JPH09189622A - Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 - Google Patents
Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置Info
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- JPH09189622A JPH09189622A JP8281127A JP28112796A JPH09189622A JP H09189622 A JPH09189622 A JP H09189622A JP 8281127 A JP8281127 A JP 8281127A JP 28112796 A JP28112796 A JP 28112796A JP H09189622 A JPH09189622 A JP H09189622A
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定
のための改善された方法および装置を提供することであ
る。 【解決手段】 半導体ウェハを収容するプロセスチャン
バと、前記ウェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケ
ーション手段を介してコミュニケーションする入射Ｘ線
源と、前記ウェハから反射されたＸ線を受信するための
手段と、ウェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基
づいて検出し、ウェハの温度を得るための手段とを有す
る。
のための改善された方法および装置を提供することであ
る。 【解決手段】 半導体ウェハを収容するプロセスチャン
バと、前記ウェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケ
ーション手段を介してコミュニケーションする入射Ｘ線
源と、前記ウェハから反射されたＸ線を受信するための
手段と、ウェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基
づいて検出し、ウェハの温度を得るための手段とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハのよ
うな単結晶基板に対する無接触・原位置温度測定装置に
関し、原位置の温度測定をＸ線回折による単結晶基板の
格子パラメータの測定によって行うものに関する。
うな単結晶基板に対する無接触・原位置温度測定装置に
関し、原位置の温度測定をＸ線回折による単結晶基板の
格子パラメータの測定によって行うものに関する。
【０００２】
【従来の技術】急速な温度制御が、急速熱処理（ＲＴ
Ｐ）、焼き鈍し、酸化、窒化、化学蒸着（ＣＶＤ）のよ
うな多くの半導体プロセスで要求される。またプラズマ
・エンハンスド・化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着
（ＰＶＤ）および反応イオンエッチング（ＲＩＥ）のよ
うな処理に対しても要求される。しかし半導体プロセス
中の温度測定は非常に困難である。なぜなら、通常は熱
結合のような接触法の使用が要求されるからである。非
接触・原位置測定が必要な場合には、光学的高温測定法
のような方法がしばしば使用される。光学的高温測定法
にはいくつかの欠点があり、低温領域では不正確であ
る。というのは、この方法は測定される波長に依存して
おり、ウェハ（裏面）の放射率または基板のフィルム構
造に依存するからである。
Ｐ）、焼き鈍し、酸化、窒化、化学蒸着（ＣＶＤ）のよ
うな多くの半導体プロセスで要求される。またプラズマ
・エンハンスド・化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着
（ＰＶＤ）および反応イオンエッチング（ＲＩＥ）のよ
うな処理に対しても要求される。しかし半導体プロセス
中の温度測定は非常に困難である。なぜなら、通常は熱
結合のような接触法の使用が要求されるからである。非
接触・原位置測定が必要な場合には、光学的高温測定法
のような方法がしばしば使用される。光学的高温測定法
にはいくつかの欠点があり、低温領域では不正確であ
る。というのは、この方法は測定される波長に依存して
おり、ウェハ（裏面）の放射率または基板のフィルム構
造に依存するからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、半導
体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善さ
れた方法および装置を提供することである。
体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善さ
れた方法および装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの方法
は、半導体ウェハを収容するプロセスチャンバと、前記
ウェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケーション手
段を介してコミュニケーションする入射Ｘ線源と、前記
ウェハから反射されたＸ線を受信するための手段と、ウ
ェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検出
し、ウェハの温度を得るための手段とを有する温度測定
装置によって解決される。
は、半導体ウェハを収容するプロセスチャンバと、前記
ウェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケーション手
段を介してコミュニケーションする入射Ｘ線源と、前記
ウェハから反射されたＸ線を受信するための手段と、ウ
ェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検出
し、ウェハの温度を得るための手段とを有する温度測定
装置によって解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によれば、原位置・非接触
温度測定が、例えばＳｉ，Ｇｅ、またはＧａＡｓウェハ
のような単結晶半導体に対して行われる。ここでは半導
体基板またはウェハについて説明するが、このような基
板またはウェハは半導体プロセス中に通常行われる所定
のフィルムまたは構造体によってコーティングされてい
ると理解されたい。本発明は、Ｘ線回折を用いた格子パ
ラメータの測定に基づくものである。いわゆる格子定数
のような格子パラメータは温度に依存する。N.W.Ashcro
ft and N.D.Mermin, Solid State Physics, Saunders,
Philadelphia,1976 参照。精密な温度膨張研究と測定に
よって、格子パラメータが温度関数として多くの材料に
対して良く知られている。例えば R.S.Krishnan, R.Sri
nivasan, and S.Devanarayanan, Thermal Expansion of
Crustals, Pergamon Press, Oxford,1979参照。
温度測定が、例えばＳｉ，Ｇｅ、またはＧａＡｓウェハ
のような単結晶半導体に対して行われる。ここでは半導
体基板またはウェハについて説明するが、このような基
板またはウェハは半導体プロセス中に通常行われる所定
のフィルムまたは構造体によってコーティングされてい
ると理解されたい。本発明は、Ｘ線回折を用いた格子パ
ラメータの測定に基づくものである。いわゆる格子定数
のような格子パラメータは温度に依存する。N.W.Ashcro
ft and N.D.Mermin, Solid State Physics, Saunders,
Philadelphia,1976 参照。精密な温度膨張研究と測定に
よって、格子パラメータが温度関数として多くの材料に
対して良く知られている。例えば R.S.Krishnan, R.Sri
nivasan, and S.Devanarayanan, Thermal Expansion of
Crustals, Pergamon Press, Oxford,1979参照。
【０００６】本発明により、単結晶半導体基板温度をプ
ロセス中に半導体と接触することなく正確に測定するこ
とができる。より詳細には本発明により、原位置で処理
温度の較正と制御が可能となる。本発明は、半導体（基
板）温度が重要なパラメータである（すなわち熱処理）
すべての形式の半導体プロセスまたは製造装置に適用す
ることができる。
ロセス中に半導体と接触することなく正確に測定するこ
とができる。より詳細には本発明により、原位置で処理
温度の較正と制御が可能となる。本発明は、半導体（基
板）温度が重要なパラメータである（すなわち熱処理）
すべての形式の半導体プロセスまたは製造装置に適用す
ることができる。
【０００７】前記利点および別の利点を得るため、また
本発明の目的と関連して、実施例および明細書に記載さ
れたように、本発明は半導体ウェハに対する非接触・原
位置温度測定装置を提供するものであり、この測定装置
は半導体ウェハを収容するプロセスチャンバと、前記ウ
ェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケーション手段
を介してコミュニケーションする入射Ｘ線源と、前記ウ
ェハから反射されたＸ線を受信するための手段と、ウェ
ハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検出
し、ウェハの温度を得るための手段とを有する。
本発明の目的と関連して、実施例および明細書に記載さ
れたように、本発明は半導体ウェハに対する非接触・原
位置温度測定装置を提供するものであり、この測定装置
は半導体ウェハを収容するプロセスチャンバと、前記ウ
ェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケーション手段
を介してコミュニケーションする入射Ｘ線源と、前記ウ
ェハから反射されたＸ線を受信するための手段と、ウェ
ハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検出
し、ウェハの温度を得るための手段とを有する。
【０００８】本発明の半導体ウェハに対する非接触・原
位置温度測定方法は、単結晶シリコンウェハをプロセス
チャンバに配置し、入射Ｘ線源を、プロセスチャンバ内
の前記ウェハとコミュニケートさせ、前記ウェハから反
射されたＸ線を受信し、ウェハの格子定数を、受信され
た反射Ｘ線に基づいて検出し、格子定数によって決定さ
れたウェハの温度を求めるステップを有する。
位置温度測定方法は、単結晶シリコンウェハをプロセス
チャンバに配置し、入射Ｘ線源を、プロセスチャンバ内
の前記ウェハとコミュニケートさせ、前記ウェハから反
射されたＸ線を受信し、ウェハの格子定数を、受信され
た反射Ｘ線に基づいて検出し、格子定数によって決定さ
れたウェハの温度を求めるステップを有する。
【０００９】
【実施例】図１には、本発明の原位置温度測定装置の実
施例が示されている。一般的に、Ｘ線源１２ダイオード
アレイ検出器１４は、半導体チップ処理装置の外側に配
置されている。入射Ｘ線ビーム（例えばＸ線２２ａと２
３ａを含むＸ線の束）と単反射Ｘ線、例えば２２ｂまた
は２３ｂはそれぞれ１つまたは複数の窓１８を通ってプ
ロセスチャンバ１６に結合される。窓１８は、例えばベ
リリウムのような適切な材料からなる。Ｘ線回折は半導
体ウェハ２４の裏面、表面、またはエッジで生じる。
施例が示されている。一般的に、Ｘ線源１２ダイオード
アレイ検出器１４は、半導体チップ処理装置の外側に配
置されている。入射Ｘ線ビーム（例えばＸ線２２ａと２
３ａを含むＸ線の束）と単反射Ｘ線、例えば２２ｂまた
は２３ｂはそれぞれ１つまたは複数の窓１８を通ってプ
ロセスチャンバ１６に結合される。窓１８は、例えばベ
リリウムのような適切な材料からなる。Ｘ線回折は半導
体ウェハ２４の裏面、表面、またはエッジで生じる。
【００１０】Ｘ線源１２は標準の実験用Ｘ線源とするこ
とができ、通常は拡散ビームを発射する。この拡散ビー
ムは単色発光ラインを含み、この単色発光ラインは多色
バックグランドにスーパーインポーズされている。モノ
クロメータは所定の波長の放射を選択するのに使用する
ことができる。例としてベント・モノクロメータ２６
（１次元または２次元の曲率を有する）をフォーカシン
グされた単色Ｘ線を供給するために使用することができ
る。図１には破線３０でＸ線源/検出器ユニットの対称
軸が示されている。このＸ線源/検出器ユニットは線源
１２と検出器アレイ１４からなる。この軸は、例えば
（００１）Ｓｉウェハについてウェハ（裏側）表面に対
して垂直でなければならない。実線２２ｂはある程度の
低温、例えば２０℃で反射されたＸ線を表し、破線２３
ｂは高温、例えば１２００℃で反射されたＸ線を表す。
とができ、通常は拡散ビームを発射する。この拡散ビー
ムは単色発光ラインを含み、この単色発光ラインは多色
バックグランドにスーパーインポーズされている。モノ
クロメータは所定の波長の放射を選択するのに使用する
ことができる。例としてベント・モノクロメータ２６
（１次元または２次元の曲率を有する）をフォーカシン
グされた単色Ｘ線を供給するために使用することができ
る。図１には破線３０でＸ線源/検出器ユニットの対称
軸が示されている。このＸ線源/検出器ユニットは線源
１２と検出器アレイ１４からなる。この軸は、例えば
（００１）Ｓｉウェハについてウェハ（裏側）表面に対
して垂直でなければならない。実線２２ｂはある程度の
低温、例えば２０℃で反射されたＸ線を表し、破線２３
ｂは高温、例えば１２００℃で反射されたＸ線を表す。
【００１１】図２はより詳細に、入射Ｘ線と反射Ｘ線の
関係を示す。角度２は入射Ｘ線２２ａに対する回折角度
θを表し、角度３は入射Ｘ線２３ａと反射Ｘ線２３ｂに
対する回折角度θを表す。ここでＸ線の全拡散角度は２
θであることに注意して欲しい。
関係を示す。角度２は入射Ｘ線２２ａに対する回折角度
θを表し、角度３は入射Ｘ線２３ａと反射Ｘ線２３ｂに
対する回折角度θを表す。ここでＸ線の全拡散角度は２
θであることに注意して欲しい。
【００１２】単色の拡散ビームまたは焦点（収束）ビー
ムが使用されるならば、ブラッグ角度θ（ａ（Ｔ））ま
たはシフトδθ（ａ（Ｔ））＝θ（ａ（Ｔ0））−θ
（ａ（Ｔini））に基づく温度測定は格子定数ａ（Ｔ）
についての正確な情報を提供する。したがって熱膨張式
を介して基板温度Ｔを得ることができる。この場合、マ
ルチチャネル・フォトダイオードアレイ検出器１４はθ
またはδθの測定にそれぞれ使用される。拡散角度θの
測定はウェハの位置に関する情報を必要とする。反対
に、シフトδθの測定は、初期ウェハ温度Ｔiniに関す
る情報を必要とする。これは、θ（ａ（Ｔini））＋δ
θを決定するためである。半導体ウェハ上のＸ線スポッ
ト２８は非常に小さくなければならない（例えば≒１/
２ｍｍ）。これは回折角度を正確に測定するためであ
る。いったん回折角度θを検出すれば、格子定数ａはブ
ラッグ条件から得ることができる。基板温度Ｔは関数ａ
（Ｔ）の逆転による熱膨張式から算出することができ
る。
ムが使用されるならば、ブラッグ角度θ（ａ（Ｔ））ま
たはシフトδθ（ａ（Ｔ））＝θ（ａ（Ｔ0））−θ
（ａ（Ｔini））に基づく温度測定は格子定数ａ（Ｔ）
についての正確な情報を提供する。したがって熱膨張式
を介して基板温度Ｔを得ることができる。この場合、マ
ルチチャネル・フォトダイオードアレイ検出器１４はθ
またはδθの測定にそれぞれ使用される。拡散角度θの
測定はウェハの位置に関する情報を必要とする。反対
に、シフトδθの測定は、初期ウェハ温度Ｔiniに関す
る情報を必要とする。これは、θ（ａ（Ｔini））＋δ
θを決定するためである。半導体ウェハ上のＸ線スポッ
ト２８は非常に小さくなければならない（例えば≒１/
２ｍｍ）。これは回折角度を正確に測定するためであ
る。いったん回折角度θを検出すれば、格子定数ａはブ
ラッグ条件から得ることができる。基板温度Ｔは関数ａ
（Ｔ）の逆転による熱膨張式から算出することができ
る。
【００１３】一方、平行多色Ｘ線を使用する場合には、
固定ブラッグ角度（θ＝一定）で反射されたＸ線ビーム
の波長λ（ａ（Ｔ））または波長のシフトδλ（ａ
（Ｔ））＝λ（ａ（Ｔ））−λ（ａ（Ｔini））の測定
がそれぞれ必要である。Ｘ線をエラスティックに散乱さ
せるためには、回折されたビームの波長が入射ビームの
波長と等しく、したがっていずれのδλもａのシフト、
δａによって引き起こされることに注意すべきである。
実際には、シフトδλの測定は回折されたＸ線ビームの
シフトδθの測定よりも困難である。
固定ブラッグ角度（θ＝一定）で反射されたＸ線ビーム
の波長λ（ａ（Ｔ））または波長のシフトδλ（ａ
（Ｔ））＝λ（ａ（Ｔ））−λ（ａ（Ｔini））の測定
がそれぞれ必要である。Ｘ線をエラスティックに散乱さ
せるためには、回折されたビームの波長が入射ビームの
波長と等しく、したがっていずれのδλもａのシフト、
δａによって引き起こされることに注意すべきである。
実際には、シフトδλの測定は回折されたＸ線ビームの
シフトδθの測定よりも困難である。
【００１４】熱処理の間、ウェハ位置の変化が生じるこ
とがある。このような変化は、単結晶基板２４のＸ線源
１２と検出器アレイ１４に対する位置を変化させる。そ
のため、δθまたはδλがそれぞれシフトする。このこ
とは半導体格子の熱膨張とは関連しておらず、したがっ
て基板温度についての情報を妨害または無用にしてしま
う。さらにこのような熱作用がなくても、基板位置はウ
ェハの初期撓みや歪みのために変化することがある。
とがある。このような変化は、単結晶基板２４のＸ線源
１２と検出器アレイ１４に対する位置を変化させる。そ
のため、δθまたはδλがそれぞれシフトする。このこ
とは半導体格子の熱膨張とは関連しておらず、したがっ
て基板温度についての情報を妨害または無用にしてしま
う。さらにこのような熱作用がなくても、基板位置はウ
ェハの初期撓みや歪みのために変化することがある。
【００１５】したがって、Ｘ線ビーム回折が生じる個所
またはその近傍のウェハ位置または単結晶体配列を背一
価うに記録しなければならない。測定された情報は位置
補償手段にフィードバックすることができ、半導体基板
２４をＸ線源１２と検出器アレイ１４に対して正確に位
置決めして、正しいデータを得ることができる。位置決
め手段は高速機械調整機構をＸ線源/検出器ユニット内
に有するか、または測定されたδθまたはδλ信号を補
正するためのソフトウェア・アルゴリズムである。
またはその近傍のウェハ位置または単結晶体配列を背一
価うに記録しなければならない。測定された情報は位置
補償手段にフィードバックすることができ、半導体基板
２４をＸ線源１２と検出器アレイ１４に対して正確に位
置決めして、正しいデータを得ることができる。位置決
め手段は高速機械調整機構をＸ線源/検出器ユニット内
に有するか、または測定されたδθまたはδλ信号を補
正するためのソフトウェア・アルゴリズムである。
【００１６】ウェハ位置またはウェハ運動の測定は例え
ばレーザー光を用いて行うことができる。しかし別の手
段は、第２の回折Ｘ線ビームを基準ビームとして、図３
に示すように使用することである。図３では、第１のＸ
線源とモノクロメータ（例えば図１のＸ線源１２とモノ
クロメータ２６）が、波長λ1の入射Ｘ線ビーム２２ａ
と２３ａを形成する。第２の基準Ｘ線源とモノクロメー
タ３１は、波長λ2の入射Ｘ線ビーム３２ａと３３ａを
形成する。ここでλ2＜λ1である。入射ビーム３２ａと
３３ａは反射Ｘ線３２ｂまたは３３ｂを形成する。これ
もウェハ２４の温度に依存する。反射されたＸ線ビーム
３２ｂまたは３３ｂはダイオードアレイ基準検出器３４
により受信される。図３では、角度４は低温に対する回
折角度θであり、角度５は高温に対する回折角度θであ
る。
ばレーザー光を用いて行うことができる。しかし別の手
段は、第２の回折Ｘ線ビームを基準ビームとして、図３
に示すように使用することである。図３では、第１のＸ
線源とモノクロメータ（例えば図１のＸ線源１２とモノ
クロメータ２６）が、波長λ1の入射Ｘ線ビーム２２ａ
と２３ａを形成する。第２の基準Ｘ線源とモノクロメー
タ３１は、波長λ2の入射Ｘ線ビーム３２ａと３３ａを
形成する。ここでλ2＜λ1である。入射ビーム３２ａと
３３ａは反射Ｘ線３２ｂまたは３３ｂを形成する。これ
もウェハ２４の温度に依存する。反射されたＸ線ビーム
３２ｂまたは３３ｂはダイオードアレイ基準検出器３４
により受信される。図３では、角度４は低温に対する回
折角度θであり、角度５は高温に対する回折角度θであ
る。
【００１７】例えばブラッグ角度のシフトを測定するこ
とによる単色アプローチについて考えて見る。第２の反
射は波長λ2＜λ1で行われ、得られるブラッグ角度θ2
＜θ1を次のように選択することができる。すなわち、
シフトδθ２がシフトδθ１よりも半導体基板の熱膨張
δａについて、（λ1とθ1の）主ビームに対しては比較
的に不感であるように選択することができる。ウェハの
撓みまたは運動はθ１とθ２を正確に同じ量だけシフト
するから、θ２を基準にしたθ１のシフトは熱格子膨
張、すなわち基板温度に関する情報を含んでいる。角度
θ1とθ2（またはシフト、δθ1とδθ2）の両方を同じ
精度で測定できることに注意すべきである。
とによる単色アプローチについて考えて見る。第２の反
射は波長λ2＜λ1で行われ、得られるブラッグ角度θ2
＜θ1を次のように選択することができる。すなわち、
シフトδθ２がシフトδθ１よりも半導体基板の熱膨張
δａについて、（λ1とθ1の）主ビームに対しては比較
的に不感であるように選択することができる。ウェハの
撓みまたは運動はθ１とθ２を正確に同じ量だけシフト
するから、θ２を基準にしたθ１のシフトは熱格子膨
張、すなわち基板温度に関する情報を含んでいる。角度
θ1とθ2（またはシフト、δθ1とδθ2）の両方を同じ
精度で測定できることに注意すべきである。
【００１８】本発明の単色光の実施例を以下詳細に説明
する。以下に説明する方法は正確でフレキシブルであ
り、実際に興味のあるすべての温度領域（例えば室温Ｔ
＝２０℃からＴ＝１２００℃まで）に適用することがで
きる。半導体製造のほとんどの非接触温度測定法は制限
された温度領域にしか適用可能でないか、また測定でき
ないことに注意すべきである。
する。以下に説明する方法は正確でフレキシブルであ
り、実際に興味のあるすべての温度領域（例えば室温Ｔ
＝２０℃からＴ＝１２００℃まで）に適用することがで
きる。半導体製造のほとんどの非接触温度測定法は制限
された温度領域にしか適用可能でないか、また測定でき
ないことに注意すべきである。
【００１９】この実施例では、単色Ｘ線源１２が（００
１）シリコン基板ウェハの格子定数の測定に使用され
る。単色Ｘ線源１２（これはモノクロメータを有するＸ
線管とすることができる）は固定波長λのＸ線を発生
し、これは試料に適切な角度範囲にわたって入射する。
この角度範囲は、興味のあるすべての温度に対するブラ
ッグ角度θ（ａ（Ｔ））を含む。試料の温度に対して正
確なブラッグ角度を形成するこのビームの一部が反射さ
れることとなる。このことは図１の実線２２ｂにより示
されており、図２により詳細に示されている。回折角度
θの測定によって、格子定数ａをブラッグ条件を用いて
検出することができる。さらに、基板温度Ｔを熱膨張式
ａ＝ａ（Ｔ）によって検出することができる。
１）シリコン基板ウェハの格子定数の測定に使用され
る。単色Ｘ線源１２（これはモノクロメータを有するＸ
線管とすることができる）は固定波長λのＸ線を発生
し、これは試料に適切な角度範囲にわたって入射する。
この角度範囲は、興味のあるすべての温度に対するブラ
ッグ角度θ（ａ（Ｔ））を含む。試料の温度に対して正
確なブラッグ角度を形成するこのビームの一部が反射さ
れることとなる。このことは図１の実線２２ｂにより示
されており、図２により詳細に示されている。回折角度
θの測定によって、格子定数ａをブラッグ条件を用いて
検出することができる。さらに、基板温度Ｔを熱膨張式
ａ＝ａ（Ｔ）によって検出することができる。
【００２０】適切な反射とλおよびθに対する相応する
値を検出するために、Ｘ線回折に対するラウエ条件また
は等価のブラッグ条件を使用しなければならない。付加
的に、半導体結晶格子と相応する逆格子の構造に関する
情報が必要である。反射ピークまたは回折ピークは積分
指数ｈｋlにより表される。積分指数は逆格子の相応す
るベクトルに所属するものである。逆格子のベクトルは
元の結晶格子の格子面の群に対して垂直であることに注
意すべきである。
値を検出するために、Ｘ線回折に対するラウエ条件また
は等価のブラッグ条件を使用しなければならない。付加
的に、半導体結晶格子と相応する逆格子の構造に関する
情報が必要である。反射ピークまたは回折ピークは積分
指数ｈｋlにより表される。積分指数は逆格子の相応す
るベクトルに所属するものである。逆格子のベクトルは
元の結晶格子の格子面の群に対して垂直であることに注
意すべきである。
【００２１】結晶によるＸ線回折はラウネ条件によって
表される。
表される。
【００２２】Ｋ＝ｋ‘−ｋ （１） ここでｋとｋ‘はそれぞれ入射ビームと回折ビームのウ
ェーブ・ベクトルである。Ｋは逆格子のベクトルであ
る。エラスティックに分散させるために、ｋ’＝ｋ＝２
π/λを用いる。ただしｋ‘≡｜ｋ’｜であり、ｋ≡｜
ｋ｜である。結果として両方のベクトルｋ‘と−ｋは、
ベクトルＫの同じ角度φを有する。したがって式（１）
をベクトルＫと乗算することによって、Ｋ2＝２ｋＫcos
φが得られる。ｋとｋ’との間の視射角（ブラッグ角
度）θとベクトルＫに対する垂直面を代入すると次のよ
うに書き換えられる。
ェーブ・ベクトルである。Ｋは逆格子のベクトルであ
る。エラスティックに分散させるために、ｋ’＝ｋ＝２
π/λを用いる。ただしｋ‘≡｜ｋ’｜であり、ｋ≡｜
ｋ｜である。結果として両方のベクトルｋ‘と−ｋは、
ベクトルＫの同じ角度φを有する。したがって式（１）
をベクトルＫと乗算することによって、Ｋ2＝２ｋＫcos
φが得られる。ｋとｋ’との間の視射角（ブラッグ角
度）θとベクトルＫに対する垂直面を代入すると次のよ
うに書き換えられる。
【００２３】 Ｋ＝２ｋsinθ＝４π/λ・sinθ （２） θ＝π/２−φであることに注意。ｋとｋ‘との間の全
拡散角度は２θによって与えられる。
拡散角度は２θによって与えられる。
【００２４】可能な反射は逆格子のベクトルＫによって
与えられる。（単原子）ダイヤモンドまたは（二原子）
閃亜鉛鉱構造の格子はブラベ格子ではないから、これら
を２点基底の面心立方格子として表現する必要がある。
基底はｄ1＝０、ｄ2＝(a/4)(ex+ey+ez)として選択する
ことができる。ｅx，ｅy，ｅzのベクトルは立方軸に沿
ったユニットベクトルである。上に述べたようにパラメ
ータａは、半導体格子の下にある面心立方格子の格子定
数であり、温度の関数である。室温ではＳｉ，Ｇｅ，Ｇ
ａＡｓに対してそれぞれ値５．４３Å、５．６６Å、
５．６５Åの値をとる。Ashcroft et al., Solid State
Physics 参照。
与えられる。（単原子）ダイヤモンドまたは（二原子）
閃亜鉛鉱構造の格子はブラベ格子ではないから、これら
を２点基底の面心立方格子として表現する必要がある。
基底はｄ1＝０、ｄ2＝(a/4)(ex+ey+ez)として選択する
ことができる。ｅx，ｅy，ｅzのベクトルは立方軸に沿
ったユニットベクトルである。上に述べたようにパラメ
ータａは、半導体格子の下にある面心立方格子の格子定
数であり、温度の関数である。室温ではＳｉ，Ｇｅ，Ｇ
ａＡｓに対してそれぞれ値５．４３Å、５．６６Å、
５．６５Åの値をとる。Ashcroft et al., Solid State
Physics 参照。
【００２５】格子定数ａを有する面心立方（ｆｃｃ）格
子の逆格子は、キュービックセルサイド４π/ａの体心
立方（ｂｃｃ）である。すべての逆格子ベクトルＫは積
分指数ｈｋlにより次のようにパラメータ化することが
できる。
子の逆格子は、キュービックセルサイド４π/ａの体心
立方（ｂｃｃ）である。すべての逆格子ベクトルＫは積
分指数ｈｋlにより次のようにパラメータ化することが
できる。
【００２６】 Ｋ＝２π/ａ（ｈｅx＋ｋｅy＋lｅz） （３） 長さは Ｋ＝｜Ｋ｜＝２π/ａ・√（ｈ2＋ｋ2＋l2） （４） しかしｈｋlの中心値に対してだけは、式（３）により
与えられるベクトルＫは逆格子ベクトルとなる（下記参
照）。間隔 ｄhkl＝２π/Ｋ＝ａ/√（ｈ2＋ｋ2＋l2） （５） を代入すれば、式（２）はなじみのあるブラッグ条件の
形をとる。
与えられるベクトルＫは逆格子ベクトルとなる（下記参
照）。間隔 ｄhkl＝２π/Ｋ＝ａ/√（ｈ2＋ｋ2＋l2） （５） を代入すれば、式（２）はなじみのあるブラッグ条件の
形をとる。
【００２７】 λ＝２ｄhklsinθ （６） 通常はブラッグ条件に発生する次数ｎは、反射ｈｋlに
割り当てられた間隔ｄhklに吸収されることに注意。
割り当てられた間隔ｄhklに吸収されることに注意。
【００２８】逆格子ベクトルＫをｅx方向で有する反射
ｈｋl（例えばｈ＝ｋ＝０）だけを考慮する。ｂｃｃ逆
格子は４π/ａの格子定数を有しているから、lの等しい
ベクトルだけが存在する。しかしシリコン格子は１つの
基底を有する単原子格子として表されているから、幾何
構造ファクタを逆ｂｃｃ格子のすべての点に対して割り
当てる必要がある。したがって、l＝４ｎ（ｎは整数）
を有するこれらのベクトルが反射を定めるだけである。
l＝４ｎ＋２の他のベクトルはゼロの幾何構造ファクタ
を有する。Ashcroft et al., Solid State Physics 参
照。ブラッグ画像を使用する場合、シリコン結晶の＜０
０４＞原子面の族における回折の次数に相当するｎを代
入することに注意。これらの面はａ/４の間隔を有す
る。したがって例えば回折式（６）が反射００４、００
８、００１２等に対して使用される。
ｈｋl（例えばｈ＝ｋ＝０）だけを考慮する。ｂｃｃ逆
格子は４π/ａの格子定数を有しているから、lの等しい
ベクトルだけが存在する。しかしシリコン格子は１つの
基底を有する単原子格子として表されているから、幾何
構造ファクタを逆ｂｃｃ格子のすべての点に対して割り
当てる必要がある。したがって、l＝４ｎ（ｎは整数）
を有するこれらのベクトルが反射を定めるだけである。
l＝４ｎ＋２の他のベクトルはゼロの幾何構造ファクタ
を有する。Ashcroft et al., Solid State Physics 参
照。ブラッグ画像を使用する場合、シリコン結晶の＜０
０４＞原子面の族における回折の次数に相当するｎを代
入することに注意。これらの面はａ/４の間隔を有す
る。したがって例えば回折式（６）が反射００４、００
８、００１２等に対して使用される。
【００２９】λ＝２ａ/l・sinθ （７） l＝４ｎの００l反射に対して、ｎは整数。
【００３０】所定のlとキュービックセルサイドａにつ
いて、式（７）はパラメータλとθに関連する。この実
施例では、Ｘ線は単色であり、ブラッグ角度θの小さな
変化が、格子パラメータａの変化に依存する温度に関す
る情報を得るために測定される。興味の量は、
いて、式（７）はパラメータλとθに関連する。この実
施例では、Ｘ線は単色であり、ブラッグ角度θの小さな
変化が、格子パラメータａの変化に依存する温度に関す
る情報を得るために測定される。興味の量は、
【００３１】
【数１】
【００３２】Krishnan et al., Thermal Expansion of
Crystals, Table 5.1 からシリコンに対して ｄａ/ｄＴ＝ａ（Ｔ0）α（Ｔ） （９） が得られる。
Crystals, Table 5.1 からシリコンに対して ｄａ/ｄＴ＝ａ（Ｔ0）α（Ｔ） （９） が得られる。
【００３３】 α（Ｔ）＝Ａ＋Ｂ（Ｔ−Ｔ0） （10a） そして定数は Ｔ0＝２７３Ｋ Ａ＝３．０８４×１０-6Ｋ-1 (10b) Ｂ＝１．９５７×１０-9Ｋ-2 これらのパラメータは次の関係から得られる。
【００３４】a(T)=a(T0)[1+A(T-T0)+(B/2)(T-T0)2] ここで右辺は測定された格子定数データ（２９３から９
７０゜Ｋの温度範囲でのＸ線回折により得られる）への
最小二乗適合多項式である。Krishnan et al., Thermal
Expansion of Crystals参照。格子パラメータは5.4305
Åから5.4579Åの間で、温度が２０℃から１２００℃に
上昇するとき変化する。式（９）と（１０）に従って
２．７×１０−５Åの格子パラメータ分解能が、約１０
００℃付近の温度に対して±１℃の基板温度分解能を達
成するために必要である。
７０゜Ｋの温度範囲でのＸ線回折により得られる）への
最小二乗適合多項式である。Krishnan et al., Thermal
Expansion of Crystals参照。格子パラメータは5.4305
Åから5.4579Åの間で、温度が２０℃から１２００℃に
上昇するとき変化する。式（９）と（１０）に従って
２．７×１０−５Åの格子パラメータ分解能が、約１０
００℃付近の温度に対して±１℃の基板温度分解能を達
成するために必要である。
【００３５】式（７）から、
【００３６】
【数２】
【００３７】が得られる。したがって、
【００３８】
【数３】
【００３９】式（１２）においてブラッグ角度θの温度
感度は高温に対しては、αが増大するため比較的に鋭敏
であることに注意。しかし室温から出発して１２００℃
まで感度は２以下の係数で変化するだけである。感度に
対するもっとも大きな影響は反射角度θ自体によって与
えられる。なぜならtanθが増大するからである。θが
π/２の裏面反射が最も有効である。
感度は高温に対しては、αが増大するため比較的に鋭敏
であることに注意。しかし室温から出発して１２００℃
まで感度は２以下の係数で変化するだけである。感度に
対するもっとも大きな影響は反射角度θ自体によって与
えられる。なぜならtanθが増大するからである。θが
π/２の裏面反射が最も有効である。
【００４０】可能な温度分解能を評価するために、ダイ
オードアレイ検出器１４を考慮しなければならない。典
型的なフォトダイオードアレイ検出器は、約１０２４チ
ャネルを有する。ここで個別のチャネルは距離εにより
分離されている。Δがウェハと検出器との間の距離を表
すとすると、Δ≫εに対しては角度分解能は
オードアレイ検出器１４を考慮しなければならない。典
型的なフォトダイオードアレイ検出器は、約１０２４チ
ャネルを有する。ここで個別のチャネルは距離εにより
分離されている。Δがウェハと検出器との間の距離を表
すとすると、Δ≫εに対しては角度分解能は
【００４１】
【数４】
【００４２】により与えられる。ただし、ビームはεよ
り小さな試料のスポットに収束すると仮定する。したが
って
り小さな試料のスポットに収束すると仮定する。したが
って
【００４３】
【数５】
【００４４】の温度分解能が得られる。
【００４５】最適の温度分解能に対しては検出器は小さ
なεを有し、ウェハから大きな距離Δで配置しなければ
ならない。拡散角度θは、プロセスチャンバ１６とＸ線
源１２と検出器アレイ１４の構造が許す限りπ/２に近
づくように選択すべきである。Ｘ線波長λは式（７）か
ら所定の反射００１に対して得られる。ε＝１/２０ｍ
ｍ、Δ＝１ｍ、tanθ＝１０のセットアップで
なεを有し、ウェハから大きな距離Δで配置しなければ
ならない。拡散角度θは、プロセスチャンバ１６とＸ線
源１２と検出器アレイ１４の構造が許す限りπ/２に近
づくように選択すべきである。Ｘ線波長λは式（７）か
ら所定の反射００１に対して得られる。ε＝１/２０ｍ
ｍ、Δ＝１ｍ、tanθ＝１０のセットアップで
【００４６】
【数６】
【００４７】が得られる。
【００４８】選択されたいずれかの反射００lに対し
て、波長λと回折角度θはブラッグ式（６）または
（７）に従わなければならない。このことはＸ線波長の
上限となる：λ≦２ｄ００ l。最高の温度分解能を得る
ために、λはできるだけその上限に近いように選択しな
ければならない（裏面反射）。シリコンに対しては次の
特性曲線の１つを使用することができる。例えば、 ａ）イリジウムＬα１、２ｄ００８＝２ａ/８＝１．３
５７６Åの００８に対してλ＝１．３５１３Å ｂ）ニオブＫβ１、２ｄ００１６＝２ａ/１６＝０．６
７８８Åの００１６に対してλ＝０．６６５８Å 特性曲線を使用して、ハイビーム強度が得られるが、可
能な回折角度でのパッティング制限はハードウェア構造
を制限する。択一的にタングステンターゲット管のバッ
クグランドスペクトル連続制動放射を使用し、所望の波
長を（モノクロメータを使用して）選択することができ
る。このようにして角度θは、装置較正が許す限りπ/
２に近づくよう選択することができる。付加的に、いず
れかのエキゾチックＸ線管ターゲットを使用する必要も
あろう。
て、波長λと回折角度θはブラッグ式（６）または
（７）に従わなければならない。このことはＸ線波長の
上限となる：λ≦２ｄ００ l。最高の温度分解能を得る
ために、λはできるだけその上限に近いように選択しな
ければならない（裏面反射）。シリコンに対しては次の
特性曲線の１つを使用することができる。例えば、 ａ）イリジウムＬα１、２ｄ００８＝２ａ/８＝１．３
５７６Åの００８に対してλ＝１．３５１３Å ｂ）ニオブＫβ１、２ｄ００１６＝２ａ/１６＝０．６
７８８Åの００１６に対してλ＝０．６６５８Å 特性曲線を使用して、ハイビーム強度が得られるが、可
能な回折角度でのパッティング制限はハードウェア構造
を制限する。択一的にタングステンターゲット管のバッ
クグランドスペクトル連続制動放射を使用し、所望の波
長を（モノクロメータを使用して）選択することができ
る。このようにして角度θは、装置較正が許す限りπ/
２に近づくよう選択することができる。付加的に、いず
れかのエキゾチックＸ線管ターゲットを使用する必要も
あろう。
【００４９】本発明による単色アプローチは拡散または
収束入射ビームのいずれかが必要である。収束単色ビー
ムはフォーカシング・モノクロメータ（ベントクリスタ
ル）を使用して実現することができる。
収束入射ビームのいずれかが必要である。収束単色ビー
ムはフォーカシング・モノクロメータ（ベントクリスタ
ル）を使用して実現することができる。
【００５０】１０２４チャネルのダイオード検出器アレ
イの典型的なサンプリング時間は約１ｍｓである。しか
しサンプリング時間（サンプリングレートの逆数）はＸ
線ビームの強度に依存する。強度が小さいとサンプリン
グ時間が長くなる。この理由のため、特別のＸ線ライン
を使用するのが有利な選択であろう（しかしこのことは
エキゾチックターゲットの特性曲線を、例えばタングス
テンターゲット管の制動放射強度と比較して制限するも
のではない）１ｍｓから１ｓまでのサンプリング時間が
リーズナブルである。
イの典型的なサンプリング時間は約１ｍｓである。しか
しサンプリング時間（サンプリングレートの逆数）はＸ
線ビームの強度に依存する。強度が小さいとサンプリン
グ時間が長くなる。この理由のため、特別のＸ線ライン
を使用するのが有利な選択であろう（しかしこのことは
エキゾチックターゲットの特性曲線を、例えばタングス
テンターゲット管の制動放射強度と比較して制限するも
のではない）１ｍｓから１ｓまでのサンプリング時間が
リーズナブルである。
【００５１】単色アプローチでの温度測定分解能の観点
から、検出器を半導体上の測定スポットから離すように
運動するのが最善である。しかし常に分解能と反射ビー
ム強との間のトレードオフの問題がある。必要ならば、
データ収集時間を低減するため、すなわちサンプリング
レートを高めるために分解能を犠牲にすることもでき
る。サンプリングレートは等温プロセス中、急速熱処理
の定常状態中の温度測定に対して、また較正適用時には
問題とならない。
から、検出器を半導体上の測定スポットから離すように
運動するのが最善である。しかし常に分解能と反射ビー
ム強との間のトレードオフの問題がある。必要ならば、
データ収集時間を低減するため、すなわちサンプリング
レートを高めるために分解能を犠牲にすることもでき
る。サンプリングレートは等温プロセス中、急速熱処理
の定常状態中の温度測定に対して、また較正適用時には
問題とならない。
【００５２】要約すると、本発明の手段では、測定スポ
ットはシリコン基板ウェハ２４の裏面または中心の近傍
に配置される。Ｘ線源１２（密閉管）から到来する僅か
に拡散したビームはベントモノクロメータ結晶２６によ
り反射される。モノクロメータ結晶、反射、および回折
角度の選択は次のように決定される。すなわち、ウェハ
に小さな測定スポット２８で到達する単色ビームが所望
の波長を有するように決定されるのである。ベントモノ
クロメータ結晶２６の使用により、発せられた単色Ｘ線
を測定スポットにフォーカスすることができる。Ｘ線ビ
ーム束の外側にあるＸ線は測定スポットに異なる入射角
度で収束する。しかしブラッグ条件を満たすビームだけ
が半導体ウェハ２４によって反射される。図１の実線が
示すように、１つの特定のビームだけが所定温度に対し
てこの条件を満たす。相応する角度θは半導体格子定数
ａ（Ｔ）に依存し、この格子定数自体が基板温度Ｔ（熱
膨張）の関数である。したがって、高速マルチチャネル
フォトダイオードアレイ検出器を使用した反射角度θの
測定は半導体基板温度を検出する。（ベント）モノクロ
メータ２６は、使用される単色Ｘ線の波長変化を回避す
るため所定の温度に維持しなければならない。最大ブラ
ッグ角度θはまた、半導体基板温度が最小のときに得ら
れる。式（１０ａ）によれば、基板温度が高くなると格
子定数も大きくなり、式（７）により、ブラッグ角度は
小さくなる。
ットはシリコン基板ウェハ２４の裏面または中心の近傍
に配置される。Ｘ線源１２（密閉管）から到来する僅か
に拡散したビームはベントモノクロメータ結晶２６によ
り反射される。モノクロメータ結晶、反射、および回折
角度の選択は次のように決定される。すなわち、ウェハ
に小さな測定スポット２８で到達する単色ビームが所望
の波長を有するように決定されるのである。ベントモノ
クロメータ結晶２６の使用により、発せられた単色Ｘ線
を測定スポットにフォーカスすることができる。Ｘ線ビ
ーム束の外側にあるＸ線は測定スポットに異なる入射角
度で収束する。しかしブラッグ条件を満たすビームだけ
が半導体ウェハ２４によって反射される。図１の実線が
示すように、１つの特定のビームだけが所定温度に対し
てこの条件を満たす。相応する角度θは半導体格子定数
ａ（Ｔ）に依存し、この格子定数自体が基板温度Ｔ（熱
膨張）の関数である。したがって、高速マルチチャネル
フォトダイオードアレイ検出器を使用した反射角度θの
測定は半導体基板温度を検出する。（ベント）モノクロ
メータ２６は、使用される単色Ｘ線の波長変化を回避す
るため所定の温度に維持しなければならない。最大ブラ
ッグ角度θはまた、半導体基板温度が最小のときに得ら
れる。式（１０ａ）によれば、基板温度が高くなると格
子定数も大きくなり、式（７）により、ブラッグ角度は
小さくなる。
【００５３】本発明を上記の実施例に基づいて説明した
が、当業者であれば請求項の枠内で本発明を変更するこ
とができる。
が、当業者であれば請求項の枠内で本発明を変更するこ
とができる。
【図１】本発明による原位置温度測定装置の概略図であ
る。
る。
【図２】入射Ｘ線および半導体ウェハから反射されたＸ
線の角度を示す概略図である。
線の角度を示す概略図である。
【図３】本発明の実施例を示す概略図である。
１２ Ｘ線源 １４ ダイオードアレイ検出器 １６ プロセスチャンバ １８ 窓 ２４ ウェハ ２６ モノクロメータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 594145404 インターナショナル ビジネス マシーン ズ コーポレーション アメリカ合衆国ニューヨーク州 10504 ニューヨーク アーモンク オールド オ ーチャード ロード （番地なし) (72)発明者 奥村 勝弥 アメリカ合衆国 ニュー ヨーク プーグ キープシー アージェント ドライヴ ２ (72)発明者 ジェームズ ガードナー リャン アメリカ合衆国 コネチカット ニュータ ウン ボッグズ ヒル ロード 100 (72)発明者 グレゴリー ブライアン スティーブンス ン アメリカ合衆国 イリノイ ライル チャ トフィールド レイン 1920 (72)発明者 ハンス−イェルク ティメ ドイツ連邦共和国 タウフキルヒェン リ ンデンリング 48
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体ウェハのような単結晶基板に対す
る無接触・原位置温度測定装置において、 半導体ウェハを収容するプロセスチャンバと、 前記ウェハと、プロセスチャンバ中のコミュニケーショ
ン手段を介してコミュニケーションする入射Ｘ線源と、 前記ウェハから反射されたＸ線を受信するための手段
と、 ウェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検
出し、ウェハの温度を得るための手段とを有することを
特徴とする温度測定装置。 - 【請求項２】 前記Ｘ線源と前記ウェハとの間に配置さ
れ、所望の波長を選択するためのモノクロメータを有す
る、請求項１記載の温度測定装置。 - 【請求項３】 モノクロメータは、Ｘ線をフォーカスす
るためのベントモノクロメータである、請求項２記載の
温度測定装置。 - 【請求項４】 ウェハは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＧａＡＳ
半導体である、請求項１記載の温度測定装置。 - 【請求項５】 コミュニケーション手段はベリリウム窓
である、請求項１記載の温度測定装置。 - 【請求項６】 受信手段はダイオードアレイ検出器であ
る、請求項１記載の温度測定装置。 - 【請求項７】 温度測定の前に、ウェハの正確な位置を
記録するための位置決め手段を有する、請求項１記載の
温度測定装置。 - 【請求項８】 半導体ウェハに対する無接触・原位置温
度測定方法において、 単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、 入射Ｘ線源を、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミ
ュニケートさせ、 前記ウェハから反射されたＸ線を受信し、 ウェハの格子定数を、受信された反射Ｘ線に基づいて検
出し、 格子定数によって決定されたウェハの温度を求める、こ
とを特徴とする温度測定方法。 - 【請求項９】 Ｘ線源からの所定の放射波長を選択する
ステップを含む、請求項８記載の温度測定方法。 - 【請求項１０】 選択された波長を前記ウェハにフォー
カスするステップを含む、請求項９記載の温度測定方
法。 - 【請求項１１】 Ｘ線を照射する前に、ウェハの位置を
正確に検出するステップを含む、請求項８記載の温度測
定方法。 - 【請求項１２】 所定の回折角度を選択するステップを
含む、請求項８記載の温度測定方法。 - 【請求項１３】 平行多色Ｘ線源を使用する、請求項１
２記載の温度測定方法。 - 【請求項１４】 回折されたＸ線の波長または波長シフ
トを測定する、請求項１３記載の温度測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/554,209 | 1995-10-24 | ||
| US08/554,209 US5636258A (en) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | In-situ temperature measurement using X-ray diffraction |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006007665A Division JP2006194888A (ja) | 1995-10-24 | 2006-01-16 | Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09189622A true JPH09189622A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=24212469
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8281127A Pending JPH09189622A (ja) | 1995-10-24 | 1996-10-23 | Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 |
| JP2006007665A Withdrawn JP2006194888A (ja) | 1995-10-24 | 2006-01-16 | Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006007665A Withdrawn JP2006194888A (ja) | 1995-10-24 | 2006-01-16 | Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5636258A (ja) |
| EP (1) | EP0772032A3 (ja) |
| JP (2) | JPH09189622A (ja) |
| KR (1) | KR970023957A (ja) |
| TW (1) | TW310365B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978444A (en) * | 1997-12-30 | 1999-11-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Direct detection of x-rays for protein crystallography employing a thick, large area CCD |
| TW523850B (en) * | 2000-10-13 | 2003-03-11 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for measuring temperatures of plural physically separated locations on a substrate in a plasma processing system |
| US6836532B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-12-28 | Bruker Axs, Inc. | Diffraction system for biological crystal screening |
| RU2240508C1 (ru) * | 2003-03-11 | 2004-11-20 | Малиновский Александр Евгеньевич | Способ коррекции показаний измерительного прибора и устройство для его осуществления (варианты) |
| EP1571441A1 (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-07 | Panalytical B.V. | Monitoring epitaxial growth in situ by means of an angle dispersive X-ray diffractometer |
| CN102706474B (zh) * | 2012-06-06 | 2014-01-08 | 常州大学 | 测量物体内部温度的x射线成像设备及其测量的方法 |
| RU2509298C1 (ru) * | 2012-11-07 | 2014-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Способ рентгенометрической оценки температурных условий эксплуатации трубных элементов котлов |
| CN108387327B (zh) * | 2018-05-10 | 2024-02-13 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统 |
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- 1996-10-23 JP JP8281127A patent/JPH09189622A/ja active Pending
- 1996-10-23 KR KR1019960047604A patent/KR970023957A/ko not_active Ceased
- 1996-11-15 TW TW085114011A patent/TW310365B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970023957A (ko) | 1997-05-30 |
| JP2006194888A (ja) | 2006-07-27 |
| US5636258A (en) | 1997-06-03 |
| EP0772032A2 (en) | 1997-05-07 |
| EP0772032A3 (en) | 1998-09-23 |
| TW310365B (ja) | 1997-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040811 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041108 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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