JPH1186372A - 磁性記録媒体の信号再生方法 - Google Patents

磁性記録媒体の信号再生方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 少なくとも第１〜３の磁性層が室温において
交換結合して順次積層されており、第１磁性層は、第３
磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜から
なり、第２磁性層は、第１磁性層および第３磁性層より
もキュリー温度の低い磁性膜からなる磁性記録媒体から
の記録信号の再生方法において、再生用の光ビームによ
る媒体の加熱によって良好な高密度記録信号が得られる
磁壁移動検出型の再生方法を提供する。 【解決手段】 磁性記録媒体面上に、再生磁界を印加し
つつ光ビームを照射し、第２磁性層のキュリー温度以上
の温度領域を有する温度分布を形成し、温度領域を磁性
記録媒体に対し相対的に移動させ、温度領域の移動方向
前方端部では、第１磁性層の磁壁を温度領域内高温側へ
磁性記録媒体に対し相対的に移動させ、温度領域の移動
方向後方端部では、第１磁性層の磁壁を温度領域内に移
動させない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性材料の磁化の配向
状態によって情報を記録した磁性記録媒体の信号再生方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体及びその
記録再生装置として、磁気記録媒体や光磁気記録媒体
等、磁性材料の磁化の配向状態によって情報を記録する
磁性記録媒体及びその記録再生装置が注目されている。
近年これらの磁性記録媒体の記録密度を高めて更に大容
量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】光磁気記録媒体とその記録再生装置を用い
て行われる光磁気記録方式では、半導体レーザの熱エネ
ルギーを利用して磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記
録し、磁気光学効果を使って記録情報を読み出す。一般
に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザ波
長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すな
わち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数
ＮＡが決まるとビームウエストの径が決まるため、信号
再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が
限界となってしまう。
【０００４】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザ波長λを短く
するか対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要があ
る。しかしながら、レーザ波長λを短くするのはレーザ
素子の効率、発熱などの問題で容易ではなく、また対物
レンズの開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度が浅くな
るなどして機械的精度に対する要求が厳しくなるという
問題が生じる。
【０００５】このため、レーザ波長や対物レンズの開口
数を変えずに、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記
録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々開発され
ている。
【０００６】ところで、特開平３−９３０５８号公報に
記載の信号再生方法においては、磁気的に結合される再
生層と記録保持層とを有してなる多層膜の、記録保持層
に信号記録を行うとともに、再生層の磁化の向きを揃え
た後、レーザ光を照射して加熱し、再生層の昇温領域
に、記録保持層に記録された信号を転写しながら読み取
る信号再生方法が提案されている。
【０００７】この方法によれば、再生用のレーザのスポ
ット径に対して、このレーザによって加熱されて転写温
度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域に限
定できるため、再生時の符号間干渉を減少させ、光学的
な回折限界以下の周期の信号が再生可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の超
解像方式のいずれの方式も再生光の一部をマスクし、実
質的ピットを読み取るアパーチャを小さな領域に制限す
る事により解像能力を上げるという方法をとっていたた
め、マスクした部分の光は無駄になり、再生信号振幅が
小さくなるという問題があった。つまり、マスクした部
分の光は再生信号に寄与しないため、分解能を上げよう
としてアパーチャを狭めるほど有効に使われる光が減少
し、信号レベルが下がるという問題があった。
【０００９】かかる問題点に鑑みて、本発明者は既に、
特開平６−２９０４９６号公報に記載の高密度記録信号
再生方法において、特殊な磁性記録媒体を用いて、記録
マークの境界部に存在する磁壁を温度勾配によって高温
側に移動させ、この磁壁移動を検出することにより、高
密度記録信号を再生する方法を提案している。
【００１０】しかし、この方法は、上述の温度勾配を再
生用の光ビーム自身による媒体の加熱によって得ようと
すると、温度分布のピークが再生光スポット内部に形成
されるため、磁壁移動可能な温度領域の移動方向前方端
部からの磁壁の移動と、後方端部からの磁壁の移動と
が、共に再生スポットで読み出されてしまい、良好な再
生信号が得られなかった。このため再生用の光ビームと
は別に所望の温度分布を得るための手段を設ける必要が
あり、再生装置が複雑化するという問題点があった。
【００１１】図９に従来例を示す構成図を示す。図中、
１０１はガラスあるいはプラスチックを素材とした基板
１０２に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、記
録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マ
ークの磁壁を移動させ、再生スポット内のほぼ全域を同
一磁化にして、光ビームの反射光の偏向面の変化を検出
し、光の回折限界以下の記録マークを再生することが可
能な光磁気記録媒体１０３を被着し、さらに保護膜１０
４を形成した光磁気ディスクである。この光磁気ディス
ク１０１はマグネットチャッキング等でスピンドルモー
タに支持され、回転軸に対して回転自在の構造となって
いる。
【００１２】また、１０５〜１１７は光磁気ディスク１
０１にレーザ光を照射し、さらに反射光から情報を得る
光ヘッドを構成する個々の部品であり、１０６は対物レ
ンズとしての集光レンズ、１０５は集光レンズ１０６を
駆動するアクチュエータ、１０７は記録再生用の波長６
８０ｎｍの半導体レーザ、１０８は加熱用の波長１．３
μｍの半導体レーザ、１０９，１１０はコリメータレン
ズ、１１１は６８０ｎｍ光を１００％通過し１．３μｍ
光を１００％反射するダイクロイックミラー、１１２は
ビームスプリッタ、１１３は１．３μｍ光が信号検出系
に漏れ込まないようにするためのもので１．３μｍ光は
透過しないが、６８０ｎｍ光は１００％透過するダイク
ロイックミラーである。１１４はλ／２板、１１５はレ
ーザの偏光角で２方向に分ける偏光ビームスプリッタ、
１１７はフォトセンサ、１１６はフォトセンサへの集光
レンズである。また、１１８は偏光方向によりそれぞれ
集光・検出された信号を差動増幅する差動増幅回路であ
る。
【００１３】ここで、記録再生用・加熱用の半導体レー
ザ１０７，１０８から出射された波長６８０ｎｍと波長
１．３μｍのそれぞれのレーザ光は、コリメータレンズ
１０９，１１０、ダイクロイックミラー１１１、ビーム
スプリッタ１１２、集光レンズ１０６を介して、光磁気
ディスク１０１に照射される。このとき集光レンズ１０
６はアクチュエータ１０５の制御によってフォーカシン
グ方向、及び、トラッキング方向に移動して、レーザ光
が光磁気記録媒体１０３上に逐次焦点を結ぶように制御
され、かつ、光磁気ディスク１０１上に刻まれた案内溝
に沿ってトラッキングする構成になっている。また、
１．３μｍ光の光束系は集光レンズ１０６の開口径より
も小さくなるようにしてあり、全開口部を通過して集光
される６８０ｎｍ光に比べて、ＮＡが小さくなるように
してある。
【００１４】したがって、図９に示すように、加熱用ス
ポットは波長が長く、ＮＡが小さいので、加熱用ビーム
として示すように、記録再生ビームの記録再生用スポッ
トよりも径が大きくなる。これにより、移動している媒
体面上の記録再生用のスポット領域に、図中最下段に示
してあるような所望の温度勾配を形成することが可能と
なる。光磁気ディスク１で反射されたレーザ光はビーム
スプリッタ１１２により、偏光ビームスプリッタ１１５
の方向に光路が変えられ、ダイクロイックミラー１１
３、λ／２板１１４、偏光ビームスプリッタ１１５を介
して光磁気記録媒体の磁化の極性によって、それぞれセ
ンサ１１７にレンズ１１６によって集められる。ここ
で、１．３μ光はダイクロイックミラー１１３を透過す
ることができないため、これ以降は、６８０ｎｍ光レー
ザのみとなる。それぞれのフォトセンサ１１７の出力は
差動増幅器１１８により差動増幅され、光磁気信号を出
力する構成となっている。コントローラ１２０は光磁気
ディスク１０１の回転数、及び、記録半径・記録セクタ
情報等を入力情報として、ＬＤPOWER設定とする記録パ
ワー、記録信号等を出力し、ＬＤドライバ１１９、磁気
ヘッドドライバ１２４等を制御するものである。ＬＤド
ライバ１１９は半導体レーザ１０７，１０８を駆動し、
本例では半導体レーザ１０７に所望の記録パワー、再生
パワー、さらに、半導体レーザ１０８に加熱用ビームパ
ワーを印加、制御している。
【００１５】さらに、１２３は記録動作時に光磁気ディ
スク１０１のレーザ照射部位に変調磁界を印加するため
の磁気ヘッドであり、光磁気ディスク１０１をはさみ集
光レンズ１０６と対向して配置されている。記録時、記
録再生用半導体レーザ１０７がＬＤドライバ１１９によ
り記録レーザパワーをＤＣ光で照射し、これと同時にこ
の磁気ヘッド１２３は磁界変調の磁気ヘッドドライバ１
２４により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生
するようになっている。また、この磁気ヘッド１２３は
光ヘッドと連動して光磁気ディスク１０１の半径方向に
移動し、記録時には逐次光磁気記録媒体１０３のレーザ
照射部位に磁界を印加することで情報を記録する構成に
なっている。なお、光磁気記録媒体１０３は図１１
（３）に示すように、記録層と中間層、再生層の３層か
ら構成され、それぞれ矢印で示す磁壁構造を有してい
る。
【００１６】図１０を用いて記録再生動作に関して説明
する。図中、（ａ）は記録信号、（ｂ）は記録パワー、
（ｃ）は変調磁界、（ｄ）は記録マーク、（ｅ）は再生
信号、（ｆ）は２値化信号である。図１０（ａ）に示す
ような記録信号を記録する場合、記録動作開始ととも
に、半導体レーザ１０７のレーザパワーは所定の記録パ
ワーにし、さらに、記録信号に基づく変調磁界が印加さ
れる。これら動作により記録媒体の冷却過程において記
録マーク列（ｄ）が形成される。なお、斜線部は本明細
書中表記の記録マークに相当する磁化の向きを持つ磁区
を表し、網掛け部はこれとは逆の磁化の向きを持つ磁区
を表している。
【００１７】再生動作に関して、さらに図１１を用いて
説明する。加熱用ビームにより磁壁移動媒体の再生層の
磁壁が移動する温度条件まで加熱される。この温度条件
下において、磁壁が移動を開始する主要条件である記録
媒体温度Ｔｓの等温線をみると、ビーム移動（進行）方
向前方と、ビーム移動（進行）方向後方の両方に記録媒
体温度Ｔｓの等温線が存在しており、磁壁はビーム移動
方向前方からの移動と、ビーム移動方向後方からの移動
との２つが存在することとなる。したがって、図中
（１）に示すようにビーム移動方向前方に記録再生用ビ
ームを配置することにより前方からの磁壁移動信号のみ
の検出ができる。また、同様に図中（２）に示すように
ビーム移動方向後方に再生用ビームを配置した場合で
も、後方からの磁壁移動信号のみの検出が可能となる。
【００１８】どちらの場合においても、図１０（ｄ）に
示すような記録マーク列を記録再生用ビームて再生する
ことにより再生信号（ｅ）、さらに２値化信号（ｆ）が
得られる。なお、光ビームの照射による温度勾配を利用
し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の
記録マークの磁壁を移動させ、該光ビームの反射光の偏
光面の変化を検出し、記録マークを再生するこの光磁気
記録再生方法によれば、図１１に示すように再生用ビー
ム中に含まれる磁化状態は全て同じになるため、図１０
（ｅ）に示すように再生信号が矩形状になり、再生信号
振幅を低下させることなく光の回折限界以下の周期の記
録マークの再生が可能となり、記録密度ならびに転送速
度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能
となる。
【００１９】そこで本発明は、上記開示の高密度記録信
号再生方法の問題点を解決するためになされたものであ
り、再生装置を複雑化することなく、再生用の光ビーム
自身による媒体の加熱によって良好な高密度記録信号が
得られる磁壁移動検出型の信号再生方法を提供すること
を目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的は下記の信号再
生方法によって達成される。
【００２１】少なくとも、第１、第２、第３の磁性層が
室温において交換結合して順次積層されており、該第１
の磁性層は、該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁
力が小さな磁性膜からなり、該第２の磁性層は、該第１
の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の低い
磁性膜からなる磁性記録媒体からの記録信号の再生方法
であって、磁性記録媒体面上に、再生磁界を印加しなが
ら光ビームを照射して、該第２の磁性層のキュリー温度
以上の温度領域を有する温度分布を形成し、該温度領域
を該磁性記録媒体に対して相対的に移動させ、該温度領
域の移動方向前方端部においては、該第１の磁性層の磁
壁を該温度領域内高温側へ該磁性記録媒体に対して相対
的に移動させ、該温度領域の移動方向後方端部において
は、該第１の磁性層の磁壁を該温度領域内に移動させな
いようにしたことを特徴とする信号再生方法である。
【００２２】更に、上記信号再生方法において、上記再
生磁界の磁化配向方向の大きさをＨｒとし、上記温度領
域の移動方向前方端部における、上記磁性記録媒体面上
の移動方向の温度勾配をＧ１、上記温度領域の移動方向
後方端部における、上記磁性記録媒体面上の移動方向の
温度勾配をＧ２とし、第１の磁性層の磁壁エネルギー密
度、飽和磁化、及び磁壁抗磁力を、それぞれσ、Ｍｓ、
及びＨｗとし、媒体温度をＴとした時、 ｜Ｇ１｜＞｜Ｇ２｜ を満たす温度分布を形成し、かつ、少なくとも上記第２
の磁性層のキュリー温度において、 （｜Ｇ１×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ ＞ Ｈｒ＞
（｜Ｇ２×ｄσ／ｄＴ｜／ ２Ｍｓ）−Ｈｗ を満たす再生磁界Ｈｒを印加することを特徴とする信号
再生方法である。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の再生方法におけ
る作用を説明するめたの模式図である。
【００２４】図１（ａ）は、本発明の再生方法に用いる
磁性記録媒体の模式的断面図である。この媒体の磁性層
は、第１の磁性層１１、第２の磁性層１２、第３の磁性
層１３が順次積層されてなる。各層中の縦矢印１４は原
子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆
向きの領域の境界部には磁壁１５が形成されている。
【００２５】図１（ｂ）は、光ビームに対して相対的に
移動している上記の磁性記録媒体面上に形成される温度
分布を示す図である。この温度分布は、再生用に照射さ
れる光ビーム自身によって媒体上に誘起される。ここ
で、光ビームに対して固定された位置Ｘ１，Ｘ２におい
て、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度Ｔｓに達し
ており、位置Ｘ１と位置Ｘ２の間の領域では、第１の磁
性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断されてい
る。この領域を結合切断領域という。
【００２６】結合切断領域に第１の磁性層中に存在する
磁壁が侵入すると、矢印１７で示すように温度のピーク
に向かって第１の磁性層中の磁壁が媒体上で移動する。
この動作原理について以下に説明する。
【００２７】図２（ｂ）は、図２（ａ）の温度分布が媒
体上に形成されている時に、位置Ｘに存在する第１の磁
性層中の磁壁に対して作用する力を示した図である。こ
の図では、“＋”の力は図の左側方向への作用、“−”
の力は右側方向への作用を示すことにする。
【００２８】温度分布に対応して、第１の磁性層の磁壁
エネルギー密度σの分布（図示せず）が形成される。そ
してＸ方向に磁壁エネルギー密度σの勾配が生じること
により、位置Ｘに存在する第１の磁性層の磁壁に対して
下記式から求められる力Ｆｇ（図２（ｂ））が作用す
る。
【００２９】 Ｆｇ＝｜ｄσ／ｄＸ｜＝｜ｄσ／ｄＴ｜×｜ｄＴ／ｄＸ｜ ・・・（１） この力は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させる
ように作用する。
【００３０】磁壁に作用する他の力として、該部磁界に
よる力Ｆｅ（図２（ｂ））、第３の磁性層との交換相互
作用により第１の磁性層が受ける力Ｆｉ（図２（ｂ））
がある。
【００３１】ここで、温度Ｔにおける第１の磁性層の飽
和磁化、磁壁抗磁力、及び膜厚を、それぞれＭｓ，Ｈ
ｗ、及びｈとし、第１の磁性層と第３の磁性層との間の
界面磁壁エネルギー密度をσｗとし、外部磁界の磁化容
易軸方向の大きさをＨｒとすると、 Ｆｅ＝２Ｍｓ×Ｈｒ ・・・（２） となり、この力は、外部磁界に対して安定な方向の磁化
配向領域が拡大する方向に磁壁を移動させるように作用
する。
【００３２】また、 Ｆｉ＝σｗ／ｈ ・・・（３） となり、この力は、第１の磁性層と第３の磁性層との間
の界面磁壁が消滅する方向に磁壁を移動させるように作
用する。第１の磁性層と第３の磁性層との間の界面磁壁
が存在せず、第１の磁性層中の磁壁が、第３の磁性層中
の磁壁と同じ位置に形成されている場合は、磁壁の移動
を妨げる力として作用する。
【００３３】更に、常に磁壁の移動を妨げる力として、
下記式で表せる力Ｆｃ（図２（ｂ））がある。
【００３４】 Ｆｃ＝２Ｍｓ×Ｈｗ ・・・（４） この他にも磁壁の挙動に影響を与える要因として、反磁
界や浮遊磁界の影響、及び、記録マークの側部に形成さ
れる磁壁の影響が考えられる。記録マークが閉じた磁壁
で囲まれている場合、磁壁の移動方向が磁区拡大方向か
縮小方向かによって、磁壁が生成したり消滅したりする
ため、これが磁壁の挙動に影響を及ぼす。
【００３５】しかし、反磁界や浮遊磁界による影響は、
飽和磁化を小さくしておけば抑制することができる。ま
た、磁壁の生成／消滅の影響は、記録マークの前後の磁
壁が独立して形成されるようにすれば排除できる。例え
ば、記録トラックの両側部において、第１の磁性層の膜
面方向の交換相互作用による結合が切断もしくは低減さ
れている媒体を用いて、記録トラックの両側部に跨って
記録マークを形成すればよい。
【００３６】ここでは、反磁界や浮遊磁界の影響、及
び、記録マークの側部に形成される磁壁の影響は、上述
のように媒体が調整され、無視できるレベルに抑制され
ているものとして、考慮に入れないで議論する。
【００３７】いま、第１の磁性層の磁化は、着目した原
子スピンの向きと同一方向に発現しているものとし、外
部磁界を、膜面垂直下向き方向に印加した場合を考え
る。また、説明の簡略化のために下向きの磁化状態の領
域中に上向きの微小磁区が孤立して形成されている場合
について説明する。
【００３８】図３及び図４に、加熱領域に対して相対的
に、図の右から左に媒体が移動して、孤立磁区が結合切
断領域を通過する際の、磁区の前後の磁壁に作用する力
とそれによる磁壁の挙動の関係を示す。
【００３９】図３（ａ）に、加熱領域前方において第１
の磁性層中の磁壁に作用する力を示す。
【００４０】結合切断領域よりも充分右側の領域では、
第３の磁性層との交換相互作用により第１の磁性層が受
ける力Ｆｉが支配的であり、第１の磁性層中の磁壁は、
第３の磁性層中の磁壁と同一の位置に固定され、界面磁
壁が存在しない状態になっている。この場合、Ｆｉは媒
体上での磁壁の移動を妨げる力として作用している。
【００４１】前方の磁壁３１（図３（ｂ））の場合、磁
壁の左側領域の第１の磁性層の磁化配向が下向きになっ
ており右側領域の磁化配向が上向きになっている。この
磁壁には、外部磁界によって右側方向へ磁壁を移動させ
ようとする力 −Ｆｅ が作用している。
【００４２】この磁壁が加熱領域の右側から結合切断領
域に近づいてくると、温度勾配に伴う磁壁エネルギーの
勾配により、高温側即ち左側方向へ磁壁を移動させよう
とする力 ＋Ｆｇ が作用する。
【００４３】従って、図３（ｂ）に示したように、 −Ｆｅ＋Ｆｇ＞Ｆｉ＋Ｆｃ ・・・（５） （図３（ａ）参照）が満たされる位置Ｘ３に磁壁が到達
すると、第１の磁性層中の磁壁が、左側方向へ媒体に対
して相対的に移動する。位置Ｘ４まで移動すると式
（５）の関係が成立しなくなり（図３（ａ）参照）、媒
体上では磁壁の移動が停止する。その後、媒体の移動に
伴って、図３（ｃ）に示したように、位置Ｘ５まで移動
するが、これより左側まで移動しようとすると右側方向
へ作用する力によって位置Ｘ５に戻される。即ち、磁壁
はこの位置で加熱領域に対して相対的に停止して、媒体
に対しては相対的に右側方向へ移動し続けることにな
る。
【００４４】次に、この状態から後続の磁壁３２が結合
切断領域に侵入するときの磁壁の挙動を考える。
【００４５】この場合、磁壁の左側領域の第１の磁性層
の磁化配向が上向きになっており右側領域の磁化配向が
下向きになっている。この磁壁には、外部磁界によって
左側方向へ磁壁を移動させようとする力 ＋Ｆｅ が作用
している。
【００４６】また、温度勾配に伴う磁壁エネルギーの勾
配により、高温側即ち左側方向へ磁壁を移動させようと
する力 ＋Ｆｇ が作用する。
【００４７】従って、図３（ｄ）に示したように、 ＋Ｆｅ＋Ｆｇ＞Ｆｉ＋Ｆｃ ・・・（６） が満たされる位置Ｘ６に後続の磁壁が到達すると、第１
の磁性層中の磁壁が、左側方向へ媒体に対して相対的に
移動する。位置Ｘ５には既に前方の磁壁が存在するので
ここまで移動すると両方の磁壁が消滅し、加熱領域内の
磁化配向が全部下向きになる。
【００４８】さて一方、第３の磁性層は磁壁抗磁力が充
分に大きいため、第３の磁性層中の磁壁は媒体に対して
相対的に移動することなく初期状態を保持する。そして
媒体の移動に伴って加熱領域に対しては相対的に左側方
向へ移動して行く。
【００４９】次に前方向について説明する。
【００５０】第３の磁性層中の孤立磁区の媒体進行方向
前方の磁壁４１（図４（ｂ））が位置Ｘ２に到達して更
に左側に抜けて行くと、第１の磁性層と第３の磁性層と
の間に再び交換相互作用が働き始める。第３の磁性層中
の孤立磁区内のスピンは上向きであるが、前方の磁壁４
１が位置Ｘ２（図４（ｂ））に到達した時点では位置Ｘ
２の近傍領域の第１の磁性層のスピンは下向きになって
いるため、この磁壁４１（図４（ｂ））の右側領域では
スピンが反平行になって第１の磁性層に界面磁壁が形成
される。ある程度の領域にわたって界面磁壁が形成され
ると、蓄積された界面磁壁エネルギーが磁区の核形成に
必要なエネルギーを上まわってこの部分の第１の磁性層
が磁化反転する（図４（ｂ））。
【００５１】この時、まず、核形成した部分の周囲に磁
壁が形成される。記録トラックの側部の磁壁は無視でき
るものとしてトラック方向のみに着目すると、界面磁壁
が形成されている領域の第１の磁性層中の前後二カ所に
磁壁４３及び４４（図４（ｂ））が形成されることにな
る。以下に述べるように、これらの磁壁が、瞬時にそれ
ぞれ左と右に移動することにより第１の磁性層が磁化反
転する。
【００５２】左側に移動した磁壁４３は第３の磁性層中
の磁壁４１に対応した位置まで移動すると界面磁壁が消
滅して停止し、その後は媒体の移動に伴って、第３の磁
性層中の磁壁と共に加熱領域に対して相対的に左側方向
へ移動して行く。（左側の磁壁４３は最初から第３の磁
性層中の磁壁４１に対応した位置に形成されるとも考え
られる。）では、右側に移動した磁壁４４はどこで停止
するか。それは、この磁壁４４に作用する力の支配関係
で以下のように決まる。
【００５３】まず、磁壁４４の左側領域の第１の磁性層
の磁化配向が上向きになっており右側領域の磁化配向が
下向きになっているので、外部磁界によって左側方向へ
磁壁４４を移動させようとする力 ＋Ｆｅ が作用してい
る。また、温度勾配に伴う磁壁エネルギーの勾配によ
り、高温側即ち右側方向へ磁壁４４を移動させようとす
る力 −Ｆｇ が作用する。更に、第３の磁性層との交換
相互作用により、第１の磁性層と第３の磁性層との間の
界面磁壁が消滅する方向即ち右側方向へ磁壁４４を移動
させようとする力 −Ｆｉ が作用する。
【００５４】従って、図４（ｂ）に示したように、 ＋Ｆｅ−Ｆｇ−Ｆｉ＞−Ｆｃ ・・・（７） （図４（ａ）参照）が満たされる位置Ｘ７まで移動する
と停止する。媒体の移動に伴って、加熱領域に対して相
対的に左側方向へ移動しようとすると式（７）の関係が
崩れて再び位置Ｘ７まで戻される。即ち、加熱領域に対
して相対的に停止して、媒体に対しては相対的に右側方
向へ移動し続けることになる。
【００５５】次に、第３の磁性層中の孤立磁区の媒体進
行方向後方の磁壁４２が位置Ｘ２に到達して更に左側に
抜けて行くと、第１の磁性層と第３の磁性層との間に再
び交換相互作用が働き始める。
【００５６】後方の磁壁４２の左側領域の第３の磁性層
のスピンは上向きであるが、この磁壁４２が位置Ｘ２に
到達した時点では、第１の磁性層中の位置Ｘ７に磁壁４
４が存在し、この磁壁４４の右側領域の第１の磁性層の
磁化配向は下向きになっているため、位置Ｘ２と位置Ｘ
７の間の領域ではスピンが反平行になっており界面磁壁
が形成されている（図４（ｃ））。
【００５７】しかし、第３の磁性層中の磁壁が位置Ｘ７
に到達すると、形成されていた界面磁壁は消滅し、第３
の磁性層との交換相互作用による力Ｆｉが磁壁４４の媒
体上での移動を妨げる力として作用するようになり、こ
の後はＦｉが支配的となって、媒体の移動に伴って、第
１の磁性層中の磁壁４４も、第３の磁性層中の磁壁４２
と共に加熱領域に対して相対的に左側方向へ移動して行
く（図４（ｄ））。
【００５８】この結果、再生用に照射される光ビームの
スポット内では、情報に対応した間隔で形成された磁壁
が順次位置Ｘ３及び位置Ｘ６に到達する度に位置Ｘ５へ
移動するのが検出される。スポット内で位置Ｘ５より後
方の部分は常に下向きに磁化配向しており、後方から磁
壁が移動して来ないので、再生用に照射される光ビーム
以外の手段を用いることなく、再生用光ビーム自身で所
要の温度分布を形成しても、良好な再生信号を得ること
ができる。
【００５９】なお、初期状態においてスポット内後方部
分の第１の磁性層の磁化配向が上向きになっている場
合、下向きに磁化配向している領域が初めて通過すると
きだけは、後方からの磁壁の移動が発生することにな
る。第１の磁性層の磁化配向が再生磁界に対して安定に
配向している磁化領域を少なくとも１回は通過させた後
に再生を行えばなんら問題はない。
【００６０】図３において、位置Ｘ３及び位置Ｘ６に対
応する温度の等温線が記録パターンを分解して行くの
で、磁壁の移動距離を再生スポットサイズに見合った距
離にしておくだけで、分解能は再生スポットサイズと無
関係に向上させることが可能であり、光学的回折限界の
制約から完全に解放される。
【００６１】上記式（５）〜（７）を満たすためには、
少なくとも第３の磁性層との交換相互作用により第１の
磁性層が受ける力Ｆｉ＝０となる位置Ｘ１（図２
（ａ））において Ｆｇ−Ｆｅ＞Ｆｃ ・・・（８） を満たし、かつ、少なくともＦｉ＝０となる位置Ｘ２
（図２（ａ））において Ｆｇ−Ｆｅ＜Ｆｃ ・・・（９） を満たす必要がある。
【００６２】即ち、位置Ｘ１における温度勾配をＧ１、
位置Ｘ２における温度勾配をＧ２とした時、 ｜ｄσ／ｄＴ｜×｜Ｇ１｜−２Ｍｓ×Ｈｒ ＞ ２Ｍｓ×Ｈｗ ＞ ｜ｄσ／ｄＴ｜×｜Ｇ２｜−２Ｍｓ×Ｈｒ ・・・（１０） を満たす必要がある。
【００６３】そのためには、 ｜Ｇ１｜＞｜Ｇ２｜ ・・・（１１） を満たす温度分布を形成し、かつ、 （｜Ｇ１×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ ＞ Ｈｒ ＞ （｜Ｇ２×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ ・・・（１２） を満たす再生磁界Ｈｒを印加する必要がある。
【００６４】但し、上述の説明は、あくまでも簡略化し
たモデルで動作を記述したものである。実際には、第１
の磁性層で起こる磁化反転の態様は、磁壁移動モードと
一斉回転モードとが混在したような態様をとっているの
ではないかと考えている。上述の説明では、磁壁の厚さ
を考慮してないが、第３の磁性層との結合が切れたとき
に第１の磁性層中の磁壁の厚さが広がって状態遷移して
行くことも考えられる。
【００６５】上述の説明で着目した原子スピンの向き
と、発現する磁化の向きとは、各磁性層ごとに、平行の
場合と反平行の場合とがありうる。また、原子スピンの
向きは、必ずしも膜面に垂直である必要はない。
【００６６】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例について図面
を参照しながら説明する。
【００６７】図５は、本発明の再生方法に用いる磁性記
録媒体の層構成の一実施態様を示す模式的断面図であ
る。この態様においては、基板５６上に、下地層５５、
第１の磁性層５１、第２の磁性層５２、第３の磁性層５
３、上地層５４が順次積層されている。基板５６として
は、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ガラス等を
用いることができる。下地層５５や上地層５４として
は、例えば、ＳｉＮ，ＡｉＮ，ＳｉＯ，ＺｎＳ，Ｍｇ
Ｆ，ＴａＯなどの誘電体材料が使用できる。磁壁の移動
を光学的に検出するのでなければ、必ずしも透光性材料
である必要はない。磁性層以外の層は必須のものではな
い。磁性層の積層順序を逆にしてもよい。また、この構
成に、更にＡｌ，ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃ
ｕ，Ｐｔ，Ａｕなどからなる金属層を付加して、熱的な
特性を調整してもよい。また、高分子樹脂からなる保護
コートを付与してもよい。あるいは、成膜後の基板を貼
り合わせてもよい。
【００６８】これら各層は、例えばマグネトロンスパッ
タ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着など
によって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破る
ことなく連続成膜されることで、互いに交換結合をして
いる。
【００６９】上記媒体において、各磁性層５１〜５３
は、磁気記録媒体や光磁気記録媒体に一般的に用いられ
ている材料の他、磁気バブル材料や反強磁性材料等、種
々の磁性材料によって構成することが考えられる。
【００７０】例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒなどの希土類金属元素の一種類
あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が
９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合
金によって構成し得る。また、耐食性向上などのため
に、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｐｔ，Ｉｎなどの元素を少量添加してもよい。
【００７１】また、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金
族−鉄族周期構造膜や、白金族−鉄族合金膜、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−ＯやＦｅ−Ｒｈ系合金等の反強磁性材料、磁性ガー
ネット等の材料も使用可能である。
【００７２】重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁
化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御する
ことが可能である。補償組成にすれば、室温での飽和磁
化を０ｅｍｕ／ｃｃにできる。
【００７３】キュリー温度も、組成比により制御するこ
とが可能である。飽和磁化と独立に制御するためには、
鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を
用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用でき
る。即ち、Ｆｅ１原子％をＣｏで置換することにより、
６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係
を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量
を調整する。Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌなどの非磁性元素を微量
添加することにより、逆にキュリー温度を低下させるこ
とも可能である。また、二種類以上の希土類元素を用い
てそれらの組成比を調整することでもキュリー温度を制
御できる。
【００７４】磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度は、主と
して材料元素の選択によって制御するが、下地の状態
や、スパッタガス圧等の成膜条件によっても調整可能で
ある。ＴｂやＤｙ系の材料は磁壁抗磁力や磁壁エネルギ
ー密度が大きく、Ｇｄ系材料は小さい。不純物の添加等
によって調整することもできる。
【００７５】膜厚は、成膜速度と成膜時間で制御でき
る。
【００７６】本発明の磁性記録媒体へのデータ信号の記
録は、磁気記録もしくは熱磁気記録によって、第３の磁
性層の磁化配向状態をデータ信号に対応させることによ
って行う。熱磁気記録には、媒体を移動させながら、第
３の磁性層がキュリー温度以上になるようなパワーのレ
ーザ光を照射しながら外部磁界を変調する方式と、一定
方向の磁界を印加しながらレーザパワーを変調する方式
とがある。後者の場合、光スポット内の所定領域のみが
第３の磁性層のキュリー温度以上になる様にレーザ光の
強度を調整すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形
成でき、光の回折限界以上の周期の信号も記録できる。
【００７７】以下に具体的な実施例をもって本発明を詳
細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りに
おいて以下の実施例に限定されるものではない。
【００７８】［実施例１］直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ，Ｔｂ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｃｒの各ターゲットを取り付け、トラッキン
グ用の案内溝の形成されたポリカーボネート基板を基板
ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空に
なるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気し
た。真空排気をしたままＡｒガスを０．５Ｐａとなるま
でチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、ター
ゲットをスパッタして各層を成膜した。
【００７９】まず最初に、下地層としてＳｉＮ層を８０
ｎｍ成膜した。引き続き、第１の磁性層としてＧｄＦｅ
Ｃｒ層を膜厚（ｈ１）３０ｎｍ、第２の磁性層としてＴ
ｂＦｅＣｒ層を膜厚（ｈ２）１０ｎｍ、第３の磁性層と
してＴｂＦｅＣｏＣｒ層を膜厚（ｈ３）８０ｎｍに順次
成膜した。最後に、保護層としてＳｉＮ層を６０ｎｍ成
膜した。
【００８０】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。各
磁性層は、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒの各ターゲッ
トに投入するパワーの比によって組成比を制御した。
【００８１】組成比は、各磁性層とも補償組成近傍の組
成になるように調整し、また、第１の磁性層のキュリー
温度（Ｔｃ１）が２２０℃、第２の磁性層のキュリー温
度（Ｔｃ２）が１６０℃、第３の磁性層のキュリー温度
（Ｔｃ３）が２９０℃程度となるように調整した。
【００８２】記録再生は、従来より一般的に使用されて
いる磁界変調記録用の磁気ヘッドの搭載されている光磁
気ディスク評価装置を用いて、媒体を線速１．５ｍ／ｓ
ｅｃで回転させて行なった。
【００８３】記録時には、記録再生用レーザを４ｍＷで
直流照射しながら磁界を±２００Ｏｅで変調することに
より、第３の磁性層のキュリー温度以上に加熱した後の
冷却過程で、磁界の変調に対応した上向き磁化領域と下
向き磁化領域とのパターンを形成した。
【００８４】初めに、０．４５μｍのマークを４．５μ
ｍ周期で記録して、再生用レーザのパワーＰｒを、０．
８ｍＷ及び１．５ｍＷとして再生した。この時オシロス
コープ上で観察された信号波形を、それぞれ図６（ａ）
及び（ｂ）に示す。
【００８５】再生用レーザ自身で加熱した場合、通常、
媒体面上の照射スポットの内部に温度分布のピークが形
成される。そして、照射スポットの前方と後方とに温度
Ｔｓの等温線が形成される。この結果、前後の温度Ｔｓ
の等温線からのピーク温度位置への磁壁の移動が重畳さ
れて、再生スポットで検出されることになる。このため
再生信号のノイズが高くなる。
【００８６】そして、加熱再生スポットが媒体に対して
相対的に移動していると、熱は加熱再生スポットの後方
により多く蓄積される。このため、温度分布のピーク
は、加熱再生スポット内部の、中心より後方に偏った位
置に形成される。
【００８７】再生パワー０．８ｍＷでは、磁壁移動開始
可能な温度Ｔｓに達しておらず、従来の再生方式と同様
の再生が行われている。図６（ａ）のように、４．５μ
ｍ周期の孤立マークは従来の再生方式でも充分再生可能
であるから、通常の再生波形が観察されている。
【００８８】再生パワーを１．５ｍＷまで上昇させる
と、温度Ｔｓ以上に達する領域ができ、図６（ｂ）のよ
うに、磁壁移動による、本発明の再生方式に特有の矩形
波形が現れた。この時、振幅の異なる二つの矩形波形
が、同時に一定の遅延を持って観察された。振幅の大き
な矩形波形が、再生スポット進行方向前方に形成される
温度Ｔｓの等温線からの磁壁移動による信号波形であ
り、振幅の小さな矩形波形が、後方の温度Ｔｓの等温線
からの磁壁移動による信号波形である。磁壁移動の終着
点となる温度分布のピークが、再生スポットの中心より
後方に偏った位置に形成されるため、後方の温度Ｔｓの
等温線からの磁壁移動による信号波形は振幅が小さくな
る。各信号波形の立ち上がりは記録マークの前部の磁壁
の移動による信号レベルの変化であり、立ち下がりは記
録マークの後部の磁壁の移動による信号レベルの変化で
ある。前方からの信号の立ち上がりと立ち下がりがなま
っているのは、前方の温度Ｔｓの等温線が、再生スポッ
トの内部に形成されているため、磁壁移動開始前の磁化
状態も検出されるためである。
【００８９】さて、ここで、再生パワーを１．５ｍＷに
したまま、膜面垂直方向に２００Ｏｅの再生磁界を印加
したところ、図７のように、振幅の小さな矩形波形は全
く見られなくなり、前方のＴｓ等温線からの磁壁移動の
みを検出できるようになった。即ち、再生磁界を印加す
ることにより、レーザスポット後方の温度Ｔｓの等温線
からの磁壁移動を抑止し、前方のＴｓ等温線からのみ磁
壁移動させることができた。
【００９０】膜面垂直下向き５００〜０ Ｏｅ、上向き
０〜５００ Ｏｅの範囲で再生磁界強度を変化させたと
ころ、上向き下向きとも１８０〜３５０ Ｏｅの範囲で
良好な再生信号が得られた。１８０ Ｏｅ以下では後方
からの磁壁移動を完全に抑止できず、３５０ Ｏｅ以上
では前方からの磁壁移動も安定に行われなくなった。
【００９１】次に、最短マーク長０．３μｍの１−７変
調ランダム信号を同様に記録して、再生パワー１．５ｍ
Ｗで再生した。この時のアイパターンを図８に示す。図
８（ａ）は再生磁界を印加しないで再生した時、図８
（ｂ）は膜面垂直方向に２００Ｏｅの再生磁界を印加し
て再生した時のアイパターンである。再生磁界を印加し
て再生した時のジッターを測定したところ、ウィンドー
幅の１０％程度の良好な値が得られた。
【００９２】以上のように、適正な強度の再生磁界を印
加することにより、再生用レーザと加熱用レーザとを同
一のレーザビームで兼用して１ビームで再生しても、良
好な再生信号を得ることができた。
【００９３】［実施例２］実施例１と同様の媒体を用い
て、同様の記録を行った後、媒体の回転数を変えて、線
速３ｍ／ｓｅｃ及び６ｍ／ｓｅｃとして、良好な再生信
号の得られる再生磁界強度の範囲を調べた。この結果、
それぞれ１６０〜３８０ Ｏｅ及び１３０〜４４０ Ｏｅ
の範囲で良好な再生信号が得られた。
【００９４】温度分布のシミュレーションによると、線
速が早くなるほど前方の温度勾配が急峻になり、後方の
温度勾配が緩くなる。
【００９５】これらの結果は、再生磁界をＨｒとし、前
方の温度勾配をＧ１、後方の温度勾配をＧ２とし、第１
の磁性層の磁壁エネルギー密度、飽和磁化、及び磁壁抗
磁力を、それぞれσ、Ｍｓ、及びＨｗとし、媒体温度を
Ｔとした時、 ｜Ｇ１｜＞｜Ｇ２｜ を満たしており、かつ、少なくとも第２の磁性層のキュ
リー温度において、 （｜Ｇ１×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ ＞ Ｈｒ＞
（｜Ｇ２×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ を満たしていた。
【００９６】実験データ例を示すと、 キューリー温度 ＝ １６０ ℃ ｄσ／ｄＴ ＝ −７．０×１０-3 erg/cm2・℃ Ｍｓ ＝ ２０ emu/cm3 Ｈｗ ＝ ２０ Oe Ｇ１ ＝ −２．３２×１０6 ℃/cm（線速３ m/secの場
合） Ｇ２ ＝ １．０２×１０6 ℃/cm（線速３ m/secの場
合） Ｇ１ ＝ −２．６６×１０6 ℃/cm（線速６ m/secの場
合） Ｇ２ ＝ ０．８５×１０6 ℃/cm（線速６ m/secの場
合） となる。
【００９７】［実施例３］実施例１と同様の媒体を用い
て、最短マーク長０．３μｍの１−７変調ランダム信号
を同様に記録して、再生パワー１．５ｍＷで再生した。
この時、実施例１と同様の膜面垂直成分に加えて、面内
方向成分を有する再生磁界を印加して再生したところ、
ウィンドー幅の７％程度の良好な値が得られ、ジッター
が改善された。
【００９８】以上述べた例の他、本発明の再生方法は、
磁気光学効果による偏光面の変化に限らず、磁壁の移動
によって生ずる別の変化を検出して再生するものであっ
てもよい。本発明の再生方法に用いられる磁性記録媒体
の記録膜は、磁性材料であれば垂直磁化膜でなくてもよ
い。また、各磁性層の界面は必ずしも明瞭急峻である必
要はなく、膜厚方向に徐々に特性の変化している構成で
あってもよい。
【００９９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の効
果は、再生装置を複雑化することなく、再生用の光ビー
ム自身による媒体の加熱によって、光学的な回折限界を
越えた高密度記録信号が再生可能な再生方法を提供でき
ることにある。また、その再生信号品質を向上できるこ
とにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１〜第３の磁性層を有する磁性
記録媒体を使用した場合の再生方法の概念を模式的に示
した図である。（ａ）は、再生状態における媒体の断面
を示し、各磁性層のスピンの配向状態を模式的に示して
ある。（ｂ）は、（ａ）に示されている位置における媒
体上の温度分布を示している。
【図２】（ａ）は、本発明による媒体上に形成されるＸ
方向の温度分布の例を示す。（ｂ）は、本発明による
（ａ）で示された温度分布が媒体上に形成されている時
に、位置Ｘに存在する第１の磁性層中の磁壁に対して作
用する力を示した図である。“＋”の力は図の左側方向
への作用、“−”の力は右側方向への作用を示す。
【図３】本発明による、加熱領域前方において、加熱領
域に対して相対的に、図の右から左に媒体が移動して、
孤立磁区が結合切断領域に侵入する際の、磁区の前後の
磁壁に作用する力とそれによる磁壁の挙動の関係を示し
た図である。
【図４】本発明による、加熱領域後方において、加熱領
域に対して相対的に、図の右から左に媒体が移動して、
孤立磁区が結合切断領域を抜けて行く際の、磁区の前後
の磁壁に作用する力とそれによる磁壁の挙動の関係を示
した図である。
【図５】本発明の磁性記録媒体の層構成の一実施態様を
示す模式的断面図である。
【図６】０．４５μｍのマークを４．５μｍ周期で記録
した時の、オシロスコープ上で観察された再生信号波形
を示す図である。図６（ａ）は、再生用レーザのパワー
Ｐｒを０．８ｍＷとした時、図６（ｂ）は、Ｐｒを１．
５ｍＷとした時の信号波形である。
【図７】０．４５μｍのマークを４．５μｍ周期で記録
した後、膜面垂直方向に２００Ｏｅの再生磁界を印加し
た時の、オシロスコープ上で観察された再生信号波形を
示す図である。再生用レーザのパワーＰｒを１．５ｍＷ
とした時の信号波形である。
【図８】最短マーク長０．３μｍの１−７変調ランダム
信号を記録して、再生パワー１．５ｍＷで再生した時の
アイパターンを示す。図８（ａ）は再生磁界を印加しな
いで再生した時、図８（ｂ）は膜面垂直方向に２００
Ｏｅの再生磁界を印加して再生した時のアイパターンで
ある。
【図９】光磁気記録装置の構成を示す図である。
【図１０】光磁気記録装置の記録再生動作を説明するた
めの図である。
【図１１】光磁気記録装置の再生動作を説明するための
図である。
【符号の説明】
１１ 第１の磁性層 １２ 第２の磁性層 １３ 第３の磁性層 １４ 原子スピンの向き １５ 磁壁 １６ 加熱兼再生用光ビーム １７ 磁壁の移動方向 １８ 媒体の移動方向

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも、第１、第２、第３の磁性層
    が室温において交換結合して順次積層されており、該第
    １の磁性層は、該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗
    磁力が小さな磁性膜からなり、該第２の磁性層は、該第
    １の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の低
    い磁性膜からなる磁性記録媒体からの記録信号の再生方
    法であって、該磁性記録媒体面上に、再生磁界を印加し
    ながら光ビームを照射して、該第２の磁性層のキュリー
    温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、該温度
    領域を該磁性記録媒体に対して相対的に移動させ、該温
    度領域の移動方向前方端部においては、該第１の磁性層
    の磁壁を該温度領域内高温側へ該磁性記録媒体に対して
    相対的に移動させ、該温度領域の移動方向後方端部にお
    いては、該第１の磁性層の磁壁を該温度領域内に移動さ
    せないようにしたことを特徴とする信号再生方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の信号再生方法におい
    て、前記再生磁界の磁化配向方向の大きさをＨｒとし、
    前記温度領域の移動方向前方端部における前記磁性記録
    媒体面上の移動方向の温度勾配をＧ１、前記温度領域の
    移動方向後方端部における前記磁性記録媒体面上の移動
    方向の温度勾配をＧ２とし、前記第１の磁性層の磁壁エ
    ネルギー密度、飽和磁化、及び磁壁抗磁力を、それぞれ
    σ、Ｍｓ、及びＨｗとし、媒体温度をＴとした時、 ｜Ｇ１｜＞｜Ｇ２｜ を満たす温度分布を形成し、かつ、少なくとも前記第２
    の磁性層のキュリー温度において、 （｜Ｇ１×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ ＞ Ｈｒ＞
    （｜Ｇ２×ｄσ／ｄＴ｜／２Ｍｓ）−Ｈｗ を満たす再生磁界Ｈｒを印加することを特徴とする信号
    再生方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の信号再生方法におい
    て、前記再生磁界は、磁化配向方向に垂直な方向の成分
    を含有することを特徴とする信号再生方法。
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