JPH09195018A - 軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金及びその非晶質合金の磁気記録層並びにその記録層を有する光磁気ディスク - Google Patents
軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金及びその非晶質合金の磁気記録層並びにその記録層を有する光磁気ディスクInfo
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- JPH09195018A JPH09195018A JP8285076A JP28507696A JPH09195018A JP H09195018 A JPH09195018 A JP H09195018A JP 8285076 A JP8285076 A JP 8285076A JP 28507696 A JP28507696 A JP 28507696A JP H09195018 A JPH09195018 A JP H09195018A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長領域で軽稀土類金属の磁気モーメント
が減少することなく垂直磁気異方性を有することができ
る軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金より形
成される短波長用の光磁気記録膜を有する短波長用の光
磁気ディスクを提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明の光磁気ディスクは、誘電物質で
形成される反射防止膜２と、軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金からなる光磁気記録膜３と、この光
磁気記録膜３を保護する保護膜４と、この保護膜４上に
形成される反射膜５とが順次基板１上に形成されてい
る。軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つであり、遷移金属は
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少なくともいずれか一つであり、半
金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくともいずれか一つである。
が減少することなく垂直磁気異方性を有することができ
る軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金より形
成される短波長用の光磁気記録膜を有する短波長用の光
磁気ディスクを提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明の光磁気ディスクは、誘電物質で
形成される反射防止膜２と、軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金からなる光磁気記録膜３と、この光
磁気記録膜３を保護する保護膜４と、この保護膜４上に
形成される反射膜５とが順次基板１上に形成されてい
る。軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つであり、遷移金属は
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少なくともいずれか一つであり、半
金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくともいずれか一つである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直磁気異方性合金
及びこの合金より形成される光磁気記録層並びにこの記
録膜を適用する光磁気ディスクに関し、特に、軽稀土類
金属−遷移金属−半金属の非晶質合金と、この合金より
形成されることにより短波長領域における光磁気特性に
優れる光磁気記録膜と、これを適用する光磁気記録ディ
スクに関する。
及びこの合金より形成される光磁気記録層並びにこの記
録膜を適用する光磁気ディスクに関し、特に、軽稀土類
金属−遷移金属−半金属の非晶質合金と、この合金より
形成されることにより短波長領域における光磁気特性に
優れる光磁気記録膜と、これを適用する光磁気記録ディ
スクに関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは、従来の磁気ディスク
と比較して情報記録密度が高く、所望の情報を容易に検
索することができるランダムアクセス特性を有してい
る。従って、最近の光磁気ディスクはハードディスクや
磁気テープに代わる高密度の記録媒体として注目されて
いる。従来の光磁気ディスクは、光磁気ディスクの記録
層が記録層表面に対して垂直磁化容易軸を有する重稀土
類−遷移金属（ＨＲＥ−ＴＭ）の２元系合金を基板にス
パッタリングまたは真空蒸着することにより製造されて
いた。しかしながら、ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏを２元系のＲ
Ｅ−ＴＭ合金として用いると、保磁力及び光磁気効果は
充分に達成できるが、耐食性が弱いという問題があっ
た。
と比較して情報記録密度が高く、所望の情報を容易に検
索することができるランダムアクセス特性を有してい
る。従って、最近の光磁気ディスクはハードディスクや
磁気テープに代わる高密度の記録媒体として注目されて
いる。従来の光磁気ディスクは、光磁気ディスクの記録
層が記録層表面に対して垂直磁化容易軸を有する重稀土
類−遷移金属（ＨＲＥ−ＴＭ）の２元系合金を基板にス
パッタリングまたは真空蒸着することにより製造されて
いた。しかしながら、ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏを２元系のＲ
Ｅ−ＴＭ合金として用いると、保磁力及び光磁気効果は
充分に達成できるが、耐食性が弱いという問題があっ
た。
【０００３】このような問題を解決するために、２元系
合金と他の金属との合金が光磁気記録層の材料として用
いられるが、これについて図８を参照して説明する。
合金と他の金属との合金が光磁気記録層の材料として用
いられるが、これについて図８を参照して説明する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】まず、ＴｂＦｅＣｏの
３元系の非晶質合金が開発された。これは情報の保存安
定性面に優れるが、長波長のレーザ光線領域（７００〜
１０００ｎｍ）における使用のみに適するものであっ
た。従って、光磁気記録密度の向上のため、これを４０
０ｎｍ帯の短波長領域で用いたときは、重稀土類金属の
Ｔｂ原子の４Ｆから５ｄへの電子遷移が低いエネルギレ
ベル（即ち、長波長）で発生するため、図８に示すよう
に、短波長領域でカー回転角が減少する。このようなカ
ー回転角の減少は光磁気記録媒体の再生特性を示すＣＮ
Ｒの低下をもたらすので、非晶質ＴｂＦｅＣｏ合金は高
密度記録の短波長用の記録媒体の記録膜材料としては望
ましくない。
３元系の非晶質合金が開発された。これは情報の保存安
定性面に優れるが、長波長のレーザ光線領域（７００〜
１０００ｎｍ）における使用のみに適するものであっ
た。従って、光磁気記録密度の向上のため、これを４０
０ｎｍ帯の短波長領域で用いたときは、重稀土類金属の
Ｔｂ原子の４Ｆから５ｄへの電子遷移が低いエネルギレ
ベル（即ち、長波長）で発生するため、図８に示すよう
に、短波長領域でカー回転角が減少する。このようなカ
ー回転角の減少は光磁気記録媒体の再生特性を示すＣＮ
Ｒの低下をもたらすので、非晶質ＴｂＦｅＣｏ合金は高
密度記録の短波長用の記録媒体の記録膜材料としては望
ましくない。
【０００５】この問題を解決するために、短波長領域で
カー回転角を増やせる軽稀土類−遷移金属（ＬＲＥ−Ｔ
Ｍ）合金であるＮｄＦｅＣｏ合金が、短波長用の光磁気
記録媒体の記録膜材料として注目されている。しかしな
がら、ＮｄＦｅＣｏ合金は強磁性結合されているため、
反磁気エネルギが大きい。従って、記録層表面に対して
垂直磁気異方性を有していないので、短波長用の光磁気
記録媒体の記録層の材料として使用することができな
い。
カー回転角を増やせる軽稀土類−遷移金属（ＬＲＥ−Ｔ
Ｍ）合金であるＮｄＦｅＣｏ合金が、短波長用の光磁気
記録媒体の記録膜材料として注目されている。しかしな
がら、ＮｄＦｅＣｏ合金は強磁性結合されているため、
反磁気エネルギが大きい。従って、記録層表面に対して
垂直磁気異方性を有していないので、短波長用の光磁気
記録媒体の記録層の材料として使用することができな
い。
【０００６】この問題を解決するために、軽稀土類金属
の一部を重稀土類金属に置き換える方法が用いられた。
すなわち、強磁性結合の一部をフェリ磁性結合に置き換
えて反磁界エネルギを減らすことにより、記録層の表面
に対する垂直磁気異方性を誘導することができる非晶質
ＮｄＴｄＦｅＣｏ合金が開発された。しかしながら、こ
のＮｄＴｄＦｅＣｏ合金の場合も、図８に示すように、
重稀土類金属により置き換えられた軽稀土類金属の磁気
モーメントの量だけ短波長領域でカー回転角が減少す
る。
の一部を重稀土類金属に置き換える方法が用いられた。
すなわち、強磁性結合の一部をフェリ磁性結合に置き換
えて反磁界エネルギを減らすことにより、記録層の表面
に対する垂直磁気異方性を誘導することができる非晶質
ＮｄＴｄＦｅＣｏ合金が開発された。しかしながら、こ
のＮｄＴｄＦｅＣｏ合金の場合も、図８に示すように、
重稀土類金属により置き換えられた軽稀土類金属の磁気
モーメントの量だけ短波長領域でカー回転角が減少す
る。
【０００７】従って、本発明は上記の問題点に鑑み、軽
稀土類金属の磁気モーメントの減少なしに記録膜面に対
して垂直磁気異方性を達成することができる合金と、こ
の合金よりなる高密度の光磁気記録が可能な光磁気記録
膜及びこの光磁気記録膜を採用している光磁気ディスク
を提供することを目的とする。
稀土類金属の磁気モーメントの減少なしに記録膜面に対
して垂直磁気異方性を達成することができる合金と、こ
の合金よりなる高密度の光磁気記録が可能な光磁気記録
膜及びこの光磁気記録膜を採用している光磁気ディスク
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶
質合金は、短波長領域で軽稀土類金属の磁気モーメント
の減少なしに垂直磁気異方性を有する軽稀土類金属−遷
移金属−半金属の非晶質合金であって、軽稀土類金属は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくと
もいずれか一つであり、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの
少なくともいずれか一つであり、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐ
の少なくともいずれか一つである。
めに、本発明の軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶
質合金は、短波長領域で軽稀土類金属の磁気モーメント
の減少なしに垂直磁気異方性を有する軽稀土類金属−遷
移金属−半金属の非晶質合金であって、軽稀土類金属は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくと
もいずれか一つであり、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの
少なくともいずれか一つであり、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐ
の少なくともいずれか一つである。
【０００９】ここで、軽稀土類金属の含量は２０〜３０
原子量％であり、遷移金属の含量は６５〜７９．５原子
量％であり、半金属の含量は０．５〜５原子量％である
ことが好ましい。
原子量％であり、遷移金属の含量は６５〜７９．５原子
量％であり、半金属の含量は０．５〜５原子量％である
ことが好ましい。
【００１０】また、本発明の短波長用の光磁気記録膜
は、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形
成されている。ここで、軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，
Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であることが好ま
しい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくともいずれ
か一つの半金属であり、この半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが好ましい。
は、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形
成されている。ここで、軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，
Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であることが好ま
しい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくともいずれ
か一つの半金属であり、この半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが好ましい。
【００１１】半金属がＢの場合、半金属の含量は軽稀土
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
【００１２】また、本発明の光磁気ディスクは、軽稀土
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形成される光
磁気記録膜を備える。ここで、軽稀土類金属はＣｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれ
か一つの金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であること
が好ましい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくとも
いずれか一つの半金属であり、半金属の含量は軽稀土類
金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜
５原子量％であることが好ましい。
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形成される光
磁気記録膜を備える。ここで、軽稀土類金属はＣｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれ
か一つの金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であること
が好ましい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくとも
いずれか一つの半金属であり、半金属の含量は軽稀土類
金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜
５原子量％であることが好ましい。
【００１３】半金属がＢの場合、半金属の含量は軽稀土
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
【００１４】また、本発明の他の態様の光磁気ディスク
は、基板上に誘電物質で形成される反射防止膜と、反射
防止膜上に形成され、軽稀土類金属−遷移金属−半金属
の非晶質合金からなる光磁気記録膜と、光磁気記録膜上
に形成され、光磁気記録膜を保護する保護膜と、保護膜
上に形成される反射膜とを備える。
は、基板上に誘電物質で形成される反射防止膜と、反射
防止膜上に形成され、軽稀土類金属−遷移金属−半金属
の非晶質合金からなる光磁気記録膜と、光磁気記録膜上
に形成され、光磁気記録膜を保護する保護膜と、保護膜
上に形成される反射膜とを備える。
【００１５】ここで、軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，
Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であることが好ま
しい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐのいずれか一つの半
金属であり、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金に対して０．５〜５原子量％である
ことが好ましい。
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることが好ましく、遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，
Ｃｏの少なくともいずれか一つの金属であることが好ま
しい。また、半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐのいずれか一つの半
金属であり、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金に対して０．５〜５原子量％である
ことが好ましい。
【００１６】半金属がＢの場合、半金属の含量は軽稀土
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して２．５
〜５原子量％であることが望ましい。半金属がＳｉの場
合、半金属の含量は軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金に対して１．５〜５原子量％であることが望
ましい。半金属がＰの場合、半金属の含量は軽稀土類金
属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜５
原子量％であることが望ましい。
【００１７】また、反射防止膜はＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，
ＳｉＯ，ＳｉＯ2 のいずれか一つの誘電物質で形成し、
保護膜はＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2 のいず
れか一つの誘電物質で形成することができる。また、反
射膜はＡｌ合金とＡｕ合金のいずれか一つの金属合金で
形成することが好ましく、光磁気記録膜の厚さは１０Å
〜１μｍであることが望ましい。
ＳｉＯ，ＳｉＯ2 のいずれか一つの誘電物質で形成し、
保護膜はＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2 のいず
れか一つの誘電物質で形成することができる。また、反
射膜はＡｌ合金とＡｕ合金のいずれか一つの金属合金で
形成することが好ましく、光磁気記録膜の厚さは１０Å
〜１μｍであることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態をより詳しく説明する。なお、説明にお
いて同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略
する。
明の実施の形態をより詳しく説明する。なお、説明にお
いて同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略
する。
【００１９】本発明の光磁気ディスクは、光磁気ディス
ク基板上に、誘電物質で形成された反射防止膜と、軽稀
土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形成された
光磁気記録膜と、記録膜を保護するための保護膜と、反
射膜とが順次に積層されていることを特徴とする。
ク基板上に、誘電物質で形成された反射防止膜と、軽稀
土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金で形成された
光磁気記録膜と、記録膜を保護するための保護膜と、反
射膜とが順次に積層されていることを特徴とする。
【００２０】軽稀土類金属としてはＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄより構成される群から選ばれた
少なくともいずれか一つの金属、遷移金属としてはＦ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏより構成される群から選ばれた少なくと
もいずれか一つの金属、半金属としてはＢ，Ｓｉ，Ｐよ
り構成される群から選ばれた少なくともいずれか一つの
半金属を用いることが望ましい。
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄより構成される群から選ばれた
少なくともいずれか一つの金属、遷移金属としてはＦ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏより構成される群から選ばれた少なくと
もいずれか一つの金属、半金属としてはＢ，Ｓｉ，Ｐよ
り構成される群から選ばれた少なくともいずれか一つの
半金属を用いることが望ましい。
【００２１】また、本発明の非晶質合金において、軽稀
土類金属の含量は２０〜３０原子量％、遷移金属の含量
は６５〜７９．５原子量％であることが好ましい。本発
明の光磁気記録膜を形成する軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金において、半金属の含量は合金に対
して０．５〜５原子量％であることが好ましい。半金属
としてＢが用いられる場合にはその含量は約２．５〜５
原子量％、特に約３原子量％、Ｓｉが用いられる場合に
はその含量は約１．５〜５原子量％、特に２原子量％、
Ｐが用いられる場合にはその含量は０．５〜５原子量
％、特に１原子量％であることが最も好ましい。
土類金属の含量は２０〜３０原子量％、遷移金属の含量
は６５〜７９．５原子量％であることが好ましい。本発
明の光磁気記録膜を形成する軽稀土類金属−遷移金属−
半金属の非晶質合金において、半金属の含量は合金に対
して０．５〜５原子量％であることが好ましい。半金属
としてＢが用いられる場合にはその含量は約２．５〜５
原子量％、特に約３原子量％、Ｓｉが用いられる場合に
はその含量は約１．５〜５原子量％、特に２原子量％、
Ｐが用いられる場合にはその含量は０．５〜５原子量
％、特に１原子量％であることが最も好ましい。
【００２２】また、反射防止膜を形成する誘電物質には
ＳｉＮが主として用いられ、ほかにもＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
ＯおよびＳｉＯ2 が用いられることが好ましい。また、
保護膜の材料にはＳｉＮが主として用いられるが、この
他にＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯおよびＳｉＯ2 が用いられる。
反射膜としてはＡｌ合金またはＡｕ合金が用いられる。
光磁気記録膜の厚さは１０Å乃至１μｍである。すなわ
ち、光磁気記録膜の厚さが１μｍ以下のとき、垂直磁気
異方性が望ましい程度で保たれる。
ＳｉＮが主として用いられ、ほかにもＳｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
ＯおよびＳｉＯ2 が用いられることが好ましい。また、
保護膜の材料にはＳｉＮが主として用いられるが、この
他にＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯおよびＳｉＯ2 が用いられる。
反射膜としてはＡｌ合金またはＡｕ合金が用いられる。
光磁気記録膜の厚さは１０Å乃至１μｍである。すなわ
ち、光磁気記録膜の厚さが１μｍ以下のとき、垂直磁気
異方性が望ましい程度で保たれる。
【００２３】上記のような特徴を有する本発明の光磁気
記録膜の作用原理を以下に説明する。
記録膜の作用原理を以下に説明する。
【００２４】非晶質軽稀土類−遷移金属に半金属を加
え、非晶質合金を製造すると、半金属のｐ軌道から放出
された自由電子が遷移金属の満たされていないｄ軌道に
移動して半金属と遷移金属とのｐ−ｄ電子軌道結合が誘
導されて飽和磁化値を減らす。そして、飽和磁化値の減
少により、反磁界エネルギが低減して垂直磁気異方性が
誘導される。この際、加えられた半金属が軽稀土類金属
の磁気モーメントを決める満たされていない４ｆ軌道に
は影響を与えないため、カー回転角には影響を与えな
い。従って、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質
合金は短波長用の光磁気記録媒体の記録膜材料として効
果的に用いられる。
え、非晶質合金を製造すると、半金属のｐ軌道から放出
された自由電子が遷移金属の満たされていないｄ軌道に
移動して半金属と遷移金属とのｐ−ｄ電子軌道結合が誘
導されて飽和磁化値を減らす。そして、飽和磁化値の減
少により、反磁界エネルギが低減して垂直磁気異方性が
誘導される。この際、加えられた半金属が軽稀土類金属
の磁気モーメントを決める満たされていない４ｆ軌道に
は影響を与えないため、カー回転角には影響を与えな
い。従って、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質
合金は短波長用の光磁気記録媒体の記録膜材料として効
果的に用いられる。
【００２５】図１は本発明の実施の形態に係る短波長用
の光磁気ディスクの概略断面図である。透明な基板１上
に反射防止作用があるＳｉＮのような誘電物質よりなる
反射防止膜２が形成されており、反射防止膜２上には本
発明を特徴づける光磁気記録膜３が形成されている。こ
の光磁気記録膜３の厚さは１μｍ以下に形成されること
が好ましい。そして、光磁気記録膜３の上には誘電物
質、例えば、ＳｉＮで形成された保護膜４と反射膜５が
順次積層されている。
の光磁気ディスクの概略断面図である。透明な基板１上
に反射防止作用があるＳｉＮのような誘電物質よりなる
反射防止膜２が形成されており、反射防止膜２上には本
発明を特徴づける光磁気記録膜３が形成されている。こ
の光磁気記録膜３の厚さは１μｍ以下に形成されること
が好ましい。そして、光磁気記録膜３の上には誘電物
質、例えば、ＳｉＮで形成された保護膜４と反射膜５が
順次積層されている。
【００２６】本発明の光磁気記録膜に用いられる軽稀土
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対する特性
と、この光磁気記録膜を採用している光磁気ディスクの
記録媒体としての特性を調べるため、合金を製造した
後、これを用いて光磁気記録膜と、この記録膜を採用し
ている光磁気ディスクを製造した。
類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対する特性
と、この光磁気記録膜を採用している光磁気ディスクの
記録媒体としての特性を調べるため、合金を製造した
後、これを用いて光磁気記録膜と、この記録膜を採用し
ている光磁気ディスクを製造した。
【００２７】光磁気ディスクの製造においては、先ず、
軽稀土類−遷移金属の合金に半金属を加えて記録膜形成
用の合金ターゲットを用意した後、これを反射防止膜と
してのＳｉＮ膜が形成されている透明基板上にスパッタ
リングして、非晶質の光磁気記録膜を形成した。この
際、スパッタリング方法の代わりに物理的蒸着方法（Ｐ
ＶＤ）または化学的蒸着方法（ＣＶＤ）を用いることが
でき、ＳｉＮの代わりにＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯまたはＳｉ
Ｏ2 を用いてもよい。次いで、非晶質の光磁気記録膜の
上に再びＳｉＮを蒸着させて保護膜を形成した後、Ａｌ
反射膜を積層した。この際、保護膜の材料としてはＳｉ
Ｎの代わりにＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯまたはＳｉＯ2 を用い
ることができ、反射膜の材料としてＡｌ合金またはＡｕ
合金を用いてもよい。
軽稀土類−遷移金属の合金に半金属を加えて記録膜形成
用の合金ターゲットを用意した後、これを反射防止膜と
してのＳｉＮ膜が形成されている透明基板上にスパッタ
リングして、非晶質の光磁気記録膜を形成した。この
際、スパッタリング方法の代わりに物理的蒸着方法（Ｐ
ＶＤ）または化学的蒸着方法（ＣＶＤ）を用いることが
でき、ＳｉＮの代わりにＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯまたはＳｉ
Ｏ2 を用いてもよい。次いで、非晶質の光磁気記録膜の
上に再びＳｉＮを蒸着させて保護膜を形成した後、Ａｌ
反射膜を積層した。この際、保護膜の材料としてはＳｉ
Ｎの代わりにＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯまたはＳｉＯ2 を用い
ることができ、反射膜の材料としてＡｌ合金またはＡｕ
合金を用いてもよい。
【００２８】図２乃至図７は本発明の光磁気記録膜形成
用の合金、光磁気記録膜及び光磁気ディスクの特性を示
すグラフである。このグラフは本発明の軽稀土類金属−
遷移金属−半金属の非晶質合金であって、ＮｄＦｅＣｏ
Ｂ合金に対して得た結果を示す。
用の合金、光磁気記録膜及び光磁気ディスクの特性を示
すグラフである。このグラフは本発明の軽稀土類金属−
遷移金属−半金属の非晶質合金であって、ＮｄＦｅＣｏ
Ｂ合金に対して得た結果を示す。
【００２９】図２は非晶質軽稀土類−遷移金属に加えら
れる半金属の量による飽和磁化及び垂直磁気異方性エネ
ルギの変化を示すグラフである。図２において、飽和磁
化をＡで示し、垂直磁気異方性エネルギをＢで示す。半
金属の添加量が本発明の光磁気記録膜形成用の合金に対
して２〜３原子量％のとき、合金の飽和磁化が急速に減
少するが、飽和磁化の減少は反磁界エネルギの減少を誘
導して半金属が加えられた非晶質軽稀土類−遷移金属の
合金に垂直磁気異方性を誘導する。
れる半金属の量による飽和磁化及び垂直磁気異方性エネ
ルギの変化を示すグラフである。図２において、飽和磁
化をＡで示し、垂直磁気異方性エネルギをＢで示す。半
金属の添加量が本発明の光磁気記録膜形成用の合金に対
して２〜３原子量％のとき、合金の飽和磁化が急速に減
少するが、飽和磁化の減少は反磁界エネルギの減少を誘
導して半金属が加えられた非晶質軽稀土類−遷移金属の
合金に垂直磁気異方性を誘導する。
【００３０】このように軽稀土類−遷移金属の合金に加
えられた半金属から放出された自由電子は、この軌道の
外部にある５ｓ及び５ｐ軌道による保護作用により、軽
稀土類金属の磁気モーメントを決める４ｆ軌道とは結合
せず、外部の保護軌道のない遷移金属の３ｄ軌道と結合
することにより合金全体の磁気モーメントが減少する。
従って、合金の反磁界エネルギが減少するので、本発明
の合金は垂直磁気異方性を有するようになり、短波長の
領域で優れる光磁気効果を示す。
えられた半金属から放出された自由電子は、この軌道の
外部にある５ｓ及び５ｐ軌道による保護作用により、軽
稀土類金属の磁気モーメントを決める４ｆ軌道とは結合
せず、外部の保護軌道のない遷移金属の３ｄ軌道と結合
することにより合金全体の磁気モーメントが減少する。
従って、合金の反磁界エネルギが減少するので、本発明
の合金は垂直磁気異方性を有するようになり、短波長の
領域で優れる光磁気効果を示す。
【００３１】図３は非晶質軽稀土類−遷移金属の合金に
加えられる半金属の量に応じる保磁力の変化を示すグラ
フである。半金属の添加量が本発明の光磁気記録膜形成
用の合金に対して２〜４原子量％のとき、保磁力が増加
する。特に３原子量％のとき、合金の保磁力が最高値を
示す。これはｐ−ｄ電子軌道の結合により非晶質合金の
弾性エネルギが増加するためである。このように増加し
た保磁力は情報の安定的保存に充分な大きさを有するの
で、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金が短
波長用の記録媒体の記録膜として用いられる。
加えられる半金属の量に応じる保磁力の変化を示すグラ
フである。半金属の添加量が本発明の光磁気記録膜形成
用の合金に対して２〜４原子量％のとき、保磁力が増加
する。特に３原子量％のとき、合金の保磁力が最高値を
示す。これはｐ−ｄ電子軌道の結合により非晶質合金の
弾性エネルギが増加するためである。このように増加し
た保磁力は情報の安定的保存に充分な大きさを有するの
で、軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金が短
波長用の記録媒体の記録膜として用いられる。
【００３２】図４は非晶質軽稀土類−遷移金属に加えら
れる半金属の量に応じるキュリー温度の変化を示すグラ
フである。図示したように、本発明の光磁気記録膜形成
用の合金に対して半金属の量が２〜５原子量％の範囲で
加えられても、合金のキュリー温度があまり変化せず、
光磁気記録に適する温度範囲（約１８０℃）がそのまま
保たれる。
れる半金属の量に応じるキュリー温度の変化を示すグラ
フである。図示したように、本発明の光磁気記録膜形成
用の合金に対して半金属の量が２〜５原子量％の範囲で
加えられても、合金のキュリー温度があまり変化せず、
光磁気記録に適する温度範囲（約１８０℃）がそのまま
保たれる。
【００３３】図５は非晶質軽稀土類−遷移金属に加えら
れる半金属の量に対応する短波長領域（４００ｎｍ）に
おける光磁気ディスクのカー回転角の変化を示すグラフ
である。図５のグラフに示されたように、半金属の添加
量が本発明の光磁気記録膜形成用の合金に対して２〜３
原子量％のとき、カー回転角が大幅に増加し、２〜５原
子量％のとき、カー回転角が短波長用の光磁気記録に適
する１．４〜１．６°の範囲を保つ。これは、加えられ
た半金属が軽稀土類金属には全く影響を与えず、遷移金
属と反応するからである。すなわち、４００ｎｍ帯の短
波長レーザ光がディスクの光磁気記録膜に照射されて軽
稀土類金属の４ｆ軌道にある電子が５ｄ軌道に遷移され
ることにより光電子が高いエネルギで発散されるため、
短波長領域で大きいカー回転角が得られる。
れる半金属の量に対応する短波長領域（４００ｎｍ）に
おける光磁気ディスクのカー回転角の変化を示すグラフ
である。図５のグラフに示されたように、半金属の添加
量が本発明の光磁気記録膜形成用の合金に対して２〜３
原子量％のとき、カー回転角が大幅に増加し、２〜５原
子量％のとき、カー回転角が短波長用の光磁気記録に適
する１．４〜１．６°の範囲を保つ。これは、加えられ
た半金属が軽稀土類金属には全く影響を与えず、遷移金
属と反応するからである。すなわち、４００ｎｍ帯の短
波長レーザ光がディスクの光磁気記録膜に照射されて軽
稀土類金属の４ｆ軌道にある電子が５ｄ軌道に遷移され
ることにより光電子が高いエネルギで発散されるため、
短波長領域で大きいカー回転角が得られる。
【００３４】図６は短波長領域（４００ｎｍ）で光磁気
ディスクの再生特性を示すＣＮＲ（Carrier to Noise R
atio）を半金属添加量を変化させて測定したグラフであ
る。図示のように、光磁気記録膜形成用の合金に対して
半金属を５原子量％まで加えても、ＣＮＲが約５０ｄＢ
を保つことができる。従って、本発明の光磁気ディスク
はＣＮＲが高い水準で保たれるため、高密度の光磁気記
録媒体として用いられる。
ディスクの再生特性を示すＣＮＲ（Carrier to Noise R
atio）を半金属添加量を変化させて測定したグラフであ
る。図示のように、光磁気記録膜形成用の合金に対して
半金属を５原子量％まで加えても、ＣＮＲが約５０ｄＢ
を保つことができる。従って、本発明の光磁気ディスク
はＣＮＲが高い水準で保たれるため、高密度の光磁気記
録媒体として用いられる。
【００３５】図７は記録／消去による本発明の光磁気デ
ィスクのＣＮＲの変化率を示すグラフである。図示のよ
うに、１０6 回まで記録／消去を繰り返してもＣＮＲは
減少しない。このグラフより、本発明の光磁気ディスク
が光磁気記録媒体としても充分な信頼性を有していると
いうことが判る。
ィスクのＣＮＲの変化率を示すグラフである。図示のよ
うに、１０6 回まで記録／消去を繰り返してもＣＮＲは
減少しない。このグラフより、本発明の光磁気ディスク
が光磁気記録媒体としても充分な信頼性を有していると
いうことが判る。
【００３６】半金属としてＢの代わりにＳｉとＰを用い
て、実施の形態に係る実験を繰り返す場合にも優れる効
果が得られたが、Ｓｉを用いる場合にはＳｉの含量が約
１．５〜５原子量％、特に約２原子量％のとき、Ｐを用
いる場合にはＰの含量が約０．５〜５原子量％、特に約
１原子量％のときに軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金で垂直磁気異方性が誘導されて、本発明の合
金が短波長用の光磁気記録膜及びこの記録膜を用いる光
磁気ディスクとして望ましく用いられた。
て、実施の形態に係る実験を繰り返す場合にも優れる効
果が得られたが、Ｓｉを用いる場合にはＳｉの含量が約
１．５〜５原子量％、特に約２原子量％のとき、Ｐを用
いる場合にはＰの含量が約０．５〜５原子量％、特に約
１原子量％のときに軽稀土類金属−遷移金属−半金属の
非晶質合金で垂直磁気異方性が誘導されて、本発明の合
金が短波長用の光磁気記録膜及びこの記録膜を用いる光
磁気ディスクとして望ましく用いられた。
【００３７】以上、本実施の形態を説明したが、本発明
の範囲は上述の実施の形態に限定されることはなく、様
々に変形可能である。本発明は、特許請求の範囲に限定
される発明の範囲を逸脱することなく当該分野で通常の
知識を有する者によりその変形が可能なのは明らかであ
る。
の範囲は上述の実施の形態に限定されることはなく、様
々に変形可能である。本発明は、特許請求の範囲に限定
される発明の範囲を逸脱することなく当該分野で通常の
知識を有する者によりその変形が可能なのは明らかであ
る。
【００３８】
【発明の効果】上述したように、本発明の光磁気記録膜
によれば、非晶質軽稀土類−遷移金属に半金属を加える
ことにより、非晶質合金内の遷移金属と半金属との間に
ｐ−ｄ電子軌道の結合を誘導して軽稀土類金属の磁気モ
ーメントには影響を与えずに、遷移金属の磁気モーメン
トの減少により本発明の非晶質合金の反磁界エネルギを
減少することができる。従って、短波長領域で本発明の
非晶質合金は垂直磁気異方性を達成して、大きいカー回
転角度を保つことができ、光磁気の特性に優れる光磁気
記録媒体としても用いられる。
によれば、非晶質軽稀土類−遷移金属に半金属を加える
ことにより、非晶質合金内の遷移金属と半金属との間に
ｐ−ｄ電子軌道の結合を誘導して軽稀土類金属の磁気モ
ーメントには影響を与えずに、遷移金属の磁気モーメン
トの減少により本発明の非晶質合金の反磁界エネルギを
減少することができる。従って、短波長領域で本発明の
非晶質合金は垂直磁気異方性を達成して、大きいカー回
転角度を保つことができ、光磁気の特性に優れる光磁気
記録媒体としても用いられる。
【図１】本発明の実施の形態に係る光磁気ディスクを示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録膜における非晶質軽稀土類
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
飽和磁化及び垂直磁気異方性エネルギの変化を示すグラ
フである。
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
飽和磁化及び垂直磁気異方性エネルギの変化を示すグラ
フである。
【図３】本発明の光磁気記録膜における非晶質軽稀土類
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
保磁力の変化を示すグラフである。
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
保磁力の変化を示すグラフである。
【図４】本発明の光磁気記録膜における非晶質軽稀土類
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
キュリー温度の変化を示すグラフである。
−遷移金属の合金に加えられる半金属の量の変化による
キュリー温度の変化を示すグラフである。
【図５】図１に示す光磁気ディスクにおける非晶質軽稀
土類−遷移金属の合金に加えられる半金属の量による短
波長領域におけるカー回転角の変化を示すグラフであ
る。
土類−遷移金属の合金に加えられる半金属の量による短
波長領域におけるカー回転角の変化を示すグラフであ
る。
【図６】本発明の光磁気ディスクにおける非晶質軽稀土
類−遷移金属の合金に加えられる半金属の量によるＣＮ
Ｒの変化を示すグラフである。
類−遷移金属の合金に加えられる半金属の量によるＣＮ
Ｒの変化を示すグラフである。
【図７】本発明の光磁気ディスクにおける記録／消去に
よるＣＮＲの変化率を示すグラフである。
よるＣＮＲの変化率を示すグラフである。
【図８】従来の光磁気記録膜の材料として用いられた非
晶質ＴｂＦｅＣｏ合金、非晶質ＮｄＦｅＣｏ合金及び非
晶質ＮｄＴｂＦｅＣｏ合金の波長によるカー回転角の変
化を示すグラフである。
晶質ＴｂＦｅＣｏ合金、非晶質ＮｄＦｅＣｏ合金及び非
晶質ＮｄＴｂＦｅＣｏ合金の波長によるカー回転角の変
化を示すグラフである。
１…基板 ２…反射防止膜 ３…光磁気記録膜 ４…保護膜 ５…反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16
Claims (27)
- 【請求項１】 短波長領域で軽稀土類金属の磁気モーメ
ントの減少なしに垂直磁気異方性を有する軽稀土類金属
−遷移金属−半金属の非晶質合金であって、 前記軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つであり、 前記遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少なくともいずれか
一つであり、 前記半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくともいずれか一つで
あることを特徴とする軽稀土類金属−遷移金属−半金属
の非晶質合金。 - 【請求項２】 前記軽稀土類金属の含量は２０〜３０原
子量％であり、前記遷移金属の含量は６５〜７９．５原
子量％であり、前記半金属の含量は０．５〜５原子量％
であることを特徴とする請求項１記載の軽稀土類金属−
遷移金属−半金属の非晶質合金。 - 【請求項３】 軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶
質合金で形成されていることを特徴とする短波長用の光
磁気記録膜。 - 【請求項４】 前記軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つの金
属であることを特徴とする請求項３記載の光磁気記録
膜。 - 【請求項５】 前記遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少な
くともいずれか一つの金属であることを特徴とする請求
項３又は請求項４記載の光磁気記録膜。 - 【請求項６】 前記半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくとも
いずれか一つの半金属であり、前記半金属の含量は軽稀
土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．
５〜５原子量％であることを特徴とする請求項３乃至請
求項５記載の光磁気記録膜。 - 【請求項７】 前記半金属がＢであり、前記半金属の含
量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金
に対して２．５〜５原子量％であることを特徴とする請
求項６記載の光磁気記録膜。 - 【請求項８】 前記半金属がＳｉであり、前記半金属の
含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合
金に対して１．５〜５原子量％であることを特徴とする
請求項６記載の光磁気記録膜。 - 【請求項９】 前記半金属がＰであり、前記半金属の含
量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金
に対して０．５〜５原子量％であることを特徴とする請
求項６記載の光磁気記録膜。 - 【請求項１０】 軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非
晶質合金で形成される光磁気記録膜を備えることを特徴
とする光磁気ディスク。 - 【請求項１１】 前記軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることを特徴とする請求項１０記載の光磁気
ディスク。 - 【請求項１２】 前記遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少
なくともいずれか一つの金属であることを特徴とする請
求項１０乃至請求項１１記載の光磁気ディスク。 - 【請求項１３】 前記半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐの少なくと
もいずれか一つの半金属であり、前記半金属の含量は前
記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対し
て０．５〜５原子量％であることを特徴とする請求項１
０乃至請求項１２記載の光磁気ディスク。 - 【請求項１４】 前記半金属がＢであり、前記半金属の
含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合
金に対して２．５〜５原子量％であることを特徴とする
請求項１３記載の光磁気ディスク。 - 【請求項１５】 前記半金属がＳｉであり、前記半金属
の含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質
合金に対して１．５〜５原子量％であることを特徴とす
る請求項１３記載の光磁気ディスク。 - 【請求項１６】 前記半金属がＰであり、前記半金属の
含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合
金に対して０．５〜５原子量％であることを特徴とする
請求項１３記載の光磁気ディスク。 - 【請求項１７】 基板上に誘電物質で形成される反射防
止膜と、 前記反射防止膜上に形成され、軽稀土類金属−遷移金属
−半金属の非晶質合金からなる光磁気記録膜と、 前記光磁気記録膜上に形成され、前記光磁気記録膜を保
護する保護膜と、 前記保護膜上に形成される反射膜と、 を備えることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項１８】 前記軽稀土類金属はＣｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄの少なくともいずれか一つ
の金属であることを特徴とする請求項１７記載の光磁気
ディスク。 - 【請求項１９】 前記遷移金属はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの少
なくともいずれか一つの金属であることを特徴とする請
求項１７又は請求項１８記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２０】 前記半金属はＢ，Ｓｉ，Ｐのいずれか
一つの半金属であり、前記半金属の含量は前記軽稀土類
金属−遷移金属−半金属の非晶質合金に対して０．５〜
５原子量％であることを特徴とする請求項１７乃至請求
項１９記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２１】 前記半金属がＢであり、前記半金属の
含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合
金に対して２．５〜５原子量％であることを特徴とする
請求項２０記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２２】 前記半金属がＳｉであり、前記半金属
の含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質
合金に対して１．５〜５原子量％であることを特徴とす
る請求項２０記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２３】 前記半金属がＰであり、前記半金属の
含量は前記軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合
金に対して０．５〜５原子量％であることを特徴とする
請求項２０記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２４】 前記反射防止膜はＳｉＮ，Ｓｉ
3 Ｎ4 ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2のいずれか一つの誘電物質で
形成されることを特徴とする請求項２０乃至請求項２３
記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２５】 前記保護膜はＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓ
ｉＯ，ＳｉＯ2 のいずれか一つの誘電物質で形成される
ことを特徴とする請求項２０乃至請求項２４記載の光磁
気ディスク。 - 【請求項２６】 前記反射膜はＡｌ合金とＡｕ合金のい
ずれか一つの金属合金で形成されることを特徴とする請
求項２０乃至請求項２５記載の光磁気ディスク。 - 【請求項２７】 前記光磁気記録膜の厚さが１０Å〜１
μｍであることを特徴とする請求項２０乃至請求項２６
記載の光磁気ディスク。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR95-37773 | 1995-10-28 | ||
| KR19950037773 | 1995-10-28 | ||
| KR95-39037 | 1995-10-31 | ||
| KR19950039037 | 1995-10-31 | ||
| KR1019960046847A KR0183938B1 (ko) | 1995-10-28 | 1996-10-18 | 비정질 경희토류-천이금속과 반금속의 합금,이로부터 형성되는 광자기 기록막 및 이 기록막을 채용한 광자기 디스크 |
| KR96-46847 | 1996-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09195018A true JPH09195018A (ja) | 1997-07-29 |
| JP3235015B2 JP3235015B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28507696A Expired - Fee Related JP3235015B2 (ja) | 1995-10-28 | 1996-10-28 | 軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金及びその非晶質合金の磁気記録層並びにその記録層を有する光磁気ディスク |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0770996B1 (ja) |
| JP (1) | JP3235015B2 (ja) |
| KR (1) | KR0183938B1 (ja) |
| DE (1) | DE69623721T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2002025031A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP4287099B2 (ja) | 2002-07-25 | 2009-07-01 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
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|---|---|---|---|---|
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