JPH09198917A - 半導体素子用金合金細線 - Google Patents
半導体素子用金合金細線Info
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Abstract
て、狭ピッチ化およびロングスパン化に対応できる、高
密度実装に適した半導体素子用金合金細線を提供する。 【解決手段】 (1) Cuを0.015〜1.0重量
%の範囲で含有し、さらにCaを0.0002〜0.0
2重量%の範囲で含有し、残部は金およびその不可避不
純物からなることを特徴とする半導体素子用金合金細
線。 (2) 上記(1)記載の成分に、さらにPt、Pd、
Inの1種または2種以上を総計で0.002〜3.0
重量%で含有することを特徴とする半導体素子用金合金
細線。 (3) 上記(1)または(2)の成分に、Y、La、
Ceの1種または2種以上を総計で0.0003〜0.
03重量%の範囲で含有することを特徴とする半導体素
子用金合金細線。
Description
外部リードを電気的接続するためのボンディングに使用
される半導体素子用金合金細線に関する。
リードとの間の電気的接続としては、ワイヤボンディン
グ方法が主として使用されている。最近、半導体の高集
積化、多機能化が進み、さらにICチップの小型化、薄
型化の要求も高まる中で、半導体実装の高密度化に対す
るニーズが高まっている。端子数が増加する多ピン化を
実現するためには、インナーリード部がシリコンチップ
に対して後退するため、ワイヤの接合間(スパン)が長
くなる傾向にある。スパンが5mm以上のロングスパン
になると、直線性の確保、ばらつきの低減などループ形
状を厳密に制御することが必要である。また、多ピン化
に伴い、電極間隔が減少する狭ピッチ化が要求され、ワ
イヤ間の最小ピッチが100μm以下のものまで所望さ
れており、ワイヤも細線化が望まれている。こうした多
ピン化、狭ピッチ化を達成するために、ボンディング装
置の改善、ルーピング性に優れたワイヤの開発などが進
められている。
において、スパンが5mm以上のロングスパンになる
と、ワイヤの多ピン化、狭ピッチ化に対応するために
は、隣接ワイヤ間の接触や、ワイヤとチップまたはイン
ナーリード部との接触などに伴う不良発生を抑えること
が最大の課題である。ロングスパンになると、ループ高
さの確保や垂れの防止のために、さまざまなルーピング
制御がなされるが、ボンディングの際にループ曲がりが
発生する確率が高くなる。また、粘性の高いエポキシ樹
脂による封止時に、ワイヤが変形して流れるが、スパン
が長くなるほど、この流れ量が増大するため、隣接ワイ
ヤ間の接触不良が発生しやすくなる。
する傾向にあり、ワイヤ径の2乗で強度が低下すること
から予想されるように、ループ形成時のワイヤ曲がり
と、ワイヤの樹脂流れの問題はより一層深刻となる。こ
の狭ピッチ化のためにはボール径も小さくしなくてはな
らず、ボール部の接合性を確保することも困難となる。
細線化、接合性などを考慮して、金合金細線における元
素添加の効果が調査されており、例えば、特願昭63−
109587号には添加元素としてCu元素が有効であ
ることが示されているが、十分な効果を得るためには1
〜5重量%の含有が必要となり、高濃度ではボール部の
形状不良および硬化などが懸念される。また、金ワイヤ
中への所定範囲量のCu元素の添加に関して特開平2−
215140号公報に開示されているが、Au/Al接
合部における化合物成長の抑制効果に関するものであ
る。
して、狭ピッチ化および細線化に対応できる、高密度実
装に適した半導体素子用金合金細線を提供することを目
的としている。
を鑑み、高密度実装に適したワイヤとして要求される特
性について調査を行った結果、特にループ形成時および
樹脂流れ時におけるワイヤ変形を低減することが最大の
技術課題であることの見解を得た。さらに、金合金細線
中の元素添加と、ループ直線性および樹脂流れ性との関
係について研究したところ、CuとCaの複合添加が流
れ性の抑制に有用であることを初めて見出した。さらに
後述するようにPt、Pd、In元素の添加によりボー
ル近傍部の熱影響部の強度が増加すること、また、Y、
La、Ceの添加により樹脂封止時の耐流れ性がさらに
向上することを見出した。
記の通りである。 (1) Cuを0.015〜1.0重量%の範囲で含有
すると共に、Caを0.0002〜0.02重量%の範
囲で含有し、残部は金およびその不可避不純物からなる
ことを特徴とする半導体素子用金合金細線。 (2) Cuを0.015〜1.0重量%の範囲で含有
すると共に、Caを0.0002〜0.02重量%の範
囲で含有し、さらにPt、Pd、Inの1種または2種
以上を総計で0.002〜3.0重量%の範囲で含有
し、残部は金およびその不可避不純物からなることを特
徴とする半導体素子用金合金細線。
の範囲で含有すると共に、Caを0.0002〜0.0
2重量%の範囲で含有し、さらにY、La、Ceの1種
または2種以上を総計で0.0003〜0.03重量%
の範囲で含有し、残部は金およびその不可避不純物から
なることを特徴とする半導体素子用金合金細線。 (4) Cuを0.015〜1.0重量%の範囲で含有
すると共に、Caを0.0002〜0.02重量%の範
囲で含有し、Pt、Pd、Inの1種または2種以上を
総計で0.002〜3.0重量%の範囲で含有し、さら
にY、La、Ceの1種または2種以上を総計で0.0
003〜0.03重量%の範囲で含有し、残部は金およ
びその不可避不純物からなることを特徴とする半導体素
子用金合金細線。
明の構成についてさらに説明する。ループ直線性および
樹脂封止時の流れ性を評価するには、金属細線を用いて
ボンディングを行い、ループ形状における変形量の測
定、そのボンディングされた試料の樹脂封止を行った後
に、金属細線の流れ量の測定を行う必要がある。これら
のループ変形または樹脂封止時の流れ性に関しては、ボ
ンディング装置または樹脂封止装置の設定状態または実
験条件、封止樹脂の種類などに大きく依存するため、金
属細線の材料特性に起因する要因のみを抽出して評価す
ることは困難である。
流れ性に関して、金属細線の機械的特性として引張強
度、弾性率、降伏強度などとの相関について調査したと
ころ、引張試験により測定した破断強度が高いほど、ル
ープ直線性が向上し、さらに樹脂封止時の流れ性も抑制
されていることが確認された。厳密な解析には、弾性
率、降伏強度、曲げ弾性などの特性値も加味する必要は
あるものの、金属細線が狭ピッチ化および細線化に対す
る適性を評価する手法として、簡便に測定可能な引張強
度を採用することとする。
素とCa元素の併用添加が有効である。Cuの単独添加
では、常温での強度を上昇させるものの、その効果は小
さい。Cuの単独添加では高密度実装用途としての特性
を満足するものではなかった。一方、Caの添加では強
度は増加することは確認されていたが、添加量が増加す
るとCa元素の酸化に起因するボール部形成時の形状不
良の原因となる。ボール形成性から添加量の上限が決ま
り、Caの単独添加では細線化のための十分な強度を達
成するのは困難であった。
ついて示したのが表1である。線径24μmのワイヤを
横型炉中を通過させながら連続的に焼鈍した後、ワイヤ
の引張試験を行い、破断強度を示した。汎用の半導体素
子用金属細線においては、破断伸びは3から5%の範囲
が主流であるため、伸びが4%程度になるように焼鈍温
度を選定した。Cu元素の適量添加、またはCa元素の
適量添加と比較しても、両者を同時に含有させると、破
断強度がさらに3割から6割程度まで顕著に増加してい
ることが判る。ワイヤ長が5mm程度のロングスパンに
おける金属細線の耐流れ性の点からは、引張強度が14
gf以上であれば、流れを実用上問題にならない程度ま
で低減できる結果が得られており、表1のCuとCaの
複合添加はその条件を満足するものであった。
ては不明な点もあるが、Cu元素とCa元素が相互作用
を及ぼしあって、Au中で析出または化合物相が生成す
ることにより、機械的特性を向上させていると思われ
る。
定めたのは、Cuを0.015重量%未満またはCaが
0.0002重量%未満では上記効果が小さいためであ
る。一方Caが0.02重量%超では、ボール先端部に
引け巣が生成したり、真球性が低下するなどの不良が発
生するためであり、Cuを1.0重量%超含有すると、
伸線時の加工強度の増加が著しくなるため、ワイヤ製造
時に伸線ダイスの摩耗が激しくなり、しかも伸線材のワ
イヤ曲がりが発生し易くなり、特に細線化されるほど顕
著となる。この対策には数回の中間焼鈍で対応できるも
のの、工程が複雑化することが問題である。
線径が細くなるほど、樹脂流れ低減のために細線の高強
度化が必要となる。現在主流である線径が25〜30μ
mの細線では80μm以下の狭ピッチ実装に利用するこ
とは困難である。CuとCaを含有して強度向上した細
線は、従来材よりも細線化した線径が25μm以下で使
用することが有効である。特に、25μmに対して2割
以上の高強度化が望まれる、線径が23μm以下におい
ては、CuとCaの複合添加による高強度化は高い効果
が望まれる。
インナーリード部も細くなっており、搬送時の振動に起
因する問題が発生しやすい。耐振動性の点からは、ボー
ル直上のネック部における強度が高いことが望ましく、
熱影響による再結晶粒の粗大化を抑制する必要がある。
前述したCuとCaの添加に加えて、さらにPt、P
d、Inの1種または2種以上を含有することにより、
ネック部の結晶が細粒化して、ネック部の強度が増加す
る。In、Pt、Pdの元素群の添加のみでは、再結晶
挙動の抑制効果は不十分であり、CuとCaの含有との
相乗作用により、ネック部の強度を上昇する効果が高め
られる。ここで、Pt、Pd、Inの添加が、0.00
2重量%未満では上記効果が小さく、一方3.0重量%
超では、ボール部が偏平となり真球性が低下するため、
狭ピッチ接続のための小ボール形成が困難であり、さら
にボール部が硬化するため、接合時にシリコンチップへ
の損傷の原因となる。
囲に加熱されたモールド金型中に粘性の高い熱硬化性樹
脂が高速で注入されることにより、ワイヤは変形する。
このワイヤの樹脂流れ性に対しては、ワイヤの機械的特
性、特に高温特性が支配的である。Y、La、Ceの1
種または2種以上を0.0003〜0.03重量%の範
囲で含有すると、ワイヤの高温強度が上昇する。しかし
Y、La、Ceの添加のみでは、常温での機械的特性の
向上は小さいため、CuとCaの添加との併用が必要と
なる。Y、La、Ceの総含有量を上記範囲と設定した
のは、0.0003重量%未満では、十分な高温特性は
得られず、0.03重量%超では、ボール形成時の引け
巣の生成、または真球性の低下が問題となるためであ
る。
99.995重量%以上の電解金を用いて、表2、表3
(表2のつづき)、表4、表5(表4のつづき)に示す
化学成分の金合金を溶解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧
延および伸線により、最終線径が24μmの金合金細線
とした後に、大気中で連続焼鈍して伸びを調整した。
ボンダーを使用して、アーク放電によりワイヤ先端に作
製した金合金ボールを走査型電子顕微鏡で観察し、ボー
ル形状が異常なもの、ボール先端部において収縮孔の発
生が認められるもの等半導体素子上の電極に良好な接合
ができないものを△印、良好なものを○印にて表記し
た。
は、リードフレームと測定する半導体素子を冶具で固定
した後に、ボンディング後の金合金細線の中央部を引張
り、その細線破断時の引張強度を100本測定したプル
強度の平均値を求めた。ワイヤ曲がりは、ワイヤ両端の
接合距離(スパン)が4.5mmとなるようボンディン
グしたワイヤを半導体素子とほぼ垂直上方向から観察
し、ワイヤ中心部からワイヤの両端接合部を結ぶ直線
と、ワイヤの曲がりが最大の部分との垂線の距離を、投
影機を用いて80本測定した平均値で示した。
は、ワイヤのスパンとして4.5mmが得られるようボ
ンディングした半導体素子が搭載されたリードフレーム
を、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止し
た後に、軟X線検査装置を用いて樹脂封止した半導体素
子内部をX線投影し、前述したワイヤ曲がりと同等の手
順によりワイヤ流れが最大の部分の流れ量を80本測定
し、その平均値をワイヤのスパン長さで除算した値(百
分率)を封止後のワイヤ流れと定義した。
時のワイヤ流れは5%以上の高い値を示しており、隣接
するワイヤが接触することによる不良発生の可能性が高
く、ワイヤ曲がりも20μm以上であり、ループ形状の
ばらつきとして懸念される。これに対し、表2、表3の
実施例1〜6は本発明の請求項1記載の金合金細線に係
わるものであり、Cuを0.015〜1.0重量%の範
囲で含有させ、さらにCaを0.0002〜0.02重
量%の範囲で含有させることにより、特に樹脂流れは低
減されており、適量添加により4%以下まで抑制するこ
とが確認された。表4、表5に示す比較例5ではCuの
含有量が1.0重量%超であり、伸線強度が高くダイス
の摩耗が懸念され、さらに伸線時のワイヤ曲がりが顕著
となるため、製造工程において中間焼鈍を3回要した。
載の金合金細線に係わるものであり、プル強度は7gf
以上まで増加しており、破断は常にボール部直上である
ことから、ネック部の強度が向上していることが確認さ
れた。さらに、同じく実施例12〜15は請求項3記載
の金合金細線に係わるものであり、樹脂流れは3%以下
の低い値まで抑えられていることが確認された。同じく
実施例16、17は請求項4記載の金合金細線に係わる
もので、プル強度は8gf程度まで上昇しており、樹脂
流れは2.6%以下と低い値まで抑えられていることが
確認された。
ンディング時のワイヤ曲がりおよび樹脂封止時のワイヤ
流れを低減し、半導体の高密度実装、特に狭ピッチ接続
に対応できるものである。
Claims (4)
- 【請求項1】 Cuを0.015〜1.0重量%の範囲
で含有すると共に、Caを0.0002〜0.02重量
%の範囲で含有し、残部は金およびその不可避不純物か
らなることを特徴とする半導体素子用金合金細線。 - 【請求項2】 Cuを0.015〜1.0重量%の範囲
で含有すると共に、Caを0.0002〜0.02重量
%の範囲で含有し、さらにPt、Pd、Inの1種また
は2種以上を総計で0.002〜3.0重量%の範囲で
含有し、残部は金およびその不可避不純物からなること
を特徴とする半導体素子用金合金細線。 - 【請求項3】 Cuを0.015〜1.0重量%の範囲
で含有すると共に、Caを0.0002〜0.02重量
%の範囲で含有し、さらにY、La、Ceの1種または
2種以上を総計で0.0003〜0.03重量%の範囲
で含有し、残部は金およびその不可避不純物からなるこ
とを特徴とする半導体素子用金合金細線。 - 【請求項4】 Cuを0.015〜1.0重量%の範囲
で含有すると共に、Caを0.0002〜0.02重量
%の範囲で含有し、Pt、Pd、Inの1種または2種
以上を総計で0.002〜3.0重量%の範囲で含有
し、さらにY、La、Ceの1種または2種以上を総計
で0.0003〜0.03重量%の範囲で含有し、残部
は金およびその不可避不純物からなることを特徴とする
半導体素子用金合金細線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP776096A JP3639662B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体素子用金合金細線 |
| TW86110146A TW380303B (en) | 1996-01-19 | 1997-07-17 | Gold alloy thin wire for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP776096A JP3639662B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体素子用金合金細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09198917A true JPH09198917A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3639662B2 JP3639662B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=11674653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP776096A Expired - Lifetime JP3639662B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 半導体素子用金合金細線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3639662B2 (ja) |
| TW (1) | TW380303B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030096985A (ko) * | 2002-06-18 | 2003-12-31 | 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 | 본딩용 금합금 세선 |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP776096A patent/JP3639662B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-17 TW TW86110146A patent/TW380303B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030096985A (ko) * | 2002-06-18 | 2003-12-31 | 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 | 본딩용 금합금 세선 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW380303B (en) | 2000-01-21 |
| JP3639662B2 (ja) | 2005-04-20 |
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