JPH09190905A - 厚膜サーミスタ - Google Patents
厚膜サーミスタInfo
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- JPH09190905A JPH09190905A JP8018165A JP1816596A JPH09190905A JP H09190905 A JPH09190905 A JP H09190905A JP 8018165 A JP8018165 A JP 8018165A JP 1816596 A JP1816596 A JP 1816596A JP H09190905 A JPH09190905 A JP H09190905A
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- JP
- Japan
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- film
- thermistor
- thick film
- comb
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値調整の工程でサーミスタ膜のＢ定数に
よる変化の影響を受けない厚膜サーミスタ。 【構成】 従来の厚膜サーミスタの抵抗値調整はレーザ
ー光でサーミスタ膜を切断するため、熱による抵抗値変
動があり精密な抵抗値のサーミスタ作製ができなかっ
た。本発明では電極を櫛形構造にし、この電極を切断し
て抵抗値調整を行うため、サーミスタ膜に熱を伝えずに
抵抗値調整を行い精密な抵抗値のサーミスタを提供す
る。
よる変化の影響を受けない厚膜サーミスタ。 【構成】 従来の厚膜サーミスタの抵抗値調整はレーザ
ー光でサーミスタ膜を切断するため、熱による抵抗値変
動があり精密な抵抗値のサーミスタ作製ができなかっ
た。本発明では電極を櫛形構造にし、この電極を切断し
て抵抗値調整を行うため、サーミスタ膜に熱を伝えずに
抵抗値調整を行い精密な抵抗値のサーミスタを提供す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感温部に厚膜を使用した
サーミスタに関する。
サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜を使用したサーミスタは、電
極パターンを厚膜印刷により形成した上に厚膜サーミス
タ層を形成した後、サーミスタ膜をレーザー光を用いて
切断し抵抗値を調整していた。
極パターンを厚膜印刷により形成した上に厚膜サーミス
タ層を形成した後、サーミスタ膜をレーザー光を用いて
切断し抵抗値を調整していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レーザー光でサーミス
タ膜を切断すると、レーザー光により高い熱がサーミス
タ膜にかかり、サーミスタの特性により抵抗値が変動
し、精密な抵抗値の素子作製が困難であった。
タ膜を切断すると、レーザー光により高い熱がサーミス
タ膜にかかり、サーミスタの特性により抵抗値が変動
し、精密な抵抗値の素子作製が困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は電極の構造を複
数の櫛形にし、この電極部分をレーザー光で切断するこ
とで、サーミスタ膜の温度変化を小さくし抵抗値調整を
行うため、精密な抵抗値の素子作製が可能となる。
数の櫛形にし、この電極部分をレーザー光で切断するこ
とで、サーミスタ膜の温度変化を小さくし抵抗値調整を
行うため、精密な抵抗値の素子作製が可能となる。
【０００５】
【作 用】本発明によるサーミスタは抵抗値調整工程
で電極部分を切断するためサーミスタ膜の熱による抵抗
値変化が小さく精密な抵抗値調整ができる。
で電極部分を切断するためサーミスタ膜の熱による抵抗
値変化が小さく精密な抵抗値調整ができる。
【０００６】
【実施例１】本発明の実施例を図面を用いて説明する。
【０００７】 図１において２ｍｍ×１．２５ｍｍ×
０．４ｍｍｔのアルミナ絶縁基板上にスパッタリング法
を用いて白金を０．５μｍの厚さに着膜した後、白金膜
の安定化を図るために８００℃で熱処理を行い電極層を
得た。
０．４ｍｍｔのアルミナ絶縁基板上にスパッタリング法
を用いて白金を０．５μｍの厚さに着膜した後、白金膜
の安定化を図るために８００℃で熱処理を行い電極層を
得た。
【０００８】 該着膜基体上にフォトレジストにより図
２に示す様な櫛部分の幅が５０μｍのパターンを作製し
た。
２に示す様な櫛部分の幅が５０μｍのパターンを作製し
た。
【０００９】 この基体をミリングによりエッチング
後、フォトレジストを除去し、図３に示す電極を形成し
た。
後、フォトレジストを除去し、図３に示す電極を形成し
た。
【００１０】 この電極の上に印刷法を用いて図４に示
す部分にサーミスタペーストを印刷、焼成し、厚さ１５
μｍのサーミスタ膜を得た。
す部分にサーミスタペーストを印刷、焼成し、厚さ１５
μｍのサーミスタ膜を得た。
【００１１】 図５に示す様に、この着膜基体の第１調
整部をレーザートリミングで切断し、抵抗値を所望の抵
抗の９５％から１００％に調整し、更に第２調整部を切
断して所望の抵抗値を得た。
整部をレーザートリミングで切断し、抵抗値を所望の抵
抗の９５％から１００％に調整し、更に第２調整部を切
断して所望の抵抗値を得た。
【００１２】 抵抗値調整を行った素子を図６に示すよ
うにガラスを印刷、焼成しサーミスタ素子を作製した。
うにガラスを印刷、焼成しサーミスタ素子を作製した。
【００１３】
【発明の効果】本発明による方法で作製した１０ｋΩＢ
特性４０００Ｋのサーミスタ素子１００個と従来の方法
で作製したサーミスタ１００個の抵抗値ばらつきを表１
に示す。
特性４０００Ｋのサーミスタ素子１００個と従来の方法
で作製したサーミスタ１００個の抵抗値ばらつきを表１
に示す。
【図１】実施例１における素子の断面図である。
【図２】実施例１における素子の上面図である。
【図３】実施例１における素子の上面図である。
【図４】実施例１における素子の上面図である。
【図５】実施例１における素子の上面図である。
【図６】実施例１における素子の上面図である。
１ アルミナ絶縁基板 ２ 白金膜 ３ 櫛部 ４ フォトレジスト ５ サーミスタ膜 ６ 第１調整部 ７ 第２調整部 ８ ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基体上に複数の櫛形電極を形成した
上に厚膜ペーストを印刷した厚膜サーミスタにおいて、
電極の櫛形パターンを切断し抵抗値を調整することを特
徴とする厚膜サーミスタ。 - 【請求項２】 請求項１において電極膜を白金または、
白金系合金を使用した厚膜サーミスタ。 - 【請求項３】 請求項２に於いて電極膜を薄膜で作製し
た厚膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018165A JPH09190905A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 厚膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018165A JPH09190905A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 厚膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190905A true JPH09190905A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11964006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8018165A Pending JPH09190905A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 厚膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09190905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444888B1 (ko) * | 2002-02-18 | 2004-08-21 | 주식회사 쎄라텍 | 칩타입 바리스터 및 그 제조방법 |
| JP5186007B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-04-17 | アルプス電気株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
| JP2016131167A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイスの抵抗値調整方法 |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP8018165A patent/JPH09190905A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444888B1 (ko) * | 2002-02-18 | 2004-08-21 | 주식회사 쎄라텍 | 칩타입 바리스터 및 그 제조방법 |
| JP5186007B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-04-17 | アルプス電気株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
| JP2016131167A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイスの抵抗値調整方法 |
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