ），緑
（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の各画素で構成されてお
り、一対のガラス基板１間に印加される電圧の制御によ
り加色混合してカラー表示を行う。
（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の各画素で構成されてお
り、一対のガラス基板１間に印加される電圧の制御によ
り加色混合してカラー表示を行う。
【００１６】平坦化層４は、カラーフィルタ３を覆うよ
うにして形成され、カラーフィルタ３の保護、及びカラ
ーフィルタ３の平坦性を確保している。
うにして形成され、カラーフィルタ３の保護、及びカラ
ーフィルタ３の平坦性を確保している。
【００１７】透明電極（ＩＴＯ膜）５は、結晶性が低く
なるようにアモルファス成分を含んでおり、平坦化層４
上にパターニングされている（詳細は後述する）。
なるようにアモルファス成分を含んでおり、平坦化層４
上にパターニングされている（詳細は後述する）。
【００１８】また、上述したガラス基板１の透明電極
（ＩＴＯ膜）５上には、絶縁膜（図示省略）、配向膜
（図示省略）等が形成され、この一対のガラス基板１を
貼り合せて強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶
（図示省略）を注入することにより、カラー表示可能な
液晶素子が作製される。尚、他方のガラス基板には、ブ
ラックマトリックス、カラーフィルタ、平坦化層は形成
されていない。
（ＩＴＯ膜）５上には、絶縁膜（図示省略）、配向膜
（図示省略）等が形成され、この一対のガラス基板１を
貼り合せて強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶
（図示省略）を注入することにより、カラー表示可能な
液晶素子が作製される。尚、他方のガラス基板には、ブ
ラックマトリックス、カラーフィルタ、平坦化層は形成
されていない。
【００１９】次に、上述した液晶素子の製造方法を、図
２（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
２（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【００２０】先ず、ガラス基板（厚さが１．１ｍｍ）１
の表面に金属膜（Ｍｏ膜）を、例えばスパッタリング法
により１０００Å程度の膜厚で形成し、この金属膜（Ｍ
ｏ膜）をフォトリソ法によって、ブラックマトリックス
２としてパターニングする。そして、このブラックマト
リックス２上に感光性着色樹脂を塗布し、フォトリソ法
により赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の各画
素で構成されるカラーフィルタ３を１．５μｍ程度の膜
厚で形成する（図２（ａ）参照）。
の表面に金属膜（Ｍｏ膜）を、例えばスパッタリング法
により１０００Å程度の膜厚で形成し、この金属膜（Ｍ
ｏ膜）をフォトリソ法によって、ブラックマトリックス
２としてパターニングする。そして、このブラックマト
リックス２上に感光性着色樹脂を塗布し、フォトリソ法
により赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の各画
素で構成されるカラーフィルタ３を１．５μｍ程度の膜
厚で形成する（図２（ａ）参照）。
【００２１】そして、カラーフィルタ３上に、例えばポ
リビニルシロキサンからなる平坦化層４をスピンコート
法によって１．５μｍ程度の膜厚で塗布してカラーフィ
ルタ基板とする（図２（ｂ）参照）。
リビニルシロキサンからなる平坦化層４をスピンコート
法によって１．５μｍ程度の膜厚で塗布してカラーフィ
ルタ基板とする（図２（ｂ）参照）。
【００２２】そして、このカラーフィルタ基板である平
坦化層４上に、透明電極となるアモルファス成分を含む
ＩＴＯ膜５を、スパッタリング法により７００Å程度の
膜厚で形成する（図２（ｃ）参照）。
坦化層４上に、透明電極となるアモルファス成分を含む
ＩＴＯ膜５を、スパッタリング法により７００Å程度の
膜厚で形成する（図２（ｃ）参照）。
【００２３】この時のＩＴＯ膜５の成膜条件は、例えば
基板温度：３０℃、圧力：３ｍTorr、Ｏ2 流量：３ｓｃ
ｃｍ、Ａｒ流量：２００ｓｃｃｍ、パワー：０．５７ｋ
ｗ、搬送速度：５００ｍｍ／ｍｉｎであり、スパッタ装
置には、日電アネルバ製のＩＬＣ７０５を用いた。
基板温度：３０℃、圧力：３ｍTorr、Ｏ2 流量：３ｓｃ
ｃｍ、Ａｒ流量：２００ｓｃｃｍ、パワー：０．５７ｋ
ｗ、搬送速度：５００ｍｍ／ｍｉｎであり、スパッタ装
置には、日電アネルバ製のＩＬＣ７０５を用いた。
【００２４】そして、このＩＴＯ膜５上に、フォトレジ
ストを塗布し、露光、現像を通して膜厚が２μｍ程度の
フォトレジストパターン６を形成する（図２（ｄ）参
照）。そして、フォトレジストパターン６が形成された
ＩＴＯ膜５を弱酸のエッチング液でエッチングし、その
後、フォトレジストパターン６を剥離してＩＴＯ膜から
なる透明電極７をパターニングする（図２（ｅ）参
照）。
ストを塗布し、露光、現像を通して膜厚が２μｍ程度の
フォトレジストパターン６を形成する（図２（ｄ）参
照）。そして、フォトレジストパターン６が形成された
ＩＴＯ膜５を弱酸のエッチング液でエッチングし、その
後、フォトレジストパターン６を剥離してＩＴＯ膜から
なる透明電極７をパターニングする（図２（ｅ）参
照）。
【００２５】この時、ＩＴＯ膜５のエッチングに用いた
弱酸のエッチング液は、ｐＨ（エッチング液を１００倍
に希釈した試料をｐＨメータで実測したｐＨ値から２を
引いた値）が−１．１より高く、本実施の形態では−
１．０の希釈ヨウ化水素酸（混合容積比は、ＨＩ（５７
ｗｔ％）：Ｈ2 Ｏ＝６０：４０〜１０：９０が好まし
く、本実施の形態では５０：５０とした）で、液温２５
℃でのエッチングレートは、１０〜３０Å／ｓｅｃが好
ましく、本実施の形態では５Å／ｓｅｃで行った。尚、
上述したエッチング液の希釈ヨウ化水素酸は、樹脂膜で
ある平坦化層４を通過しやすい塩素イオンや臭素イオン
を含んでいない。
弱酸のエッチング液は、ｐＨ（エッチング液を１００倍
に希釈した試料をｐＨメータで実測したｐＨ値から２を
引いた値）が−１．１より高く、本実施の形態では−
１．０の希釈ヨウ化水素酸（混合容積比は、ＨＩ（５７
ｗｔ％）：Ｈ2 Ｏ＝６０：４０〜１０：９０が好まし
く、本実施の形態では５０：５０とした）で、液温２５
℃でのエッチングレートは、１０〜３０Å／ｓｅｃが好
ましく、本実施の形態では５Å／ｓｅｃで行った。尚、
上述したエッチング液の希釈ヨウ化水素酸は、樹脂膜で
ある平坦化層４を通過しやすい塩素イオンや臭素イオン
を含んでいない。
【００２６】また、この時のエッチング時間として、適
正なエッチング時間の約２倍のオーバーエッチングを行
ったところ、ＩＴＯ膜５のサイドエッジ量は小さく、各
ＩＴＯ膜５の画素間の間隔（１０μｍ程度）に対して、
１μｍ程度であった。
正なエッチング時間の約２倍のオーバーエッチングを行
ったところ、ＩＴＯ膜５のサイドエッジ量は小さく、各
ＩＴＯ膜５の画素間の間隔（１０μｍ程度）に対して、
１μｍ程度であった。
【００２７】そして、この透明電極７上に絶縁膜（図示
省略）、配向膜（図示省略）等を形成し、同様の処理を
施した他方のガラス基板（カラーフィルタ等は備えてい
ない）と対向して貼り合せて液晶（図示省略）を注入す
ることにより、カラー表示可能な液晶素子が得られる。
尚、注入する液晶として、例えばネマチック液晶、スマ
クチック液晶、カイラルスマクチック液晶（特に、強誘
電性を示す液晶）等の種々の液晶表示モードに適用され
る液晶材料を用いることができる。また、透明電極７の
パターンを、このパターン形成以後の工程において、必
要に応じてアニーリング処理方向、透過性等の特性を最
適な状態とすることができる。
省略）、配向膜（図示省略）等を形成し、同様の処理を
施した他方のガラス基板（カラーフィルタ等は備えてい
ない）と対向して貼り合せて液晶（図示省略）を注入す
ることにより、カラー表示可能な液晶素子が得られる。
尚、注入する液晶として、例えばネマチック液晶、スマ
クチック液晶、カイラルスマクチック液晶（特に、強誘
電性を示す液晶）等の種々の液晶表示モードに適用され
る液晶材料を用いることができる。また、透明電極７の
パターンを、このパターン形成以後の工程において、必
要に応じてアニーリング処理方向、透過性等の特性を最
適な状態とすることができる。
【００２８】このように、本実施の形態では、スパッタ
時に基板温度を下げ、ガス圧力を低下させた高真空で、
さらにＯ2 流量を下げることにより、アモルファス成分
を含むＩＴＯ膜５が成膜される。そして、アモルファス
成分を含むＩＴＯ膜５のエッチング処理時に、エッチン
グ液に水で希釈した弱酸のヨウ化水素酸を用いることに
より、平坦化層４に微量添加されている金属成分と反応
することもないので、平坦化層４の剥れやマイクロラッ
クの発生を防止することができる。
時に基板温度を下げ、ガス圧力を低下させた高真空で、
さらにＯ2 流量を下げることにより、アモルファス成分
を含むＩＴＯ膜５が成膜される。そして、アモルファス
成分を含むＩＴＯ膜５のエッチング処理時に、エッチン
グ液に水で希釈した弱酸のヨウ化水素酸を用いることに
より、平坦化層４に微量添加されている金属成分と反応
することもないので、平坦化層４の剥れやマイクロラッ
クの発生を防止することができる。
【００２９】また、本実施の形態に係る液晶素子のアモ
ルファス成分を含むＩＴＯ膜５は、結晶性のＩＴＯ膜に
比べて表面が滑らかなので平坦性に優れ、液晶に対する
配向性の制御が向上する。
ルファス成分を含むＩＴＯ膜５は、結晶性のＩＴＯ膜に
比べて表面が滑らかなので平坦性に優れ、液晶に対する
配向性の制御が向上する。
【００３０】次に、第２の実施の形態に係る液晶素子の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３１】本実施の形態は、上述した第１の実施の形
態でのブラックマトリックス２、カラーフィルタ３、平
坦化層４の形成工程（図２（ａ），（ｂ））までは同様
である。
態でのブラックマトリックス２、カラーフィルタ３、平
坦化層４の形成工程（図２（ａ），（ｂ））までは同様
である。
【００３２】そして、図２（ｃ）に示したように、平坦
化層４上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜５を、例え
ば基板温度：３０℃、圧力：２ｍTorr、Ｏ2 流量：２ｓ
ｃｃｍ、Ａｒ流量：２００ｓｃｃｍ、パワー：０．７５
ｋｗ、搬送速度：５００ｍｍ／ｍｉｎの成膜条件でスパ
ッタ法により７００Å程度の膜厚で形成した。尚、スパ
ッタ装置には、日電アネルバ製のＩＬＣ７０５を用い
た。
化層４上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜５を、例え
ば基板温度：３０℃、圧力：２ｍTorr、Ｏ2 流量：２ｓ
ｃｃｍ、Ａｒ流量：２００ｓｃｃｍ、パワー：０．７５
ｋｗ、搬送速度：５００ｍｍ／ｍｉｎの成膜条件でスパ
ッタ法により７００Å程度の膜厚で形成した。尚、スパ
ッタ装置には、日電アネルバ製のＩＬＣ７０５を用い
た。
【００３３】この時、３°入射のＸ線回折において、標
準物質Ｓｉパウダー〈１１１面〉のピーク強度が６００
００ｃｐｓを示す際、上述したアモルファス成分を含む
ＩＴＯ膜５は、１０００〜２０００ｃｐｓのハローピー
クを有し、ＩＴＯ膜５〈２２２面〉のピーク強度は膜厚
に依存するが、膜厚が１０００Åの場合に１０００ｃｐ
ｓ以下を示した。
準物質Ｓｉパウダー〈１１１面〉のピーク強度が６００
００ｃｐｓを示す際、上述したアモルファス成分を含む
ＩＴＯ膜５は、１０００〜２０００ｃｐｓのハローピー
クを有し、ＩＴＯ膜５〈２２２面〉のピーク強度は膜厚
に依存するが、膜厚が１０００Åの場合に１０００ｃｐ
ｓ以下を示した。
【００３４】よって、ＩＴＯ膜５の膜厚をｄ（μｍ）、
ＩＴＯ膜５の２２２面のピーク強度をＨ1 、３°入射の
Ｘ線回折による標準物質Ｓｉパウダーの１１１面のピー
ク強度をＨ2 とした時に、１／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）≦１
／５の関係が満足されることにより、本実施の形態に係
るＩＴＯ膜５は結晶性が低いものである。
ＩＴＯ膜５の２２２面のピーク強度をＨ1 、３°入射の
Ｘ線回折による標準物質Ｓｉパウダーの１１１面のピー
ク強度をＨ2 とした時に、１／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）≦１
／５の関係が満足されることにより、本実施の形態に係
るＩＴＯ膜５は結晶性が低いものである。
【００３５】次に、上述した第１の実施の形態と同様に
このＩＴＯ膜５上に、フォトレジストを塗布し、露光、
現像を通して膜厚が２μｍ程度のフォトレジストパター
ン６を形成した後（図２（ｄ）参照）、フォトレジスト
パターン６を剥離してＩＴＯ膜５をパターニングする
（図２（ｅ）参照）。
このＩＴＯ膜５上に、フォトレジストを塗布し、露光、
現像を通して膜厚が２μｍ程度のフォトレジストパター
ン６を形成した後（図２（ｄ）参照）、フォトレジスト
パターン６を剥離してＩＴＯ膜５をパターニングする
（図２（ｅ）参照）。
【００３６】この時、ＩＴＯ膜５のエッチングに用いた
酸は、ＰＨが−１．０の希釈ヨウ化水素酸（混合容積比
は、ＨＩ（５７ｗｔ％）：Ｈ2 Ｏ＝６０：４０〜１０：
９０が好ましく、本実施の形態では５０：５０とした）
で、液温２５℃でのエッチングレートは、１０〜３０Å
／ｓｅｃが好ましく、本実施の形態では１０Å／ｓｅｃ
で行った。
酸は、ＰＨが−１．０の希釈ヨウ化水素酸（混合容積比
は、ＨＩ（５７ｗｔ％）：Ｈ2 Ｏ＝６０：４０〜１０：
９０が好ましく、本実施の形態では５０：５０とした）
で、液温２５℃でのエッチングレートは、１０〜３０Å
／ｓｅｃが好ましく、本実施の形態では１０Å／ｓｅｃ
で行った。
【００３７】このように、本実施の形態においても、サ
イドエッジ量が１μｍ以下のＩＴＯ膜５がパターニング
され、さらにアモルファス成分を含むＩＴＯ膜５のエッ
チング液に水で希釈したヨウ化水素酸を用いることによ
り、平坦化層４の剥れやマイクロラック１３の発生を防
止することができた。
イドエッジ量が１μｍ以下のＩＴＯ膜５がパターニング
され、さらにアモルファス成分を含むＩＴＯ膜５のエッ
チング液に水で希釈したヨウ化水素酸を用いることによ
り、平坦化層４の剥れやマイクロラック１３の発生を防
止することができた。
【００３８】尚、ヨウ化水素酸は高価であるが、本実施
の形態では希釈して使用することによって、製造コスト
の低減化を図ることができる。
の形態では希釈して使用することによって、製造コスト
の低減化を図ることができる。
【００３９】また、ＩＴＯ膜５のエッチングに用いる酸
に、シュウ酸（１７ｗｔ％）を用い、液温４５℃で８〜
１１Å／ｓｅｃのエッチングレートで行うこともでき
る。
に、シュウ酸（１７ｗｔ％）を用い、液温４５℃で８〜
１１Å／ｓｅｃのエッチングレートで行うこともでき
る。
【００４０】更に、上述したようなプロセスで得られた
ＩＴＯ膜からなる透明電極を形成後、第１の実施の形態
と同様の工程を経て液晶素子が得られる。また、この際
必要に応じてＩＴＯ膜からなる透明電極７のパターンに
対し、アニーリング処理を施すことができる。
ＩＴＯ膜からなる透明電極を形成後、第１の実施の形態
と同様の工程を経て液晶素子が得られる。また、この際
必要に応じてＩＴＯ膜からなる透明電極７のパターンに
対し、アニーリング処理を施すことができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
平坦化層上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜し
てフォトレジストを塗布し、弱酸のエッチング液を用い
てエッチング処理して透明電極をパターニングすること
により、この弱酸のエッチング液は平坦化層やカラーフ
ィルタに対してダメージを与えないので、平坦化層の剥
れやマイクロラックの発生が防止され、製造歩留まりの
向上を図ることができる。
平坦化層上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜し
てフォトレジストを塗布し、弱酸のエッチング液を用い
てエッチング処理して透明電極をパターニングすること
により、この弱酸のエッチング液は平坦化層やカラーフ
ィルタに対してダメージを与えないので、平坦化層の剥
れやマイクロラックの発生が防止され、製造歩留まりの
向上を図ることができる。
【００４２】また、透明電極のパターニングに弱酸のエ
ッチング液を用いることにより、製造装置に対する腐食
を低減することができる。
ッチング液を用いることにより、製造装置に対する腐食
を低減することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶素子の基板を示
す概略断面図。
す概略断面図。
【図２】本発明の実施例に係る液晶素子の製造方法を説
明するための図で、（ａ）はブラックマトリックス、カ
ラーフィルタの形成工程を示す図、（ｂ）は平坦化層の
形成工程を示す図、（ｃ）はＩＴＯ膜の形成工程を示す
図、（ｄ）はフォトレジストパターンの形成工程を示す
図、（ｅ）は透明電極の形成工程を示す図。
明するための図で、（ａ）はブラックマトリックス、カ
ラーフィルタの形成工程を示す図、（ｂ）は平坦化層の
形成工程を示す図、（ｃ）はＩＴＯ膜の形成工程を示す
図、（ｄ）はフォトレジストパターンの形成工程を示す
図、（ｅ）は透明電極の形成工程を示す図。
【図３】従来例に係る製造方法によって作成された液晶
素子の基板を示す図。
素子の基板を示す図。
１ ガラス基板（基板） ２ ブラックマトリックス ３ カラーフィルタ ４ 平坦化層 ５ ＩＴＯ膜 ６ フォトレジストパターン ７ 透明電極
Claims (7)
- 【請求項１】 液晶がその間に注入される対向する一対
の基板の少なくとも一方に、カラーフィルタと、該カラ
ーフィルタの表面を平坦化する平坦化層と、ＩＴＯ膜か
らなる透明電極とを形成する工程を少なくとも有する液
晶素子の製造方法において、 前記平坦化層上にアモルファス成分を含む前記ＩＴＯ膜
を成膜してフォトレジストを塗布し、弱酸のエッチング
液を用いてエッチング処理して前記透明電極をパターニ
ングする、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＩＴＯ膜は、該ＩＴＯ膜の膜厚をｄ
（μｍ）、前記ＩＴＯ膜の２２２面のピーク強度をＨ
1 、３°入射のＸ線回折による標準物質Ｓｉパウダーの
１１１面のピーク強度をＨ2 とすると、 １／ｄ×（Ｈ1 ／Ｈ2 ）≦１／５ を満足する結晶性の低いＩＴＯ膜である、 請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチング液は、ｐＨが−１．１よ
り高い希釈ヨウ化水素酸溶液である、 請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記カラーフィルタは、フォトリソ法に
よって形成される、 請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記平坦化層は、スピンコート法によっ
て形成される、 請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記ＩＴＯ膜は、スパッタリング法によ
って成膜される、 請求項１項記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記液晶は強誘電性液晶である、 請求項１項記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344057A JPH09185045A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 液晶素子の製造方法 |
| EP96309541A EP0782039A3 (en) | 1995-12-27 | 1996-12-24 | Display device and process for producing same |
| US08/773,897 US6310674B1 (en) | 1995-12-27 | 1996-12-27 | Method of making a display device with electrode characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344057A JPH09185045A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185045A true JPH09185045A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18366328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7344057A Pending JPH09185045A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-28 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09185045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000026959A (ko) * | 1998-10-24 | 2000-05-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 화소 전극 제조 방법 |
| KR100471393B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2005-07-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의제조방법 |
| JP2006284672A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ基板及びカラー液晶ディスプレイパネル |
| KR100805210B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2008-02-21 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 전극이 있는 기판 및 그 제조방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183809A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JPS63906A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルム |
| JPH02199428A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-07 | Teijin Ltd | 調光積層体 |
| JPH0446319A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー液晶素子の製造方法 |
| JPH0475028A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Canon Inc | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
| JPH0728073A (ja) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Canon Inc | 液晶表示素子及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7344057A patent/JPH09185045A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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