JPH09199398A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH09199398A JPH09199398A JP8020669A JP2066996A JPH09199398A JP H09199398 A JPH09199398 A JP H09199398A JP 8020669 A JP8020669 A JP 8020669A JP 2066996 A JP2066996 A JP 2066996A JP H09199398 A JPH09199398 A JP H09199398A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置において、スループットを低下させ
ずに倍率補正が行えるようにする。 【解決手段】 基板３上の複数の露光領域を順次露光位
置にステップ移動させるとともに、各露光位置において
その露光領域上に原板１の像を走査露光する露光装置で
あって、基板上のマークと原板上のマークを検出して露
光倍率の誤差を検出する誤差検出手段１３，１５と、こ
の誤差を補正する補正手段１６とを有するものにおい
て、誤差検出手段は、基板上の最初の露光位置において
露光倍率の誤差を検出するものであり、補正手段はこの
検出結果に基づいて各露光領域に対する露光の倍率を補
正するものである。
ずに倍率補正が行えるようにする。 【解決手段】 基板３上の複数の露光領域を順次露光位
置にステップ移動させるとともに、各露光位置において
その露光領域上に原板１の像を走査露光する露光装置で
あって、基板上のマークと原板上のマークを検出して露
光倍率の誤差を検出する誤差検出手段１３，１５と、こ
の誤差を補正する補正手段１６とを有するものにおい
て、誤差検出手段は、基板上の最初の露光位置において
露光倍率の誤差を検出するものであり、補正手段はこの
検出結果に基づいて各露光領域に対する露光の倍率を補
正するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
パネル等を製造するために用いる走査型の露光装置に関
する。
パネル等を製造するために用いる走査型の露光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、液晶パネル等を露光
する装置としては、投影光学系を介してマスクと基板
（またはウエハ）をキャリッジ上に載せ、同期させて１
回の走査露光を行うことにより、マスク全面の像を基板
上に転写するものがある。しかし、最近の動向として基
板を大型化し、１枚の基板から取得できる液晶パネルの
枚数を増やすことにより、液晶パネルのコストを下げる
方向に向かっている。本来は、１回の走査露光により、
基板全面にマスク上の像を露光できることが好ましい
が、基板サイズが大きくなると、それに見合った大型光
学系が必要になる。それは原理的には可能であるがコス
トの大幅アップ、加工の困難さ、装置のフットスペース
の大幅拡大等により、実現が困難である。その対処方法
としては、基板をＸ方向に複数回ステップ移動し、その
ステップ移動毎に走査露光を繰り返すことにより、大型
基板全面にマスク上のパターンを転写する方法がある。
その際、Ｘ方向にステップ移動するステージを搭載する
ことにより、基板を保持しているキャリッジの重量が増
加するという問題がある。これにより、キャリッジを高
速で制御することが困難になり、スループットが大幅に
低下してしまう。
する装置としては、投影光学系を介してマスクと基板
（またはウエハ）をキャリッジ上に載せ、同期させて１
回の走査露光を行うことにより、マスク全面の像を基板
上に転写するものがある。しかし、最近の動向として基
板を大型化し、１枚の基板から取得できる液晶パネルの
枚数を増やすことにより、液晶パネルのコストを下げる
方向に向かっている。本来は、１回の走査露光により、
基板全面にマスク上の像を露光できることが好ましい
が、基板サイズが大きくなると、それに見合った大型光
学系が必要になる。それは原理的には可能であるがコス
トの大幅アップ、加工の困難さ、装置のフットスペース
の大幅拡大等により、実現が困難である。その対処方法
としては、基板をＸ方向に複数回ステップ移動し、その
ステップ移動毎に走査露光を繰り返すことにより、大型
基板全面にマスク上のパターンを転写する方法がある。
その際、Ｘ方向にステップ移動するステージを搭載する
ことにより、基板を保持しているキャリッジの重量が増
加するという問題がある。これにより、キャリッジを高
速で制御することが困難になり、スループットが大幅に
低下してしまう。
【０００３】その対策としては、マスクと基板のそれぞ
れに個別の走査ステージ、駆動系およびレーザ干渉計を
設け、さらに基板側には走査ステージに対して直交方向
にステップ移動するステージを設け、基板ステージのス
テップ移動とマスクおよび基板の同期走査露光を複数回
繰り返すことにより、マスクの像を基板全面に転写する
方法がある。この方法の場合、従来のマスクと基板を連
結するキャリッジを必要としなくなり、走査重量は大幅
に減少する。これにより、マスクと基板の同期移動を高
速で制御することが可能になり、スループットを大幅に
向上することができる。
れに個別の走査ステージ、駆動系およびレーザ干渉計を
設け、さらに基板側には走査ステージに対して直交方向
にステップ移動するステージを設け、基板ステージのス
テップ移動とマスクおよび基板の同期走査露光を複数回
繰り返すことにより、マスクの像を基板全面に転写する
方法がある。この方法の場合、従来のマスクと基板を連
結するキャリッジを必要としなくなり、走査重量は大幅
に減少する。これにより、マスクと基板の同期移動を高
速で制御することが可能になり、スループットを大幅に
向上することができる。
【０００４】ところで、液晶表示板を製造するためのガ
ラス基板は、その表面に多数の画像とこれらの画素のオ
ン、オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィ手段によって形成される。普
通、フォトリソグラフィ工程は６回程度である。液晶表
示装置の製造プロセスでは、成膜時に発生する熱によ
り、工程が進むとガラス基板に収縮が生じる。一般に
は、収縮の量は５［ｐｐｍ］程度であるが、若干、工程
により差が生じる。したがって、露光装置としては、露
光時に収縮すなわち倍率を補正する必要がある。従来行
われた方法としては、基板上に前工程で複数個の倍率計
測用パターンを形成し、マスク側に形成された倍率計測
用パターンとの相対位置関係を投影光学系を介して計測
し、マスクに対する基板の倍率誤差を算出する方法があ
る。その算出された値に基づき走査露光時に倍率補正を
行う。その後、基板をステップ移動して走査露光を行
い、その走査露光毎に上述と同様に倍率計測を行い、走
査露光時に倍率補正を行う。
ラス基板は、その表面に多数の画像とこれらの画素のオ
ン、オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィ手段によって形成される。普
通、フォトリソグラフィ工程は６回程度である。液晶表
示装置の製造プロセスでは、成膜時に発生する熱によ
り、工程が進むとガラス基板に収縮が生じる。一般に
は、収縮の量は５［ｐｐｍ］程度であるが、若干、工程
により差が生じる。したがって、露光装置としては、露
光時に収縮すなわち倍率を補正する必要がある。従来行
われた方法としては、基板上に前工程で複数個の倍率計
測用パターンを形成し、マスク側に形成された倍率計測
用パターンとの相対位置関係を投影光学系を介して計測
し、マスクに対する基板の倍率誤差を算出する方法があ
る。その算出された値に基づき走査露光時に倍率補正を
行う。その後、基板をステップ移動して走査露光を行
い、その走査露光毎に上述と同様に倍率計測を行い、走
査露光時に倍率補正を行う。
【０００５】図５を用いてかかる従来例の露光装置にお
ける走査露光方法を説明する。
ける走査露光方法を説明する。
【０００６】図５は、従来例の露光装置におけるミラー
投影系部分の構成を示す拡大図であり、２回の走査露光
（第１象限、第２象限）により基板全面を露光する場合
を示す。同図において、２０および２１は円弧状の露光
光束である。この光束部分のみ解像性能が良く、かつマ
スク１と基板３の位置観察が可能である。１はマスクで
あり、２３はマスク１上に描画されているマスク１と基
板３の位置合せ用パターンである。３は基板であり、２
６および２９は前工程で形成された第１象限、第２象限
の位置合せ用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２３と基板３上のパターン２６およ
び２９により、マスク１と基板３の第１象限および第２
象限の位置合せを行う。
投影系部分の構成を示す拡大図であり、２回の走査露光
（第１象限、第２象限）により基板全面を露光する場合
を示す。同図において、２０および２１は円弧状の露光
光束である。この光束部分のみ解像性能が良く、かつマ
スク１と基板３の位置観察が可能である。１はマスクで
あり、２３はマスク１上に描画されているマスク１と基
板３の位置合せ用パターンである。３は基板であり、２
６および２９は前工程で形成された第１象限、第２象限
の位置合せ用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２３と基板３上のパターン２６およ
び２９により、マスク１と基板３の第１象限および第２
象限の位置合せを行う。
【０００７】２４および２５はマスク１上に描画されて
いるマスク１と基板３の倍率計測用パターンである。２
７および２８は前工程で形成された基板３上の第１象限
の倍率計測用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２４および２５と基板３上のパター
ン２７および２８により、マスク１に対する基板３の第
１象限の縦横方向の倍率誤差を計測する。その計測され
た値に基づき露光時に第１象限の倍率補正を行う。第２
象限を露光する場合にも、第１象限と同じ方法で露光を
行う。
いるマスク１と基板３の倍率計測用パターンである。２
７および２８は前工程で形成された基板３上の第１象限
の倍率計測用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２４および２５と基板３上のパター
ン２７および２８により、マスク１に対する基板３の第
１象限の縦横方向の倍率誤差を計測する。その計測され
た値に基づき露光時に第１象限の倍率補正を行う。第２
象限を露光する場合にも、第１象限と同じ方法で露光を
行う。
【０００８】３０および３１は前工程で形成された基板
３上の第２象限の倍率計測用パターンである。顕微鏡２
２を使用してマスク１上のパターン２４および２５と基
板３上のパターン３０および３１により、マスク１に対
する基板３の第２象限の縦横方向の倍率誤差を計測す
る。その計測された値に基づき露光時に倍率補正を行
う。
３上の第２象限の倍率計測用パターンである。顕微鏡２
２を使用してマスク１上のパターン２４および２５と基
板３上のパターン３０および３１により、マスク１に対
する基板３の第２象限の縦横方向の倍率誤差を計測す
る。その計測された値に基づき露光時に倍率補正を行
う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これに
よれば、基板をステップ移動し、走査露光を行う毎に倍
率計測を行うための倍率計測時間、さらにマスクおよび
基板の倍率計測用パターンを顕微鏡の下に位置決めする
ための時間が必要であり、スループットは大幅に低下し
てしまう。
よれば、基板をステップ移動し、走査露光を行う毎に倍
率計測を行うための倍率計測時間、さらにマスクおよび
基板の倍率計測用パターンを顕微鏡の下に位置決めする
ための時間が必要であり、スループットは大幅に低下し
てしまう。
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、露光装置において、スループットを低下させずに
倍率補正が行えるようにすることにある。
鑑み、露光装置において、スループットを低下させずに
倍率補正が行えるようにすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明では、基板上の複数の露光領域を順次露光位
置にステップ移動させるとともに、各露光位置において
その露光領域上に原板の像を走査露光する露光装置であ
って、基板上のマークと原板上のマークを検出して露光
倍率の誤差を検出する誤差検出手段と、この誤差を補正
する補正手段とを有するものにおいて、誤差検出手段
は、基板上の最初の露光位置において露光倍率の誤差を
検出するものであり、補正手段はこの検出結果に基づい
て各露光領域に対する露光の倍率を補正するものである
ことを特徴とする。
め、本発明では、基板上の複数の露光領域を順次露光位
置にステップ移動させるとともに、各露光位置において
その露光領域上に原板の像を走査露光する露光装置であ
って、基板上のマークと原板上のマークを検出して露光
倍率の誤差を検出する誤差検出手段と、この誤差を補正
する補正手段とを有するものにおいて、誤差検出手段
は、基板上の最初の露光位置において露光倍率の誤差を
検出するものであり、補正手段はこの検出結果に基づい
て各露光領域に対する露光の倍率を補正するものである
ことを特徴とする。
【００１２】また、露光倍率の誤差を記憶する手段を有
し、補正手段はその露光倍率の誤差に基づいて倍率の補
正を行うものであることを特徴とする。
し、補正手段はその露光倍率の誤差に基づいて倍率の補
正を行うものであることを特徴とする。
【００１３】
【作用】これによれば、最初の露光位置における倍率誤
差の検出結果により、その露光位置を含め、他の露光位
置における露光時の倍率補正も行われるため、他の露光
位置における倍率誤差の検出が不要となる。したがっ
て、露光処理のスループットが向上する。
差の検出結果により、その露光位置を含め、他の露光位
置における露光時の倍率補正も行われるため、他の露光
位置における倍率誤差の検出が不要となる。したがっ
て、露光処理のスループットが向上する。
【００１４】より具体的には、基板に対して最初に走査
露光を行う際、その最初に露光される基板上の露光領域
に前工程で形成された複数個の倍率計測用パターンと、
原版上に形成された倍率計測用パターンとの相対位置関
係を計測し、原版に対する基板の倍率誤差を算出する。
その算出された値に基づき走査露光時に倍率補正を行
う。その後、基板をステップ移動して２番目以降の露光
領域を走査露光する際には倍率測定を行わず、最初に走
査露光を行う際に算出された値に基づいて倍率補正を行
う。これにより、基板をステップ移動して走査露光を行
う毎に倍率計測を行う必要がなくなり、倍率計測時間お
よび原版および基板の倍率計測用パターンを顕微鏡の下
に位置決めするための時間が大幅に短縮される。その結
果、スループットは大幅に向上する。この方法を用いた
場合において、露光位置間で基板の倍率が異なる際に、
最初の露光領域では倍率補正は可能であるが、他の露光
領域では倍率補正誤差が発生する。しかし、通常、基板
の収縮は基板全面において一様に収縮する。したがっ
て、上述の方法を用いても基板全面における倍率誤差補
正が可能である。
露光を行う際、その最初に露光される基板上の露光領域
に前工程で形成された複数個の倍率計測用パターンと、
原版上に形成された倍率計測用パターンとの相対位置関
係を計測し、原版に対する基板の倍率誤差を算出する。
その算出された値に基づき走査露光時に倍率補正を行
う。その後、基板をステップ移動して２番目以降の露光
領域を走査露光する際には倍率測定を行わず、最初に走
査露光を行う際に算出された値に基づいて倍率補正を行
う。これにより、基板をステップ移動して走査露光を行
う毎に倍率計測を行う必要がなくなり、倍率計測時間お
よび原版および基板の倍率計測用パターンを顕微鏡の下
に位置決めするための時間が大幅に短縮される。その結
果、スループットは大幅に向上する。この方法を用いた
場合において、露光位置間で基板の倍率が異なる際に、
最初の露光領域では倍率補正は可能であるが、他の露光
領域では倍率補正誤差が発生する。しかし、通常、基板
の収縮は基板全面において一様に収縮する。したがっ
て、上述の方法を用いても基板全面における倍率誤差補
正が可能である。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る露光装置の
構成を示す側面図である。同図において、１は焼付けパ
ターンが形成されたマスク、２はマスク１を搭載しＸ、
Ｙおよびθ方向に移動可能なマスクステージである。３
は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素と
これらの画素のオン、オフを制御するためのスイッチン
グトランジスタが通常のフォトリソグラフィ手段で形成
されるガラス基板である。１７は基板３を保持しＸ方向
にステップ移動可能な基板ステージであり、Ｙ方向に移
動可能な基板ステージ４上に載置されている。６は凹面
鏡であり、凸面鏡７および折曲げ鏡８とともに周知のミ
ラー投影系を構成している。このミラー投影系は、マス
クステージ２によって所定位置にアライメントされたマ
スク１のパターン像を基板３上に等倍投影するものであ
る。
構成を示す側面図である。同図において、１は焼付けパ
ターンが形成されたマスク、２はマスク１を搭載しＸ、
Ｙおよびθ方向に移動可能なマスクステージである。３
は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素と
これらの画素のオン、オフを制御するためのスイッチン
グトランジスタが通常のフォトリソグラフィ手段で形成
されるガラス基板である。１７は基板３を保持しＸ方向
にステップ移動可能な基板ステージであり、Ｙ方向に移
動可能な基板ステージ４上に載置されている。６は凹面
鏡であり、凸面鏡７および折曲げ鏡８とともに周知のミ
ラー投影系を構成している。このミラー投影系は、マス
クステージ２によって所定位置にアライメントされたマ
スク１のパターン像を基板３上に等倍投影するものであ
る。
【００１６】５は特定の波長の光で露光位置にあるマス
ク１を照明する照明光学系であり、マスク１上のパター
ンをミラー投影系を介して基板３上の感光層に露光する
ことにより、マスク１上のパターンを基板３上に転写す
るためのものである。
ク１を照明する照明光学系であり、マスク１上のパター
ンをミラー投影系を介して基板３上の感光層に露光する
ことにより、マスク１上のパターンを基板３上に転写す
るためのものである。
【００１７】９は基板ステージ４を載置しているベース
定盤であり、１０はマスクステージ２を載置しているマ
スクステージ定盤である。マスクステージ定盤１０は連
結板１１により、ベース定盤９と連結されている。
定盤であり、１０はマスクステージ２を載置しているマ
スクステージ定盤である。マスクステージ定盤１０は連
結板１１により、ベース定盤９と連結されている。
【００１８】１２および１４はそれぞれマスクステージ
２および基板ステージ４をＹ方向に移動させるためのモ
ータである。１３および１５はそれぞれマスクステージ
２および基板ステージ４、すなわちマスク１および基板
３の位置をモニタするための測長器であり、例えばレー
ザ干渉計である。
２および基板ステージ４をＹ方向に移動させるためのモ
ータである。１３および１５はそれぞれマスクステージ
２および基板ステージ４、すなわちマスク１および基板
３の位置をモニタするための測長器であり、例えばレー
ザ干渉計である。
【００１９】制御回路１６は、走査露光時において、レ
ーザ干渉計１３および１５のステージ位置情報を基にモ
ータ１２および１４の駆動量を制御することにより、マ
スクステージ２および基板ステージ４を互いに同期して
移動させる。この制御方法においては、例えばモータ１
２を一定電圧で駆動してマスクステージ２を定速走行さ
せ、レーザ干渉計１３および１５で計測されるマスクス
テージ２および基板ステージ４の位置に応じた駆動量を
モータ１４に供給して基板ステージ４を移動するもので
ある。この場合、マスクステージ２および基板ステージ
４の移動速度は、必ずしも同一である必要はなく、適当
な速度比を持たせても良い。
ーザ干渉計１３および１５のステージ位置情報を基にモ
ータ１２および１４の駆動量を制御することにより、マ
スクステージ２および基板ステージ４を互いに同期して
移動させる。この制御方法においては、例えばモータ１
２を一定電圧で駆動してマスクステージ２を定速走行さ
せ、レーザ干渉計１３および１５で計測されるマスクス
テージ２および基板ステージ４の位置に応じた駆動量を
モータ１４に供給して基板ステージ４を移動するもので
ある。この場合、マスクステージ２および基板ステージ
４の移動速度は、必ずしも同一である必要はなく、適当
な速度比を持たせても良い。
【００２０】本来、１回の走査露光により基板全面にマ
スク上の像を露光できることが好ましいが、基板サイズ
が大きくなると、それに見合った大型光学系が必要にな
る。それは原理的には可能であるがコストの大幅アッ
プ、加工の困難さ、装置のフットスペースの大幅拡大等
により、実現が困難である。その対処方法としては、基
板をＸ方向に複数回ステップ移動し、そのステップ移動
毎に走査露光を繰り返すことにより、大型基板全面にマ
スク上のパターンを転写する方法がある。
スク上の像を露光できることが好ましいが、基板サイズ
が大きくなると、それに見合った大型光学系が必要にな
る。それは原理的には可能であるがコストの大幅アッ
プ、加工の困難さ、装置のフットスペースの大幅拡大等
により、実現が困難である。その対処方法としては、基
板をＸ方向に複数回ステップ移動し、そのステップ移動
毎に走査露光を繰り返すことにより、大型基板全面にマ
スク上のパターンを転写する方法がある。
【００２１】図２は、図１の装置においてＸ方向にステ
ップ移動する方式の構成を示す正面図である。同図にお
いて、１７はＸ方向のステップ移動ステージであり、レ
ーザ干渉計１９により、ステップ移動ステージ１７の位
置を計測し、所定の位置になるようにモータ１８を駆動
するものである。
ップ移動する方式の構成を示す正面図である。同図にお
いて、１７はＸ方向のステップ移動ステージであり、レ
ーザ干渉計１９により、ステップ移動ステージ１７の位
置を計測し、所定の位置になるようにモータ１８を駆動
するものである。
【００２２】図３は、図１の装置におけるミラー投影系
部分の構成を示す拡大図であり、図４は、図１の装置に
おける走査露光方法を示すフローチャートである。以
下、図３および図４を用いて本発明の走査露光方法を説
明する。
部分の構成を示す拡大図であり、図４は、図１の装置に
おける走査露光方法を示すフローチャートである。以
下、図３および図４を用いて本発明の走査露光方法を説
明する。
【００２３】図３において、２０および２１は円弧状の
露光光束である。この光束部分のみ解像性能が良く、か
つマスク１と基板３の位置観察が可能である。１はマス
クであり、２３はマスク１上に描画されているマスク１
と基板３の位置合せ用パターンである。３は基板であ
り、２６および２９は前工程で形成された第１象限、第
２象限の位置合せ用パターンである。顕微鏡２２を使用
してマスク１上のパターン２３と基板３上のパターン２
６および２９により、マスク１と基板３の第１象限およ
び第２象限の位置合せを行う（ステップＳ１）。
露光光束である。この光束部分のみ解像性能が良く、か
つマスク１と基板３の位置観察が可能である。１はマス
クであり、２３はマスク１上に描画されているマスク１
と基板３の位置合せ用パターンである。３は基板であ
り、２６および２９は前工程で形成された第１象限、第
２象限の位置合せ用パターンである。顕微鏡２２を使用
してマスク１上のパターン２３と基板３上のパターン２
６および２９により、マスク１と基板３の第１象限およ
び第２象限の位置合せを行う（ステップＳ１）。
【００２４】２４および２５はマスク１上に描画されて
いるマスク１と基板３の倍率計測用パターンである。２
７および２８は前工程で形成された基板３上の第１象限
の倍率計測用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２４および２５と基板３上のパター
ン２７および２８により、マスク１に対する基板３の第
１象限の縦横方向の倍率誤差を計測し（ステップＳ
２）、その計測値を不図示の記憶装置に記憶する（ステ
ップＳ３）。そして、その計測された値に基づき走査露
光時に第１象限の倍率補正を行う（ステップＳ４）。
いるマスク１と基板３の倍率計測用パターンである。２
７および２８は前工程で形成された基板３上の第１象限
の倍率計測用パターンである。顕微鏡２２を使用してマ
スク１上のパターン２４および２５と基板３上のパター
ン２７および２８により、マスク１に対する基板３の第
１象限の縦横方向の倍率誤差を計測し（ステップＳ
２）、その計測値を不図示の記憶装置に記憶する（ステ
ップＳ３）。そして、その計測された値に基づき走査露
光時に第１象限の倍率補正を行う（ステップＳ４）。
【００２５】次に、第２象限を露光する場合は、基板３
を第２象限の位置にステップ移動し（ステップＳ５）、
マスク１上の位置合せパターン２３と基板３上の前工程
で形成された位置合せパターン２９を用いてマスク１と
基板３の第２象限の位置合せを行い（ステップＳ６）、
その後、倍率計測を行わずに第１象限の倍率計測値に基
づいて露光時に倍率補正を行う。縦方向の倍率補正を行
うためには、マスクと基板の相対走査速度を倍率計測値
に基づいて制御すれば良く、横方向の倍率補正は投影光
学系の一部を制御すれば良い。そして、基板３全面の露
光が完了したか否かを判断し（ステップＳ７）、完了し
た場合は基板３を搬出する。
を第２象限の位置にステップ移動し（ステップＳ５）、
マスク１上の位置合せパターン２３と基板３上の前工程
で形成された位置合せパターン２９を用いてマスク１と
基板３の第２象限の位置合せを行い（ステップＳ６）、
その後、倍率計測を行わずに第１象限の倍率計測値に基
づいて露光時に倍率補正を行う。縦方向の倍率補正を行
うためには、マスクと基板の相対走査速度を倍率計測値
に基づいて制御すれば良く、横方向の倍率補正は投影光
学系の一部を制御すれば良い。そして、基板３全面の露
光が完了したか否かを判断し（ステップＳ７）、完了し
た場合は基板３を搬出する。
【００２６】なお、本実施例ではミラー投影光学系を用
いているが、当然のことながら、レンズ投影光学系を用
いる場合においても本発明を適用することが可能であ
る。
いているが、当然のことながら、レンズ投影光学系を用
いる場合においても本発明を適用することが可能であ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
最初の露光位置における倍率誤差に基づいて各露光領域
での倍率誤差を補正するようにしたため、スループット
を低下させることなく、熱工程により生じる大型基板の
収縮による倍率誤差を基板全面にわたって補正すること
ができる。したがって、原版上の像を基板上に高いオー
バーレイ精度で転写することができ、今後ますます進む
であろう液晶表示板の高精細化に十分対応できる。
最初の露光位置における倍率誤差に基づいて各露光領域
での倍率誤差を補正するようにしたため、スループット
を低下させることなく、熱工程により生じる大型基板の
収縮による倍率誤差を基板全面にわたって補正すること
ができる。したがって、原版上の像を基板上に高いオー
バーレイ精度で転写することができ、今後ますます進む
であろう液晶表示板の高精細化に十分対応できる。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】 図１の装置の正面図である。
【図３】 図１の装置におけるミラー投影系部分の構成
を示す拡大図である。
を示す拡大図である。
【図４】 図１の装置における走査露光方法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図５】 従来例の露光装置におけるミラー投影系部分
の構成を示す拡大図である。
の構成を示す拡大図である。
１：マスク、２：マスクステージ、３：基板、４：基板
走査ステージ、５：照明系、６，７，８：ミラー投影光
学系、９，１０，１１：本体構造体、１２，１４，１
８：モータ、１３，１５，１９：レーザ干渉計、１６：
制御回路、１７：Ｘステップ移動ステージ、２０，２
１：円弧光束、２２：顕微鏡、２３マスク側位置決めパ
ターン、２４，２５：マスク側倍率計測パターン、２
６，２９：基板側位置決めパターン、２７，２８，３
０，３１：基板側倍率計測パターン。
走査ステージ、５：照明系、６，７，８：ミラー投影光
学系、９，１０，１１：本体構造体、１２，１４，１
８：モータ、１３，１５，１９：レーザ干渉計、１６：
制御回路、１７：Ｘステップ移動ステージ、２０，２
１：円弧光束、２２：顕微鏡、２３マスク側位置決めパ
ターン、２４，２５：マスク側倍率計測パターン、２
６，２９：基板側位置決めパターン、２７，２８，３
０，３１：基板側倍率計測パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｂ ５１７ ５２０Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上の複数の露光領域を順次露光位置
にステップ移動させるとともに、各露光位置においてそ
の露光領域上に原板の像を走査露光する露光装置であっ
て、前記基板上のマークと前記原板上のマークを検出し
て露光倍率の誤差を検出する誤差検出手段と、この誤差
を補正する補正手段とを有するものにおいて、 前記誤差検出手段は、前記基板上の最初の露光位置にお
いて前記露光倍率の誤差を検出するものであり、前記補
正手段はこの検出結果に基づいて各露光領域に対する露
光の倍率を補正するものであることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 前記露光倍率の誤差を記憶する手段を有
し、前記補正手段はその露光倍率の誤差に基づいて前記
倍率の補正を行うものであることを特徴とする請求項１
記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8020669A JPH09199398A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8020669A JPH09199398A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199398A true JPH09199398A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12033618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8020669A Pending JPH09199398A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199398A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045581A1 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
| KR100487430B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광기와 그를 사용한 노광 방법 |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8020669A patent/JPH09199398A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045581A1 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
| US6406820B1 (en) | 1998-03-02 | 2002-06-18 | Nikon Corporation | Exposure method for a projection optical system |
| US6813002B2 (en) | 1998-03-02 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, method of making exposure apparatus, device and device manufacturing method |
| KR100487430B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광기와 그를 사용한 노광 방법 |
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