JPH09198736A - 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録方法及び光磁気記録装置

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JPH09198736A
JPH09198736A JP392996A JP392996A JPH09198736A JP H09198736 A JPH09198736 A JP H09198736A JP 392996 A JP392996 A JP 392996A JP 392996 A JP392996 A JP 392996A JP H09198736 A JPH09198736 A JP H09198736A
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magneto
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JP392996A
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Yutaka Yoshida
吉田  裕
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録媒体自身が発生する自己漏洩磁界
の影響により、記録マーク長が変動し、エラーレートを
悪化させる。 【解決手段】 光磁気記録媒体9に所定強度の光ビーム
を照射しながら記録信号に応じて変調された外部磁界を
印加することにより情報を記録する光磁気記録方法にお
いて、記録媒体9の最大自己漏洩磁界と、外部磁界の振
幅、外部磁界の反転時間及びクロック周期との関係に基
づいて、予め決められた記録マーク長の変動が許容値以
下となるように、記録媒体9を選択する。また、記録マ
ーク長の変動が許容値以下となるように、線速及び外部
磁界の振幅のうち少なくとも1つを調整する手段を設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
磁気光学的に情報を記録する光磁気記録方法及び光磁気
記録装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報の書き換えが可能な高密度記
録方式として、情報記録媒体に半導体レーザ等の熱エネ
ルギーと外部からの磁界を印加することにより、磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、また磁気光学効果
を用いてこの情報を読みだすという光磁気記録方式が注
目されている。この光磁気記録方式には、常に弱い直流
外部磁界を印加し、信号の有無に応じてレーザ光を点灯
させて記録を行なう光変調方式と、常に一定強度のレー
ザ光を照射し、信号の有無に応じて外部印加磁界を反転
させて記録を行なう磁界変調方式とがある。
【0003】光変調方式は装置構成が比較的簡単で済む
ために早くから研究が行なわれている。しかし、光変調
方式は複雑な構成の特殊な記録媒体を用いない場合は、
既に記録された部分に重ねて再記録を行なうオーバーラ
イトが不可能であり、新しい情報を書き込むためには記
録媒体の磁化の向きを一定方向に揃えるための消去動作
が必要となり、その分だけ書き込み速度が遅くなるとい
う欠点を有している。一方の磁界変調方式は、装置構成
がやや複雑となるもののオーバーライトが可能で、コン
ピュータ用ハードディスクに匹敵する高速記録が可能な
ことから、実用上の期待も大きく開発が進められてい
る。
【0004】また、大容量である光磁気ディスクにおい
ては、記録方式として、主にCAV(一定回転数)方式
が採用されている。CAV方式は、記録マーク長がディ
スクの内周と外周で異なって記録される方式である。し
かし、今後、さらに大容量化が望まれているが、それを
実現する記録方式としてM−CAV(Modifeid CAV)方
式がある。これは、一定のマーク長で記録する方式であ
る。即ち、ディスクの内外周で(線速が異なる)、記録
周波数を変える(外周ほど記録周波数が高くなる)方式
である。
【0005】次に、情報信号と記録形態として、記録媒
体上の記録マークの中心位置に情報を持たせるマークポ
ジション記録が実用化されているが、記録密度の向上に
よる大容量化の要望からマークのエッジに情報を持たせ
るマークエッジ記録が研究されている。マークエッジ記
録は単一のマークの両端に情報を持つので、マークの中
央1ケ所に情報を持つマークポジション記録よりも高密
度記録が実現可能となるが、反面記録マークの長さの変
動に対して高い精度が要求されるという技術上の課題が
残されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁界変調方
式に於て高速で且つ記録トラック方向に記録密度を高め
ようとする場合、外部磁界の印加手段としては、磁界を
極めて高速に反転させることが可能な高周波マグネット
が使用されるが、かかるマグネットにより大きな外部磁
界を発生させることは困難である。従って、磁界変調方
式で高速高密度記録を達成する為には、小さい外部磁界
下において磁化反転を起こし易い記録媒体が必要となっ
てくる。
【0007】しかしながら、この様に小さい外部磁界下
において磁化反転を起こし易い記録媒体に対して、小さ
い外部磁界を印加して磁界変調記録を行なおうとする
と、記録媒体自身の記録部周辺部、例えば、隣接する記
録トラックやガイド溝等から発生する自己漏洩磁界の影
響を受けて記録マーク長が変動する現象が生じる。この
漏洩磁界による記録マーク長の変動は、記録部周辺部の
磁化パターンにより方向や大きさが変化するので、見か
け上記録マーク長がランダムに変動し、それによってジ
ッターを大きくするので、エラーレートを悪化させる原
因になる。この問題は、記録マークのエッジの位置に情
報を持たせるマークエッジ記録では、特に大きな問題で
あった。
【0008】そこで、かかる問題を回避する方法とし
て、記録媒体の自己漏洩磁界を極力小さくすることが考
えられるが、この方法では記録層の組成範囲を著しく制
限し、製造マージンを圧迫するために、良品率を悪化さ
せるばかりでなく、記録媒体のコストを引き上げるので
好ましくない。また、同じ記録媒体を使用しても、記録
再生装置の仕様によっても漏洩磁界による記録マーク長
の変動が異なるので、過剰品質となって無駄となる場合
があった。
【0009】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、記録
媒体の自己漏洩磁界による記録マーク長の変動を抑え、
マークエッジ記録にも十分対応することが可能な光磁気
記録方法及び光磁気記録装置を提供することを目的とし
たものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光磁気
記録媒体に所定強度の光ビームを照射しながら記録信号
に応じて変調された外部磁界を印加することにより、情
報を記録する光磁気記録方法において、前記記録媒体の
最大自己漏洩磁界と、前記外部磁界の振幅、外部磁界の
反転時間及びクロック周期との関係に基づいて、予め決
められた記録マーク長の変動が許容値以下となるよう
に、前記記録媒体を選択することを特徴とする光磁気記
録方法によって達成される。
【0011】また、本発明の目的は、光磁気記録媒体に
所定強度の光ビームを照射しながら記録信号に応じて変
調された外部磁界を印加することにより、情報を記録す
る光磁気記録装置において、前記記録媒体の最大自己漏
洩磁界と、前記外部磁界の片波の振幅、外部磁界の反転
時間及びクロック周期との関係に基づいて、予め決めら
れた記録マーク長の変動が許容値以下となるように、前
記クロック周期に対応した線速及び前記外部磁界の振幅
のうち少なくとも1つを調整する手段を有することを特
徴とする光磁気記録装置によって達成される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明による
光磁気記録方法について説明する。図2は図1の磁気ヘ
ッド24が発生する交流磁界を模式的に示した図で、縦
軸は磁界強度、横軸は時間を示している。なお、図1は
詳しく後述するように本発明の光磁気記録装置の一実施
形態を示した図である。磁気ヘッド24の磁界は図2の
ように記録信号に応じて変調され、光磁気記録媒体9に
印加される。ここで、交流磁界の中心を一点鎖線Xで示
しており、記録媒体9からの自己漏洩磁界が無い場合、
この中心Xが磁界強度0となる。従って、交流磁界が一
点鎖線Xと交わる交点A,B,Cが磁界の反転位置を表
し、実際に交流磁界を印加して記録を行った場合、これ
らの交点が記録媒体上のマークエッジに対応する。
【0013】次に、記録媒体9からの自己漏洩磁界をH
とすると、外部磁界は自己漏洩磁界Hの分だけDC的に
オフセットして、磁界強度0を示す線が二点鎖線X′で
示すようにシフトし、これに伴なって磁界の反転位置も
交流磁界と二点鎖線X′との交点であるA′,B′,
C′にシフトする。このように磁界反転位置がシフトす
ると、記録媒体9上では、本来等しい長さのマークであ
るAB間とBC間に対応するマークが、A′B′間と
B′C′間のマークとなり、A′B′間とB′C′間で
マークの長さに差が生じる。漏洩磁界による記録マーク
長の変動は主にこの様な原因で発生していると考えられ
ている。
【0014】従って、自己漏洩磁界による記録マーク長
の変動を小さくするためには、交流磁界のAA′,B
B′,CC′を通る傾斜部分の傾きを急にするというの
も1つの方法である。例えば、外部印加磁界の片波の振
幅をHext (Oe)を大きくするほど傾きを急にするこ
とができる。また、外部印加磁界の反転時間をTSW(n
sec)を大きくするほど、反対に傾きが緩やかにな
る。更に、記録媒体9上に同じ長さのマークを記録する
場合、記録時に於ける線速度V(m/sec)が大きく
なると、外部磁界の周波数が高くなる(即ち、AB間が
短くなる)が、反転時間TSWは変わらないので、クロッ
ク周期Tに対してTSWが占める割合が大きくなり、検出
ウインド幅に対して自己漏洩磁界による記録マーク長の
変動の影響が大きくなる。
【0015】このことは、前述のようなM−CAV記録
方式を採用した場合、記録媒体の外周ほど自己漏洩磁界
による記録マーク長の変動の影響が大きくなることを意
味している。また、再生装置の検出ウインド幅(即ち、
クロック周期T)が大きいほど許容される漏洩磁界によ
る記録マーク長の変動の量が大きくなる。尚、クロック
周期T(ns)は、情報記録再生装置の変調方式、記録
線密度、回転数(線速度)等により決まる。従って、情
報記録再生装置において、許容される漏洩磁界による記
録マーク長の変動を引き起こす記録媒体の自己漏洩磁界
の最大値は、外部印加磁界の片波の振幅Hext (Oe)
及びクロック周期Tに比例し、外部印加磁界の反転時間
SW(nsec)に反比例すると考えてよい。
【0016】そこで、一般に光ディスクで求められてい
るエラーレートは1×10-6程度であるが、これを確保
するためには、検出ウインド幅(即ちクロック周期)T
(nsec)に対してジッターσ(nsec)が、 T/2≧4.9σ …(1) なる条件を満たしている必要がある。これに自己漏洩磁
界による記録マーク長の変動を加味すると、 T/2≧4.9σ+ΔT …(2) となる。但し、ΔT(ns)は漏洩磁界による記録マー
ク長の変動である。一般に、マークエッジ記録で記録媒
体に課せられているジッターσはクロック周期の7.5
%以下とされているので、最悪条件のσ=0.075T
を用いると、(2)式は、 T/2≧4.9σ×0.075T+ΔT ΔT≦0.1325T …(3) となる。
【0017】一方、図2において、記録媒体に自己漏洩
磁界Hが存在したとすると、磁気ヘッドの磁界に自己漏
洩磁界Hが合成されるので、記録媒体に印加される磁界
は自己漏洩磁界Hの分だけシフトし、磁界強度0の線も
XからX′にシフトする。このとき、自己漏洩磁界がな
い場合のAB間の時間をTABとし、自己漏洩磁界がある
場合のA′B′間の時間をTAB′とすると、記録媒体に
マークを記録する場合TAB−TAB′の時間の分だけマー
クを記録する時間が減少し、それに伴なって記録マーク
の長さも短くなる。これが、いわゆる自己漏洩磁界によ
る記録マークの変動ΔTと考えてよい。よって、ΔT
は、 ΔT=TAB−TAB′ …(4) で表わすことができる。
【0018】そこで、図2において、線X′の点B′に
対応する線Xの点をDとすると、DとB間の長さはΔT
/2に対応している。従って、この関係からΔTを記録
媒体9の自己漏洩磁界H、磁気ヘッド24の印加磁界の
片波の振幅Hext 、磁気ヘッド24の印加磁界の反転時
間TSWで表わすと次の通りとなる。即ち、 H/Hext =(ΔT/2)/(TSW/2) …(5) の関係が成り立ち、これからΔTは、 ΔT=TSW×(H/Hext ) …(6) となる。ここで、ΔTの許容値を(3)式のように設定
すると、 ΔT=TSW×(H/Hext )≦0.1325T …(7) となり、この式からΔTを許容できる自己漏洩磁界を求
めると、 H≦0.1325×Hext ×(T/TSW) …(8) となる。また、Hを最大値と考えると、自己漏洩磁界の
最大値Hmax が、 Hmax ≦0.1325×Hext ×(T/TSW) …(9) を満足していれば、記録媒体の自己漏洩磁界による記録
マーク長の変動ΔTを許容値以下にすることが可能であ
る。従って、本実施形態では、以上の(9)式を満たす
ような最大自己漏洩磁界の記録媒体を用いて情報を記
録、即ち装置の磁気ヘッドの磁界などの条件に応じて
(9)式を満足する記録媒体を選択的に用いることで、
記録マーク長の変動を許容値以下に抑えるというもので
ある。但し、この場合は、前述のように装置で許容され
るエラーレートを1×10-6、ジッターσはクロック周
期の7.5%以下という条件での式であるので、装置に
よってこれらの条件が異なるときは、(9)式の条件も
それに応じて変えればよい。
【0019】次に、本願発明者らはこのような記録方法
が正しいかどうかを確認するために以下のような確認実
験を行った。即ち、自己漏洩磁界の異なる複数の記録媒
体を作製し、それを用いて記録条件を変えて情報を記録
し、記録マーク長の変動ΔTを測定して自己漏洩磁界と
の関係を確認した。なお、確認実験について説明する前
に、実験で採用した記録媒体の最大自己漏洩磁界の測定
方法を図1に基づいて説明する。記録媒体の自己漏洩磁
界は記録部周辺の磁化が一方向に揃っている状態が最大
となる。よって、測定に際しては、記録媒体の自己漏洩
磁界を最大にする目的で、光磁気記録媒体9の評価すべ
きトラック及び少なくともその前後の3本のトラック、
案内溝を有する場合はその範囲の間の案内溝を含めて予
め一定方向に着磁した。
【0020】次いで、スピンドルモータ10の駆動によ
って回転する光磁気記録媒体9上に半導体レーザ11か
ら熱磁気記録を行なうに十分な光ビームを照射すると同
時に記録信号に応じて変調された交流磁界HR を磁気ヘ
ッド24から印加した。変調交流磁界HR の強さは、光
磁気記録媒体9の記録層が磁化反転し得る最低限度の大
きさ付近に設定した。この時、磁気ヘッド24の近傍に
設けた磁気ヘッド27から所定の直流磁界HDCも同時に
印加して交流磁界にオフセットを与え、記録媒体の上に
記録を行なった。次に、こうして直流磁界HDCのオフセ
ットを受けて記録された信号を磁気光学効果を用いて再
生した。
【0021】再生の際には、半導体レーザ11から記録
時よりも強度が弱く、変調されていない直線偏光の光ビ
ームを照射し、この光ビームで記録媒体上に記録された
磁気信号部位を走査した。この再生の際には、磁気ヘッ
ド24及び27は駆動しない状態とした。光磁気記録媒
体9で反射された光ビームは、記録された磁気信号に応
じて、磁気光学効果によってその偏光状態に変調を受け
る。この光磁気記録媒体9で反射された光ビームは、偏
光ビームスプリッタ14で入射光と分離され、ウォラス
トンプリズム等の偏光手段16によって、互いに直交す
る偏光方向を有する2つの光ビームに分割される。これ
らの光ビームは、検光手段16によって偏光状態の変調
が強度変調に変換されている。こうして強度変調に変換
された光ビームは、センサレンズ17によって集光され
てそれぞれの光検出器18a及び18bによって受光さ
れ、電気信号に変換される。光検出器18a及び18b
の出力信号は、差動増幅器19によって差分され、記録
信号が再生される。そして差動増幅器19から出力され
る再生信号からCN(キャリアーノイズ)比を測定し
た。
【0022】この一連の動作が終了すると、磁気ヘッド
27による直流磁界HDCを変えて再度再生信号からCN
比を測定した。また、この直流磁界HDCを変えながらC
N比を測定する動作を繰り返し行ない、CN比が最大と
なる直流磁界HDCを求めた。変調交流磁界HR の強さ
は、光磁気記録媒体9の記録層が磁化反転し得る最低限
度付近に設定されているので、僅かな直流磁界の影響に
より、オフセットを受けた側の変調交流磁界の片波の大
きさが記録媒体の磁化反転に必要とする磁界に対し不足
して、ノイズが大きくなりCN比を低下せしめる。従っ
て、CN比が最大となる直流磁界HDCは、記録媒体の自
己漏洩磁界を相殺する磁界と考えてよい。また、光磁気
記録媒体9は前述のように評価トラック及びその周辺部
分を予め一定方向に揃えて着磁してあるので、直流磁界
DCは記録媒体の最大自己漏洩磁界Hmax に相当する。
【0023】なお、このような記録媒体の自己漏洩磁界
の測定に当たっては、アクチュエータ等測定系からの漏
れ磁界を十分に小さくするか、キャンセルする手段を講
じてその影響を排除して行なうことが必要であることは
言うまでもない。本実施形態に於ては、予め測定系から
の漏れ磁界を測定しておき、測定系からの漏れ磁界分を
直流磁界HDCから差し引いて評価することによりキャン
セルした。また、後述するディスク1を例として、以上
のような測定方法で最大自己漏洩磁界を測定したときの
直流磁界とC/N比の関係を図3に示している。図3か
ら明らかなように、C/N比が最大となる直流磁界は5
0(Oe)であり、この結果からディスク1の最大自己
漏洩磁界は50(Oe)であった。尚、測定条件は線速
度9.05m/sec,記録周波数6.2MHz,変調
交流磁界の片波60(Oe),記録パワー8.5mW,
再生パワー1.5mWとした。
【0024】次に、本実施形態で用いた円盤状の光磁気
記録媒体について説明する。本願発明者は、以下に説明
する5つのディスクを作製し、それを用いて自己漏洩磁
界による記録マークの変動について確認実験を行なっ
た。まず、ディスク1について説明する。ディスク1と
してはφ90mmのプリグループのついているポリカー
ボネート基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用い
て、酸化防止と干渉効果を得るために、第1無機誘電体
層としてSiNを1000Å、第1磁性層として遷移金
属副格子磁化優勢なGd(Fe93Co7 )(飽和磁化Ms=
200emu/cc)を100Å、第2磁性層として遷
移金属副格子磁化優勢なTb(Fe92Co8 )(キュリー温
度170℃、飽和磁化Ms=200emu/cc)を2
00Å、その後、酸化防止と干渉効果を高めるために第
2無機誘電体層として、SiNを300Å、反射層とし
てAl膜を500Å順次真空を破ることなく連続して成
膜し、その後、膜表面に保護コートとして紫外線硬化樹
脂を10μmコートして作製した。
【0025】ディスク2及びディスク3としては、ディ
スク1の第1磁性層GdFeCo及び第2磁性層TbF
eCoの組成を変えた以外は、ディスク1と同じ構成、
材料で作製した。ディスク4としては、φ90mmのプ
リグループのついているポリカーボネート基板上に、マ
グネトロンスパッタ装置を用いて、酸化防止と干渉効果
を得るために、第1無機誘電体層としてSiNを100
0Å、磁性層として遷移金属副格子磁化優勢なTb(Fe
92Co8 )(キュリー温度170℃、飽和磁化Ms=10
0emu/cc)を200Å、その後、酸化防止と干渉
効果を高めるために第2無機誘電体層としてSiNを3
00Å、反射層としてAl膜を500Å順次真空を破る
ことなく連続して成膜し、その後膜表面に保護コートと
して紫外線硬化樹脂を10μmコートして作製した。
【0026】ディスク5としてはディスク4の磁性層T
bFeCoの膜厚を300Åに変えた以外はディスク4
と同じ構成、材料で作製した。以上のディスク1〜5の
組成を表1にまとめて示している。また、各々のディス
クの最大自己漏洩磁界Hmaxの値も表1に併せて記載し
ている。もちろん、最大自己漏洩磁界は、先に説明した
方法で測定した。なお、表1中の飽和磁化に於て、負の
符号は遷移金属副格子磁化優勢を、正の符号は希土類金
属副格子磁化優勢を表わしている。
【0027】
【表1】 次に、以上のディスク1〜ディスク5の自己漏洩磁界に
よる記録マーク長の変動ΔTの測定結果について説明す
る。なお、自己漏洩磁界による記録マーク長の変動ΔT
は次の方法で測定した。ΔTの測定の際には、図1の磁
気ヘッド27から測定系からの漏れ磁界をキャンセルす
る大きさの直流磁界のみを印加するものとする。また、
記録媒体9の線速度をV(m/sec)、所定の外部印
加磁界の片波の振幅をHext (Oe)に設定し、記録レ
ーザパワーは各線速度に於ける各ディスクが最大のC/
Nとなる値に設定した。外部印加磁界の反転時間T
SW(nsec)は磁気ヘッド24を取り替えることによ
り変えるようにし、再生レーザパワーは1.0mw、光
学ヘッドのNAは0.55、レーザ波長は780nmと
している。
【0028】また、ディスクの隣接溝、ランド部の磁化
状態を消去方向(記録に対して同方向に作用)と記録方
向(記録に対して逆方向に作用)の2種類の状態とし、
それぞれの状態においてパルス幅を変えて、最長マーク
長に相当する記録周波数で記録し、2次高調波を測定し
た。そして、それぞれの磁化状態に於ける2次高調波が
最小となるパルス幅を求め、それぞれの磁化状態に於け
る2次高調波が最小となるパルス幅の差を1/2にする
ことで、自己漏洩磁界による記録マーク長の変動ΔT
(単位nsec)を算出した。
【0029】次に、以上のような測定方法を用いて先に
説明した5つのディスクで記録条件を変えて記録マーク
長の変動ΔTを測定した。まず、最初の記録条件として
は、ディスク径90mm、ディスク回転数2400rp
m、CAV方式、2−7(RLL)変調方式、最短マー
ク長(3T)0.78μm(r=24)とした。またこ
の場合は、CAV方式であるので、内外周で線速度が異
なるが、線速度に比例してマーク長は増加し、検出ウイ
ンド幅(クロック周期)Tは一定であるので、内周と外
周とでは実質的に同じ条件であり、代表して内周条件
(r=24)に関してのみ評価を行なった。線速度V=
6.03m/sec(固定)とした。また外部印加磁界
の片波の振幅は、Hext =120,180,225(O
e)の3条件とし、外部印加磁界の反転時間はTSW=1
8,25(nsec)の2条件としている。
【0030】なお、ここで想定している情報記録再生装
置から決定される因子、即ち情報再生装置の検出ウイン
ド幅(クロック周期)Tは43.1nsecであり、こ
の時(3)式を満たす自己漏洩磁界による記録マーク長
の変動ΔTの条件は、 ΔT≦0.1325T=5.7 である。以上のような設定条件による自己漏洩磁界によ
る記録マーク長の変動ΔTの測定結果を表2に示してい
る。
【0031】
【表2】 ここで、表2から明らかなように(3)式を満たす記録
マーク長の変動である5.7(ns)よりも小さいΔT
(nsec)となるのは、測定番号1−2、1−3、1
−6、2−1〜2−6、3−1〜3−6、4−1〜4−
6、5−1〜5−3、5−5、5−6である。また、そ
れ以外は全てΔTが5.7(nsec)を越えていて、
(3)式を満たしていない。そこで、このようにΔTが
5.7(nsec)以下である条件の最大自己漏洩磁界
max と、0.1325×Hext×(T/TSW)の関係
についてみると、ΔTが5.7(nsec)以下である
場合、全てHmax ≦0.1325×Hext ×(T/
SW)となっており、先に説明した(9)式を満たして
いることがわかる。また、ΔTが5.7(nsec)以
上である場合は、全て(9)式を満たしていないことが
わかる。従って、以上の実験結果から(9)式を満足す
れば、自己漏洩磁界による記録マーク長の変動を許容値
内に抑えられることを確認した。
【0032】次に、条件を変えて同様にΔTの測定を行
なった。このときの条件としては、ディスク径90m
m、ディスク回転数3600rpm、CAV方式、2−
7(RLL)変調方式、最短マーク長(3T)0.78
μm(r=24)とした。またこの場合も、CAV方式
であるので、内外周で線速度が異なるが、線速度に比例
して最短マーク長が増加し、L/Vが一定となり、検出
ウインド幅Twも一定となるので、内周と外周とでは実
質的に同じ条件であり、代表して内周条件(r=24)
に関してのみ評価を行なった。線速度V=9.05m/
sec(固定)とした。また、外部印加磁界の片波の振
幅をHext =120,180,225(Oe)の3条件
とし、外部印加磁界の反転時間をTSW=18,25(n
sec)の2条件としている。なお、ここで想定してい
る情報記録再生装置から決定される因子、即ち再生装置
の検出ウインド幅(クロック周期)T=28.7(ns
ec)であり、この時(3)式を満たす自己漏洩磁界に
よる記録マーク長の変動ΔTの条件は、 ΔT≦0.1325T=3.8 である。以上の設定条件による自己漏洩磁界による記録
マーク長の変動ΔTの測定結果を表3に示している。
【0033】
【表3】 表3において、(3)式を満たす記録マーク長の変動
3.8(nsec)よりも小さいΔTとなるのは、測定
番号2−1〜2−6、3−1〜3−3、3−5、3−
6、4−1〜4−3、4−5、4−6、5−2、5−3
である。それ以外は全てΔTが3.8(nsec)を越
えており、(3)式を満たしていないことがわかる。ま
た、表3においては、ΔTが3.8(nsec)以下で
ある場合、全て(9)式を満たしており、ΔTが3.8
(nsec)以上である場合は、(9)式を満たしてい
ないことがわかる。従って、以上の測定結果からも、
(9)式を満足すれば、自己漏洩磁界による記録マーク
の変動長を許容値内に抑えられることを確認した。
【0034】次に、更に条件を変えて同様のΔTの測定
を行なった。このときの条件としては、ディスク径90
mm、ディスク回転数3600rpm、M−CAV方
式、1−7(RLL)変調方式、最短マーク長(2T)
は0.75μmとした。また、この場合、M−CAV方
式であるので、内外周で最短マーク長は一定となるが、
線速度は外周ほど速くなり、検出ウインド幅Tは外周に
なるほど短くなるので、最もマージンが小さくなる外周
条件(r=40)に関して評価を行なった。線速度V=
15.1m/sec(固定)とした。また、外部印加磁
界の片波の振幅をHext =120,180,225(O
e)の3条件とし、外部印加磁界の反転時間をTSW=1
8,25(nsec)の2条件とした。なお、ここで想
定している情報記録再生装置から決定される因子、即ち
再生装置の検出ウインド幅(クロック周期)T=24.
8(nsec)であり、この時(3)式を満たす自己漏
洩磁界による記録マーク長の変動ΔTの条件は、 ΔT≦0.1325T=3.3 である。以上の設定条件による自己漏洩磁界による記録
マーク長の変動ΔTの測定結果を表4に示している。
【0035】
【表4】 表4においても(3)式を満たす記録マーク長の変動
3.3(nsec)よりもΔTが小さくなるのは、測定
番号2−1〜2−6、3−2、3−3、3−6、4−1
〜4−3、4−5、4−6、5−3である。それ以外は
全てΔTが3.3(nsec)を越えており、(3)式
を満たしていない。また、表4においてもΔTが3.3
(nsec)以下である場合、全て(9)式を満たして
おり、ΔTが3.3(nsec)以上である場合は、
(9)式を満たしていないことがわかる。従って、表4
の測定結果からも、(9)式を満足すれば、自己漏洩磁
界による記録マークの変動を許容値内に抑えられること
を確認した。
【0036】以上のように本実施形態では、記録媒体の
最大自己漏洩磁界と、磁気ヘッドの磁界、磁界の反転時
間、クロック周期との関係に基づいて、(9)式を満足
するような記録媒体を用いて情報を記録することによ
り、記録媒体の自己漏洩磁界による記録マーク長の変動
を許容値以下に抑えることができる。また、本実施形態
においては、装置の仕様に応じて記録媒体を設計するこ
とが可能となり、記録媒体の自己漏洩磁界の値を装置で
許容される記録マーク長の変動に応じて決められるの
で、記録媒体が過剰品質となるような無駄をなくすこと
ができる。更に、装置の仕様に応じてそれに適合した自
己漏洩磁界を有する記録媒体を選択して使用することも
可能であり、この場合も記録媒体の自己漏洩磁界による
記録マーク長の変動を許容値以下に抑えることができ、
特にマークエッジ記録に好適に使用することができる。
【0037】次に、本発明の光磁気記録装置の実施形態
を図1に基づいて説明する。図1において、9は情報を
記録、再生する光磁気記録媒体であり、透明基板上に垂
直方向に磁化容易軸を有する磁気記録層が設けられてい
る。記録媒体9はスピンドルモータ10の駆動によって
回転する。半導体レーザ11は記録、再生用の光源であ
り、レーザ駆動回路23によって駆動される。半導体レ
ーザ11から射出されたレーザビームは前述のようにコ
リメータレンズ13、偏光ビームスプリッタ14を経由
して対物レンズ15に入射する。そして、レーザビーム
は対物レンズ15で絞られ、微小光スポットとして光磁
気記録媒体9に照射される。このレーザビームは図示し
ないサーボ制御回路によってフォーカスサーボとトラッ
キングサーボがかけられ、回転する記録媒体9の媒体面
に焦点が合うように、また情報トラックに追従して走査
するようにサーボ制御が行われる。
【0038】磁気ヘッド24は記録信号に応じて変調さ
れた磁界を発生し、記録媒体9に印加する。情報を記録
する場合は、一定強度のレーザビームを記録媒体9の情
報トラックに走査し、同時に磁気ヘッド24から変調磁
界が印加される。これにより記録媒体9の光磁気記録層
の磁化が記録信号に応じて上向き、または下向きに配向
し、一連の情報が記録される。記録媒体9から反射され
た光は、対物レンズ15、偏光ビームスプリッタ14、
ウォラストンプリズムなどの偏光手段16、センサレン
ズ17を経由して光検出器18a及び18bで検出され
る。光検出器18aと18bの出力信号は差動増幅器1
9で差動検出され、記録信号が再生される。記録媒体9
の記録情報を再生する場合は、記録ができない程度の再
生パワーのレーザビームを目的の情報トラックに走査
し、差動増幅器19から再生信号が出力される。
【0039】磁気ヘッド27は記録媒体9に直流磁界を
印加する電磁石であり、電磁石駆動回路28によって駆
動される。磁気ヘッド27は記録媒体9の自己漏洩磁界
の測定に用いられる。また、本実施形態では、差動増幅
器19の出力に、再生信号のCN比を測定するためのC
N比測定回路30が設けられている。CN比測定回路3
0も記録媒体9の自己漏洩磁界の測定に用いられる。記
録媒体9の最大自己漏洩磁界を測定する場合は、前述の
ように光磁気記録媒体9に電磁石からなる磁気ヘッド2
7から直流磁界を印加して所定の信号を記録した後、そ
れを再生してCN比測定回路30で再生信号のCN比を
測定する。この動作を磁気ヘッド27の直流磁界を変え
ながら繰り返しを行ない、CN比が最大となったときの
直流磁界をその記録媒体の最大自己漏洩磁界として決定
する。
【0040】CPU31は本実施形態の光磁気記録装置
の主制御部をなすプロセッサ回路であり、装置内のレー
ザ駆動回路23、磁気ヘッド駆動回路28などを制御し
て光磁気記録媒体9に情報の記録あるいは記録情報の再
生を行なう。また、CPU31においては、前述のよう
な光磁気記録媒体9の最大自己漏洩磁界を測定する場合
も、各部を制御して自己漏洩磁界の測定を行なう。即
ち、前述のような光磁気記録媒体9の最大自己漏洩磁界
を測定する方法の各測定プロセスが予め図示しないRO
M内にプログラムされていて、CPU31はその制御プ
ログラムに従って各部を制御することで最大自己漏洩磁
界の測定を行なう。また、モータ駆動回路32はスピン
ドルモータ10を駆動する駆動回路であり、CPU31
の制御によって回転速度が変えられるように構成されて
いる。本実施形態では、詳しく後述するように光磁気記
録媒体9の最大自己漏洩磁界に基づいて記録マーク長の
変動ΔTが許容値内に入るように記録媒体9の回転速度
を調整する。
【0041】次に、本実施形態の具体的な動作について
説明する。まず、光磁気記録媒体9が装置にセットされ
ると、CPU31は各部を制御して記録媒体9の最大自
己漏洩磁界を測定する。これは、前述のように測定方法
が予めプログラムされていて記録媒体9に印加する磁気
ヘッド27の直流磁界を変えながら所定の信号を記録
し、かつその都度記録信号を再生して再生信号のC/N
比を測定する。再生信号のC/N比はC/N測定回路3
0で測定され、測定結果はCPU31に取り込まれる。
このように直流磁界を変えながら信号を記録し、かつ信
号を記録するごとに記録信号を再生してC/N比を測定
すると、図3のような直流磁界に対するC/N比のデー
タが得られる。CPU31では得られた測定データをも
とにC/N比が最大となるときの直流磁界をその記録媒
体9の最大自己漏洩磁界として決定する。
【0042】次に、CPU31では得られた最大自己漏
洩磁界を用いて先に説明した(9)式を満足する最小の
クロック周期Tを算出する。これは、測定された最大自
己漏洩磁界Hmax や、予めわかっている磁気ヘッド24
による印加磁界の片波の振幅Hext 、及びその印加磁界
の反転時間TSWを用いて(9)式から逆算することで簡
単に得られる。続いて、CPU31では得られたクロッ
ク周期Tに対応する光磁気記録媒体9の回転数を算出す
る。即ち、記録媒体9の回転数に応じてクロック周期T
は変化し、回転数(線速)が速やくなるほど同じ長さの
マークを記録しようとすると、それに要する時間は短く
なり、クロック周期Tも短くなる。この関係から回転数
を算出する。回転数を算出すると、CPU31はモータ
駆動回路32に制御信号を出力してスピンドルモータ1
0が算出された回転数で回転するように制御する。
【0043】ここで、スピンドルモータ10の回転数を
可変する場合、回転制御の構成として連続的に可変する
構成と、段階的に可変する構成の2つの構成がある。C
PU31では連続的に可変する場合は、算出された回転
数となるようにモータ駆動回路32を制御し、段階的に
可変する場合は、設定されている回転数の中から算出さ
れた回転数を越えない最速の回転数を選択し、それに応
じてモータ駆動回路32を制御する。こうしてセットさ
れた記録媒体9に対して回転数が決められ、以後決めら
れた回転数で情報の記録、再生を行なう。
【0044】本実施形態では、記録媒体9の最大自己漏
洩磁界を測定し、それに基づいて(9)式を満たすよう
な最小のクロック周期を求め、クロック周期に対応する
記録媒体の回転数に調整するようにしたので、記録媒体
の自己漏洩磁界が記録マークに及ぼす影響を除去でき、
自己漏洩磁界の大小によらず、記録マーク長の変動を許
容値以下に抑えることができる。従って、自己漏洩磁界
による記録マーク長の変動に起因するエラーレートの悪
化などのトラブルを未然に防止でき、特に記録マークの
エッジの変動に高い精度が要求されるマークエッジ記録
において好適に使用することができる。
【0045】次に、本発明の光磁気記録装置の他の実施
形態について説明する。先の実施形態では、装置にセッ
トされた記録媒体9の最大自己漏洩磁界を測定すると説
明したが、本実施例では予め記録媒体の最大自己漏洩磁
界を測定してコントロールトラックなどに登録しておく
ものである。本実施形態においては、記録媒体9が装置
にセットされると、CPU31は各部を制御してコント
ロールトラックに登録された最大自己漏洩磁界情報を再
生する。後は先の実施例と全く同じで、CPU31は再
生された最大漏洩磁界、予めわかっている磁気ヘッド2
4による印加磁界の片波の振幅、その印加磁界の反転時
間を用いて(9)式を満足する最小のクロック周期Tを
算出する。続いて、CPU31はクロック周期Tに対応
するスピンドルモータ10の回転数を算出し、それに応
じてモータ駆動回路32を制御して記録媒体9の回転数
の設定を行なう。
【0046】本実施形態では、記録媒体9に予め最大自
己漏洩磁界を登録し、それを読み出してスピンドルモー
タ10の回転数を調整するようにしたので、先の実施形
態のように記録媒体の最大自己漏洩磁界を測定する必要
がなくなり、構成を大幅に簡単化することができる。即
ち、直流磁界を印加する磁気ヘッド27、それを駆動す
る電磁石駆動回路28、再生信号のCN比を測定するC
N比測定回路30が不要となり、簡単な演算処理だけで
記録媒体の回転数を調整でき、自己漏洩磁界による記録
マーク長の変動を許容値以下にすることができる。
【0047】なお、以上の実施形態では、記録媒体9の
回転数を調整する例について説明したが、これ以外にも
例えば磁気ヘッド24の磁界を調整してもよい。この場
合はCPU31は記録媒体9の自己漏洩磁界をもとに
(9)式からそれに応じた磁気ヘッド24の磁界(片波
の振幅Hext )を逆算する。次に、CPU31は磁気ヘ
ッド駆動回路25を制御して計算で得られた磁界となる
ように磁気ヘッド24の駆動電流を調整する。このよう
にしても、先の実施形態と全く同様に記録マーク長の変
動を許容値以下に抑えることができる。また、この実施
形態では、磁気ヘッド24の磁界を必要最小限に調整で
きるので、磁気ヘッド24の消費電力を節約できる利点
もある。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
磁気記録媒体の最大自己漏洩磁界と、外部磁界の振幅、
反転時間及びクロック周期との関係に基づいて、記録マ
ーク長の変動が許容値以下となるように記録媒体を選択
するようにしたので、自己漏洩磁界による記録マーク長
の変動を効果的に低減でき、再生時におけるエラーレー
トの悪化に起因するトラブルを未然に防止することがで
きる。また、記録マーク長の変動が許容値以下となるよ
うに線速や外部磁界を調整することにより、同様に再生
時における自己漏洩磁界によるエラーレートの悪化を未
然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光磁気記録装置の一実施形態を示した
構成図である。
【図2】光磁気記録媒体の自己漏洩磁界による記録マー
ク長の変動を説明するための図である。
【図3】記録媒体に印加する直流磁界を変化させて情報
を記録し、その再生信号のCN比から記録媒体の自己漏
洩磁界を測定する場合の直流磁界とCN比の関係を示し
た図である。
【符号の説明】
9 光磁気記録媒体 10 スピンドルモータ 11 半導体レーザ 15 対物レンズ 18a,18b 光検出器 19 差動増幅器 23 レーザ駆動回路 24 磁気ヘッド 25 磁気ヘッド駆動回路 27 磁気ヘッド 28 電磁石駆動回路 30 CN比測定回路 31 CPU 32 モータ駆動回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光磁気記録媒体に所定強度の光ビームを
    照射しながら記録信号に応じて変調された外部磁界を印
    加することにより、情報を記録する光磁気記録方法にお
    いて、前記記録媒体の最大自己漏洩磁界と、前記外部磁
    界の振幅、外部磁界の反転時間及びクロック周期との関
    係に基づいて、予め決められた記録マーク長の変動が許
    容値以下となるように、前記記録媒体を選択することを
    特徴とする光磁気記録方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光磁気記録方法におい
    て、前記光磁気記録媒体の最大自己漏洩磁界をHmax
    前記外部磁界の片波の振幅をHext 、前記外部磁界の反
    転時間をTSW、クロック周期をT、予め決められた記録
    マーク長の許容される変動値ΔTをクロック周期Tに対
    して約ΔT≦0.13Tとしたとき、Hmax ≦0.13
    ×Hext ×(T/TSW)を満足する記録媒体を選択する
    ことを特徴とする光磁気記録方法。
  3. 【請求項3】 光磁気記録媒体に所定強度の光ビームを
    照射しながら記録信号に応じて変調された外部磁界を印
    加することにより、情報を記録する光磁気記録装置にお
    いて、前記記録媒体の最大自己漏洩磁界と、前記外部磁
    界の片波の振幅、外部磁界の反転時間及びクロック周期
    との関係に基づいて、予め決められた記録マーク長の変
    動が許容値以下となるように、前記クロック周期に対応
    した線速及び前記外部磁界の振幅のうち少なくとも1つ
    を調整する手段を有することを特徴とする光磁気記録装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の光磁気記録装置におい
    て、前記調整手段は前記光磁気記録媒体の最大自己漏洩
    磁界をHmax 、前記外部磁界の片波の振幅をHext 、外
    部磁界の反転時間をTSW、予め決められた記録マーク長
    の許容される変動値ΔTをクロック周期Tに対して約Δ
    T≦0.13Tとしたとき、Hmax ≦0.13×Hext
    ×(T/TSW)を満足するように、前記クロック周期T
    に対応した線速及び前記外部磁界の振幅のうち少なくと
    も1つを調整することを特徴とする光磁気記録装置。
JP392996A 1996-01-12 1996-01-12 光磁気記録方法及び光磁気記録装置 Pending JPH09198736A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004006239A1 (ja) * 2002-07-03 2004-01-15 Fujitsu Limited 高密度光磁気記録再生装置及び、高密度光磁気記録再生方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004006239A1 (ja) * 2002-07-03 2004-01-15 Fujitsu Limited 高密度光磁気記録再生装置及び、高密度光磁気記録再生方法

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