JPH09190868A

JPH09190868A - サージアブソーバ

Info

Publication number: JPH09190868A
Application number: JP254796A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Waga; 聡和賀
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-01-10
Filing date: 1996-01-10
Publication date: 1997-07-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ギャップが主電極間の中心に位置するサージ
アブソーバは、放電開始時間が長く、応答速度が遅かっ
た。【解決手段】基体１１の表面の補助電極層１２ａ，１
２ｂに形成されるギャップ１３は、主電極１５ａ、１５
ｂ間の中心から一方の主電極（図１では、１５ａ）側に
近づいた位置に形成されており、ギャップ１３に近接す
る側の主電極１５ａが陽極（＋極）となっている。サー
ジが印加されされたときに電子が放出される補助電極層
１２ｂのエッジＥ1と主電極１５ａ（導電層１４ａ）と
の距離が短くなるので、この間で放電に至るまでの過程
で行われる電離衝突の時間（放電開始時間）を短くする
ことができる。よって、印加されたサージが実際に吸収
されるまでの時間を短縮することができる。また、これ
らを例えば基体の表裏に対称に形成することによって、
極性のないサージアブソーバとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路や電子部
品を過渡的な電流又は電圧から保護するためのサージア
ブソーバに係り、特に放電を開始するまでの応答速度を
速めることができ、さらに異なる極性のサージに対応で
きるようにしたサージアブソーバに関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来のギャップ方式のサージア
ブソーバの構造を示す斜視図、図８は、図７のサージア
ブソーバのギャップ部分の拡大断面図である。このサー
ジアブソーバ１は、ガラス封止体２の内部に、アルミナ
（酸化アルミニウム；Ａｌ₂Ｏ₃）などの絶縁体により形
成された丸棒状の基体３が設けられている。この基体３
の表面に、ギャップ７を介して対向する薄膜状の補助電
極層４ａ，４ｂが形成されている。この補助電極層４
ａ，４ｂは、非結晶カーボン又はＴaＳiＯ₂もしくはＣr
ＳiＯ₂などの導電セラミックから形成されるが、これら
は後述する主電極（５ａ，５ｂ）よりも高抵抗の材料で
ある。ギャップ７は基体３の円周方向全周に沿って直線
状に形成されており、またギャップ７の全長において、
両補助電極層４ａと４ｂの距離は一定である。図８では
ギャップ７の間隔（ギャップ長）をＧで示している。

【０００３】基体３の両端部には、それぞれの補助電極
層４ａ，４ｂに導通する主電極５ａ，５ｂが設けられて
いる。この主電極５ａ，５ｂは抵抗値の低い金属材料に
よりキャップ状に形成されて、補助電極層４ａ，４ｂの
上から基体３の両端部に嵌着されている。両主電極５
ａ，５ｂにはリード線６ａ，６ｂが接続され、このリー
ド線６ａ，６ｂがガラス封止体２の外部に延びている。
ガラス封止体２の内部は１００〜５００Ｔｏｒｒ程度の
真空に近い圧力に設定され、この内部にはアルゴン（Ａ
ｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性
ガスが充填されている。

【０００４】上記サージアブソーバ１では、主電極５ａ
と５ｂとの間にサージが印加されると、ガラス封止体２
の内部で放電が起こりサージを吸収することができるよ
うになっている。例えば、主電極５ａを陽極（＋極）、
主電極５ｂを陰極（−極）とするサージが印加される
と、ギャップ７に電荷が蓄積され放電開始電圧（パッシ
ェン最低電圧）に至るとギャップ７の部分で補助電極層
４ａと４ｂとの間で放電が開始される。この放電が、補
助電極層４ａと４ｂを伝わって主電極５ａと５ｂに及
び、主電極５ａと５ｂの間で陽極側の主電極５ａから陰
極側の主電極５ｂに向かって放電が開始される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のサージアブソー
バは、例えばコンピュータなどでは、デジタル信号のビ
ット反転などによる誤動作を防止するため、電子回路内
における静電気対策用として使用される。したがって、
その要求される応答時間は、コンピュータの動作周波数
が高くなるに連れて短い時間で応答することが要求さ
れ、現在では１nsec以下が求められている。

【０００６】しかしながら、上記従来のギャップ方式の
サージアブソーバにおいて、現在市販されているものの
中で応答時間がもっとも短いものでも４nsec程度であ
り、静電気対策用としては使用に適したものではなかっ
た。応答時間がこれ以上短いサージアブソーバを製造で
きない理由は以下に示す通りである。

【０００７】このサージアブソーバでは、図８に示すよ
うに、サージ（主電極５ａを陽極、主電極５ｂを陰極と
するサージ）が印加され、所定の電圧に達すると陰極側
の主電極５ｂと導通する補助電極層４ｂから放出される
電子と、ガラス封止体２内に充填されている不活性ガス
のガス分子との間で電離衝突が起こる。最初の電離衝突
は、陰極側の補助電極層４ｂの端部であるエッジＥbか
ら放出される電子と、陽極側の補助電極層４ａの端部で
あるエッジＥa付近のガス分子との間で起こり、これに
よりまずギャップ７をまたいで補助電極層４ａと４ｂ間
で放電が開始される（に示す部分）。

【０００８】次に、陰極側のエッジＥbから放出される
電子は、陽極側の補助電極層４ａ上のガス分子と電離衝
突する位置を順に、、、……と主電極５ａに向か
って移動していく。そして、最終的にエッジＥbと陽極
側の主電極５ａとの間で直接電離衝突が起こると、陽極
側の主電極５ａから陰極側の主電極５ｂに向かう放電に
発展しサージが吸収される。また、主電極５ａ側を陰極
（−極）、主電極５ｂ側を陽極（＋極）とするサージが
印加された場合にも、前記と同様の原理で今度は陽極側
の主電極５ｂから陰極側の主電極５ａに向かって放電が
発生してサージが吸収される。

【０００９】サージが印加され吸収されるまでの応答時
間（Ｔ）は、エッジＥa，Ｅb間で電離衝突が開始された
後、主電極５ａ，５ｂ間に達するまでの時間（Ｔa：以
下、「放電開始時間」という）と、主電極５ａと５ｂ間
での放電時間（Ｔb）との和（Ｔa＋Ｔb）によって表わ
される。放電開始時間（Ｔa）は、電離衝突がエッジＥb
から陽極側の主電極５ａ間に達するまでの時間、すなわ
ちエッジＥbと陽極側の主電極５ａとの距離により決定
される。また、放電時間Ｔbは、放電開始時間（Ｔa）に
比べ極めて短く、主電極５ａ，５ｂ間の距離やガス圧な
どに関係し、サージアブソーバの寸法によりほぼ一律的
に決定される。したがって、サージアブソーバの応答時
間（Ｔ）は、放電開始時間（Ｔa）に大きく依存し、エ
ッジＥbと陽極側の主電極５ａとの距離によって決めら
れる。主電極５ａと５ｂとの距離をＬとすると、エッジ
Ｅbと陽極側の主電極５ａとの距離はＬ／２である。

【００１０】前記応答時間（Ｔ）を短くするためには、
主電極５ａと５ｂの距離Ｌを短くすればよいが、この距
離は、主電極５ａと５ｂ間で生じる放電の開始電圧に関
連しており、この距離Ｌを単純に短くすることはできな
い。

【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、主電極間の距離を変えることなく、放電開
始時間を短縮化して、応答特性を良好にしたサージアブ
ソーバを提供することを目的としている。

【００１２】さらに本発明は、主電極に対し異なる極性
のサージが印加されたときに、それぞれの極性に対して
応答時間を短縮できるようにしたサージアブソーバを提
供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によるサージアブ
ソーバは、一対の主電極と、それぞれの主電極に導通さ
れる補助電極層と、この補助電極層を電気的に分離する
ギャップとを有し、前記ギャップは主電極間の中心より
も一方の主電極側に近接した位置に形成されていること
を特徴とするものである。

【００１４】または、一対の主電極と、一方の主電極に
導通される補助電極層とを有し、この補助電極層と、他
方の主電極に導通する導電層との間、または補助電極層
と他方の主電極との間に、電気的に分離するギャップが
形成されていることを特徴とするものである。

【００１５】上記２つの手段において、基体の同じ面に
補助電極層が間隔を開けて平行に設けられており、平行
に設けられた一方の補助電極層により形成されるギャッ
プと、他方の補助電極層により形成されるギャップと
が、互いに異なる主電極側に設けられている構造にでき
る。この場合に、平行に設けられた補助電極層の間隔
が、前記ギャップの間隔（ギャップ長）よりも十分に長
いことが必要である。

【００１６】また、基体の表面と裏面に補助電極層がそ
れぞれ設けられており、表面の補助電極層により形成さ
れるギャップと、裏面の補助電極層により形成されるギ
ャップとが、互いに異なる主電極側に設けられている構
造とすることも可能である。

【００１７】本発明におけるサージアブソーバは、２つ
の主電極のそれぞれに導通する補助電極層が設けられ、
この補助電極層を電気的に分離するギャップが、一方の
主電極側に近接した位置に設けられている。あるいは一
方の主電極に導通する補助電極層が設けられ、この補助
電極層が他方の主電極に導通する導電層に対してギャッ
プを介して対向し、または補助電極層がギャップを介し
て主電極に対向するものとなっている。

【００１８】このサージアブソーバでは、ギャップと一
方の主電極との距離が短くなっているため、ギャップが
接近している側が陽極となるサージが印加されると、陰
極側の補助電極層から放出される電子が陽極側の主電極
または導電層に到達するまでの時間（放電開始時間）を
短くすることができ、サージが印加され放電に至りさら
にサージが吸収されるまでの応答時間を短縮することが
可能となる。ただし、主電極間の距離を十分に長くとる
ことが可能であるため、放電開始電圧などは自由に設定
できる。

【００１９】また、基体の表面に２つの平行な補助電極
層を所定の間隔を開けて設け、個々の補助電極層で形成
されるギャップを、それぞれ相違する主電極側に近接さ
せて設けることが好ましい。この場合、サージの陽極側
となる主電極に対し、これに近接しているギャップから
電子が短時間で到達する。ギャップはそれぞれの主電極
に近接されて設けられてるため、いずれの極性のサージ
が印加された場合であっても、放電開始時間を短縮化で
き、応答時間を短縮できる。

【００２０】また、基体の表面と裏面のそれぞれに補助
電極層が設けられ、表面側では一方の主電極に近接する
位置にギャップが形成され、裏面側では他方の主電極に
近接する位置にギャップが形成された構造であっても、
異なる極性のサージに対してそれぞれ応答時間を短縮で
きるものとなる。

【００２１】本発明のサージアブソーバは、基体の両側
に主電極を設けるとともに、基体に補助電極層を薄膜状
に形成することにより構成できる。あるいは、ブロック
状の補助電極を用い、一対の補助電極を絶縁層を介して
接合してギャップを形成し、このギャップを一方の主電
極に近接させることにより構成でき、あるいはブロック
状の補助電極を、絶縁層を介して主電極に直接に接合し
て、ギャップを形成することも可能である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は、本発明のサージアブソーバの第
１の構成例を示し、（Ａ）は全体構造の斜視図、（Ｂ）
は、ガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｃ）は
（Ｂ）の側面図である。

【００２３】このサージアブソーバ１０は、平板状チッ
プの基体１１を有している。この基体１１は、比較的融
点の高いガラスやＡｌ₂Ｏ₃などのセラミック材料などに
より形成されている。基体１１の表面には、補助電極層
１２ａ，１２ｂが形成され、両補助電極層１２ａと１２
ｂの間に、ギャップ１３が主電極１５ａと１５ｂの中心
（中心線Ｏ−Ｏ）よりも主電極１５ａ側に近接した位置
に形成されている。このギャップ１３は、基体１１の表
面に高抵抗材料の膜を形成した後に、この膜をギャップ
長Ｇとなる距離で除去することにより形成できる。この
工程はウエットエッチングまたはドライエッチングによ
り行われる。高抵抗材料が非晶質カーボンの場合には、
ＣＦ₄＋Ｏ₂の混合ガスを用いたドライエッチングなどに
よりギャップ１３を加工することが可能である。

【００２４】また、基体１１の両端部には、補助電極層
１２ａ，１２ｂのそれぞれに導通する導電層１４ａ，１
４ｂが設けられ、この導電層１４ａ，１４ｂが主電極１
５ａ，１５ｂに接合されている。導電層１４ａ，１４ｂ
は、スパッタリングなどによって形成されており、均一
で平滑な高精度の電極となっている。主電極１５ａ，１
５ｂは、例えばジメット（銅の表面に酸化銅膜が形成さ
れているもの）により形成されている。この主電極１５
ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂが接続されてい
る。基体１１および主電極１５ａ，１５ｂはガラス封止
体１７の内部に収納され、リード線１６ａ，１６ｂは、
ガラス封止体１７の外部に突出している。ガラス封止体
１７の内部は真空に近い低圧であり、ガラス封止体１７
の内部にはアルゴン、ネオン、ヘリウムなどの不活性ガ
スが充填されている。

【００２５】このサージアブソーバは、図１（Ｂ）
（Ｃ）に示すように、主電極１５ａ（導電層１４ａ）が
陽極側（＋極）、主電極１５ｂ（導電層１４ｂ）が陰極
側（−極）となる極性のサージを、高速の応答速度で吸
収できるものものとなっている。

【００２６】両補助電極層１２ａと１２ｂの間を電気的
に分離するギャップ１３は、主電極１５ａと１５ｂの中
心（中心線Ｏ−Ｏ）よりも主電極１５ａ側に近接した位
置に形成されているが、主電極１５ａよりも導電層１４
ａの方がギャップ１３に近いので、補助電極層１２ｂの
エッジＥ1と陽極側の導電層１４ａとの距離Ｌ1が放電に
至るまでの距離となっている。あるいは、エッジＥ1と
主電極１５ａとの距離が放電に至るまでの距離となって
いる。

【００２７】このサージアブソーバ１０では、主電極１
５ａが陽極で主電極１５ｂが陰極となるサージが印加さ
れると、陰極側の補助電極層１２ｂのエッジＥ1から放
出される電子とガラス封止体１７内に充填されている不
活性ガスのガス分子とが補助電極層１２ａ上で電離衝突
を繰り返す。そして、エッジＥ1から放出される電子が
導電層１４ａに達したときに（あるいは主電極１５ａに
達したときに）、陽極側の主電極１５ａから陰極側の主
電極１５ｂに向かって放電が開始される。すなわち、電
離衝突が陽極側の主電極１５ａまで達する時間（Ｔa）
は、エッジＥ1と陽極側の導電層１４ａとの距離Ｌ1（ま
たはエッジＥ1と主電極１５ａとの距離）に依存する
が、この距離Ｌ1が従来よりも短いため、前記の電離衝
突が陽極側の主電極１５ａまで達する時間（Ｔa）を短
くできる。

【００２８】また、陽極側の主電極１５ａから陰極側の
主電極１５ｂに向かって放電が到達する時間は、両主電
極１５ａ，１５ｂ間の距離が一定なので従来と同じ（Ｔ
b）のままであるが、全体としての応答時間Ｔ（Ｔ＝Ｔa
＋Ｔb）を短縮することが可能となる。また、主電極１
５ａと１５ｂの間との距離Ｌは、従来と同様に一定の距
離を保っているので放電開始電圧を従来と同様に設定で
きる。

【００２９】図２は、第２の本発明の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図である。また同図（Ｃ）は変形例を示す
側面図である。図２に示す構成例では、図１で示したも
のよりもさらにギャップ１３を主電極１５ａ（導電層１
４ａ）側に近付け、結果として補助電極１２ａが削除さ
れた場合を示している。したがって、エッジＥ2と陽極
側の導電層１４ａとの距離Ｌ2とギャップ１３の間隔Ｇ
とが同じ距離（Ｌ2＝Ｇ）となっている。この場合に
は、図１に示した第１の構成例よりも、エッジＥ2と陽
極側の導電層１４ａとの距離を短く形成したので、電離
衝突が陽極側の主電極１５ａに達するまでの時間（Ｔ
a）をさらに短縮することが可能である。よって、さら
に応答時間の短いサージアブソーバとすることができ
る。

【００３０】また図２（Ｃ）に示す変形例では、導電層
１４ａを無くし、陰極側の補助電極層１２ｂを主電極１
５ａに直接対向させ、主電極１５ａと補助電極層１２ｂ
との間に電気的に分離するギャップ１３が形成されてい
る。この変形例でも、補助電極層１２ｂから放出される
電子による電離衝突が短時間に主電極１５ａに至り、応
答時間を短縮できる。

【００３１】図３は、本発明の第３の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図、図４は第４の本発明の構成例としてガ
ラス封止体内部を示すものであり、同図（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は側面図である。図３に示す構成例では、基
体１１の表面にそれぞれＬ字状の補助電極層１２ａと１
２ｂが互いに電気的に分離されて平行に形成されてい
る。そして、（イ）および（ロ）で示す２箇所で、補助
電極層１２ａと１２ｂが微小な隙間で対向するギャップ
１３，１３が形成されている。また補助電極層１２ａと
１２ｂの長辺どうしが分離されている距離ｌeと、ギャ
ップ１３の間隔（ギャップ長）Ｇとの関係は、距離ｌe
に比べギャップ長Ｇが十分に小さな寸法（ｌe＞＞Ｇ）
に形成されている。したがって、補助電極層１２ａと１
２ｂの長辺どうしの間で電離衝突が起こることがない。

【００３２】図３に示すものでは、主電極１５ａと１５
ｂにいずれの極性のサージが印加されても、高速に応答
してサージを吸収できるものとなっている。主電極１５
ａ側が陽極で主電極１５ｂ側が陰極となるサージが印加
された場合には、補助電極層１２ｂのエッジＥ3と導電
層１４ａとの距離が短い（ロ）側での電離衝突に起因し
て放電が開始される。これは、補助電極層１２ｂのエッ
ジＥ3と導電層１４ａとの距離として、（ロ）側の距離
Ｌ3の方が（イ）側の距離Ｌ4に比べて短いためであり、
（ロ）側において導電層１４ａ（または主電極１５ａ）
に電離衝突が及ぶ時間（Ｔa）が短いからである。しか
も（ロ）側で放電が開始されるまでの放電開始時間が短
くなる。

【００３３】反対に主電極１５ｂ側が陽極、主電極１５
ａ側が陰極となるサージが印加された場合には、前記と
同様の理由で今度は（イ）側での電離衝突に起因して放
電が開始されることとなる。したがって、極性の異なる
サージが印加された場合でも応答時間を短縮することが
でき、極性を問わない高速応答特性のサージアブソーバ
とすることが可能である。

【００３４】図４の第４の構成例は、図３に示した基体
１１の表面のみに形成されている補助電極層１２ａと１
２ｂを、基体１１の表面と裏面にそれぞれ分離して形成
したものに相当している。基体１１の表面には、主電極
１５ａおよび導電層１４ａに導通する補助電極層１２ａ
1と、主電極１５ｂおよび導電層１４ｂに導通する補助
電極層１２ｂ1が形成されているが、両補助電極層１２
ａ1と１２ｂ1とを電気的に分離するギャップ１３ａは、
両主電極１５ａと１５ｂの中心位置よりも主電極１５ｂ
側に近接した位置に形成されている。また、基体１１の
裏面には、主電極１５ａおよび導電層１４ａに導通する
補助電極層１２ａ2と、主電極１５ｂおよび導電層１４
ｂに導通する補助電極層１２ｂ2とが形成されている
が、両補助電極層１２ａ2と１２ｂ2の間に形成されたギ
ャップ１３ｂは主電極１５ａ側に近接した位置に形成さ
れている。

【００３５】このサージアブソーバでは、主電極１５ａ
が陽極で主電極１５ｂが陰極となる極性のサージが印加
されると、基体１１の裏面の補助電極層１２ｂ2のエッ
ジから放出される電子の電離衝突が短時間で導電層１４
ａまたは主電極１５ａに到達し、主電極１５ａと１５ｂ
間で放電が短時間にて開始される。主電極１５ａが陰極
で主電極１５ｂが陽極となるサージが印加されると、基
体１１の表面にて補助電極層１２ａ1から放出される電
子の電離衝突が短時間で導電層１４ｂまたは主電極１５
ｂに到達し、主電極１５ａと１５ｂとの放電開始に至る
時間を短縮化できる。

【００３６】したがって、図３と図４に示すものは、共
にいずれの極性のサージであっても、短時間に放電を開
始して吸収できるものとなる。また、補助電極層はスパ
ッタリングなどによって薄膜状に形成することが可能で
あり、小型化できる。特に図４に示すものは、基体１１
の表裏両面に補助電極層を設けているため、基体１１の
幅寸法を小さくでき、小型化が可能である。

【００３７】図５は、本発明の第５の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図、図６は本発明の第６の構成例を示し、
（Ａ）はガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図である。図５に示す構成例では、基体１
１の表面の両側に互いに平行な直線状の補助電極層１２
ａと１２ｂが形成されている。補助電極層１２ａは、導
電層１４ａと導通して形成され、導電層１４ｂとの間
（ニ）にギャップ１３が形成されている。同様に補助電
極層１２ｂは、導電層１４ｂと導通して形成され、導電
層１４ａとの間（ホ）にギャップ１３が形成されてい
る。この場合にも図３に示したものと同様に、補助電極
層１２ａと１２ｂの距離ｌeと、ギャップ１３の間隔Ｇ
との関係は、ｌe＞＞Ｇとなるように形成されている。

【００３８】すなわち、図２の第２の構成例で示した補
助電極層が１つの基体１１の表面上に並設され、ギャッ
プの位置を互いに相反する主電極側にそれぞれ形成され
たものである。したがって、主電極１５ａ側を陽極、主
電極１５ｂ側を陰極とするサージが印加された場合に
は、（ニ）および（ホ）の２箇所で電離衝突が発生する
が、補助電極層１２ｂと陽極側の導電層１４ａの距離が
短い（ホ）側での電離衝突に起因して放電が開始され
る。これは、図３の第３構成例と同様の理由であり、
（ホ）側の距離Ｌ6の方が（ニ）側の距離Ｌ5に比べて短
く、電離衝突の時間（Ｔa）も実質的に短くなるためで
ある。また、逆の極性のサージが印加された場合には、
同様に補助電極層１２ａと陽極側の導電層１４ｂの距離
が短い（ニ）側での電離衝突に起因して放電が開始され
る。

【００３９】なお、図２（Ｃ）に示したように、図５の
構成例において、導電層１４ａと１４ｂを無くし、補助
電極層１２ａが主電極１５ｂにギャップを介して対向
し、補助電極層１２ｂが主電極１５ａにギャップを介し
て対向する構造であってもよい。この場合には、補助電
極層のエッジから放出された電子の電離衝突がきわめて
短時間のうちに主電極１５ａまたは１５ｂに到達するも
のとなる。

【００４０】図６に示す第６の構成例は、図５の第５の
構成例で示した補助電極層１２ａ，１２ｂが基体１１の
表面と裏面にそれぞれ分けて形成されている。このよう
に形成することにより、第５の構成例と同様に電離衝突
の時間（Ｔa）を短くすることができ、かつ極性も問わ
ないサージアブソーバとすることができる。さらに長辺
どうしの距離ｌeとギャップ１３の間隔Ｇの制約（ｌe＞
＞Ｇ）をなくすことができる。

【００４１】図６においても、導電層１４ａと１４ｂを
無くし、補助電極層１２ａ1と主電極１５ａとの間にギ
ャップが形成され、あるいは補助電極層１２ｂ1と主電
極１５ｂとの間にギャップが形成されるものであっても
よい。

【００４２】また、本発明は上記構成例に限られるもの
ではなく、サージアブソーバのギャップを一方の主電極
側に近づけて形成することにより、例えば図７に示すよ
うな丸棒状の基体の表面に補助電極層が形成されている
ものでもよく、またはブロック状の補助電極層が絶縁層
を介して接合されたものであっても構成できる。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、サージが
印加されて実際に吸収するまでの応答時間を短縮するこ
とができ、かつサージの極性を問わないサージアブソー
バとすることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサージアブソーバの第１の構成例を示
し、（Ａ）は全体構造の斜視図、（Ｂ）は、ガラス封止
体内部を示す拡大平面図、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図、

【図２】第２の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、（Ｃ）は変形例を示す側面図、

【図３】第３の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、

【図４】第４の本発明の構成例としてガラス封止体内部
を示すものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図、

【図５】第５の本発明の構成例を示し、（Ａ）はガラス
封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面
図、

【図６】図６は第６の本発明の構成例を示し、（Ａ）は
ガラス封止体内部を示す拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
側面図、

【図７】従来のギャップ方式のサージアブソーバの構造
を示す斜視図、

【図８】図７のサージアブソーバのギャップ部分の拡大
断面図、

【符号の説明】

１０サージアブソーバ１１基体１２ａ、１２ｂ、１２ａ1、１２ａ2、１２ｂ1、１２ｂ2
補助電極層１３、１３ａ、１３ｂギャップ１４ａ、１４ｂ導電層１５ａ、１５ｂ主電極１６ａ、１６ｂリード線１７ガラス封止体ＥエッジＧギャップ長

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の主電極と、それぞれの主電極に導
通される補助電極層と、この補助電極層を電気的に分離
するギャップとを有し、前記ギャップは主電極間の中心
よりも一方の主電極側に近接した位置に形成されている
ことを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項２】一対の主電極と、一方の主電極に導通さ
れる補助電極層とを有し、この補助電極層と、他方の主
電極に導通する導電層との間、または補助電極層と他方
の主電極との間に、電気的に分離するギャップが形成さ
れていることを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項３】基体の同じ面に補助電極層が間隔を開け
て平行に設けられており、平行に設けられた一方の補助
電極層により形成されるギャップと、他方の補助電極層
により形成されるギャップとが、互いに異なる主電極側
に設けられている請求項１または２記載のサージアブソ
ーバ。
【請求項４】基体の表面と裏面に補助電極層がそれぞ
れ設けられており、表面の補助電極層により形成される
ギャップと、裏面の補助電極層により形成されるギャッ
プとが、互いに異なる主電極側に設けられている請求項
１または２記載のサージアブソーバ。