JPH09197007A - 半導体ダイを仮パッケージする方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性の高い半導体装置を製作する。 【解決手段】 半導体ダイを仮パッケージする方法であ
って、第１の低い温度で硬化し、ダイ内の拡散部を一層
深く追込み、ダイの電気特性を変えるような温度よりは
低い、第２の高い温度で揮発する接着剤（５２）を用い
て、半導体ダイ（４０）をパッケージ・ハウジング（５
６）の空所（５８）内にあるダイ支持体（６０）に取付
け、逆ボンディング方法を使って、比較的軟らかいワイ
ヤ（８８）を用いて、空所（５８）の中に入り込む導電
パッド（６２）上に第１のウェッジ・ボンドを形成する
と共に、ダイ（４０）上のボンド・パッドに第２のウェ
ッジ・ボンドを形成する。バーンイン又は試験の後、ワ
イヤ（８８）を引張って、ボンド・パッド（４１）上の
ウェッジ・ボンドを破断し、接着剤（５２）を第２の温
度にさらして、ダイ（４０）をダイ支持体（６０）から
摘み取る事が出来る位に接着剤を揮発させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置、更に具体
的に言えば、仮ワイヤ・ボンディング、ダイ取付け及び
パッケージを用いて良品判明ダイ（known good die）を
作る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び課題】半導体業界は、多数の集積回路
（ＩＣ）ダイを収めた電子モジュールの開発と共に、パ
ッケージ密度の新しい段階に入った所である。半導体装
置のクロック速度、入出力数、ダイ密度及びパッド密度
の最近の増加により、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ装
置及びメモリ装置のような種々の相異なる集積回路を多
重チップ・モジュール（ＭＣＭ）及びハイブリッドにパ
ッケージして、高性能の製品を作る事が望ましくなっ
た。

【０００３】多重チップ・モジュールの開発の成功を左
右するものとして業界で確認されている因子は、「良品
判明ダイ」（ＫＧＤ）が利用出来るかどうかである。良
品判明ダイは、それが所期の寿命に亘って確実に動作す
る信頼度レベルが非常に高いダイである。多重チップ・
モジュールに多くのダイを取付けた時、相異なるダイの
個別の歩留まりの複合効果が問題になる。例えば、２０
個のダイを９５％の個別の歩留まりを持つ多重チップ・
モジュール（ＭＣＭ）に組込んだ時、ＭＣＭの第一回試
験の歩留まりは３５％にしかならない。このような低い
歩留まりにより、望ましくないほどの分量の材料スクラ
ップが出ると共に、非常に費用が掛り、手間の掛る再作
業が必要になる。良品判明ダイを使う事は、チップを最
初又はチップを最後の組立て方式の何れに於いても、多
重チップ・モジュールを作る時に最適の第一回試験の歩
留まりを達成する為に必要である。

【０００４】半導体ダイは、時間を掛けて試験した時寿
命早期の故障を示すから、高い温度に於ける「バーンイ
ン」試験を使って、欠陥の惧れのあるダイを確認し、そ
れを残りの良品判明ダイから分離する。欠陥の惧れのあ
るダイを廃棄し、残りの良品判明ダイだけを最終的なパ
ッケージ形式にする。今日の１つの試験方法は、ウェー
ハ・レベル・プローブで機械的なプローブ針を使う。こ
の方法の欠点は、プローブ試験装置のコストが高い事、
並びに機械的なプローブ針は密度の点で制限されている
事である。

【０００５】別の試験方法は、ダイ・レベルでＴＡＢ
（テープ自動ボンディング）テープを使う。この方法の
欠点は、高密度の形式のＴＡＢテープがコスト高であっ
て、パッケージ方式に適用する為に回路面積を必要とす
る事である。更に、現在では、ＴＡＢテープの利用出来
る可能性が制限されている。

【０００６】現在、良品判明ダイ（ＫＧＤ）を求める為
に最も広く使われている方法は、普通のダイ取付け、ワ
イヤ・ボンディング及びカプセル封じ方式を用いて、ダ
イをパッケージし、パッケージ内のダイを試験し、ダイ
をパッケージから取外す事である。ダイをパッケージか
ら取外すには、ボンド・パッドからボンド・ワイヤを離
す事が必要である。普通のワイヤ・ボンディング方式を
用いて取付けられたワイヤを離すと、装置上のボンド・
パッドを損傷する傾向があり、この為ボンドの歩留まり
が低くなる。更に、普通のダイ取付け材料を用いてダイ
・パッドに取付けられたダイを離すには、力を必要とす
るが、多くの場合、この力はダイの欠け割れを招く程で
ある。

【０００７】現在の試験方法にかんがみ、製造業者は、
予め試験されているが、損傷を受けた半導体ダイを用い
て多重チップ・モジュール又はハイブリッドを組立てる
か、又は試験されておらず、又は条件づけされていない
ダイを用いて組立てるかのどちらかにしなければならな
い。従って、試験されているが、損傷を受けていない良
品と分ったものを作る低廉な方法に対する要望がある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】この発明の一面
では、半導体ダイを仮パッケージする方法が、半導体ダ
イを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内のダイ支
持体に取付け、パッケージ・ハウジングの外側から伸び
る少なくとも１つの導体とダイ上の対応するボンド・パ
ッドの間に電気接続部を形成し、パッケージ・ハウジン
グの外側から伸びる少なくとも１つの導体と対応するボ
ンド・パッドの間の電気接続部を切り、接着剤を熱にさ
らして、ダイをダイ支持体から摘み取る事が出来る位に
接着剤を揮発させる工程を含む。

【０００９】この発明の別の一面では、導電パッドと半
導体ダイ上のボンド・パッドの間に仮電気接続ボンドを
形成する方法が、約２２．２グラムの引張り強度及び約
４．５−５％の範囲内の伸びを持つワイヤを、約０．０
０２吋の前側半径を持つウェッジ工具を用いて導電パッ
ドにウェッジ・ボンディングし、前記ワイヤを導電パッ
ドから半導体ダイ迄張り、該ワイヤを半導体ダイ上のボ
ンド・パッドにウェッジ・ボンディングする工程を含
む。

【００１０】この発明の利点は、仮ワイヤ・ボンディン
グ、ダイ取付け及びパッケージ方法を用いて、損傷を受
けていない良品判明ダイを作る事が出来る事である。こ
の発明の方法は、ダイをパッケージし、試験し、損傷を
与える事なく、パッケージから取外す事が出来るように
する点で有利である。

【００１１】

【実施例】図１はこの発明に従って良品判明ダイを作る
方法のフローチャートである。工程１０で、試験しよう
とするダイの裏側に仮ダイ取付け接着剤を付け、ダイの
裏側を試験パッケージの空所内に配置されたダイ・パッ
ドの上に配置する事により、仮ダイ取付けが行われる。
試験パッケージは、例えばセラミック・パッケージであ
り、仮ダイ取付け接着剤は、第１の低い温度で硬化し、
ダイ内の拡散部が一層深い所に追込まれ、こうして装置
の電気特性を変えるような、典型的には約４００−５０
０℃の温度よりは低い第２の一層高い温度で揮発する接
着剤である。仮ダイ取付けに適した接着剤は、クァンタ
ム・マティーリアルズＶＷＲ−１０２接着剤である。

【００１２】工程１２で、試験パッケージをオーブン内
で選ばれた期間の間高い温度に置く事により、ダイ取付
け接着剤を硬化させる。ダイ取付け接着剤の硬化によ
り、試験しようとするダイが、バーンイン及び試験の
間、ダイ・パッドにしっかりと取付けられたままになっ
ている事が保証される。クァンタム・マティーリアルズ
ＶＷＲ−１０２接着剤を用いた適当な硬化は、試験パッ
ケージを約５０分間、約１５０℃のオーブン内に置く事
によって達成される。

【００１３】工程１４で、ダイが、このダイが取付けら
れる空所内に入り込むリード線にダイ・パッドでワイヤ
・ボンディングされる。このワイヤ・ボンディングは、
導電パッドの上に第１のウェッジ・ボンドを形成し、こ
のワイヤをダイ迄張り、その後ボンド・パッドの上に第
２のウェッジ・ボンドを形成する事により、各々のワイ
ヤがパッケージ内の導電パッド及びダイ上のボンド・パ
ッドに取付けられる逆ボンディング方法を使って行われ
る。逆ボンディングを使うと、第２のウェッジ・ボンド
を形成した後の、ワイヤに対するボンド・ヘッドの抗力
がなくなる。ワイヤを第１のウェッジ・ボンドからダイ
迄張る時、ボンド・ヘッドが“ｚ”又は垂直方向に移動
する際、ワイヤに抗力が掛るが、この抗力は第１のウェ
ッジ・ボンドにしか応力を加えない。第２のウェッジ・
ボンドを形成した後にワイヤに抗力が加わらないので、
第２のウェッジ・ボンドには応力が加わらず、ダイに対
して確実なボンドを形成するのに必要なエネルギーが一
層小さくなる。後で説明するが、バーンイン及び試験の
間十分保持する位に強力であるが、ワイヤを引張る事に
よって、ボンド・パッドに対する損傷を極少なくして切
る事の出来るボンドを作る為に、比較的軟らかいボンド
・ワイヤを、普通よりも大きな前側半径を持つウェッジ
と共に用いる。軟らかいワイヤは、ウェッジによるワイ
ヤの変形が容易に出来、大きなボンド面積が得られる。
ウェッジの前側半径が大きくなった事により、ボンドに
隣接したワイヤの厚さが増加する。ボンドに隣接したワ
イヤの厚さが増加した結果、ワイヤ強度が増加し、ワイ
ヤを切断せずにワイヤを取外す事が出来る。

【００１４】工程１６で、接着剤を用いて蓋をパッケー
ジに固定して、ダイを取付けた空所を密封する。適当な
蓋は、セミアロイズ・カンパニから供給される重合体接
着剤と共に利用し得るプラスタロイ・コンボスの蓋であ
る。この蓋を空所の上に配置し、その底面を空所に隣接
したパッケージの面と接触させる。パッケージを約１０
分間、例えば約１５０℃の低い温度のオーブン内に置
き、エポキシを硬化させ、こうしてバーンイン及び試験
の間、蓋をパッケージにしっかりと取付ける。工程１８
で、パッケージをソケットに配置し、通常初期の致命的
故障が起るような大抵のダイを実際に故障させるように
選ばれた条件の下で、ダイを動作させる事により、ダイ
のバーンインが行われる。選ばれる特定の条件は、バー
ンインを受けるダイの種類及びその用途に関係する。典
型的には、このような条件は、高い温度、高い電圧及び
大電流の負荷条件を含む。

【００１５】工程２０で、予定の電気試験入力信号を選
ばれたパッケージのリード線に印加し、パッケージの選
ばれたリード線を介してダイから発生された出力信号を
監視する事により、ダイの電気試験が行われる。工程２
２で、蓋とパッケージの密封リングの間に剪断力を加え
る事により、蓋をパッケージから取外す。この剪断力を
加えるには、剃刀の刃が適している。工程２４で、普通
のワイヤ引張り試験装置を使って、又は毛抜きと顕微鏡
を使って手で引張る事により、ボンド・ワイヤを取外
す。ワイヤ引張り試験装置が、ワイヤのボンドされた部
分をボンド・パッドから剥がすのに十分な力で、ワイヤ
を引張り、ボンド・パッドには殆ど損傷が残らない。

【００１６】工程２６で、真空工具を用いて、ダイをダ
イ支持体から摘み取る事が出来る位に、ダイ取付け接着
剤のバーンオフ又は揮発を行わせるのに十分な期間の
間、そういう温度のオーブン内にパッケージを配置する
事により、ダイ取付け部バーンオフが実施される。例え
ば、仮ダイ取付け接着剤がクァンタム・マティーリアル
ズＶＷＲ−１０２接着剤である場合、パッケージを約１
時間、約３２０−３４０℃の範囲内の温度にさらすと、
ダイを真空工具によってダイ・パッドから取外す事が出
来る位に、接着剤のバーンオフが行われる。

【００１７】ダイ取付け接着剤のバーンオフは、ダイ取
付け材料のボンドを破るのに十分な力で、ダイを引張り
又はこじりとる必要がなくなる。この為、バーンオフ
は、接着剤のボンドを破るのに十分な力で、ダイ支持体
からダイを引張り又はこじり取る事に伴うダイの引っ掻
き、欠け割れ及びひび割れをなくする。工程２８で、ダ
イをパッケージの空所から取出す。真空工具をダイの上
面の上に置き、ダイに真空をかけ、真空工具を動かし
て、ダイをパッケージの空所から持上げる。工程３０
で、ダイの欠け割れ及びひび割れやボンド・パッドに対
する損傷があるかどうかを目で検査する。

【００１８】図２は、仮ダイ取付け接着剤を単一中心線
パターンでダイに適用する為の分与装置３２を示す。分
与装置３２は、管３６を介してノズル３８に接着剤を押
出すポンプ装置３４、その裏側４１を上にしてダイ４０
をその上に取付ける支持体、垂直支持体４６に回転自在
に装着されたアーム４４、把手４８及び真空弁５０を有
する。ノズル３８がダイ４０の中心の近くに配置され、
ダイ４０の裏面の中心線に沿って接着剤を分与する。単
一中心線パターンの代りに、この他の分与パターンを用
いても良い。例えば、接着剤はダイの周辺に沿って分与
する事も出来る。適当な分与装置は、ＥＦＤによって製
造されたモデル９１５である。仮ダイ取付け接着剤がク
ァンタム・マティーリアルズＶＷＲ−１０２接着剤であ
る場合、満足し得る単一中心線接着剤パターンは、例え
ばダイの長さの７５％及びダイの幅の２０％に及ぶもの
であって良い。長さが５４４ミルで幅が２４１ミルのダ
イでは、１回の分与当り０．４５秒並びに３．５ｐｓｉ
の圧力で、ダイ当り２回の分与を使って、ＥＦＤモデル
９１５を用いて満足し得る単一中心線接着剤パターンを
作る事が出来る。

【００１９】図３は、裏側４１の中心線に沿って形成さ
れた単一接着剤パターン５２を持つダイ４０を示す。図
４は、バーンイン及び試験を行おうとするダイを取付け
る為の仮パッケージ５４の斜視図である。仮パッケージ
５４が、その中にダイ支持体６０を配置した空所５８を
持つセラミック・ハウジング５６を有する。導電パッド
６２がダイ支持体６０に隣接して空所の中に入り込む。
導電パッド６２が、ハウジング５６の側面から伸びるリ
ード線６４に電気的に接続されている。ハウジング５６
は、例えばプラスチックのように、セラミック以外の材
料で形成する事が出来る。更に、パッケージ５４をスル
ーホールの２重インライン・パッケージとして示した
が、例えばクワッド・フラットパック、リード線無しの
チップ支持体、垂直、ジグザグ型のピン格子アレイ、ボ
ール格子アレイのように、この他のスルーホール及び面
取付け型パッケージ形式を使ってもよい事を承知された
い。

【００２０】図５は、図１の工程１０が完了した後のパ
ッケージ５４の断面図で、接着剤５２によってダイ支持
体６０に固定されたダイ４０を示している。図６は、パ
ッケージ５４内にある導電パッド６２からのワイヤをダ
イ上のボンド・パッドにボンディングするウェッジ・ボ
ンダー６６を示す。ウェッジ・ボンダー６６が、超音波
エネルギー源７０、圧力源７２及び変換器７４に接続さ
れて、それらを制御する制御装置６８を含む。適当なウ
ェッジ・ボンダーは、テキサス・インスツルメンツ・イ
ンコーポレーテッド社によって製造されたアバカスＩＩ
ＩＵ超音波ウェッジ・ボンダーである。圧力源７２が、
ボンディングの間、変換器７４に対して１２−２４グラ
ムの範囲内の圧力を加える。超音波エネルギー源７０
が、ボンディングの間、変換器７４に対して、例えば２
０乃至７０ｋＨｚの範囲内の超音波エネルギーを加え
る。ウェッジ・ボンド工具又はウェッジ７６が変換器７
４に接続され、ボンド・ワイヤ７８と集積回路８２内に
あるボンド・パッド８０の間の界面に超音波エネルギー
を加える。

【００２１】図７はこの発明によるウェッジ・ボンド工
具又はウェッジ７６の下側部分の拡大正面図である。ウ
ェッジ７６が、例えば０．００４吋の幅Ｗを有する凹の
底面７８を持ち、底の縁７９から、凹の底面７８の頂点
８０迄、例えば０．０００２吋の距離ＣＤだけ伸びる。

【００２２】図８は図７の線８−８で切ったウェッジ７
６の断面図である。ウェッジ７６が中孔８２を持ち、ワ
イヤがその中を通る。中孔８２は、裏側８３の開口８４
及びウェッジ７６の底８５の開口８６を有する。ウェッ
ジ７６は約０．００２吋の前側半径ＦＲを有する。この
発明では、約０．００２吋の前側半径により、ワイヤの
ダイ上のボンド・パッドに対する良好な電気接続を生ず
るが、ボンド・パッドに殆ど乱れを与えずに、ワイヤを
容易に取外す事が出来るようにするような仮ボンドが出
来る事が分った。ウェッジ・ボンディングに使われる従
来のウェッジは、０．００１吋の前側半径を使ってい
る。従来のウェッジを用いてボンディングされたワイヤ
を取外す時、典型的には、ボンド・パッドに著しい損傷
が生ずるか、又はワイヤが断線して、ボンドに取付けら
れたままのワイヤ・ボンドが残る。ウェッジ７６が、例
えば０．００１５インチのボンドの足の長さＢＦ、例え
ば０．００１インチの裏側半径ＢＲ、例えば０．０１５
インチの長さＴ、及び例えば０．００２５インチのワイ
ヤの開口の高さＨを持つ事が好ましい。

【００２３】図９はウェッジ７６の底面図である。ウェ
ッジ７６の開口８５は、例えば０．０００２インチの幅
ＥＷを有する。図１０ａは、逆ボンディング方法で第１
のウェッジ・ボンドを形成する過程にあるウェッジ７６
を示す。ウェッジ７６が、中孔８２を通り抜けるワイヤ
８８を、パッケージ５４内にある導電パッド６２にボン
ドする。第１のウェッジ・ボンドを形成した後、ウェッ
ジ７６をダイ４０上のボンド・パッド４１迄移動し、逆
ボンディング方法で第２のウェッジ・ボンドを形成す
る。図１０ｂは、逆ボンディング方法で第２のウェッジ
・ボンドを形成する過程にあるウェッジ７６を示す。ウ
ェッジ７６がワイヤ８８をダイ４０上のボンド・パッド
４１にボンドする。ワイヤ８８は、容易に変形して、
１）ボンド・パッド４１と接触する大きな表面積を作
り、こうして良好な電気接続部を作り、２）ボンド・パ
ッド４１を破断したり損傷したりせずに、ボンド・パッ
ド４１を引張って離す事が出来るようにする軟らかいワ
イヤである事が好ましい。ワイヤ８８はアルミニウム／
シリコン（１％）合金で形成する事が出来、１．２５ミ
ルの太さを持っていて良い。ワイヤ８８は約２２．２グ
ラムの引張り強度及び４．５−５％の範囲内の伸びを持
つ事が好ましい。第２のウェッジ・ボンドを形成した
後、ボンダー６６によってワイヤ８８を切断し、図１０
ｃに示すように、ボンド・パッド４１にボンドされたワ
イヤ８８を残す。

【００２４】図１１ａは、０．００２インチの前側半径
を持つウェッジ７６を用いて形成されたボンド９０を示
す。図１１ｂは、０．００１インチの前側半径を持つ従
来のウェッジを用いて形成されたボンド９２を示す。図
１１ａ及び図１１ｂから分るように、ボンドの踵９１に
於けるボンド９０の断面積は、ボンドの踵９３に於ける
従来のボンド９２のそれよりも一層大きい。ボンドの踵
９１に於けるボンド９０の断面積が増加した結果、ワイ
ヤ強度が増加し、この後、ワイヤ８８を破断せずに、ワ
イヤを取外す事が出来る。

【００２５】図１２は図１の工程１６が完了した後のパ
ッケージ５４の断面図で、ワイヤ８８によって導電パッ
ド６２にワイヤ・ボンディングされたダイ４０のボンド
・パッド４１を示す。ワイヤ・ボンディングは、リード
線上に第１のウェッジ・ボンドを形成し、ワイヤをダイ
迄張り、その後ボンド・パッド上に第２のウェッジ・ボ
ンドを形成する事によって、各々のワイヤ８８が導電パ
ッド６２及びダイ上のボンド・パッド４１に取付けられ
る逆ボンディング方法を使って行われる。逆ボンディン
グを使うと、第２のウェッジ・ボンドを形成した後、ボ
ンド・ヘッドのワイヤに対する抗力が無くなる。第２の
ウェッジ・ボンドを形成した後にワイヤに加わる抗力が
無いから、第２のウェッジ・ボンドには応力が加わら
ず、確実なボンドを形成するのに必要なエネルギーが一
層少なくなる。

【００２６】ワイヤ８８をボンドした後、接着剤９２を
用いて蓋９０をハウジング５６に密封する。蓋９０は、
接着剤として途中迄硬化させたＢ段階重合体を持つセミ
アロイズ・カンパニーから入手し得るプラスタロイ・コ
ンボスの蓋であってよい。蓋９０は、２ポンドの封じク
リップを使って蓋をハウジングに保持し、その後ハウジ
ングを約１０分間、約１５０℃のオーブン内で焼く事に
よって、ハウジング５６に封着される。

【００２７】その後、仮パッケージ５４を普通の試験装
置（図面に示してない）のソケットに配置し、所望の試
験手順を実施する事により、図１の工程２０の電気試験
が行われる。電気試験の後、パッケージ５４を試験装置
から取出し、例えば剃刀の刃を、蓋９０とハウジング５
６の間に入れて、剪断力を加えて、蓋９０をハウジング
５６から離す事により、図１の蓋取外し工程２２を行
う。

【００２８】図１３は、図１のワイヤ取外し工程２４の
間のパッケージ５４の断面図である。フック９４を持つ
普通のワイヤ引張り装置を使って、ワイヤ８８を取外
す。このフックが、ワイヤのボンドされた部分をボンド
・パッド４１から離すのに十分な力で、ワイヤ８８を引
張り、ボンド・パッドには殆ど損傷を残さない。

【００２９】その後、ダイを真空工具を用いてダイ支持
体から摘み取る事が出来る位に、ダイ取付け接着剤のバ
ーンオフ又は揮発を行わせるのに十分な時間の間、そう
いう温度のオーブン内にパッケージ５４を置くことによ
り、図１の工程２６のダイ取付け部バーンオフを行う。
例えば、仮ダイ取付け接着剤がクァンタム・マティーリ
アルズＶＷＲ−１０２接着剤である場合、パッケージを
約１時間の間、約３３０℃の温度にさらすと、接着剤が
十分にバーンオフされ、真空工具を用いてダイをダイ・
パッドから取外す事が出来る。ダイ取付け接着剤のバー
ンオフにより、接着剤によるボンドを破るのに十分な力
で、ダイをダイ支持体から引張って離す又はこじ取る事
に伴うダイの引っ掻き、欠け割れ及びひび割れがなくな
る。その後、ダイ４０に対して工程３０の目による検査
を行って、欠け割れやひび割れ並びにボンド・パッドに
対する損傷を検査する。

【００３０】仮ワイヤ・ボンディング、ダイ取付け及び
パッケージ方法を使って、損傷を受けない良品判明ダイ
を作る事が出来るのが、この発明の利点である。この発
明の方法は、ダイをダイに損傷を与えずに、ダイをパッ
ケージし、試験し、パッケージから取外す事が出来るよ
うにするのが有利である。

【００３１】若干の好ましい実施例を以上詳しく説明し
た。この発明の範囲には、ここで説明したのとは異なる
実施例も含まれており、それも特許請求の範囲内である
事を承知されたい。例えば、低い温度で揮発する事が出
来るこの他のダイ取付け材料を使っても良い。

【００３２】この発明を図示の実施例について説明した
が、この説明はこの発明を制約するものと解してはなら
ない。当業者には、以上の説明から、図示の実施例の種
々の変更並びに組合せ及びこの発明のその他の実施例が
容易に考えられよう。従って、特許請求の範囲はこのよ
うな変更又は他の実施例を含む事を承知されたい。

【００３３】以上の説明に関連して更に以下の項目を開
示する。 （１） 半導体ダイを仮パッケージする方法に於いて、
半導体ダイを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内
のダイ支持体に取付け、パッケージ・ハウジングの外側
から伸びる少なくとも１つの導体と前記ダイの対応する
ボンド・パッドの間に電気接続部を形成し、前記パッケ
ージ・ハウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導
体と対応するボンド・パッドの間の前記電気接続部を切
り、前記接着剤を熱にさらして、前記ダイをダイ支持体
から摘み取る事が出来る位に前記接着剤を揮発させる工
程を含む方法。 （２） 第１項記載の方法に於いて、電気接続部を形成
する工程の後に、前記ダイを試験する工程を含む方法。 （３） 第１項記載の方法に於いて、電気接続部を形成
する工程の後に、前記ダイのバーンインを行う工程を含
む方法。 （４） 第１項記載の方法に於いて、接着剤を用いて半
導体ダイをダイ支持体に取付ける工程が、前記半導体ダ
イの裏側に接着剤を適用し、前記半導体ダイの裏側を前
記ダイ支持体の上に置き、前記接着剤を硬化させる工程
を含む方法。 （５） 第４項記載の方法に於いて、接着剤を硬化させ
る工程が、前記接着剤を約１５０℃の温度にさらす事を
含む方法。 （６） 第１項記載の方法に於いて、前記ダイ支持体が
パッケージ・ハウジング内の空所内に配置される方法。

【００３４】（７） 第１項記載の方法に於いて、前記
ダイ支持体がパッケージ・ハウジング内の空所内に配置
され、パッケージ・ハウジングは前記ダイ支持体に隣接
して前記空所内に入り込む少なくとも１つの導電パッド
を有し、該少なくとも１つの導電パッドがパッケージ・
ハウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導体に電
気的に接続され、電気接続部を形成する前記工程が、ワ
イヤを導電パッドにウェッジ・ボンディングし、前記ワ
イヤを導電パッドから半導体ダイ迄張り、前記ワイヤを
半導体ダイ上のボンド・パッドにウェッジ・ボンディン
グする工程を含む方法。 （８） 第７項記載の方法に於いて、ウェッジ・ボンデ
ィングする工程が、約０．０００２インチの前側半径を
持つウェッジを用いて行われる方法。 （９） 第８項記載の方法に於いて、ワイヤが約２２．
２グラムの引張り強度を持ち、約４．５−５％の範囲内
の伸びを有する方法。 （１０） 第７項記載の方法に於いて、パッケージ・ハ
ウジングの外側から伸びる少なくとも１つの導体と対応
するボンド・パッドの間の電気接続部を切る工程が、前
記ワイヤを引張って、前記ワイヤのボンドされた部分を
前記ボンド・パッドから剥がす事を含む方法。 （１１） 第１項記載の方法に於いて、前記接着剤を熱
にさらして、前記ダイをダイ支持体から摘み取る事が出
来る位に接着剤を揮発させる工程が、前記接着剤を約４
００℃未満の温度にさらす事を含む方法。

【００３５】（１２） 導電パッドと半導体ダイにある
ボンド・パッドの間に仮の電気接続ボンドを形成する方
法に於いて、約２２．２グラムの引張り強度及び約４．
５−５％の範囲内の伸びを有するワイヤを、約０．００
２吋の前側半径を持つウェッジ工具を用いて前記導電パ
ッドにウェッジ・ボンディングし、前記ワイヤを前記導
電パッドから半導体ダイ迄張り、前記ワイヤを前記半導
体ダイ上のボンド・パッドにウェッジ・ボンディングす
る工程を含む方法。

【００３６】（１３） 半導体ダイを仮パッケージする
方法が、第１の低い温度で硬化し、ダイ内の拡散部を一
層深く追込み、ダイの電気特性を変えるような温度より
は低い、第２の一層高い温度で揮発する接着剤（５２）
を用いて、半導体ダイ（４０）をパッケージ・ハウジン
グ（５６）の空所（５８）内にあるダイ支持体（６０）
に取付ける事を含む。逆ボンディング方法を使って、比
較的軟らかいワイヤ（８８）を用いて、空所（５８）の
中に入り込む導電パッド（６２）上に第１のウェッジ・
ボンドを形成すると共に、ダイ（４０）上のボンド・パ
ッドに第２のウェッジ・ボンドを形成する。ウェッジ・
ボンドを作るのに使われるウェッジ工具（７６）は、従
来のウェッジ工具のそれよりも一層大きな前側半径を持
ち、この為、ボンドの踵（９１）の断面積が増加する。
断面積が増加する事並びに軟らかいワイヤである事によ
り、ワイヤを破断したり、あるいはボンド・パッドを目
立って損傷する事なく、ワイヤをボンド・パッド（４
１）から取外す事が出来る。ボンディングの後、パッケ
ージ・ハウジング（５６）を試験装置内に配置する事に
より、ダイ（４０）のバーンイン又は試験を行う事が出
来る。その後、ワイヤ（８８）を引張って、ボンド・パ
ッド（４１）上のウェッジ・ボンドを破断し、接着剤
（５２）を第２の温度にさらして、ダイ（４０）をダイ
支持体（６０）から摘み取る事が出来る位に接着剤を揮
発させる。この仮パッケージ方法は、ダイを損傷する事
なく、ダイをパッケージし、試験し、そしてパッケージ
から取外す事が出来るようにする。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による良品判明ダイを作る方法のフロ
ーチャート。

【図２】仮ダイ取付け接着剤をダイに適用する分与装置
の図。

【図３】仮ダイ取付け接着剤を単一中心線パターンで適
用したダイの裏側を示す図。

【図４】バーンイン及び試験を行おうとするダイを取付
ける仮パッケージの斜視図。

【図５】その空所内にダイを取付けた図４の仮パッケー
ジの断面図。

【図６】パッケージ内の導電パッドからのワイヤをダイ
上のボンド・パッドにボンディングするウェッジ・ボン
ダーを示す図。

【図７】ワイヤをダイ上のボンド・パッドにボンディン
グする為にこの発明に従って使われるウェッジの正面
図。

【図８】図７のウェッジの断面図。

【図９】図７のウェッジの底面図。

【図１０】ａはワイヤを仮パッケージ内にある導電パッ
ドにボンディングする過程の図７のウェッジを示す図。
ｂはワイヤをダイ上のボンド・パッドにボンディングす
る過程にある図７のウェッジを示す図。ｃはワイヤをダ
イ上のボンド・パッドにボンディングした後の図７のウ
ェッジを示す図。

【図１１】ａは図５のウェッジを用いて形成されたボン
ドを示す図。ｂは従来のウェッジを用いて形成されたボ
ンドを示す図。

【図１２】ワイヤ・ボンディング及び蓋の密封をした後
の図４の仮パッケージの断面図。

【図１３】ワイヤを取外す際の仮パッケージの断面図。

【符号の説明】

４０ ダイ ４１ ボンド・パッド ５２ 接着剤 ５６ パッケージ・ハウジング ６０ ダイ支持体 ６２ 導電パッド ８８ ワイヤ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ダイを仮パッケージする方法に於
   いて、 半導体ダイを接着剤を用いてパッケージ・ハウジング内
   のダイ支持体に取付け、 パッケージ・ハウジングの外側から伸びる少なくとも１
   つの導体と前記ダイの対応するボンド・パッドの間に電
   気接続部を形成し、 前記パッケージ・ハウジングの外側から伸びる少なくと
   も１つの導体と対応するボンド・パッドの間の前記電気
   接続部を切り、 前記接着剤を熱にさらして、前記ダイをダイ支持体から
   摘み取る事が出来る位に前記接着剤を揮発させる工程を
   含む方法。