JPH09190868A - Surge absorber - Google Patents
Surge absorberInfo
- Publication number
- JPH09190868A JPH09190868A JP254796A JP254796A JPH09190868A JP H09190868 A JPH09190868 A JP H09190868A JP 254796 A JP254796 A JP 254796A JP 254796 A JP254796 A JP 254796A JP H09190868 A JPH09190868 A JP H09190868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- auxiliary electrode
- gap
- main
- main electrode
- surge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L disodium methyl arsenate Chemical compound [Na+].[Na+].C[As]([O-])([O-])=O SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路や電子部
品を過渡的な電流又は電圧から保護するためのサージア
ブソーバに係り、特に放電を開始するまでの応答速度を
速めることができ、さらに異なる極性のサージに対応で
きるようにしたサージアブソーバに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surge absorber for protecting an electronic circuit or an electronic component from a transient current or voltage, and in particular, it can increase the response speed until the start of discharge and is further different. The present invention relates to a surge absorber adapted to handle a polar surge.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は、従来のギャップ方式のサージア
ブソーバの構造を示す斜視図、図８は、図７のサージア
ブソーバのギャップ部分の拡大断面図である。このサー
ジアブソーバ１は、ガラス封止体２の内部に、アルミナ
（酸化アルミニウム；Ａｌ2Ｏ3）などの絶縁体により形
成された丸棒状の基体３が設けられている。この基体３
の表面に、ギャップ７を介して対向する薄膜状の補助電
極層４ａ，４ｂが形成されている。この補助電極層４
ａ，４ｂは、非結晶カーボン又はＴaＳiＯ2もしくはＣr
ＳiＯ2などの導電セラミックから形成されるが、これら
は後述する主電極（５ａ，５ｂ）よりも高抵抗の材料で
ある。ギャップ７は基体３の円周方向全周に沿って直線
状に形成されており、またギャップ７の全長において、
両補助電極層４ａと４ｂの距離は一定である。図８では
ギャップ７の間隔（ギャップ長）をＧで示している。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a perspective view showing a structure of a conventional gap type surge absorber, and FIG. 8 is an enlarged sectional view of a gap portion of the surge absorber of FIG. In the surge absorber 1, a glass sealing body 2 is provided with a round bar-shaped base body 3 formed of an insulating material such as alumina (aluminum oxide; Al 2 O 3 ). This base 3
Thin film-shaped auxiliary electrode layers 4a and 4b facing each other with a gap 7 are formed on the surface of. This auxiliary electrode layer 4
a and 4b are amorphous carbon or TaSiO 2 or Cr
It is formed of a conductive ceramic such as SiO 2 , which has a higher resistance than the main electrodes (5a, 5b) described later. The gap 7 is formed in a straight line along the entire circumference of the base body 3, and in the entire length of the gap 7,
The distance between both auxiliary electrode layers 4a and 4b is constant. In FIG. 8, the gap (gap length) of the gap 7 is indicated by G.
【０００３】基体３の両端部には、それぞれの補助電極
層４ａ，４ｂに導通する主電極５ａ，５ｂが設けられて
いる。この主電極５ａ，５ｂは抵抗値の低い金属材料に
よりキャップ状に形成されて、補助電極層４ａ，４ｂの
上から基体３の両端部に嵌着されている。両主電極５
ａ，５ｂにはリード線６ａ，６ｂが接続され、このリー
ド線６ａ，６ｂがガラス封止体２の外部に延びている。
ガラス封止体２の内部は１００〜５００Ｔｏｒｒ程度の
真空に近い圧力に設定され、この内部にはアルゴン（Ａ
ｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性
ガスが充填されている。Main electrodes 5a and 5b, which are electrically connected to the respective auxiliary electrode layers 4a and 4b, are provided on both ends of the substrate 3. The main electrodes 5a and 5b are formed in a cap shape from a metal material having a low resistance value, and are fitted to both ends of the base 3 from above the auxiliary electrode layers 4a and 4b. Both main electrodes 5
Lead wires 6a and 6b are connected to a and 5b, and the lead wires 6a and 6b extend to the outside of the glass sealing body 2.
The inside of the glass sealing body 2 is set to a pressure close to a vacuum of about 100 to 500 Torr, and argon (A
r), helium (He), neon (Ne), or other inert gas is filled.
【０００４】上記サージアブソーバ１では、主電極５ａ
と５ｂとの間にサージが印加されると、ガラス封止体２
の内部で放電が起こりサージを吸収することができるよ
うになっている。例えば、主電極５ａを陽極（＋極）、
主電極５ｂを陰極（−極）とするサージが印加される
と、ギャップ７に電荷が蓄積され放電開始電圧（パッシ
ェン最低電圧）に至るとギャップ７の部分で補助電極層
４ａと４ｂとの間で放電が開始される。この放電が、補
助電極層４ａと４ｂを伝わって主電極５ａと５ｂに及
び、主電極５ａと５ｂの間で陽極側の主電極５ａから陰
極側の主電極５ｂに向かって放電が開始される。In the surge absorber 1, the main electrode 5a
When a surge is applied between the glass sealing body 2 and
A discharge is generated inside and the surge can be absorbed. For example, the main electrode 5a is an anode (+ pole),
When a surge is applied to the main electrode 5b as a cathode (-electrode) and charges are accumulated in the gap 7 to reach the discharge start voltage (Paschen minimum voltage), the gap 7 is between the auxiliary electrode layers 4a and 4b. Discharging is started at. This discharge propagates through the auxiliary electrode layers 4a and 4b to the main electrodes 5a and 5b, and between the main electrodes 5a and 5b, the discharge is started from the main electrode 5a on the anode side to the main electrode 5b on the cathode side. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のサージアブソー
バは、例えばコンピュータなどでは、デジタル信号のビ
ット反転などによる誤動作を防止するため、電子回路内
における静電気対策用として使用される。したがって、
その要求される応答時間は、コンピュータの動作周波数
が高くなるに連れて短い時間で応答することが要求さ
れ、現在では１nsec以下が求められている。The above surge absorber is used, for example, in a computer or the like as a countermeasure against static electricity in an electronic circuit in order to prevent malfunction due to bit inversion of a digital signal. Therefore,
The required response time is required to respond in a short time as the operating frequency of the computer increases, and at present, 1 nsec or less is required.
【０００６】しかしながら、上記従来のギャップ方式の
サージアブソーバにおいて、現在市販されているものの
中で応答時間がもっとも短いものでも４nsec程度であ
り、静電気対策用としては使用に適したものではなかっ
た。応答時間がこれ以上短いサージアブソーバを製造で
きない理由は以下に示す通りである。However, in the conventional gap type surge absorber, the shortest response time among those currently on the market is about 4 nsec, which is not suitable for use as a countermeasure against static electricity. The reason why a surge absorber with a shorter response time cannot be manufactured is as follows.
【０００７】このサージアブソーバでは、図８に示すよ
うに、サージ（主電極５ａを陽極、主電極５ｂを陰極と
するサージ）が印加され、所定の電圧に達すると陰極側
の主電極５ｂと導通する補助電極層４ｂから放出される
電子と、ガラス封止体２内に充填されている不活性ガス
のガス分子との間で電離衝突が起こる。最初の電離衝突
は、陰極側の補助電極層４ｂの端部であるエッジＥbか
ら放出される電子と、陽極側の補助電極層４ａの端部で
あるエッジＥa付近のガス分子との間で起こり、これに
よりまずギャップ７をまたいで補助電極層４ａと４ｂ間
で放電が開始される（に示す部分）。In this surge absorber, as shown in FIG. 8, when a surge (a surge having the main electrode 5a as an anode and the main electrode 5b as a cathode) is applied and a predetermined voltage is reached, the surge absorber becomes conductive with the cathode-side main electrode 5b. Ionization collision occurs between the electrons emitted from the auxiliary electrode layer 4b, which is activated, and the gas molecules of the inert gas filled in the glass sealing body 2. The first ionization collision occurs between electrons emitted from the edge Eb, which is the end of the auxiliary electrode layer 4b on the cathode side, and gas molecules near the edge Ea, which is the end of the auxiliary electrode layer 4a on the anode side. As a result, first, discharge is started across the gap 7 and between the auxiliary electrode layers 4a and 4b (the portion indicated by ()).
【０００８】次に、陰極側のエッジＥbから放出される
電子は、陽極側の補助電極層４ａ上のガス分子と電離衝
突する位置を順に、、、……と主電極５ａに向か
って移動していく。そして、最終的にエッジＥbと陽極
側の主電極５ａとの間で直接電離衝突が起こると、陽極
側の主電極５ａから陰極側の主電極５ｂに向かう放電に
発展しサージが吸収される。また、主電極５ａ側を陰極
（−極）、主電極５ｂ側を陽極（＋極）とするサージが
印加された場合にも、前記と同様の原理で今度は陽極側
の主電極５ｂから陰極側の主電極５ａに向かって放電が
発生してサージが吸収される。Next, the electrons emitted from the edge Eb on the cathode side sequentially move to the main electrode 5a at positions where they ionize and collide with gas molecules on the auxiliary electrode layer 4a on the anode side. To go. Then, when a direct ionization collision finally occurs between the edge Eb and the main electrode 5a on the anode side, a discharge is developed from the main electrode 5a on the anode side to the main electrode 5b on the cathode side, and the surge is absorbed. Further, even when a surge is applied with the main electrode 5a side as the cathode (− pole) and the main electrode 5b side as the anode (+ pole), the principle similar to the above is followed from the anode side main electrode 5b to the cathode. A discharge is generated toward the side main electrode 5a, and the surge is absorbed.
【０００９】サージが印加され吸収されるまでの応答時
間（Ｔ）は、エッジＥa，Ｅb間で電離衝突が開始された
後、主電極５ａ，５ｂ間に達するまでの時間（Ｔa：以
下、「放電開始時間」という）と、主電極５ａと５ｂ間
での放電時間（Ｔb）との和（Ｔa＋Ｔb）によって表わ
される。放電開始時間（Ｔa）は、電離衝突がエッジＥb
から陽極側の主電極５ａ間に達するまでの時間、すなわ
ちエッジＥbと陽極側の主電極５ａとの距離により決定
される。また、放電時間Ｔbは、放電開始時間（Ｔa）に
比べ極めて短く、主電極５ａ，５ｂ間の距離やガス圧な
どに関係し、サージアブソーバの寸法によりほぼ一律的
に決定される。したがって、サージアブソーバの応答時
間（Ｔ）は、放電開始時間（Ｔa）に大きく依存し、エ
ッジＥbと陽極側の主電極５ａとの距離によって決めら
れる。主電極５ａと５ｂとの距離をＬとすると、エッジ
Ｅbと陽極側の主電極５ａとの距離はＬ／２である。The response time (T) until the surge is applied and absorbed is the time (Ta: hereinafter, "Ter:" after the ionization collision is started between the edges Ea and Eb) until it reaches the main electrodes 5a and 5b. Discharge start time ") and the discharge time (Tb) between the main electrodes 5a and 5b (Ta + Tb). The discharge start time (Ta) is the edge Eb when the ionization collision occurs.
From the anode side main electrode 5a, that is, the distance between the edge Eb and the anode side main electrode 5a. The discharge time Tb is much shorter than the discharge start time (Ta), is related to the distance between the main electrodes 5a and 5b, the gas pressure, and the like, and is almost uniformly determined by the size of the surge absorber. Therefore, the response time (T) of the surge absorber largely depends on the discharge start time (Ta) and is determined by the distance between the edge Eb and the main electrode 5a on the anode side. When the distance between the main electrodes 5a and 5b is L, the distance between the edge Eb and the anode-side main electrode 5a is L / 2.
【００１０】前記応答時間（Ｔ）を短くするためには、
主電極５ａと５ｂの距離Ｌを短くすればよいが、この距
離は、主電極５ａと５ｂ間で生じる放電の開始電圧に関
連しており、この距離Ｌを単純に短くすることはできな
い。In order to shorten the response time (T),
The distance L between the main electrodes 5a and 5b may be shortened, but this distance is related to the starting voltage of the discharge generated between the main electrodes 5a and 5b, and this distance L cannot be simply shortened.
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、主電極間の距離を変えることなく、放電開
始時間を短縮化して、応答特性を良好にしたサージアブ
ソーバを提供することを目的としている。The present invention is intended to solve the above-mentioned conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a surge absorber having a good response characteristic by shortening the discharge start time without changing the distance between the main electrodes. Has an aim.
【００１２】さらに本発明は、主電極に対し異なる極性
のサージが印加されたときに、それぞれの極性に対して
応答時間を短縮できるようにしたサージアブソーバを提
供することを目的としている。Another object of the present invention is to provide a surge absorber capable of shortening the response time for each polarity when surges of different polarities are applied to the main electrode.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明によるサージアブ
ソーバは、一対の主電極と、それぞれの主電極に導通さ
れる補助電極層と、この補助電極層を電気的に分離する
ギャップとを有し、前記ギャップは主電極間の中心より
も一方の主電極側に近接した位置に形成されていること
を特徴とするものである。A surge absorber according to the present invention has a pair of main electrodes, an auxiliary electrode layer electrically connected to each main electrode, and a gap electrically separating the auxiliary electrode layers. The gap is formed at a position closer to one main electrode side than the center between the main electrodes.
【００１４】または、一対の主電極と、一方の主電極に
導通される補助電極層とを有し、この補助電極層と、他
方の主電極に導通する導電層との間、または補助電極層
と他方の主電極との間に、電気的に分離するギャップが
形成されていることを特徴とするものである。Alternatively, it has a pair of main electrodes and an auxiliary electrode layer which is electrically connected to one of the main electrodes, and between the auxiliary electrode layer and a conductive layer which is electrically connected to the other main electrode, or the auxiliary electrode layer. And a main electrode on the other side, a gap that is electrically isolated is formed.
【００１５】上記２つの手段において、基体の同じ面に
補助電極層が間隔を開けて平行に設けられており、平行
に設けられた一方の補助電極層により形成されるギャッ
プと、他方の補助電極層により形成されるギャップと
が、互いに異なる主電極側に設けられている構造にでき
る。この場合に、平行に設けられた補助電極層の間隔
が、前記ギャップの間隔（ギャップ長）よりも十分に長
いことが必要である。In the above two means, the auxiliary electrode layers are provided in parallel on the same surface of the base body with a gap therebetween, and the gap formed by one auxiliary electrode layer provided in parallel and the other auxiliary electrode. The gap formed by the layers can be provided on different main electrode sides. In this case, the gap between the auxiliary electrode layers provided in parallel needs to be sufficiently longer than the gap (gap length).
【００１６】また、基体の表面と裏面に補助電極層がそ
れぞれ設けられており、表面の補助電極層により形成さ
れるギャップと、裏面の補助電極層により形成されるギ
ャップとが、互いに異なる主電極側に設けられている構
造とすることも可能である。Further, the auxiliary electrode layers are provided on the front surface and the back surface of the substrate, respectively, and the gap formed by the auxiliary electrode layer on the front surface and the gap formed by the auxiliary electrode layer on the back surface are different from each other. It is also possible to adopt a structure provided on the side.
【００１７】本発明におけるサージアブソーバは、２つ
の主電極のそれぞれに導通する補助電極層が設けられ、
この補助電極層を電気的に分離するギャップが、一方の
主電極側に近接した位置に設けられている。あるいは一
方の主電極に導通する補助電極層が設けられ、この補助
電極層が他方の主電極に導通する導電層に対してギャッ
プを介して対向し、または補助電極層がギャップを介し
て主電極に対向するものとなっている。The surge absorber according to the present invention is provided with an auxiliary electrode layer electrically connected to each of the two main electrodes,
A gap that electrically separates the auxiliary electrode layer is provided at a position close to one main electrode side. Alternatively, an auxiliary electrode layer that is conductive to one main electrode is provided, and this auxiliary electrode layer faces the conductive layer that is conductive to the other main electrode with a gap, or the auxiliary electrode layer has a main electrode with a gap. It is opposed to.
【００１８】このサージアブソーバでは、ギャップと一
方の主電極との距離が短くなっているため、ギャップが
接近している側が陽極となるサージが印加されると、陰
極側の補助電極層から放出される電子が陽極側の主電極
または導電層に到達するまでの時間（放電開始時間）を
短くすることができ、サージが印加され放電に至りさら
にサージが吸収されるまでの応答時間を短縮することが
可能となる。ただし、主電極間の距離を十分に長くとる
ことが可能であるため、放電開始電圧などは自由に設定
できる。In this surge absorber, since the distance between the gap and one of the main electrodes is short, when a surge in which the side close to the gap becomes an anode is applied, it is emitted from the auxiliary electrode layer on the cathode side. The time it takes for electrons to reach the main electrode or conductive layer on the anode side (discharge start time) can be shortened, and the response time until a surge is applied, discharge is initiated, and the surge is further absorbed. Is possible. However, since the distance between the main electrodes can be made sufficiently long, the discharge start voltage and the like can be set freely.
【００１９】また、基体の表面に２つの平行な補助電極
層を所定の間隔を開けて設け、個々の補助電極層で形成
されるギャップを、それぞれ相違する主電極側に近接さ
せて設けることが好ましい。この場合、サージの陽極側
となる主電極に対し、これに近接しているギャップから
電子が短時間で到達する。ギャップはそれぞれの主電極
に近接されて設けられてるため、いずれの極性のサージ
が印加された場合であっても、放電開始時間を短縮化で
き、応答時間を短縮できる。Further, two parallel auxiliary electrode layers are provided on the surface of the substrate at a predetermined interval, and the gaps formed by the individual auxiliary electrode layers are provided close to different main electrode sides. preferable. In this case, the electrons arrive at the main electrode on the anode side of the surge in a short time from the gap close to the main electrode. Since the gaps are provided close to the respective main electrodes, the discharge start time can be shortened and the response time can be shortened regardless of the surge of any polarity.
【００２０】また、基体の表面と裏面のそれぞれに補助
電極層が設けられ、表面側では一方の主電極に近接する
位置にギャップが形成され、裏面側では他方の主電極に
近接する位置にギャップが形成された構造であっても、
異なる極性のサージに対してそれぞれ応答時間を短縮で
きるものとなる。An auxiliary electrode layer is provided on each of the front surface and the back surface of the substrate, a gap is formed on the front surface side in a position close to one main electrode, and a gap is formed on the back surface side in a position close to the other main electrode. Even if the structure has
The response time can be shortened for surges of different polarities.
【００２１】本発明のサージアブソーバは、基体の両側
に主電極を設けるとともに、基体に補助電極層を薄膜状
に形成することにより構成できる。あるいは、ブロック
状の補助電極を用い、一対の補助電極を絶縁層を介して
接合してギャップを形成し、このギャップを一方の主電
極に近接させることにより構成でき、あるいはブロック
状の補助電極を、絶縁層を介して主電極に直接に接合し
て、ギャップを形成することも可能である。The surge absorber of the present invention can be constructed by providing main electrodes on both sides of the base and forming an auxiliary electrode layer in a thin film on the base. Alternatively, a block-shaped auxiliary electrode may be used, and a pair of auxiliary electrodes may be joined together via an insulating layer to form a gap, and the gap may be brought close to one of the main electrodes. It is also possible to form a gap by directly bonding to the main electrode via the insulating layer.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は、本発明のサージアブソーバの第
１の構成例を示し、（Ａ）は全体構造の斜視図、（Ｂ）
は、ガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｃ）は
（Ｂ）の側面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first configuration example of the surge absorber of the present invention, (A) is a perspective view of the entire structure, and (B) is
[Fig. 3] is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, and (C) is a side view of (B).
【００２３】このサージアブソーバ１０は、平板状チッ
プの基体１１を有している。この基体１１は、比較的融
点の高いガラスやＡｌ2Ｏ3などのセラミック材料などに
より形成されている。基体１１の表面には、補助電極層
１２ａ，１２ｂが形成され、両補助電極層１２ａと１２
ｂの間に、ギャップ１３が主電極１５ａと１５ｂの中心
（中心線Ｏ−Ｏ）よりも主電極１５ａ側に近接した位置
に形成されている。このギャップ１３は、基体１１の表
面に高抵抗材料の膜を形成した後に、この膜をギャップ
長Ｇとなる距離で除去することにより形成できる。この
工程はウエットエッチングまたはドライエッチングによ
り行われる。高抵抗材料が非晶質カーボンの場合には、
ＣＦ4＋Ｏ2の混合ガスを用いたドライエッチングなどに
よりギャップ１３を加工することが可能である。The surge absorber 10 has a substrate 11 which is a flat chip. The base 11 is made of glass having a relatively high melting point or a ceramic material such as Al 2 O 3 . Auxiliary electrode layers 12a and 12b are formed on the surface of the base 11, and both auxiliary electrode layers 12a and 12b are formed.
Between b, the gap 13 is formed at a position closer to the main electrode 15a side than the center (center line OO) of the main electrodes 15a and 15b. The gap 13 can be formed by forming a film of a high resistance material on the surface of the base body 11 and then removing this film at a distance of the gap length G. This step is performed by wet etching or dry etching. When the high resistance material is amorphous carbon,
The gap 13 can be processed by dry etching using a mixed gas of CF 4 + O 2 .
【００２４】また、基体１１の両端部には、補助電極層
１２ａ，１２ｂのそれぞれに導通する導電層１４ａ，１
４ｂが設けられ、この導電層１４ａ，１４ｂが主電極１
５ａ，１５ｂに接合されている。導電層１４ａ，１４ｂ
は、スパッタリングなどによって形成されており、均一
で平滑な高精度の電極となっている。主電極１５ａ，１
５ｂは、例えばジメット（銅の表面に酸化銅膜が形成さ
れているもの）により形成されている。この主電極１５
ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂが接続されてい
る。基体１１および主電極１５ａ，１５ｂはガラス封止
体１７の内部に収納され、リード線１６ａ，１６ｂは、
ガラス封止体１７の外部に突出している。ガラス封止体
１７の内部は真空に近い低圧であり、ガラス封止体１７
の内部にはアルゴン、ネオン、ヘリウムなどの不活性ガ
スが充填されている。At both ends of the base 11, conductive layers 14a, 1 which are electrically connected to the auxiliary electrode layers 12a, 12b, respectively.
4b is provided, and the conductive layers 14a and 14b are provided on the main electrode 1.
It is joined to 5a and 15b. Conductive layers 14a, 14b
Is formed by sputtering or the like, and is a uniform, smooth and highly accurate electrode. Main electrode 15a, 1
5b is formed of, for example, dimet (a copper oxide film is formed on the surface of copper). This main electrode 15
Lead wires 16a and 16b are connected to a and 15b. The base 11 and the main electrodes 15a and 15b are housed inside the glass sealing body 17, and the lead wires 16a and 16b are
It projects outside the glass sealing body 17. The inside of the glass sealing body 17 has a low pressure close to a vacuum, and
The inside of is filled with an inert gas such as argon, neon, or helium.
【００２５】このサージアブソーバは、図１（Ｂ）
（Ｃ）に示すように、主電極１５ａ（導電層１４ａ）が
陽極側（＋極）、主電極１５ｂ（導電層１４ｂ）が陰極
側（−極）となる極性のサージを、高速の応答速度で吸
収できるものものとなっている。This surge absorber is shown in FIG.
As shown in (C), the main electrode 15a (conductive layer 14a) is on the anode side (+ pole), and the main electrode 15b (conductive layer 14b) is on the cathode side (-pole). It can be absorbed by.
【００２６】両補助電極層１２ａと１２ｂの間を電気的
に分離するギャップ１３は、主電極１５ａと１５ｂの中
心（中心線Ｏ−Ｏ）よりも主電極１５ａ側に近接した位
置に形成されているが、主電極１５ａよりも導電層１４
ａの方がギャップ１３に近いので、補助電極層１２ｂの
エッジＥ1と陽極側の導電層１４ａとの距離Ｌ1が放電に
至るまでの距離となっている。あるいは、エッジＥ1と
主電極１５ａとの距離が放電に至るまでの距離となって
いる。The gap 13 electrically separating the auxiliary electrode layers 12a and 12b is formed at a position closer to the main electrode 15a side than the center (center line OO) of the main electrodes 15a and 15b. However, the conductive layer 14 is more than the main electrode 15a.
Since a is closer to the gap 13, the distance L1 between the edge E1 of the auxiliary electrode layer 12b and the conductive layer 14a on the anode side is the distance until discharge. Alternatively, the distance between the edge E1 and the main electrode 15a is the distance until the discharge.
【００２７】このサージアブソーバ１０では、主電極１
５ａが陽極で主電極１５ｂが陰極となるサージが印加さ
れると、陰極側の補助電極層１２ｂのエッジＥ1から放
出される電子とガラス封止体１７内に充填されている不
活性ガスのガス分子とが補助電極層１２ａ上で電離衝突
を繰り返す。そして、エッジＥ1から放出される電子が
導電層１４ａに達したときに（あるいは主電極１５ａに
達したときに）、陽極側の主電極１５ａから陰極側の主
電極１５ｂに向かって放電が開始される。すなわち、電
離衝突が陽極側の主電極１５ａまで達する時間（Ｔa）
は、エッジＥ1と陽極側の導電層１４ａとの距離Ｌ1（ま
たはエッジＥ1と主電極１５ａとの距離）に依存する
が、この距離Ｌ1が従来よりも短いため、前記の電離衝
突が陽極側の主電極１５ａまで達する時間（Ｔa）を短
くできる。In this surge absorber 10, the main electrode 1
When a surge is applied in which 5a is the anode and the main electrode 15b is the cathode, electrons emitted from the edge E1 of the auxiliary electrode layer 12b on the cathode side and the inert gas gas filled in the glass sealing body 17 are applied. The molecules repeat ionization collision on the auxiliary electrode layer 12a. Then, when the electrons emitted from the edge E1 reach the conductive layer 14a (or reach the main electrode 15a), discharge is started from the anode-side main electrode 15a to the cathode-side main electrode 15b. It That is, the time (Ta) for the ionization collision to reach the main electrode 15a on the anode side.
Depends on the distance L1 between the edge E1 and the conductive layer 14a on the anode side (or the distance between the edge E1 and the main electrode 15a). Since this distance L1 is shorter than in the conventional case, the above ionization collision occurs on the anode side. The time (Ta) to reach the main electrode 15a can be shortened.
【００２８】また、陽極側の主電極１５ａから陰極側の
主電極１５ｂに向かって放電が到達する時間は、両主電
極１５ａ，１５ｂ間の距離が一定なので従来と同じ（Ｔ
b）のままであるが、全体としての応答時間Ｔ（Ｔ＝Ｔa
＋Ｔb）を短縮することが可能となる。また、主電極１
５ａと１５ｂの間との距離Ｌは、従来と同様に一定の距
離を保っているので放電開始電圧を従来と同様に設定で
きる。Further, the time required for the discharge to reach from the main electrode 15a on the anode side to the main electrode 15b on the cathode side is the same as in the conventional case (T) because the distance between the main electrodes 15a and 15b is constant.
b), but the overall response time T (T = Ta
+ Tb) can be shortened. Also, the main electrode 1
Since the distance L between 5a and 15b is kept constant as in the conventional case, the discharge starting voltage can be set in the same manner as in the conventional case.
【００２９】図２は、第２の本発明の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図である。また同図（Ｃ）は変形例を示す
側面図である。図２に示す構成例では、図１で示したも
のよりもさらにギャップ１３を主電極１５ａ（導電層１
４ａ）側に近付け、結果として補助電極１２ａが削除さ
れた場合を示している。したがって、エッジＥ2と陽極
側の導電層１４ａとの距離Ｌ2とギャップ１３の間隔Ｇ
とが同じ距離（Ｌ2＝Ｇ）となっている。この場合に
は、図１に示した第１の構成例よりも、エッジＥ2と陽
極側の導電層１４ａとの距離を短く形成したので、電離
衝突が陽極側の主電極１５ａに達するまでの時間（Ｔ
a）をさらに短縮することが可能である。よって、さら
に応答時間の短いサージアブソーバとすることができ
る。FIG. 2 shows a configuration example of the second invention,
(A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, and (B) is a side view of (A). Further, FIG. 3C is a side view showing a modified example. In the configuration example shown in FIG. 2, the gap 13 is further formed in the main electrode 15a (conductive layer 1) than that shown in FIG.
4a) side, and as a result, the auxiliary electrode 12a is removed. Therefore, the distance L2 between the edge E2 and the conductive layer 14a on the anode side and the gap G of the gap 13
And have the same distance (L2 = G). In this case, since the distance between the edge E2 and the conductive layer 14a on the anode side is made shorter than in the first configuration example shown in FIG. 1, the time until the ionization collision reaches the main electrode 15a on the anode side is increased. (T
It is possible to further shorten a). Therefore, the surge absorber having a shorter response time can be obtained.
【００３０】また図２（Ｃ）に示す変形例では、導電層
１４ａを無くし、陰極側の補助電極層１２ｂを主電極１
５ａに直接対向させ、主電極１５ａと補助電極層１２ｂ
との間に電気的に分離するギャップ１３が形成されてい
る。この変形例でも、補助電極層１２ｂから放出される
電子による電離衝突が短時間に主電極１５ａに至り、応
答時間を短縮できる。In the modification shown in FIG. 2C, the conductive layer 14a is eliminated and the auxiliary electrode layer 12b on the cathode side is used as the main electrode 1.
5a directly opposed to the main electrode 15a and the auxiliary electrode layer 12b
And a gap 13 that is electrically isolated from each other. Also in this modification, the ionization collision by the electrons emitted from the auxiliary electrode layer 12b reaches the main electrode 15a in a short time, and the response time can be shortened.
【００３１】図３は、本発明の第３の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図、図４は第４の本発明の構成例としてガ
ラス封止体内部を示すものであり、同図（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は側面図である。図３に示す構成例では、基
体１１の表面にそれぞれＬ字状の補助電極層１２ａと１
２ｂが互いに電気的に分離されて平行に形成されてい
る。そして、（イ）および（ロ）で示す２箇所で、補助
電極層１２ａと１２ｂが微小な隙間で対向するギャップ
１３，１３が形成されている。また補助電極層１２ａと
１２ｂの長辺どうしが分離されている距離ｌeと、ギャ
ップ１３の間隔（ギャップ長）Ｇとの関係は、距離ｌe
に比べギャップ長Ｇが十分に小さな寸法（ｌe＞＞Ｇ）
に形成されている。したがって、補助電極層１２ａと１
２ｂの長辺どうしの間で電離衝突が起こることがない。FIG. 3 shows a third configuration example of the present invention.
(A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, (B) is a side view of (A), and FIG. 4 shows the inside of the glass sealed body as a configuration example of the fourth present invention. FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a side view. In the configuration example shown in FIG. 3, L-shaped auxiliary electrode layers 12 a and 1 are formed on the surface of the base body 11, respectively.
2b are electrically separated from each other and formed in parallel. Then, gaps 13 and 13 in which the auxiliary electrode layers 12a and 12b face each other with a minute gap are formed at two locations shown in (a) and (b). The relationship between the distance le at which the long sides of the auxiliary electrode layers 12a and 12b are separated from each other and the interval G of the gap 13 (gap length) G is
Gap length G is much smaller than that of (le >> G)
Is formed. Therefore, the auxiliary electrode layers 12a and 1
No ionization collision occurs between the long sides of 2b.
【００３２】図３に示すものでは、主電極１５ａと１５
ｂにいずれの極性のサージが印加されても、高速に応答
してサージを吸収できるものとなっている。主電極１５
ａ側が陽極で主電極１５ｂ側が陰極となるサージが印加
された場合には、補助電極層１２ｂのエッジＥ3と導電
層１４ａとの距離が短い（ロ）側での電離衝突に起因し
て放電が開始される。これは、補助電極層１２ｂのエッ
ジＥ3と導電層１４ａとの距離として、（ロ）側の距離
Ｌ3の方が（イ）側の距離Ｌ4に比べて短いためであり、
（ロ）側において導電層１４ａ（または主電極１５ａ）
に電離衝突が及ぶ時間（Ｔa）が短いからである。しか
も（ロ）側で放電が開始されるまでの放電開始時間が短
くなる。In FIG. 3, the main electrodes 15a and 15a are
Whichever polarity of surge is applied to b, it can respond at high speed and absorb the surge. Main electrode 15
When a surge is applied in which the a side is the anode and the main electrode 15b side is the cathode, a discharge is generated due to the ionization collision on the side (b) where the distance E between the auxiliary electrode layer 12b and the conductive layer 14a is short. Be started. This is because the distance L3 on the (b) side is shorter than the distance L4 on the (a) side as the distance between the edge E3 of the auxiliary electrode layer 12b and the conductive layer 14a.
Conductive layer 14a (or main electrode 15a) on the (b) side
This is because the time (Ta) for the ionization collision to reach is short. In addition, the discharge start time until the discharge is started on the (b) side is shortened.
【００３３】反対に主電極１５ｂ側が陽極、主電極１５
ａ側が陰極となるサージが印加された場合には、前記と
同様の理由で今度は（イ）側での電離衝突に起因して放
電が開始されることとなる。したがって、極性の異なる
サージが印加された場合でも応答時間を短縮することが
でき、極性を問わない高速応答特性のサージアブソーバ
とすることが可能である。On the contrary, the main electrode 15b side is the anode, and the main electrode 15
When a surge in which the a side serves as the cathode is applied, the discharge is started due to the ionization collision on the (a) side for the same reason as above. Therefore, the response time can be shortened even when surges with different polarities are applied, and a surge absorber with high-speed response characteristics regardless of polarity can be obtained.
【００３４】図４の第４の構成例は、図３に示した基体
１１の表面のみに形成されている補助電極層１２ａと１
２ｂを、基体１１の表面と裏面にそれぞれ分離して形成
したものに相当している。基体１１の表面には、主電極
１５ａおよび導電層１４ａに導通する補助電極層１２ａ
1と、主電極１５ｂおよび導電層１４ｂに導通する補助
電極層１２ｂ1が形成されているが、両補助電極層１２
ａ1と１２ｂ1とを電気的に分離するギャップ１３ａは、
両主電極１５ａと１５ｂの中心位置よりも主電極１５ｂ
側に近接した位置に形成されている。また、基体１１の
裏面には、主電極１５ａおよび導電層１４ａに導通する
補助電極層１２ａ2と、主電極１５ｂおよび導電層１４
ｂに導通する補助電極層１２ｂ2とが形成されている
が、両補助電極層１２ａ2と１２ｂ2の間に形成されたギ
ャップ１３ｂは主電極１５ａ側に近接した位置に形成さ
れている。The fourth structural example of FIG. 4 is the auxiliary electrode layers 12a and 1a formed only on the surface of the base 11 shown in FIG.
2b corresponds to one formed separately on the front surface and the back surface of the base 11. On the surface of the base 11, an auxiliary electrode layer 12a that is electrically connected to the main electrode 15a and the conductive layer 14a is formed.
1 and the auxiliary electrode layer 12b1 which is electrically connected to the main electrode 15b and the conductive layer 14b are formed.
The gap 13a that electrically separates a1 and 12b1 is
The main electrode 15b is located farther than the central position of the two main electrodes 15a and 15b.
It is formed at a position close to the side. Further, on the back surface of the base 11, the auxiliary electrode layer 12a2 electrically connected to the main electrode 15a and the conductive layer 14a, the main electrode 15b and the conductive layer 14a.
Although the auxiliary electrode layer 12b2 that is electrically connected to b is formed, the gap 13b formed between both auxiliary electrode layers 12a2 and 12b2 is formed at a position close to the main electrode 15a side.
【００３５】このサージアブソーバでは、主電極１５ａ
が陽極で主電極１５ｂが陰極となる極性のサージが印加
されると、基体１１の裏面の補助電極層１２ｂ2のエッ
ジから放出される電子の電離衝突が短時間で導電層１４
ａまたは主電極１５ａに到達し、主電極１５ａと１５ｂ
間で放電が短時間にて開始される。主電極１５ａが陰極
で主電極１５ｂが陽極となるサージが印加されると、基
体１１の表面にて補助電極層１２ａ1から放出される電
子の電離衝突が短時間で導電層１４ｂまたは主電極１５
ｂに到達し、主電極１５ａと１５ｂとの放電開始に至る
時間を短縮化できる。In this surge absorber, the main electrode 15a
When a surge having a polarity in which the anode is the anode and the main electrode 15b is the cathode is applied, the ionization collision of the electrons emitted from the edge of the auxiliary electrode layer 12b2 on the back surface of the base 11 is short in the conductive layer 14
a or the main electrode 15a and reach the main electrodes 15a and 15b
In between, discharge is started in a short time. When a surge in which the main electrode 15a is the cathode and the main electrode 15b is the anode is applied, the ionization collision of the electrons emitted from the auxiliary electrode layer 12a1 on the surface of the substrate 11 is short in time in the conductive layer 14b or the main electrode 15.
It is possible to shorten the time to reach b and to start the discharge of the main electrodes 15a and 15b.
【００３６】したがって、図３と図４に示すものは、共
にいずれの極性のサージであっても、短時間に放電を開
始して吸収できるものとなる。また、補助電極層はスパ
ッタリングなどによって薄膜状に形成することが可能で
あり、小型化できる。特に図４に示すものは、基体１１
の表裏両面に補助電極層を設けているため、基体１１の
幅寸法を小さくでき、小型化が可能である。Therefore, both the surges shown in FIGS. 3 and 4 can start and absorb the discharge in a short time regardless of the polarity of the surge. Further, the auxiliary electrode layer can be formed into a thin film by sputtering or the like, and can be miniaturized. In particular, the one shown in FIG.
Since the auxiliary electrode layers are provided on both front and back sides, the width dimension of the base 11 can be reduced, and the size can be reduced.
【００３７】図５は、本発明の第５の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図、図６は本発明の第６の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図である。図５に示す構成例では、基体１
１の表面の両側に互いに平行な直線状の補助電極層１２
ａと１２ｂが形成されている。補助電極層１２ａは、導
電層１４ａと導通して形成され、導電層１４ｂとの間
（ニ）にギャップ１３が形成されている。同様に補助電
極層１２ｂは、導電層１４ｂと導通して形成され、導電
層１４ａとの間（ホ）にギャップ１３が形成されてい
る。この場合にも図３に示したものと同様に、補助電極
層１２ａと１２ｂの距離ｌeと、ギャップ１３の間隔Ｇ
との関係は、ｌe＞＞Ｇとなるように形成されている。FIG. 5 shows a fifth configuration example of the present invention,
(A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, (B) is a side view of (A), and FIG. 6 shows a sixth configuration example of the present invention.
(A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, and (B) is a side view of (A). In the configuration example shown in FIG.
Linear auxiliary electrode layers 12 parallel to each other on both sides of the surface
a and 12b are formed. The auxiliary electrode layer 12a is formed so as to be electrically connected to the conductive layer 14a, and the gap 13 is formed between the conductive layer 14b and the conductive layer 14b. Similarly, the auxiliary electrode layer 12b is formed so as to be electrically connected to the conductive layer 14b, and the gap 13 is formed between the conductive layer 14a and (e). Also in this case, as in the case shown in FIG. 3, the distance le between the auxiliary electrode layers 12a and 12b and the gap G between the gaps 13 are equal to each other.
Is formed so that le >> G.
【００３８】すなわち、図２の第２の構成例で示した補
助電極層が１つの基体１１の表面上に並設され、ギャッ
プの位置を互いに相反する主電極側にそれぞれ形成され
たものである。したがって、主電極１５ａ側を陽極、主
電極１５ｂ側を陰極とするサージが印加された場合に
は、（ニ）および（ホ）の２箇所で電離衝突が発生する
が、補助電極層１２ｂと陽極側の導電層１４ａの距離が
短い（ホ）側での電離衝突に起因して放電が開始され
る。これは、図３の第３構成例と同様の理由であり、
（ホ）側の距離Ｌ6の方が（ニ）側の距離Ｌ5に比べて短
く、電離衝突の時間（Ｔa）も実質的に短くなるためで
ある。また、逆の極性のサージが印加された場合には、
同様に補助電極層１２ａと陽極側の導電層１４ｂの距離
が短い（ニ）側での電離衝突に起因して放電が開始され
る。That is, the auxiliary electrode layers shown in the second structural example of FIG. 2 are arranged side by side on the surface of one substrate 11, and the gap positions are formed on the main electrode sides which are opposite to each other. . Therefore, when a surge with the main electrode 15a side as the anode and the main electrode 15b side as the cathode is applied, ionization collisions occur at two locations (d) and (e), but the auxiliary electrode layer 12b and the anode are The discharge is started due to the ionization collision on the side (e) where the distance of the conductive layer 14a on the side is short. This is the same reason as the third configuration example of FIG.
This is because the distance L6 on the (e) side is shorter than the distance L5 on the (d) side, and the time (Ta) of the ionization collision is substantially shortened. If a surge of opposite polarity is applied,
Similarly, discharge is started due to ionization collision on the (d) side where the distance between the auxiliary electrode layer 12a and the conductive layer 14b on the anode side is short.
【００３９】なお、図２（Ｃ）に示したように、図５の
構成例において、導電層１４ａと１４ｂを無くし、補助
電極層１２ａが主電極１５ｂにギャップを介して対向
し、補助電極層１２ｂが主電極１５ａにギャップを介し
て対向する構造であってもよい。この場合には、補助電
極層のエッジから放出された電子の電離衝突がきわめて
短時間のうちに主電極１５ａまたは１５ｂに到達するも
のとなる。As shown in FIG. 2C, in the configuration example of FIG. 5, the conductive layers 14a and 14b are eliminated, the auxiliary electrode layer 12a faces the main electrode 15b with a gap, and the auxiliary electrode layer is formed. The structure may be such that 12b faces the main electrode 15a via a gap. In this case, the ionization collision of the electrons emitted from the edge of the auxiliary electrode layer reaches the main electrode 15a or 15b within a very short time.
【００４０】図６に示す第６の構成例は、図５の第５の
構成例で示した補助電極層１２ａ，１２ｂが基体１１の
表面と裏面にそれぞれ分けて形成されている。このよう
に形成することにより、第５の構成例と同様に電離衝突
の時間（Ｔa）を短くすることができ、かつ極性も問わ
ないサージアブソーバとすることができる。さらに長辺
どうしの距離ｌeとギャップ１３の間隔Ｇの制約（ｌe＞
＞Ｇ）をなくすことができる。In the sixth configuration example shown in FIG. 6, the auxiliary electrode layers 12a and 12b shown in the fifth configuration example of FIG. 5 are separately formed on the front surface and the back surface of the base 11, respectively. By forming in this way, the time (Ta) of the ionization collision can be shortened as in the fifth configuration example, and a surge absorber of any polarity can be obtained. Furthermore, the constraint of the distance le between the long sides and the gap G of the gap 13 (le>
> G) can be eliminated.
【００４１】図６においても、導電層１４ａと１４ｂを
無くし、補助電極層１２ａ1と主電極１５ａとの間にギ
ャップが形成され、あるいは補助電極層１２ｂ1と主電
極１５ｂとの間にギャップが形成されるものであっても
よい。Also in FIG. 6, the conductive layers 14a and 14b are eliminated and a gap is formed between the auxiliary electrode layer 12a1 and the main electrode 15a, or a gap is formed between the auxiliary electrode layer 12b1 and the main electrode 15b. It may be one.
【００４２】また、本発明は上記構成例に限られるもの
ではなく、サージアブソーバのギャップを一方の主電極
側に近づけて形成することにより、例えば図７に示すよ
うな丸棒状の基体の表面に補助電極層が形成されている
ものでもよく、またはブロック状の補助電極層が絶縁層
を介して接合されたものであっても構成できる。Further, the present invention is not limited to the above configuration example, but by forming the gap of the surge absorber close to one main electrode side, for example, on the surface of a round bar-shaped substrate as shown in FIG. The auxiliary electrode layer may be formed, or the block-shaped auxiliary electrode layer may be joined via an insulating layer.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、サージが
印加されて実際に吸収するまでの応答時間を短縮するこ
とができ、かつサージの極性を問わないサージアブソー
バとすることが可能となる。According to the present invention described in detail above, it is possible to shorten the response time until a surge is applied and actually absorb it, and it is possible to provide a surge absorber regardless of the polarity of the surge. Become.
【図１】本発明のサージアブソーバの第１の構成例を示
し、（Ａ）は全体構造の斜視図、（Ｂ）は、ガラス封止
体内部を示す拡大平面図、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図、FIG. 1 shows a first configuration example of a surge absorber of the present invention, (A) is a perspective view of the entire structure, (B) is an enlarged plan view showing the inside of a glass sealing body, and (C) is (B). ) Side view,
【図２】第２の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、（Ｃ）は変形例を示す側面図、FIG. 2 shows a configuration example of the second invention, (A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, (B) is a side view of (A), and (C) is a side view showing a modified example. Figure,
【図３】第３の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、FIG. 3 shows a configuration example of the third invention, (A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealed body, (B) is a side view of (A),
【図４】第４の本発明の構成例としてガラス封止体内部
を示すものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図、FIG. 4 shows the inside of a glass sealing body as a configuration example of a fourth invention, (A) is a plan view, (B) is a side view,
【図５】第５の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、FIG. 5 shows a configuration example of the fifth invention, (A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealing body, (B) is a side view of (A),
【図６】図６は第６の本発明の構成例を示し、（Ａ）は
ガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
側面図、FIG. 6 shows a configuration example of the sixth invention, (A) is an enlarged plan view showing the inside of the glass sealing body, (B) is a side view of (A),
【図７】従来のギャップ方式のサージアブソーバの構造
を示す斜視図、FIG. 7 is a perspective view showing the structure of a conventional gap type surge absorber;
【図８】図７のサージアブソーバのギャップ部分の拡大
断面図、8 is an enlarged cross-sectional view of a gap portion of the surge absorber of FIG. 7,
１０ サージアブソーバ １１ 基体 １２ａ、１２ｂ、１２ａ1、１２ａ2、１２ｂ1、１２ｂ2
補助電極層 １３、１３ａ、１３ｂ ギャップ １４ａ、１４ｂ 導電層 １５ａ、１５ｂ 主電極 １６ａ、１６ｂ リード線 １７ ガラス封止体 Ｅ エッジ Ｇ ギャップ長10 Surge Absorber 11 Base 12a, 12b, 12a1, 12a2, 12b1, 12b2
Auxiliary electrode layers 13, 13a, 13b Gap 14a, 14b Conductive layers 15a, 15b Main electrodes 16a, 16b Lead wire 17 Glass sealing body E Edge G Gap length
Claims (4)
通される補助電極層と、この補助電極層を電気的に分離
するギャップとを有し、前記ギャップは主電極間の中心
よりも一方の主電極側に近接した位置に形成されている
ことを特徴とするサージアブソーバ。1. A pair of main electrodes, an auxiliary electrode layer that is electrically connected to each of the main electrodes, and a gap that electrically separates the auxiliary electrode layers, the gap being more than a center between the main electrodes. A surge absorber, which is formed at a position close to one main electrode side.
れる補助電極層とを有し、この補助電極層と、他方の主
電極に導通する導電層との間、または補助電極層と他方
の主電極との間に、電気的に分離するギャップが形成さ
れていることを特徴とするサージアブソーバ。2. A pair of main electrodes and an auxiliary electrode layer electrically connected to one of the main electrodes, and between the auxiliary electrode layer and a conductive layer electrically connected to the other main electrode, or an auxiliary electrode layer. A surge absorber characterized in that an electrically isolated gap is formed between the main absorber and the other main electrode.
て平行に設けられており、平行に設けられた一方の補助
電極層により形成されるギャップと、他方の補助電極層
により形成されるギャップとが、互いに異なる主電極側
に設けられている請求項１または２記載のサージアブソ
ーバ。3. Auxiliary electrode layers are provided in parallel on the same surface of the substrate with a space therebetween, and a gap formed by one auxiliary electrode layer and an auxiliary electrode layer formed in parallel are formed. 3. The surge absorber according to claim 1 or 2, wherein the gaps are provided on different main electrode sides.
れ設けられており、表面の補助電極層により形成される
ギャップと、裏面の補助電極層により形成されるギャッ
プとが、互いに異なる主電極側に設けられている請求項
１または２記載のサージアブソーバ。4. A main electrode, wherein an auxiliary electrode layer is provided on each of a front surface and a back surface of a substrate, and a gap formed by the front auxiliary electrode layer and a gap formed by the back auxiliary electrode layer are different from each other. The surge absorber according to claim 1, which is provided on the side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP254796A JPH09190868A (en) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP254796A JPH09190868A (en) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Surge absorber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190868A true JPH09190868A (en) | 1997-07-22 |
Family
ID=11532415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP254796A Withdrawn JPH09190868A (en) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | Surge absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09190868A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010092779A (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | Surge absorber and its manufacturing method |
| JP2011243380A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | Esd protection device |
| JP2018535510A (en) * | 2015-09-25 | 2018-11-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | Overvoltage protection device and method for manufacturing overvoltage protection device |
-
1996
- 1996-01-10 JP JP254796A patent/JPH09190868A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010092779A (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | Surge absorber and its manufacturing method |
| JP2011243380A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | Esd protection device |
| JP2018535510A (en) * | 2015-09-25 | 2018-11-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | Overvoltage protection device and method for manufacturing overvoltage protection device |
| US10923885B2 (en) | 2015-09-25 | 2021-02-16 | Epcos Ag | Surge protection component and method for producing a surge protection component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11297215A (en) | Plasma display panel | |
| KR970012899A (en) | A cathode electrode of a direct current plasma addressing structure coated with a conductive material having low sputter resistance and low work function | |
| JPS6313290A (en) | gas discharge arrester | |
| JPH02278681A (en) | electronic equipment | |
| JPH09190868A (en) | Surge absorber | |
| JP2001345161A (en) | Chip type surge absorber and method of manufacturing the same | |
| US6606230B2 (en) | Chip-type surge absorber and method for producing the same | |
| JP3455011B2 (en) | Surge absorber and method of manufacturing the same | |
| JP3265874B2 (en) | surge absorber | |
| JPS62232881A (en) | Surge absorber | |
| JPH0992429A (en) | Surge absorbing element | |
| JPH09148044A (en) | Surge absorber | |
| JPH05283141A (en) | Gap type surge absorber | |
| JP2798088B2 (en) | Surge absorbing element | |
| JPS61142681A (en) | Surge absorbing element | |
| JPH0536460A (en) | Discharge type surge absorbing element | |
| JPH09199259A (en) | Surge absorber and manufacture thereof | |
| JP4426983B2 (en) | Discharge tube | |
| JP2927680B2 (en) | Discharge type surge absorbing element | |
| JPH01175191A (en) | Tip-type arrester | |
| JP2003217788A (en) | surge absorber | |
| JP2000003775A (en) | Chip type surge absorber and method of manufacturing the same | |
| JPH08293377A (en) | Serge absorber and its manufacture | |
| JP3125263U (en) | Discharge tube | |
| JP4426982B2 (en) | Discharge tube |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |