JPH09202638A - 光ファイバ母材の線引き方法 - Google Patents
光ファイバ母材の線引き方法Info
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- JPH09202638A JPH09202638A JP1086496A JP1086496A JPH09202638A JP H09202638 A JPH09202638 A JP H09202638A JP 1086496 A JP1086496 A JP 1086496A JP 1086496 A JP1086496 A JP 1086496A JP H09202638 A JPH09202638 A JP H09202638A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持材より外径が大きい光ファイバ母材の線
引き方法において、光ファイバ母材の有効残長が少なく
なった場合でも、正確な制御が可能な光ファイバ母材の
線引き方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバ母材は、線引きされて有効残
長が徐々に短くなる。有効残長が３００ｍｍ以下になっ
たとき、フィーダー送り速度を低下させて線引き炉内に
おける線引き点の位置を引き上げ、加熱溶融温度を下げ
る。
引き方法において、光ファイバ母材の有効残長が少なく
なった場合でも、正確な制御が可能な光ファイバ母材の
線引き方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバ母材は、線引きされて有効残
長が徐々に短くなる。有効残長が３００ｍｍ以下になっ
たとき、フィーダー送り速度を低下させて線引き炉内に
おける線引き点の位置を引き上げ、加熱溶融温度を下げ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材か
ら光ファイバを線引きして製造する線引き方法に関する
ものである。
ら光ファイバを線引きして製造する線引き方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ母材を加熱炉において連続的
に加熱溶融させ、光ファイバとして線引きする線引き方
法においては、人が光ファイバの線引き張力をモニタ
し、これが一定となるように線引き炉の投入電力を調節
し、線引き温度の調整をしていた。特開平２−８０３４
１号公報や特開平４−３４９１３７号公報に記載された
光ファイバの線引き方法では、これを自動的に行なうも
ので、線引きする光ファイバの張力を検出し、検出信号
に基づいて線引き炉の温度をフィードバック制御し、線
引き張力を一定にするようにしている。
に加熱溶融させ、光ファイバとして線引きする線引き方
法においては、人が光ファイバの線引き張力をモニタ
し、これが一定となるように線引き炉の投入電力を調節
し、線引き温度の調整をしていた。特開平２−８０３４
１号公報や特開平４−３４９１３７号公報に記載された
光ファイバの線引き方法では、これを自動的に行なうも
ので、線引きする光ファイバの張力を検出し、検出信号
に基づいて線引き炉の温度をフィードバック制御し、線
引き張力を一定にするようにしている。
【０００３】しかし、線引き炉の温度が適正に調整され
ていても、線引き速度が変化した場合には、線引き張力
の変化を惹起する。したがって、線引き張力だけで線引
き炉の投入電力を調整して温度を調整したのでは、適正
な調整が行なわれないことになる。
ていても、線引き速度が変化した場合には、線引き張力
の変化を惹起する。したがって、線引き張力だけで線引
き炉の投入電力を調整して温度を調整したのでは、適正
な調整が行なわれないことになる。
【０００４】これを解決するために、例えば、特開平５
−１３９７７１号公報に記載された線引き炉の制御方法
では、線引き張力と線引き速度との比が一定になるよう
に、前記加熱炉の電力を調節する方法を採用している。
−１３９７７１号公報に記載された線引き炉の制御方法
では、線引き張力と線引き速度との比が一定になるよう
に、前記加熱炉の電力を調節する方法を採用している。
【０００５】また、特開平３−２０８８３９号公報に記
載された光ファイバ心線の製造方法においては、光ファ
イバ母材の加熱・軟化部分から線引きをして光ファイバ
を得、光ファイバを樹脂被覆器に通してその表面に樹脂
層を被覆することにより光ファイバ心線を製造する光フ
ァイバ心線の製造方法において、光ファイバの線引き張
力を、光ファイバ樹脂被覆器における被覆反力よりも大
きくして線引きを行なうようにして樹脂の被覆時に光フ
ァイバがマイクロベンドされることを防止している。
載された光ファイバ心線の製造方法においては、光ファ
イバ母材の加熱・軟化部分から線引きをして光ファイバ
を得、光ファイバを樹脂被覆器に通してその表面に樹脂
層を被覆することにより光ファイバ心線を製造する光フ
ァイバ心線の製造方法において、光ファイバの線引き張
力を、光ファイバ樹脂被覆器における被覆反力よりも大
きくして線引きを行なうようにして樹脂の被覆時に光フ
ァイバがマイクロベンドされることを防止している。
【０００６】ところで、光ファイバ母材の製造方法とし
て、ＶＡＤ法（気相軸付け法）やＭＣＶＤ法，ＯＶＤ法
などが知られている。これらの方法では、多孔質プリフ
ォームを作製し、これを透明ガラス化して光ファイバ母
材が作製される。光ファイバ母材は、石英棒の支持材に
より支持されるように作製される。ＶＡＤ法では、出発
母材が支持材となっている。
て、ＶＡＤ法（気相軸付け法）やＭＣＶＤ法，ＯＶＤ法
などが知られている。これらの方法では、多孔質プリフ
ォームを作製し、これを透明ガラス化して光ファイバ母
材が作製される。光ファイバ母材は、石英棒の支持材に
より支持されるように作製される。ＶＡＤ法では、出発
母材が支持材となっている。
【０００７】従来の光ファイバ母材の外径は、３０ｍｍ
程度であり、支持材の外径と同程度であった。しかし、
上述したＶＡＤ法の開発により、大型の光ファイバ母材
の製造が容易となり、例えば、外径７０ｍｍ以上のもの
も製造可能となっている。大型の光ファイバ母材の場合
でも、支持材の外径が比例的に大きくなっているのでは
なく、コスト面からやはり外径３０ｍｍ程度の支持材が
用いられる。
程度であり、支持材の外径と同程度であった。しかし、
上述したＶＡＤ法の開発により、大型の光ファイバ母材
の製造が容易となり、例えば、外径７０ｍｍ以上のもの
も製造可能となっている。大型の光ファイバ母材の場合
でも、支持材の外径が比例的に大きくなっているのでは
なく、コスト面からやはり外径３０ｍｍ程度の支持材が
用いられる。
【０００８】図１は、従来の外径３０ｍｍ程度の光ファ
イバ母材の線引き炉内における線引き状態の説明図であ
り、図１（Ａ）は線引きの開始状態、図１（Ｂ）は光フ
ァイバ母材の有効残長が少なくなった状態の説明図であ
る。図中、１は光ファイバ母材、２は支持材、３は光フ
ァイバ、４は炉体、５は断熱材、６は炉芯管、７は発熱
体、８は電極、９は給電部、１０は温度検出器である。
イバ母材の線引き炉内における線引き状態の説明図であ
り、図１（Ａ）は線引きの開始状態、図１（Ｂ）は光フ
ァイバ母材の有効残長が少なくなった状態の説明図であ
る。図中、１は光ファイバ母材、２は支持材、３は光フ
ァイバ、４は炉体、５は断熱材、６は炉芯管、７は発熱
体、８は電極、９は給電部、１０は温度検出器である。
【０００９】光ファイバ母材１は、支持材２により支持
されている。支持材２は、図示しないフィーダー機構に
より移動可能に取り付けられ、光ファイバ母材１の線引
き点を炉体内の所定の位置にセットする。
されている。支持材２は、図示しないフィーダー機構に
より移動可能に取り付けられ、光ファイバ母材１の線引
き点を炉体内の所定の位置にセットする。
【００１０】炉体４は、断熱材５で取り巻かれ、内部に
炉芯管６が設けられている。発熱体７は、電極８を介し
て給電部９から供給される電流によって発熱される。発
熱体７の温度は、温度検出器１０、例えば放射温度計に
より検出される。
炉芯管６が設けられている。発熱体７は、電極８を介し
て給電部９から供給される電流によって発熱される。発
熱体７の温度は、温度検出器１０、例えば放射温度計に
より検出される。
【００１１】光ファイバ母材１は、炉芯管内で加熱溶融
され、連続的に加熱溶融され、光ファイバ３として線引
きされる。線引きにより減少された分だけフィーダー機
構により光ファイバ母材１が降下され、線引き点は常に
一定位置にセットされる。
され、連続的に加熱溶融され、光ファイバ３として線引
きされる。線引きにより減少された分だけフィーダー機
構により光ファイバ母材１が降下され、線引き点は常に
一定位置にセットされる。
【００１２】したがって、光ファイバ母材のフィーダー
送り速度をＦ、線引き速度をＶ、光ファイバ母材の外径
をＤ、光ファイバのガラス外径をｄとすれば、 Ｆ＝（ｄ／Ｄ）2 Ｖ （式１） の関係を満たすように支持材２が降下され、光ファイバ
母材１が同じ量だけ降下される。
送り速度をＦ、線引き速度をＶ、光ファイバ母材の外径
をＤ、光ファイバのガラス外径をｄとすれば、 Ｆ＝（ｄ／Ｄ）2 Ｖ （式１） の関係を満たすように支持材２が降下され、光ファイバ
母材１が同じ量だけ降下される。
【００１３】この場合、図１（Ａ）と図１（Ｂ）との対
比からも分かるように、線引き開始時と光ファイバ母材
の有効残長が少なくなったときとでは、光ファイバ母材
１と支持材２との外径がほぼ等しいことにより、また、
光ファイバ母材１と支持材２との熱特性が同等であるこ
とから、光ファイバ母材の有効残長が短くなっても、光
ファイバ母材１は同じ状態で連続して加熱される。
比からも分かるように、線引き開始時と光ファイバ母材
の有効残長が少なくなったときとでは、光ファイバ母材
１と支持材２との外径がほぼ等しいことにより、また、
光ファイバ母材１と支持材２との熱特性が同等であるこ
とから、光ファイバ母材の有効残長が短くなっても、光
ファイバ母材１は同じ状態で連続して加熱される。
【００１４】図２は、大型の光ファイバ母材の線引き炉
内における線引き状態の説明図であり、図２（Ａ）は線
引きの開始状態、図２（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残
長が少なくなった状態の説明図である。図中、図１と同
様な部分は同じ符号を付して説明を省略する。
内における線引き状態の説明図であり、図２（Ａ）は線
引きの開始状態、図２（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残
長が少なくなった状態の説明図である。図中、図１と同
様な部分は同じ符号を付して説明を省略する。
【００１５】大型の光ファイバ母材１でも、線引き点は
炉芯管内の所定の位置にセットされで加熱溶融され、連
続的に加熱溶融され、光ファイバ３として線引きされ
る。図２（Ａ）に示す線引き開始時においては、光ファ
イバ母材１は、作製された状態の形状であり、上述した
ように、光ファイバ母材１の外径に対して、支持材２の
外径は小さい。これに対して、図２（Ｂ）に示すよう
に、光ファイバ母材の有効残長が少なくなったときで
は、光ファイバ母材１は、ほぼ全体が加熱溶融されるよ
うな状態となり、重力と表面張力の影響とによって外径
が小さくなり、上端部は、肩がだれたようになだらかな
形状となる。
炉芯管内の所定の位置にセットされで加熱溶融され、連
続的に加熱溶融され、光ファイバ３として線引きされ
る。図２（Ａ）に示す線引き開始時においては、光ファ
イバ母材１は、作製された状態の形状であり、上述した
ように、光ファイバ母材１の外径に対して、支持材２の
外径は小さい。これに対して、図２（Ｂ）に示すよう
に、光ファイバ母材の有効残長が少なくなったときで
は、光ファイバ母材１は、ほぼ全体が加熱溶融されるよ
うな状態となり、重力と表面張力の影響とによって外径
が小さくなり、上端部は、肩がだれたようになだらかな
形状となる。
【００１６】このような大型の光ファイバ母材の場合
も、光ファイバ母材のフィーダー送り速度Ｆは、上述し
た式１である Ｆ＝（ｄ／Ｄ）2 Ｖ の関係を満たすように支持材２が降下される。この場
合、光ファイバ母材の有効残長が少なくなると、光ファ
イバ母材１の外径Ｄが小さくなるが、上式のＤは、小さ
くなった外径に応じた値である。したがって、線引き炉
内における線引き点の位置は、常に一定に保たれる。
も、光ファイバ母材のフィーダー送り速度Ｆは、上述し
た式１である Ｆ＝（ｄ／Ｄ）2 Ｖ の関係を満たすように支持材２が降下される。この場
合、光ファイバ母材の有効残長が少なくなると、光ファ
イバ母材１の外径Ｄが小さくなるが、上式のＤは、小さ
くなった外径に応じた値である。したがって、線引き炉
内における線引き点の位置は、常に一定に保たれる。
【００１７】しかし、このようなフィーダーの送り制御
では問題があることが分かった。図３は、線引き炉内に
おける光ファイバ母材の加熱状態を説明するための概念
図であり、図３（Ａ）は線引きの開始状態、図３（Ｂ）
は光ファイバ母材の有効残長が少なくなった状態の概念
図である。図中、図１と同様な部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。また、炉芯管等、説明に必要のない
部分の図示は省略した。
では問題があることが分かった。図３は、線引き炉内に
おける光ファイバ母材の加熱状態を説明するための概念
図であり、図３（Ａ）は線引きの開始状態、図３（Ｂ）
は光ファイバ母材の有効残長が少なくなった状態の概念
図である。図中、図１と同様な部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。また、炉芯管等、説明に必要のない
部分の図示は省略した。
【００１８】線引き炉内において、加熱された光ファイ
バ母材１は、赤外線等の輻射線を放射する。線引き開始
時の図３（Ａ）では、光ファイバ母材１の上端からの輻
射線は、上方へ放射される。これに対して、有効残長が
少なくなった図３（Ｂ）では、上端部の肩がだれたよう
になり、その部分からの輻射線は、発熱体７に吸収さ
れ、発熱体の温度を上昇させる。また、光ファイバ母材
１の有効残長が多い場合と、少ない場合とでは、冷却効
果や熱容量にも差があり、発熱体７の検出温度が同じで
あっても、有効残長が少なくなると、光ファイバ母材１
の温度が上昇することが分かった。
バ母材１は、赤外線等の輻射線を放射する。線引き開始
時の図３（Ａ）では、光ファイバ母材１の上端からの輻
射線は、上方へ放射される。これに対して、有効残長が
少なくなった図３（Ｂ）では、上端部の肩がだれたよう
になり、その部分からの輻射線は、発熱体７に吸収さ
れ、発熱体の温度を上昇させる。また、光ファイバ母材
１の有効残長が多い場合と、少ない場合とでは、冷却効
果や熱容量にも差があり、発熱体７の検出温度が同じで
あっても、有効残長が少なくなると、光ファイバ母材１
の温度が上昇することが分かった。
【００１９】そして、有効残長が少なくなると、線引き
張力および線引き速度の両者が変動を起こし、線引き開
始時と同じ制御を行なった場合では、制御が正しく動作
しないことがある。
張力および線引き速度の両者が変動を起こし、線引き開
始時と同じ制御を行なった場合では、制御が正しく動作
しないことがある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した解
析によって得られた問題点を解決するためになされたも
ので、支持材より外径が大きい光ファイバ母材の線引き
方法において、光ファイバ母材の有効残長が少なくなっ
た場合でも、正確な制御が可能な光ファイバ母材の線引
き方法を提供することを目的とするものである。
析によって得られた問題点を解決するためになされたも
ので、支持材より外径が大きい光ファイバ母材の線引き
方法において、光ファイバ母材の有効残長が少なくなっ
た場合でも、正確な制御が可能な光ファイバ母材の線引
き方法を提供することを目的とするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１に記
載の発明においては、支持材より外径が大きい光ファイ
バ母材の線引き方法において、前記光ファイバ母材の有
効残長に基づいて線引き炉内における線引き点の位置を
調整することを特徴とするものである。
載の発明においては、支持材より外径が大きい光ファイ
バ母材の線引き方法において、前記光ファイバ母材の有
効残長に基づいて線引き炉内における線引き点の位置を
調整することを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項２に記載の発明においては、
請求項１に記載の光ファイバ母材の線引き方法におい
て、前記光ファイバ母材の有効残長が３００ｍｍ以下に
おいて線引き炉内における線引き点の位置を引き上げる
ことを特徴とするものである。
請求項１に記載の光ファイバ母材の線引き方法におい
て、前記光ファイバ母材の有効残長が３００ｍｍ以下に
おいて線引き炉内における線引き点の位置を引き上げる
ことを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】図２で説明したように、従来は、
支持材２より外径が大きい光ファイバ母材１の線引き方
法においても、線引き炉内における光ファイバ母材の線
引き点の位置は実質的に一定であった。すなわち、支持
材２により支持された光ファイバ母材１を移動させるフ
ィーダーの送り制御は、式１を満たすように行なわれて
いた。
支持材２より外径が大きい光ファイバ母材１の線引き方
法においても、線引き炉内における光ファイバ母材の線
引き点の位置は実質的に一定であった。すなわち、支持
材２により支持された光ファイバ母材１を移動させるフ
ィーダーの送り制御は、式１を満たすように行なわれて
いた。
【００２４】本発明では、有効残量が少なくなった状態
においては、線引き点の位置を上方に引き上げるように
した。それにより、加熱条件を変化させて、温度検出器
１０の検出温度が同じであっても、線引き点は、より低
い温度の加熱領域に移され、有効残量が少なくなったこ
とによる温度上昇を防止することができる。線引き点の
位置の引き上げは、上記式１に基づく光ファイバ母材の
フィーダー送り速度をＦよりも、小さい送り速度にする
ことにより行なうようにするのがよい。このようにする
と、線引きにより減少された分よりも、光ファイバ母材
１の降下量が少なくなり、線引き点が上方へ移動するこ
とになる。
においては、線引き点の位置を上方に引き上げるように
した。それにより、加熱条件を変化させて、温度検出器
１０の検出温度が同じであっても、線引き点は、より低
い温度の加熱領域に移され、有効残量が少なくなったこ
とによる温度上昇を防止することができる。線引き点の
位置の引き上げは、上記式１に基づく光ファイバ母材の
フィーダー送り速度をＦよりも、小さい送り速度にする
ことにより行なうようにするのがよい。このようにする
と、線引きにより減少された分よりも、光ファイバ母材
１の降下量が少なくなり、線引き点が上方へ移動するこ
とになる。
【００２５】フィーダー機構自体を上下動させる機構を
付加して、フィーダー機構による光ファイバ母材の降下
とは別に、光ファイバ母材を上下動可能にしてもよい。
付加して、フィーダー機構による光ファイバ母材の降下
とは別に、光ファイバ母材を上下動可能にしてもよい。
【００２６】有効残量が少なくなった状態の検出は、線
引き開始前に測定しておいた光ファイバ母材１の長さ
と、線引きにつれてフィードしたフィーダーの移動量と
から、現時点での光ファイバ母材の有効残量を演算でき
る。外径が７０ｍｍ程度の大型の光ファイバ母材の場
合、光ファイバ母材の有効残長が３００ｍｍ以下におい
て線引き炉内における線引き点の位置を徐々に引き上げ
るようにするのがよい。
引き開始前に測定しておいた光ファイバ母材１の長さ
と、線引きにつれてフィードしたフィーダーの移動量と
から、現時点での光ファイバ母材の有効残量を演算でき
る。外径が７０ｍｍ程度の大型の光ファイバ母材の場
合、光ファイバ母材の有効残長が３００ｍｍ以下におい
て線引き炉内における線引き点の位置を徐々に引き上げ
るようにするのがよい。
【００２７】もちろん、線引き炉内をモニタして光ファ
イバ母材の有効残量を検出するようにしてもよいが、従
来の線引き炉そのままでは、モニタを行なうことは困難
である。適当な構造の採用により、モニタを行なうよう
にしてもよい。
イバ母材の有効残量を検出するようにしてもよいが、従
来の線引き炉そのままでは、モニタを行なうことは困難
である。適当な構造の採用により、モニタを行なうよう
にしてもよい。
【００２８】光ファイバ母材の有効残量が少なくなった
ことを制御状態から推測することもできる。上述したよ
うな従来の制御方法を採用して、線引きを行なった場
合、線引き開始時から正確な制御が行なわれるが、有効
残量が少なくなると、光ファイバ母材の温度上昇によ
り、正確な制御結果が得られなくなる。この状況を検出
して、線引き点を上方に移動させる制御を加えるように
してもよい。
ことを制御状態から推測することもできる。上述したよ
うな従来の制御方法を採用して、線引きを行なった場
合、線引き開始時から正確な制御が行なわれるが、有効
残量が少なくなると、光ファイバ母材の温度上昇によ
り、正確な制御結果が得られなくなる。この状況を検出
して、線引き点を上方に移動させる制御を加えるように
してもよい。
【００２９】制御方法の一例では、線引き張力変化によ
り線引き炉温度を調整するループと線引き線速変化によ
るフィーダー送り速度を調節するループの２つの制御ル
ープを設け、光ファイバ母材の最終端から母材有効残長
が少なくなった時点、例えば３００ｍｍ以下になった時
点でフィーダー送り速度を調節するループを作動させる
ようにすることができる。
り線引き炉温度を調整するループと線引き線速変化によ
るフィーダー送り速度を調節するループの２つの制御ル
ープを設け、光ファイバ母材の最終端から母材有効残長
が少なくなった時点、例えば３００ｍｍ以下になった時
点でフィーダー送り速度を調節するループを作動させる
ようにすることができる。
【００３０】また、線引き張力変化により線引き炉温度
を調整するループと線引き線速変化によるフィーダー送
り速度を調節するループの２つの制御ループが互いの干
渉を防止するため線引き温度の調整に際して、連続では
なくサンプリング定理を応用するようにしてもよい。
を調整するループと線引き線速変化によるフィーダー送
り速度を調節するループの２つの制御ループが互いの干
渉を防止するため線引き温度の調整に際して、連続では
なくサンプリング定理を応用するようにしてもよい。
【００３１】また、線引きした光ファイバガラスに被覆
を塗布して硬化した光ファイバの線引き張力を、線引き
炉のヒーター加熱温度を放射温度計で測定し、そのヒー
タ加熱温度を一定に保つように線引き炉の電力を調整す
るように制御する際に、ヒーター加熱温度を０．０２℃
／秒以下で制御するようにしてもよい。
を塗布して硬化した光ファイバの線引き張力を、線引き
炉のヒーター加熱温度を放射温度計で測定し、そのヒー
タ加熱温度を一定に保つように線引き炉の電力を調整す
るように制御する際に、ヒーター加熱温度を０．０２℃
／秒以下で制御するようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、支持材より外径が大きい光ファイバ母材の線
引き方法において、前記光ファイバ母材の有効残長に基
づいて線引き炉内における線引き点の位置を調整するこ
とにより、光ファイバ母材が過熱されることを防止で
き、光ファイバ母材の最終端近くまで、正確な制御を可
能とし、品質の均一な光ファイバを線引きすることがで
きる。
によれば、支持材より外径が大きい光ファイバ母材の線
引き方法において、前記光ファイバ母材の有効残長に基
づいて線引き炉内における線引き点の位置を調整するこ
とにより、光ファイバ母材が過熱されることを防止で
き、光ファイバ母材の最終端近くまで、正確な制御を可
能とし、品質の均一な光ファイバを線引きすることがで
きる。
【００３３】また、前記光ファイバ母材の有効残長が３
００ｍｍ以下において線引き炉内における線引き点の位
置を引き上げるようにしたことにより、光ファイバ母材
の最終端近くまで、正確な制御を可能とし、品質の均一
な光ファイバを線引きすることができるという効果があ
る。
００ｍｍ以下において線引き炉内における線引き点の位
置を引き上げるようにしたことにより、光ファイバ母材
の最終端近くまで、正確な制御を可能とし、品質の均一
な光ファイバを線引きすることができるという効果があ
る。
【図１】従来の外径３０ｍｍ程度の光ファイバ母材の線
引き炉内における線引き状態の説明図であり、図１
（Ａ）は線引きの開始状態、図１（Ｂ）は光ファイバ母
材の有効残長が少なくなった状態の説明図である。
引き炉内における線引き状態の説明図であり、図１
（Ａ）は線引きの開始状態、図１（Ｂ）は光ファイバ母
材の有効残長が少なくなった状態の説明図である。
【図２】大型の光ファイバ母材の線引き炉内における線
引き状態の説明図であり、図２（Ａ）は線引きの開始状
態、図２（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残長が少なくな
った状態の説明図である。
引き状態の説明図であり、図２（Ａ）は線引きの開始状
態、図２（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残長が少なくな
った状態の説明図である。
【図３】線引き炉内における光ファイバ母材の加熱状態
を説明するための概念図であり、図３（Ａ）は線引きの
開始状態、図３（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残長が少
なくなった状態の概念図である。
を説明するための概念図であり、図３（Ａ）は線引きの
開始状態、図３（Ｂ）は光ファイバ母材の有効残長が少
なくなった状態の概念図である。
１…光ファイバ母材、２…支持材、３…光ファイバ、４
…炉体、５…断熱材、６…炉芯管、７…発熱体、８…電
極、９…給電部、１０…温度検出器。
…炉体、５…断熱材、６…炉芯管、７…発熱体、８…電
極、９…給電部、１０…温度検出器。
Claims (2)
- 【請求項１】 支持材より外径が大きい光ファイバ母材
の線引き方法において、前記光ファイバ母材の有効残長
に基づいて線引き炉内における線引き点の位置を調整す
ることを特徴とする光ファイバ母材の線引き方法。 - 【請求項２】 前記光ファイバ母材の有効残長が３００
ｍｍ以下において線引き炉内における線引き点の位置を
引き上げることを特徴とする請求項１に記載の光ファイ
バ母材の線引き方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086496A JPH09202638A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 光ファイバ母材の線引き方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086496A JPH09202638A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 光ファイバ母材の線引き方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09202638A true JPH09202638A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11762228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086496A Pending JPH09202638A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 光ファイバ母材の線引き方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09202638A (ja) |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP1086496A patent/JPH09202638A/ja active Pending
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