JPH09202749A - 新規化合物及びそれを含有する液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 他の液晶化合物あるいは液晶組成物と混合す
ることにより、または単独で強誘電性を発現させ、広い
温度範囲でキラルスメクチックＣ相を示す液晶組成物が
得られ、大きな負の誘電異方性Δεを有し、低粘性を有
し、高速応答性の液晶組成物が得られ、メモリー特性の
閾値が向上し、十分高いコントラスト比の液晶組成物が
得られる新規な液晶化合物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式（Ｉ）中Ｒ₁ 及びＲ₂ は炭素数１〜１８の鎖状アル
キル基などを、ｎは０または１を、Ｇ₁ 及びＧ₂ は単結
合、エーテル、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−を、
Ｘ及びＸ’は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基などを
示す。）で表される化合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な液晶性化合
物に関し、さらに詳しくは誘電異方性が負でかつ、その
値が著しく大きな液晶化合物に関するもので、またこれ
を含有する液晶組成物及び該液晶組成物を使用する液晶
素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】負の誘電異方性（Δε＝ε‖−ε⊥＜
０、式中はε‖分子の長軸に沿った誘電率であり、そし
てε⊥は分子長軸に対して垂直である誘電率である）を
有する式（Ｉ）で示される化合物は、それらの分子の長
軸が電場において、この場の方向に対して垂直に整列さ
れる。誘電異方性が負の材料は、電圧の印加により液晶
相が動的散乱を生じることを応用した光散乱型の液晶表
示装置、及び液晶の傾きを制御することにより液晶の複
屈折を利用して偏光板により多色表示をするいわゆるＤ
ＡＰ型液晶表示装置、さらには特定の色素を含有させた
液晶材料を用いるいわゆるゲスト・ホスト型の色素表示
装置の重要な構成要素であることは既に一般によく知ら
れている。

【０００３】前記の如く液晶表示装置において、電圧の
印加に対して液晶が応答を開始するに必要な最低の電
圧、即ち閾値を低下させるためには、また目視に対して
充分なコントラストを示すに必要な動作電圧を低下させ
るためには、液晶材料の誘電異方性は大きな負の値を持
つことが要求されている。しかるに例えば誘電異方性が
負の液晶として良く知られているＭＢＢＡ（メトキシベ
ンジリデンブチルアニリン）では誘電異方性Δεが−
０．５、また安息香酸フェニルエステル類からなる液晶
では誘電異方性Δεが高々−０．４の程度である。従っ
て誘電異方性Δεがさらに大きな負の値を持つ液晶化合
物の出現が望まれていた。そのような要望に応える物質
の１つとして分子側方にシアノ基を二個有する物質が提
案（特開昭５９−１０５５７号公報）されてはいたが、
粘度が非常に高くなり、少量を添加するに留まってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであっ
て、強誘電性液晶材料の添加剤として好適に用いること
ができ、下記のような特性を有する新規な化合物を提供
するものである。 １．物理的化学的に安定な化合物 ２．他の液晶化合物あるいは液晶組成物と混合すること
により、または単独で強誘電性を発現させ、広い温度範
囲でキラルスメクチックＣ相を示す液晶組成物が得られ
ること、 ３．大きな負の誘電異方性Δεを有すること、 ４．低粘性を有し、高速応答性の液晶組成物が得られる
こと、 ５．メモリー特性の閾値が向上し、十分高いコントラス
ト比の液晶組成物が得られること。 本発明は、上記特性を有する液晶組成物並びに液晶素子
を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る２，３−ジ
フロロ安息香酸エステル誘導体は、一般式（Ｉ）で表さ
れることを特徴とする。

【化３】 （式（Ｉ）中Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に炭素数１〜１８
の鎖状アルキル基、炭素数３〜１８の鎖状アルケニル
基、炭素数３〜１８の鎖状アルキニル基またはアルコキ
シ部分の炭素数１〜３でアルキル部分の炭素数１〜１８
の鎖状アルコキシアルキル基を示し、またはこれらは１
つ以上のハロゲン原子で置換されたものであってもよ
い；Ｒ₁ 及びＲ₂ には不斉炭素原子を含んでいてもよ
い；ｎは０または１を示す；Ｇ₁ 及びＧ₂ は各々単結
合、エーテル、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−及び−ＣＯ−で
表される群から選ばれる基を示す；Ｘ及びＸ’は各々水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜５のアル
キル基、アルコキシ基またはトリハロアルキル基を示
す）。

【０００６】本発明に係る液晶組成物は、上記式（Ｉ）
で表されるジフロロ安息香酸エステル誘導体を少なくと
も１種以上含有することが好ましい。本発明に係る強誘
電性キラルスメクチック液晶組成物は、キラルスメクチ
ックＣ相またはスメクチックＣ相を示す液晶化合物また
は組成物と、上記式（Ｉ）で表される２，３−ジフロロ
安息香酸エステル誘導体とを含有している。本発明に係
る液晶素子は、印加電圧手段を有する一対の基板と、こ
れらの基板に挟まれた液晶層と、少なくとも一方の基板
の液晶層側に設けられた配向制御層からなり、該液晶層
には、上記一般式（Ｉ）で表される２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体が一種以上含有されていることを
特徴としている。本発明に係る２，３−ジフロロ安息香
酸エステル誘導体は、物理的化学的に安定であり、低粘
度を有し、また大きな負の誘電異方性を有し、該２，３
−ジフロロ安息香酸エステル誘導体と他の液晶化合物と
からなる液晶組成物は、広い温度範囲でキラルスメクチ
ックＣ相を示し、低粘度を有し、印加電圧に対して高速
応答性を示す。またこの２，３−ジフロロ安息香酸エス
テル誘導体が、液晶組成物中に少量含有されることによ
り、メモリー特性の閾値が向上され、十分高いコントラ
スト比の液晶組成物が得られる。また、ナフタレン骨格
を有することからブックシェルフ層構造をとり易く、配
向均一性が高いので、閾値以下の電圧には応答せず、明
瞭な閾値特性を維持することができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、先ず初めに本発明に係る新
規な２，３−ジフロロ安息香酸エステル誘導体について
具体的に説明する。本発明に関わる２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体は、一般式（Ｉ）で表される。

【化４】 式（Ｉ）中Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に炭素数１〜１８、
好ましくは３〜１２の鎖状アルキル基、炭素数３〜１２
の鎖状アルケニル基、炭素数３〜１２の鎖状アルキニル
基またはアルコキシ部分の炭素数１〜３でアルキル部分
の炭素数３〜１２の鎖状アルコキシアルキル基を示し、
またはこれらは１つ以上のハロゲン原子で置換されたも
のであってもよい。またこれらの基は、直鎖状であって
も分岐状であってもよい。また上記Ｒ₁ 及びＲ₂ には不
斉炭素原子を含んでいてもよい。ｎは０または１を示
す。Ｇ₁ 及びＧ₂ は各々単結合、エーテル、−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−または−ＣＯ−で表される群から選ばれ
る基を示し、これらの内ではエーテル、単結合が好まし
い。Ｘ及びＸ’は各々水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基またはト
リハロアルキル基を示す。）で表される。

【０００８】上記一般式におけるＲ₁ 及びＲ₂ は、上記
のようにアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を示
すが、そのうちのアルキル基としては、具体的には、例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−
ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチ
ル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ド
デシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペン
タデシル、イソプロピル、ｔ−ブチル、２−メチルプロ
ピル、１−メチルプロピル、３−メチルブチル、２−メ
チルブチル、１−メチルブチル、４−メチルペンチル、
３−メチルペンチル、２−メチルペンチル、１−メチル
ペンチル、５−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、
３−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、１−メチル
ヘキシル、６−メチルヘプチル、５−メチルヘプチル、
４−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、２−メチル
ヘプチル、１−メチルヘプチル、７−メチルオクチル、
６−メチルオクチル、５−メチルオクチル、４−メチル
オクチル、３−メチルオクチル、２−メチルオクチル、
１−メチルオクチル、８−メチルノニル、７−メチルノ
ニル、６−メチルノニル、５−メチルノニル、４−メチ
ルノニル、３−メチルノニル、２−メチルノニル、１−
メチルノニル、３，７−ジメチルオクチル、３，７，１
１−トリメチルドデシルなどの基が挙げられる。

【０００９】アルケニル基としては、具体的には、例え
ば２−プロペニル、３−ブテニル、４−ペンテニル、５
−ヘキセニル、６−ヘプテニル、７−オクテニル、８−
ノネニル、９−デセニル、１０−ウンデセニル、１１−
ドデセニル、１２−トリデセニルなどの直鎖状のもの、
１−メチル−２−プロペニル、３−メチル−３−ブテニ
ルなどの分岐を有するアルケニル基が挙げられる。ま
た、アルキニル基としては、具体的には、例えば２−プ
ロピニル、３−ブチニル、５−ヘキシニル、７−オクチ
ニルなどの直鎖状のもの、１−メチル−２−プロピニル
などの分岐を有するアルキニル基が挙げられる。

【００１０】本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合
物は、下記式(III) で示される化合物と、下記式（IV）
で示される化合物とを反応させることによって製造する
ことができるが、この合成法に限らない。例えば、酸ク
ロライド法などがある。

【化５】 ［式中、Ｒ₁ ，Ｒ₂ ，Ｘ，Ｘ’，ｎ，Ｇ₁ 及びＧ₂ は、
それぞれ前記式（Ｉ）の場合と同じ。］ 特に、上記式（Ｉ）において、ｎ＝１，Ｇ₁ 及びＧ₂ が
単結合，Ｘ及びＸ’が水素である場合を例にとって詳説
すると、本発明に係る２，３−ジフロロ安息香酸エステ
ル誘導体（Ｉ’）は、下記式（Ｖ）で示される化合物
と、下記式（VI）で示される化合物とを反応させること
により製造することができる。

【００１１】

【化６】 ［式（Ｖ）、（VI）中のＲ₁ 及びＲ₂ は、式（Ｉ’）中
のＲ₁ 及びＲ₂ と同様な意味を表している。］ すなわち、一般式(III) で表される２，３−ジフロロ安
息香酸誘導体と、液晶性母核と成り得る一般式（IV）で
表されるナフトール誘導体とを、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド（以下ＤＣＣと略す）、ジメチルアミノピリ
ジン（以下ＤＭＡＰと略す）の存在下で反応させること
により、目的とする２，３−ジフロロ安息香酸エステル
誘導体を製造することができる。

【００１２】このような反応には、式(III) で表される
化合物１モルに対して、式（IV）で表される化合物は、
理論的には当モル量で用いればよいが、通常では、１．
０〜１．２モル程度の量で用いられる。この際の反応温
度は、通常室温である。一般式（IV）で表されるナフト
ール誘導体としては、具体的には、例えば２−ナフトー
ル，６−ピリミジル−２−ナフトールなどが挙げられ
る。このような式（Ｉ）で表される２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体の合成の際には、溶媒として、ジ
クロロメタン、テトラヒドロフラン、エーテル等の溶媒
を１種または２種以上適宜組み合わせて用いることがで
きる。上述したように本発明に係る２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体は、物理的化学的に安定であり、
１種または２種以上のこの２，３−ジフロロ安息香酸エ
ステル誘導体と、他のキラルスメクチックＣ相またはス
メクチックＣ相を有する液晶化合物（組成物）とを混合
してなる液晶は、広い温度範囲でキラルスメクチックＣ
相を示す。

【００１３】また本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エ
ステル誘導体を、ホスト液晶に少量（例；液晶組成物に
０．５〜４０重量％程度）で添加することにより、粘度
の上昇を抑え、負の誘電異方性Δεを高め、印加電圧に
対して高速応答性を示し、応答速度とメモリー特性の閾
値が向上され、十分高いコントラスト比を有する液晶組
成物が得られる。

【００１４】さらに具体的に説明すると、上記一般式
（Ｉ）で表される化合物を、少量用いることにより十分
に粘度を保持したまま負の誘電異方性Δεをもつ組成物
を得ることができた。例えば、後述する実施例２にも示
されるように、実施例１で得られた化合物を僅か１０重
量％と、キラルスメクチックＣ相を示す母体液晶（「ホ
スト液晶」とも言う）９０重量％から成るキラルスメク
チックＣ液晶組成物では、２０℃における粘性は４５ｃ
Ｐ、誘電異方性Δεは−２．１を示した。また、一般式
（Ｉ）で表される２，３−ジフロロ安息香酸エステル誘
導体を添加しなかったキラルスメクチックＣ液晶組成物
（ホスト液晶のみ）では、２０℃における粘性は４５ｃ
Ｐであり、本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エステル
誘導体を含有する液晶組成物では、ホスト液晶のみから
なるものと比べて誘電異方性Δεが大きくなり、しかも
粘度の上昇を抑えていた。本発明の２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体は、従来の誘電異方性Δεを付与
する際の粘度の上昇を抑えることに著しく寄与したこと
がわかる。

【００１５】また、実施例３に示されるように、フェニ
ルピリミジン系液晶に化合物（II）を１０％添加した液
晶組成物に上記一般式（Ｉ）で表される２，３−ジフロ
ロ安息香酸エステル誘導体を少量添加することにより、
誘電異方性Δεは負に大きくなりかつ粘度は著しく低下
している。本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エステル
誘導体は、化合物（II）について誘電異方性Δεを負に
大きくし、粘度を低下させていた。

【００１６】さらに、本発明に係る２，３−ジフロロ安
息香酸エステル誘導体は、光学活性基を有してもよい
が、該誘導体の側鎖にキラル基を有していると、キラル
スメクチックＣ相、コレステリック相のＨＴＰ（ヘリカ
ルツイストパワー）や誘起自発分極の特性を調製するこ
とが可能となる。

【００１７】また、一般式（Ｉ）で表される２，３−ジ
フロロ安息香酸エステル誘導体は、単独で用いてもよ
く、２種以上組み合わせて（例；ラセミ体）用いてもよ
い。本発明では、この２，３−ジフロロ安息香酸エステ
ル誘導体を単独で用いるよりも、１種または２種以上の
該２，３−ジフロロ安息香酸エステル誘導体と、他の液
晶（ホスト液晶）などとを組み合わせてなる液晶組成物
として用いることがより好適である。

【００１８】このような液晶組成物としては、一般式
（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種と、必要に応
じて適当なキラルド−パント１種以上とを、キラルスメ
クチックＣ相（Ｓｃ^* ）−コレステリック相（Ｃｈ相）
−等方相（Ｉ相）またはキラルスメクチックＣ相（Ｓｃ
^* ）−スメクチックＡ相（Ｓ_A 相）−コレステリック相
（Ｃｈ相）−等方相（Ｉ相）などの相系列を示すキラル
液晶または液晶組成物に添加してなるものが挙げられ、
このような液晶組成物では、キラルスメクチックＣ相
（Ｓｃ^* ）−スメクチックＡ相（Ｓ_A 相）−コレステリ
ック相（Ｃｈ相）−等方相（Ｉ相）の相系列を示す。こ
のように、本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エステル
誘導体は、所望の相系列を誘起するための添加剤として
特に有用である。

【００１９】一般式（Ｉ）で表される化合物を、液晶組
成物中に０．５重量％から５０重量％程度、好ましく
は、５〜２０重量％未満となるような量で添加すれば、
誘電異方性Δεが負の高速応答が可能な強誘電性キラル
スメクチックＣ組成物を得ることができる。このように
一般式（Ｉ）で表される２，３−ジフロロ安息香酸エス
テル誘導体が、少量含まれた液晶組成物では、該２，３
−ジフロロ安息香酸エステル誘導体が含まれていない液
晶組成物に比べて、その液晶相、特にキラルスメクチッ
クＣ相の温度範囲が狭くなってしまうことがあまりな
い。

【００２０】本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エステ
ル誘導体が添加されるホスト液晶としては、特に制限さ
れないが、従来よりホスト液晶として知られている種々
の化合物（群）を使用できる。このようなホスト液晶と
しては、具体的には、例えば、下記の式で示すようなも
のが例示される。

【化７】 （式中、Ｒ₃ 及びＲ₄ は炭素数３〜１８のアルキル基ま
たはアルコキシ基を示す。）で表されるフェニルピリミ
ジン系液晶、

【化８】 （式中、Ｒ₅ 及びＲ₆ は炭素数３〜１８のアルキル基ま
たはアルコキシ基を示す。）のフェニルベンゾエート系
液晶。

【００２１】本発明に係る２，３−ジフロロ安息香酸エ
ステル誘導体は、これらのホスト液晶（式(VII) 、式(V
III)の内の１種または２種以上と）組合せて液晶組成物
として用いられると、負の誘電異方性Δε、高速応答
性、ホスト液晶のキラルスメクチックＣ相温度域の保持
特性が顕著に現れるため好ましい。

【００２２】以上説明したように、本発明の２，３−ジ
フロロ安息香酸エステル誘導体は各種液晶における負の
誘電異方性Δεの添加剤として効果的であり、該２，３
−ジフロロ安息香酸エステル誘導体を従来公知の液晶化
合物あるいは組成物と組み合わせて用いることにより、
強誘電性を示す温度領域が広く、大きな負の誘電異方性
Δεを有し、粘性、応答性に優れた液晶組成物が得られ
る。本発明の２，３−ジフロロ安息香酸エステル誘導体
の好ましい例としては、以下のようなものがある。

【００２３】

【化９】

【００２４】

【化１０】

【００２５】

【化１１】

【００２６】

【化１２】

【００２７】

【化１３】

【００２８】

【化１４】

【００２９】

【実施例】以下実施例により本発明の化合物についてさ
らに詳細に述べるが、本発明はこれらの実施例により限
定されるものではない。以下、記号Ｋ、Ｎ、Ｃｈ、Ｓ
_A 、Ｓｃ、Ｓｃ_* 、Ｉはそれぞれ、結晶、ネマチック
相、コレステリック相、スメクチックＡ相、スメクチッ
クＣ相、キラルスメクチックＣ相、等方性液晶を示し、
Ｓ_X はスメクチック相の高次構造を示す。本化合物の精
製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶
にて行った。以下に示す相転移点の測定は、物質の純度
により若干の影響を受けることもある。

【００３０】実施例１ 無水ジクロロメタン １０ｍｌに、２，３−ジフロロ−
４−オクチル安息香酸２２０ｍｇ、６−（５−ブチル−
２−ピリミジル）−２−ナフトール ２５８ｍｇ、ＤＣ
Ｃ ２１０ｍｇ、及びＤＭＡＰ少量を加えて、５時間室
温下で攪拌した。反応後、反応液を濾過して、減圧下濃
縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して下記の構造式に示す ２，３−ジフロロ−４−
オクチル安息香酸６−（５−ブチル−２−ピリミジル）
−２−ナフタレンエステル ３３７ｍｇを得た。

【００３１】

【化１５】 ＮＭＲδppm （ＣＤＣｌ₃ ） δ：０．９１（６Ｈ，ｔ） １．１〜２．１（１６Ｈ，ｍ） ２．６８（２Ｈ，ｔ） ２．７６（２Ｈ，ｔ） ７．１０（１Ｈ，ｔ） ７．４１（１Ｈ，ｄｄ） ７．７８（１Ｈ，ｄ） ７．８１（１Ｈ，ｔ） ７．９９（２Ｈ，ｔ） ８．５６（１Ｈ，ｄｄ） ８．６９（２Ｈ，ｓ） ９．００（１Ｈ，ｄ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６８５ｃｍ^-1 ＭＳ ｍ／ｅ ：５３０（Ｍ⁺ ）

【００３２】実施例２ （強誘電性液晶組成物の作製）実施例１で合成した式
（IX）で表される化合物（１０％）

【化１６】 を、下記に示すＳｃ^* 相を有するフェニルベンゾエート
系液晶（Ａ）に配合し

【化１７】 て、液晶組成物を作製した。この時の液晶組成物の相転
移温度は であり、室温でキラルスメクチックＣ相を示している。

【００３３】（誘電異方性の測定）得られた２，３−ジ
フロロ安息香酸エステル誘導体を含んだ液晶組成物を加
熱し、等方性液体とした後、ポリイミドを塗布し、ラビ
ング処理を施した透明電極付きホメオトロピック配向セ
ル（１．４ミクロン）及びホモジニアス配向セル（２８
ミクロン）に注入した。しかる後、セルを除冷し、Ｓｃ
^* 相のモノドメインを得、２５℃においてこの各々のセ
ルの誘電率から誘電異方性Δεを測定した。

【００３４】（自発分極、粘性及び応答速度の測定）得
られた２，３−ジフロロ安息香酸エステル誘導体を含ん
だ液晶組成物を加熱し、等方性液体とした後、ポリイミ
ドを塗布し、ラビング処理を施した透明電極付き薄型セ
ル（２．４ミクロン）に注入した。しかる後、セルを除
冷し、螺旋構造が消失している均一なＳｃ^* 相のモノド
メインを得、２５℃においてこのセルに４８Ｖｐｐ，５
０Ｈｚの三角波電圧を印加して自発分極を測定した。ま
た、同様にこのセルに２４Ｖｐｐ，５０Ｈｚの矩形波電
圧を印加して２５℃における応答速度、粘性を測定し
た。

【００３５】実施例１で得られた２，３−ジフロロ安息
香酸エステル誘導体を１０％液晶組成物に添加した時の
誘電異方性Δε、粘性及び応答速度の測定結果を表１に
示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】実施例３ （強誘電性液晶組成物の作製）化合物（II）を

【化１８】 下記に示すＳｃ^* 相を有するフェニルピリミジン系液晶
（Ｂ）

【化１９】 に配合したものに、実施例１で合成した式（IX）で表さ
れる化合物（１０％）

【化２０】 を添加し液晶組成物を作製した。これについて、誘電異
方性、自発分極、粘性及び応答速度の測定を行い、誘電
異方性と粘性の結果を表２に示す。測定方法は実施例２
と同様の方法で行った。

【００３８】

【表２】

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の２，３−
ジフロロ安息香酸エステル誘導体は新規な化合物であ
り、一般式（Ｉ）で表され、その化合物は、大きな誘電
異方性を有し、その結果、コントラストが良好な組成物
が得られた。また、均一配向性は良好であり、モノドメ
イン状態が確認され、メモリー性が得られた。また、中
には単独で液晶相を示すという特徴を有する化合物が得
られた。以上の事から非常に優れた強誘電性液晶材料を
提供することができた。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 239/26 Ｃ０７Ｄ 239/26 239/34 239/34 Ｃ０９Ｋ 19/32 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/32 19/34 9279−4Ｈ 19/34 19/46 9279−4Ｈ 19/46 // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式（Ｉ）中Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に炭素数１〜１８
   の鎖状アルキル基、炭素数３〜１８の鎖状アルケニル
   基、炭素数３〜１８の鎖状アルキニル基またはアルコキ
   シ部分の炭素数１〜３でアルキル部分の炭素数１〜１８
   の鎖状アルコキシアルキル基を示し、またはこれらは１
   つ以上のハロゲン原子で置換されたものであってもよ
   い；Ｒ₁ 及びＲ₂ には不斉炭素原子を含んでいてもよ
   い；ｎは０または１を示す；Ｇ₁ 及びＧ₂ は各々単結
   合、エーテル、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−及び−ＣＯ−で
   表される群から選ばれる基を示す；Ｘ及びＸ’は各々水
   素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜５のアル
   キル基、アルコキシ基またはトリハロアルキル基を示
   す。）で表される化合物。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液晶性化合物を少なくと
   も１種以上含有することを特徴とする液晶組成物。
3. 【請求項３】 請求項１記載の液晶性化合物を少なくと
   も１種以上と下記化合物（II） 【化２】 を含有する液晶組成物。
4. 【請求項４】 スメクチックＣ相またはキラルスメクチ
   ックＣ相を示す液晶化合物または組成物に、請求項１記
   載の液晶化合物を添加してなることを特徴とする強誘電
   性キラルスメクチック液晶組成物。