JPH09212846A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09212846A JPH09212846A JP8253480A JP25348096A JPH09212846A JP H09212846 A JPH09212846 A JP H09212846A JP 8253480 A JP8253480 A JP 8253480A JP 25348096 A JP25348096 A JP 25348096A JP H09212846 A JPH09212846 A JP H09212846A
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- magnetic layer
- layer
- magnetic
- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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- Y10T428/12458—All metal or with adjacent metals having composition, density, or hardness gradient
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高域のＣ／Ｎ特性に優れ、高密度記録に優れ
た磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体と磁性層とを具備する磁気記録媒
体であって、前記磁性層は前記支持体の上に設けられ、
前記磁性層はＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性層であり、前記Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性層の深さ方向におけるＮ濃度分布は、前
記磁性層の中層部に最大値Ｎ1 が有り、前記最大値Ｎ1
が２０〜５０ａｔ．％であり、前記最大値Ｎ1 の半分以
上の濃度を示す領域が、深さ方向において、１００〜５
００Åの長さにわたる磁気記録媒体。
た磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体と磁性層とを具備する磁気記録媒
体であって、前記磁性層は前記支持体の上に設けられ、
前記磁性層はＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性層であり、前記Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性層の深さ方向におけるＮ濃度分布は、前
記磁性層の中層部に最大値Ｎ1 が有り、前記最大値Ｎ1
が２０〜５０ａｔ．％であり、前記最大値Ｎ1 の半分以
上の濃度を示す領域が、深さ方向において、１００〜５
００Åの長さにわたる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性層を有する磁気記録媒体に関する。
性層を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁性層を蒸着やスパッ
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性層を構成する材料として、例えばＣｏ−Ｎ
ｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が用いられている。しか
し、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等は価格が高い。この為、Ｆｅが
注目された。
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性層を構成する材料として、例えばＣｏ−Ｎ
ｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が用いられている。しか
し、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等は価格が高い。この為、Ｆｅが
注目された。
【０００３】例えば、特開昭６１−５４０２３号公報に
は、Ｆｅ1-X-Y ＮX ＯY （但し、０．２５≦Ｘ＋Ｙ＜
０．６０，Ｘ＞Ｙ）からなる磁性層を有する磁気記録媒
体が示されている。又、特開平６−１１２０４３号公報
には、Ｆｅ＝７０〜９０原子％，Ｎ＝５〜１５原子％，
Ｏ＝５〜１５原子％のＦｅ−Ｎ−Ｏ磁性層を有する磁気
記録媒体が示されている。例えば、Ｆｅ＝８０原子％，
Ｎ＝５原子％，Ｏ＝１５原子％のＦｅ−Ｎ−Ｏ磁性層を
有する磁気記録媒体が示されている。
は、Ｆｅ1-X-Y ＮX ＯY （但し、０．２５≦Ｘ＋Ｙ＜
０．６０，Ｘ＞Ｙ）からなる磁性層を有する磁気記録媒
体が示されている。又、特開平６−１１２０４３号公報
には、Ｆｅ＝７０〜９０原子％，Ｎ＝５〜１５原子％，
Ｏ＝５〜１５原子％のＦｅ−Ｎ−Ｏ磁性層を有する磁気
記録媒体が示されている。例えば、Ｆｅ＝８０原子％，
Ｎ＝５原子％，Ｏ＝１５原子％のＦｅ−Ｎ−Ｏ磁性層を
有する磁気記録媒体が示されている。
【０００４】しかし、これらの磁気記録媒体は記録・再
生特性が良くない。従って、本発明が解決しようとする
課題は、高域のＣ／Ｎ特性に優れ、高密度記録に優れた
磁気記録媒体を提供することである。
生特性が良くない。従って、本発明が解決しようとする
課題は、高域のＣ／Ｎ特性に優れ、高密度記録に優れた
磁気記録媒体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体と磁性層とを具備する磁気記録媒体であって、前記
磁性層は前記支持体の上に設けられ、前記磁性層はＦｅ
−Ｎ−Ｏ系の磁性層であり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層
の深さ方向におけるＮ濃度分布は、前記磁性層の中層部
に最大値Ｎ1 が有り、前記最大値Ｎ1 が２０〜５０ａ
ｔ．％であり、前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す
領域が、深さ方向において、１００〜５００Åの長さに
わたることを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
持体と磁性層とを具備する磁気記録媒体であって、前記
磁性層は前記支持体の上に設けられ、前記磁性層はＦｅ
−Ｎ−Ｏ系の磁性層であり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層
の深さ方向におけるＮ濃度分布は、前記磁性層の中層部
に最大値Ｎ1 が有り、前記最大値Ｎ1 が２０〜５０ａ
ｔ．％であり、前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す
領域が、深さ方向において、１００〜５００Åの長さに
わたることを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
【０００６】特に、前記磁性層の表面から５００〜２０
００Å（特に、６００〜１５００Å）の深さの位置に、
前記最大値Ｎ1 がある磁気記録媒体によって達成され
る。或いは、前記磁性層の厚さの１／３の深さの位置か
ら前記磁性層の厚さの２／３の深さの位置に、前記最大
値Ｎ1 がある磁気記録媒体によって達成される。更に
は、前記磁性層の表面から５００〜２０００Å（特に、
６００〜１５００Å）の深さの位置であって、かつ、前
記磁性層の厚さの１／３の深さの位置から前記磁性層の
厚さの２／３の深さの位置に、前記最大値Ｎ1 がある磁
気記録媒体によって達成される。
００Å（特に、６００〜１５００Å）の深さの位置に、
前記最大値Ｎ1 がある磁気記録媒体によって達成され
る。或いは、前記磁性層の厚さの１／３の深さの位置か
ら前記磁性層の厚さの２／３の深さの位置に、前記最大
値Ｎ1 がある磁気記録媒体によって達成される。更に
は、前記磁性層の表面から５００〜２０００Å（特に、
６００〜１５００Å）の深さの位置であって、かつ、前
記磁性層の厚さの１／３の深さの位置から前記磁性層の
厚さの２／３の深さの位置に、前記最大値Ｎ1 がある磁
気記録媒体によって達成される。
【０００７】すなわち、上記の構成とすることによっ
て、厚み損失が少なく、高域におけるＣ／Ｎが向上す
る。前記最大値Ｎ1 は２３〜４８ａｔ．％であるのが好
ましい。又、前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領
域が、深さ方向において、２００〜４５０Åの長さにわ
たるのが好ましい。
て、厚み損失が少なく、高域におけるＣ／Ｎが向上す
る。前記最大値Ｎ1 は２３〜４８ａｔ．％であるのが好
ましい。又、前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領
域が、深さ方向において、２００〜４５０Åの長さにわ
たるのが好ましい。
【０００８】又、前記最大値Ｎ1 の位置ではＦｅ濃度が
低いものが好ましい。そして、前記Ｎ濃度分布は、前記
磁性層の上層部や下層部では２０ａｔ．％未満、特に
０．１ａｔ．％以上、２０ａｔ．％未満であるものが好
ましい。又、前記磁性層は、Ｆｅが４５〜９０ａｔ．％
（特に、６０〜８０ａｔ．％）、Ｎが５〜５０ａｔ．％
（特に、１０〜３０ａｔ．％）、Ｏが５〜４０ａｔ．％
（特に、１０〜２０ａｔ．％）の組成からなるのが好ま
しい。
低いものが好ましい。そして、前記Ｎ濃度分布は、前記
磁性層の上層部や下層部では２０ａｔ．％未満、特に
０．１ａｔ．％以上、２０ａｔ．％未満であるものが好
ましい。又、前記磁性層は、Ｆｅが４５〜９０ａｔ．％
（特に、６０〜８０ａｔ．％）、Ｎが５〜５０ａｔ．％
（特に、１０〜３０ａｔ．％）、Ｏが５〜４０ａｔ．％
（特に、１０〜２０ａｔ．％）の組成からなるのが好ま
しい。
【０００９】又、前記磁性層は、厚さが８００〜５００
０Å（特に、１０００〜３０００Å）であるものが好ま
しい。
０Å（特に、１０００〜３０００Å）であるものが好ま
しい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体（磁気テー
プ）Ａは、図１に示す如く、支持体１と磁性層２とを有
する。特に、磁気テープＡは、支持体１と磁性層２と保
護層３と潤滑剤の層４とを有する。磁性層２は支持体１
の上に設けられている。磁性層２の厚さは８００〜５０
００Å、特に１０００〜３０００Åである。保護層３は
磁性層２の上に設けられている。保護層３の厚さは５０
〜２００Åである。潤滑剤の層４は保護層３の上に設け
られている。潤滑剤の層４の厚さは５〜７０Åである。
プ）Ａは、図１に示す如く、支持体１と磁性層２とを有
する。特に、磁気テープＡは、支持体１と磁性層２と保
護層３と潤滑剤の層４とを有する。磁性層２は支持体１
の上に設けられている。磁性層２の厚さは８００〜５０
００Å、特に１０００〜３０００Åである。保護層３は
磁性層２の上に設けられている。保護層３の厚さは５０
〜２００Åである。潤滑剤の層４は保護層３の上に設け
られている。潤滑剤の層４の厚さは５〜７０Åである。
【００１１】支持体１は、磁性あるいは非磁性いずれの
ものでも良い。一般的には、非磁性のものである。支持
体１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフ
ィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹
脂等の有機材料が用いられる。尚、支持体１の表面に
は、磁性層との密着性を向上させる為のアンダーコート
層が適宜設けられる。
ものでも良い。一般的には、非磁性のものである。支持
体１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフ
ィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹
脂等の有機材料が用いられる。尚、支持体１の表面に
は、磁性層との密着性を向上させる為のアンダーコート
層が適宜設けられる。
【００１２】磁性層２はＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性層であ
る。磁性層２中のＦｅ含有量は４５〜９０ａｔ．％（特
に、６０〜８０ａｔ．％）、Ｎ含有量は５〜５０ａｔ．
％（特に、１０〜３０ａｔ．％）、Ｏ含有量は５〜４０
ａｔ．％（特に、１０〜２０ａｔ．％）である。磁性層
２の深さ方向におけるＮ濃度分布は、磁性層２の中層部
に最大値Ｎ1 を持つ。この最大値Ｎ1 は２０〜５０ａ
ｔ．％、特に２３〜４８ａｔ．％である。
る。磁性層２中のＦｅ含有量は４５〜９０ａｔ．％（特
に、６０〜８０ａｔ．％）、Ｎ含有量は５〜５０ａｔ．
％（特に、１０〜３０ａｔ．％）、Ｏ含有量は５〜４０
ａｔ．％（特に、１０〜２０ａｔ．％）である。磁性層
２の深さ方向におけるＮ濃度分布は、磁性層２の中層部
に最大値Ｎ1 を持つ。この最大値Ｎ1 は２０〜５０ａ
ｔ．％、特に２３〜４８ａｔ．％である。
【００１３】最大値Ｎ1 がある中層部とは、磁性層２の
表面から５００〜２０００Å（特に、６００〜１５００
Å）の深さの位置である。あるいは、磁性層２の厚さを
Ｌとすると、（１／３）Ｌ〜（２／３）Ｌの深さの位置
である。特に、磁性層２の表面から５００〜２０００Å
（特に、６００〜１５００Å）の深さの位置であって、
かつ、（１／３）Ｌ〜（２／３）Ｌの深さの位置であ
る。
表面から５００〜２０００Å（特に、６００〜１５００
Å）の深さの位置である。あるいは、磁性層２の厚さを
Ｌとすると、（１／３）Ｌ〜（２／３）Ｌの深さの位置
である。特に、磁性層２の表面から５００〜２０００Å
（特に、６００〜１５００Å）の深さの位置であって、
かつ、（１／３）Ｌ〜（２／３）Ｌの深さの位置であ
る。
【００１４】前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領
域（半値幅）は、深さ方向において、１００〜５００Å
（特に、２００〜４５０Å）の長さにわたる。Ｎ濃度分
布は、磁性層２の上層部（中層部より上の部分）や下層
部（中層部より下の部分）では２０ａｔ．％未満、特に
０．１ａｔ．％以上、２０ａｔ．％未満である。
域（半値幅）は、深さ方向において、１００〜５００Å
（特に、２００〜４５０Å）の長さにわたる。Ｎ濃度分
布は、磁性層２の上層部（中層部より上の部分）や下層
部（中層部より下の部分）では２０ａｔ．％未満、特に
０．１ａｔ．％以上、２０ａｔ．％未満である。
【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性層を形成して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ層
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ層に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ層に衝
突させる衝突範囲や衝突量を制御することによって得ら
れる。
ンアシスト法により磁性層を形成して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ層
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ層に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ層に衝
突させる衝突範囲や衝突量を制御することによって得ら
れる。
【００１６】例えば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸
着初期、蒸着中期、堆積が終了し終わる蒸着終期に分け
て考えると、主に、蒸着中期の地点向けて、窒素イオン
あるいは窒素活性種を供給する。これにより、磁性層の
中層部でＮ濃度が高く、上層部と下層部ではＮ濃度が低
い本発明のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層が得られる。図２，３
に、本発明で用いるイオンアシスト斜め蒸着装置を示
す。
着初期、蒸着中期、堆積が終了し終わる蒸着終期に分け
て考えると、主に、蒸着中期の地点向けて、窒素イオン
あるいは窒素活性種を供給する。これにより、磁性層の
中層部でＮ濃度が高く、上層部と下層部ではＮ濃度が低
い本発明のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層が得られる。図２，３
に、本発明で用いるイオンアシスト斜め蒸着装置を示
す。
【００１７】図２，３中、１１は支持体１が案内される
冷却キャンロールである。１２は遮蔽板である。１３は
ＭｇＯ製のルツボである。１４は純度が９９．９５ｗｔ
％のＦｅである。１５は電子銃である。１６，１６ａ，
１６ｂはカウフマン型のイオンガンである。１７は酸素
ガスを供給するノズルである。１８は真空槽である。先
ず、真空槽１８内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度に
排気する。次に、電子銃１５によりＦｅ１４を蒸発させ
る。これにより、支持体１上にＦｅ金属粒子を蒸着させ
る。斜め蒸着の際の入射角は３０°〜８０°（特に、４
５°〜７０°）である。この蒸着に際して、蒸着面に向
けて窒素イオンをイオンガン１６，１６ａ，１６ｂで照
射する。但し、イオンガン１６，１６ａ，１６ｂにマス
ク（絞り）を設け、窒素イオンをＦｅの蒸着中期の地点
に向けて供給する。又、ノズル１７で酸素ガスを照射す
る。これにより、磁性層を本発明の条件を満たすＦｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性層にする。窒素イオンや酸素ガスの導入量
は、磁性層が本発明の条件を満たすように設定する。す
なわち、イオンガンによる窒素イオンの目標照射位置や
供給量を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト
斜め蒸着に準じて行わせる。尚、窒素イオンの代わりに
活性な窒素を照射しても良い。又、酸素ガスの代わりに
酸素イオンを照射しても良い。
冷却キャンロールである。１２は遮蔽板である。１３は
ＭｇＯ製のルツボである。１４は純度が９９．９５ｗｔ
％のＦｅである。１５は電子銃である。１６，１６ａ，
１６ｂはカウフマン型のイオンガンである。１７は酸素
ガスを供給するノズルである。１８は真空槽である。先
ず、真空槽１８内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度に
排気する。次に、電子銃１５によりＦｅ１４を蒸発させ
る。これにより、支持体１上にＦｅ金属粒子を蒸着させ
る。斜め蒸着の際の入射角は３０°〜８０°（特に、４
５°〜７０°）である。この蒸着に際して、蒸着面に向
けて窒素イオンをイオンガン１６，１６ａ，１６ｂで照
射する。但し、イオンガン１６，１６ａ，１６ｂにマス
ク（絞り）を設け、窒素イオンをＦｅの蒸着中期の地点
に向けて供給する。又、ノズル１７で酸素ガスを照射す
る。これにより、磁性層を本発明の条件を満たすＦｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性層にする。窒素イオンや酸素ガスの導入量
は、磁性層が本発明の条件を満たすように設定する。す
なわち、イオンガンによる窒素イオンの目標照射位置や
供給量を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト
斜め蒸着に準じて行わせる。尚、窒素イオンの代わりに
活性な窒素を照射しても良い。又、酸素ガスの代わりに
酸素イオンを照射しても良い。
【００１８】Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層２は一層であって
も、二層以上のものでも良い。Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層２
が二層以上ある場合には、上層側にあるＦｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性層２の組成が上記要件を満たしておれば良い。又、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層２以外にＣｏ系磁性層やＣｏ−Ｎ
ｉ系磁性層が設けられていても良い。保護層３は酸化
物、窒化物、あるいは炭化物などからなる。例えば、ガ
ラス状カーボンやダイヤモンドライクカーボン等のカー
ボン、炭化ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げら
れる。特に、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護
層が好ましい。
も、二層以上のものでも良い。Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層２
が二層以上ある場合には、上層側にあるＦｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性層２の組成が上記要件を満たしておれば良い。又、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層２以外にＣｏ系磁性層やＣｏ−Ｎ
ｉ系磁性層が設けられていても良い。保護層３は酸化
物、窒化物、あるいは炭化物などからなる。例えば、ガ
ラス状カーボンやダイヤモンドライクカーボン等のカー
ボン、炭化ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げら
れる。特に、ダイヤモンドライクカーボンからなる保護
層が好ましい。
【００１９】潤滑剤としては各種のものを用いることが
出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-O)p -
（但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC
-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)
n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポ
リエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2
OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-
(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等の
アルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ素系
の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント社の
ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ Ｄ
ＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-O)p -
（但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC
-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)
n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポ
リエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2
OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-
(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等の
アルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ素系
の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント社の
ＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ Ｄ
ＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
【００２０】５は、支持体１の他面に設けられたカーボ
ンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度の
バックコート層である。尚、バックコート層５は、Ａｌ
−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであって
も良い。
ンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度の
バックコート層である。尚、バックコート層５は、Ａｌ
−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであって
も良い。
【００２１】
【実施例１】図２に示す装置を用いた。イオンガン１６
は、口径を３ｃｍにマスクしたものである。そして、イ
オンアシスト斜め蒸着装置に１０μｍ厚のＰＥＴフィル
ム１を装着した。このＰＥＴフィルム１を冷却キャンロ
ール１１に沿って２ｍ／分の速度で走行させた。真空槽
１８内を８．８×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した。
この後、出力３０ｋＷの電子銃１５の電子ビーム加熱に
よりルツボ１３内のＦｅ１４を溶融、蒸発させた。そし
て、ＰＥＴフィルム１上に磁性層を形成した。この磁性
層に向けて出力４００Ｗのイオンガン１６で窒素イオン
を照射した。イオンガン１６への窒素ガス供給量は２０
ｓｃｃｍである。又、磁性層に向けてノズル１７で酸素
ガスを照射した。ノズル１７からの酸素ガスの供給量は
５ｓｃｃｍである。これにより、ＰＥＴフィルム１上に
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性層２を設けた。
は、口径を３ｃｍにマスクしたものである。そして、イ
オンアシスト斜め蒸着装置に１０μｍ厚のＰＥＴフィル
ム１を装着した。このＰＥＴフィルム１を冷却キャンロ
ール１１に沿って２ｍ／分の速度で走行させた。真空槽
１８内を８．８×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した。
この後、出力３０ｋＷの電子銃１５の電子ビーム加熱に
よりルツボ１３内のＦｅ１４を溶融、蒸発させた。そし
て、ＰＥＴフィルム１上に磁性層を形成した。この磁性
層に向けて出力４００Ｗのイオンガン１６で窒素イオン
を照射した。イオンガン１６への窒素ガス供給量は２０
ｓｃｃｍである。又、磁性層に向けてノズル１７で酸素
ガスを照射した。ノズル１７からの酸素ガスの供給量は
５ｓｃｃｍである。これにより、ＰＥＴフィルム１上に
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性層２を設けた。
【００２２】磁性層の厚さは、触針式段差計（ランクテ
ーラーホブソン社製のタリステップ）によれば、１９８
０Åである。この後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によっ
て、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性層２上にダイヤモンドライ
クカーボン層３を設けた。次いで、パーフルオロポリエ
ーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名ＦＯＭＢＬＩＮ
ＡＭ２００１）を塗布し、潤滑剤の層４を設けた。
ーラーホブソン社製のタリステップ）によれば、１９８
０Åである。この後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によっ
て、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性層２上にダイヤモンドライ
クカーボン層３を設けた。次いで、パーフルオロポリエ
ーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名ＦＯＭＢＬＩＮ
ＡＭ２００１）を塗布し、潤滑剤の層４を設けた。
【００２３】又、ＰＥＴフィルム１の反対側の面にＡｌ
蒸着層（バックコート層）５を０．２μｍ厚さ設けた。
この後、８ｍｍ幅に裁断した。そして、カセットに装填
した。この磁気テープをオージェ電子分光分析装置（Ｖ
ＧＳｃｉｅｎｃｅ製のＭｉｃｒｏ ＬＡＢ）により調べ
た。測定条件は次の通りである。
蒸着層（バックコート層）５を０．２μｍ厚さ設けた。
この後、８ｍｍ幅に裁断した。そして、カセットに装填
した。この磁気テープをオージェ電子分光分析装置（Ｖ
ＧＳｃｉｅｎｃｅ製のＭｉｃｒｏ ＬＡＢ）により調べ
た。測定条件は次の通りである。
【００２４】電子銃；加速電圧１０ｋＶ，エミッション
電流１０ｎＡ，倍率２０００倍， エッチング条件；エッチングガスはアルゴン，加速電圧
３ｋＶ，イオン電流３００ｎＡ，３０秒間毎にエッチン
グ このオージェ電子分光分析によるプロファイルを図４に
示す。このプロファイルは、縦軸にＦｅ量（原子％）、
Ｎ量（原子％）、Ｏ量（原子％）、及びＣ量（原子％）
（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、横軸にエ
ッチング時間（表面からの深さ）をとったグラフであ
る。
電流１０ｎＡ，倍率２０００倍， エッチング条件；エッチングガスはアルゴン，加速電圧
３ｋＶ，イオン電流３００ｎＡ，３０秒間毎にエッチン
グ このオージェ電子分光分析によるプロファイルを図４に
示す。このプロファイルは、縦軸にＦｅ量（原子％）、
Ｎ量（原子％）、Ｏ量（原子％）、及びＣ量（原子％）
（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、横軸にエ
ッチング時間（表面からの深さ）をとったグラフであ
る。
【００２５】図４のオージェプロファイルは、磁性層２
の上に保護層（ダイヤモンドライクカーボン層）３や潤
滑剤層４が設けられた場合のものである。従って、図４
のオージェプロファイルでは、スパッタ開始時にはＣの
みであって、ＦｅやＮが殆ど検出されない。スパッタが
進むにつれてＦｅやＮが検出されて行く。この為、磁性
層２の表面がどこからかの決定は困難である。本実施例
では、オージェプロファイルにおけるＣ（保護層の主成
分）濃度が５０％のポイントを、磁性層２と保護層３と
の界面と考えた。又、オージェプロファイルにおけるＣ
（支持体の主成分）濃度が５０％のポイントを、磁性層
２と支持体１との界面と考えた。
の上に保護層（ダイヤモンドライクカーボン層）３や潤
滑剤層４が設けられた場合のものである。従って、図４
のオージェプロファイルでは、スパッタ開始時にはＣの
みであって、ＦｅやＮが殆ど検出されない。スパッタが
進むにつれてＦｅやＮが検出されて行く。この為、磁性
層２の表面がどこからかの決定は困難である。本実施例
では、オージェプロファイルにおけるＣ（保護層の主成
分）濃度が５０％のポイントを、磁性層２と保護層３と
の界面と考えた。又、オージェプロファイルにおけるＣ
（支持体の主成分）濃度が５０％のポイントを、磁性層
２と支持体１との界面と考えた。
【００２６】そして、磁性層の中層部において、Ｎ量に
山が一つ認められる。すなわち、磁性層の表面から５０
０〜１５００Å（特に、約１１００Å）の位置に、Ｎ濃
度分布の最大値Ｎ1 （４０ａｔ．％）がある。前記山の
半値幅（Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領域）は３４０Å
である。磁性層の上層部のＮ量は１４〜１８ａｔ．％で
ある。磁性層の下層部のＮ量は１１〜１８ａｔ．％であ
る。
山が一つ認められる。すなわち、磁性層の表面から５０
０〜１５００Å（特に、約１１００Å）の位置に、Ｎ濃
度分布の最大値Ｎ1 （４０ａｔ．％）がある。前記山の
半値幅（Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領域）は３４０Å
である。磁性層の上層部のＮ量は１４〜１８ａｔ．％で
ある。磁性層の下層部のＮ量は１１〜１８ａｔ．％であ
る。
【００２７】前記Ｎ1 の位置では、Ｆｅ量が低下してい
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は６９ａｔ．％、Ｎ量は
２１ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は６９ａｔ．％、Ｎ量は
２１ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
【００２８】
【実施例２】図３の装置を用いた。イオンガン１６ａ，
１６ｂは、口径を３ｃｍにマスクしたものである。そし
て、イオンガン１６ａ，１６ｂへの窒素ガス供給量は、
各々、２０ｓｃｃｍである。ノズル１７からの酸素ガス
の供給量は５ｓｃｃｍである。そして、実施例１に準じ
て行った。
１６ｂは、口径を３ｃｍにマスクしたものである。そし
て、イオンガン１６ａ，１６ｂへの窒素ガス供給量は、
各々、２０ｓｃｃｍである。ノズル１７からの酸素ガス
の供給量は５ｓｃｃｍである。そして、実施例１に準じ
て行った。
【００２９】磁性層の厚さは１８００Åである。この磁
気テープを、実施例１と同様に、前記Ｍｉｃｒｏ ＬＡ
Ｂで調べた。このオージェ電子分光分析によるプロファ
イルを図５に示す。図５によれば、磁性層の中層部にお
いて、Ｎ量に山が一つ認められる。すなわち、磁性層の
表面から５００〜１５００Å（特に、約７１０Å）の位
置に、Ｎ濃度分布の最大値Ｎ1 （４５ａｔ．％）があ
る。山の半値幅は２１０Åである。磁性層の上層部のＮ
量は１０〜１８ａｔ．％である。磁性層の下層部のＮ量
は１６〜１８ａｔ．％である。
気テープを、実施例１と同様に、前記Ｍｉｃｒｏ ＬＡ
Ｂで調べた。このオージェ電子分光分析によるプロファ
イルを図５に示す。図５によれば、磁性層の中層部にお
いて、Ｎ量に山が一つ認められる。すなわち、磁性層の
表面から５００〜１５００Å（特に、約７１０Å）の位
置に、Ｎ濃度分布の最大値Ｎ1 （４５ａｔ．％）があ
る。山の半値幅は２１０Åである。磁性層の上層部のＮ
量は１０〜１８ａｔ．％である。磁性層の下層部のＮ量
は１６〜１８ａｔ．％である。
【００３０】前記Ｎ1 の位置では、Ｆｅ量が低下してい
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は７０ａｔ．％、Ｎ量は
１９ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％である。
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は７０ａｔ．％、Ｎ量は
１９ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％である。
【００３１】
【実施例３】実施例１において、イオンガン１６への窒
素ガス供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準
じて行った。磁性層の厚さは１７４０Åである。この磁
気テープを、実施例１と同様に、前記Ｍｉｃｒｏ ＬＡ
Ｂで調べた。
素ガス供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準
じて行った。磁性層の厚さは１７４０Åである。この磁
気テープを、実施例１と同様に、前記Ｍｉｃｒｏ ＬＡ
Ｂで調べた。
【００３２】このオージェ電子分光分析によるプロファ
イルを図６に示す。図６によれば、磁性層の中層部にお
いて、Ｎ量に山が一つ認められる。すなわち、磁性層の
表面から５００〜１５００Å（特に、約１１００Å）の
位置に、Ｎ濃度分布の最大値Ｎ1 （３１ａｔ．％）があ
る。山の半値幅は４３０Åである。磁性層の上層部のＮ
量は１０〜１５ａｔ．％である。磁性層の下層部のＮ量
は１４〜１５ａｔ．％である。
イルを図６に示す。図６によれば、磁性層の中層部にお
いて、Ｎ量に山が一つ認められる。すなわち、磁性層の
表面から５００〜１５００Å（特に、約１１００Å）の
位置に、Ｎ濃度分布の最大値Ｎ1 （３１ａｔ．％）があ
る。山の半値幅は４３０Åである。磁性層の上層部のＮ
量は１０〜１５ａｔ．％である。磁性層の下層部のＮ量
は１４〜１５ａｔ．％である。
【００３３】前記Ｎ1 の位置では、Ｆｅ量が低下してい
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は７３ａｔ．％、Ｎ量は
１７ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
る。磁性層の上層部と下層部では、Ｏ量に山が認められ
る。磁性層全体におけるＦｅ量は７３ａｔ．％、Ｎ量は
１７ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
【００３４】
【比較例１】図７に示す装置を用いた。イオンガン１６
ｃの口径は１５ｃｍである。ＰＥＴフィルム１の走行速
度は０．５ｍ／分である。イオンガン１６ｃへの窒素ガ
ス供給量は２０ｓｃｃｍである。ノズル１７からの酸素
ガスの供給量は５ｓｃｃｍである。そして、実施例１に
準じて行った。
ｃの口径は１５ｃｍである。ＰＥＴフィルム１の走行速
度は０．５ｍ／分である。イオンガン１６ｃへの窒素ガ
ス供給量は２０ｓｃｃｍである。ノズル１７からの酸素
ガスの供給量は５ｓｃｃｍである。そして、実施例１に
準じて行った。
【００３５】この磁気テープを、実施例１と同様に、前
記Ｍｉｃｒｏ ＬＡＢで調べた。このオージェ電子分光
分析によるプロファイルを図８に示す。この図８によれ
ば、磁性層の中層部において、Ｎ量に山は認められな
い。すなわち、磁性層の全般にわたってＮ量は均一であ
る。磁性層のＦｅ量は６５ａｔ．％、Ｎ量は１７ａｔ．
％、Ｏ量は１８ａｔ．％である。
記Ｍｉｃｒｏ ＬＡＢで調べた。このオージェ電子分光
分析によるプロファイルを図８に示す。この図８によれ
ば、磁性層の中層部において、Ｎ量に山は認められな
い。すなわち、磁性層の全般にわたってＮ量は均一であ
る。磁性層のＦｅ量は６５ａｔ．％、Ｎ量は１７ａｔ．
％、Ｏ量は１８ａｔ．％である。
【００３６】
【特性】上記各例の磁気テープについて、Ｃ／Ｎを調べ
たので、その結果を表−１に示す。 表−１ 低域（λ＝22.0μm)でのＣ／Ｎ 高域（λ＝0.49μm)でのＣ／Ｎ 実施例１ ０．１ｄＢ １．８ｄＢ 実施例２ −０．１ｄＢ １．１ｄＢ 実施例３ ０．０ｄＢ ０．９ｄＢ 比較例１ ０．０ｄＢ ０．０ｄＢ ＊Ｃ／Ｎ特性は、市販の８ｍｍＶＴＲを改造した装置に
発振器からの信号を入力し、記録ヘッドからテープに記
録し、次に記録信号を再生し、スペクトラムアナライザ
を用いて周波数解析を行い、記録周波数ｆの出力ｆout
と（ｆ−１）ＭＨｚのノイズレベルＮ0 との比〔ｆout
−Ｎ0 〕をＣ／Ｎとした。尚、比較例１を基準（０ｄ
Ｂ）として表示した。 これによれば、本発明になるものは、高域のＣ／Ｎ特性
に優れ、高密度記録に優れたものであることが判る。
たので、その結果を表−１に示す。 表−１ 低域（λ＝22.0μm)でのＣ／Ｎ 高域（λ＝0.49μm)でのＣ／Ｎ 実施例１ ０．１ｄＢ １．８ｄＢ 実施例２ −０．１ｄＢ １．１ｄＢ 実施例３ ０．０ｄＢ ０．９ｄＢ 比較例１ ０．０ｄＢ ０．０ｄＢ ＊Ｃ／Ｎ特性は、市販の８ｍｍＶＴＲを改造した装置に
発振器からの信号を入力し、記録ヘッドからテープに記
録し、次に記録信号を再生し、スペクトラムアナライザ
を用いて周波数解析を行い、記録周波数ｆの出力ｆout
と（ｆ−１）ＭＨｚのノイズレベルＮ0 との比〔ｆout
−Ｎ0 〕をＣ／Ｎとした。尚、比較例１を基準（０ｄ
Ｂ）として表示した。 これによれば、本発明になるものは、高域のＣ／Ｎ特性
に優れ、高密度記録に優れたものであることが判る。
【００３７】
【発明の効果】高域のＣ／Ｎ特性に優れ、高密度記録に
優れたものである。
優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体の断面図
【図２】磁気記録媒体の製造装置の概略図
【図３】磁気記録媒体の製造装置の概略図
【図４】実施例１の磁性層のオージェプロファイル
【図５】実施例２の磁性層のオージェプロファイル
【図６】実施例３の磁性層のオージェプロファイル
【図７】比較例の磁気記録媒体の製造装置の概略図
【図８】比較例１の磁性層のオージェプロファイル
１ 支持体 ２ 磁性層 ３ 保護層 ４ 潤滑剤の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 克己 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 支持体と磁性層とを具備する磁気記録媒
体であって、 前記磁性層は前記支持体の上に設けられ、 前記磁性層はＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性層であり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性層の深さ方向におけるＮ濃度分
布は、前記磁性層の中層部に最大値Ｎ1 が有り、 前記最大値Ｎ1 が２０〜５０ａｔ．％であり、 前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す領域が、深さ方
向において、１００〜５００Åの長さにわたることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記最大値Ｎ1 の半分以上の濃度を示す
領域が、深さ方向において、２００〜４５０Åの長さに
わたることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記最大値Ｎ1 は、前記磁性層の表面か
ら５００〜２０００Åの深さの位置にあることを特徴と
する請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記最大値Ｎ1 は、前記磁性層の厚さの
１／３の深さの位置から前記磁性層の厚さの２／３の深
さの位置にあることを特徴とする請求項１〜請求項３い
ずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記Ｎ濃度分布は、前記磁性層の上層部
では２０ａｔ．％未満、前記磁性層の下層部では２０ａ
ｔ．％未満であることを特徴とする請求項１〜請求項４
いずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記最大値Ｎ1 の位置ではＦｅ濃度が低
いことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの磁気
記録媒体。 - 【請求項７】 前記磁性層は、厚さが８００〜５０００
Åであることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれか
の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記磁性層は、Ｆｅが４５〜９０ａｔ．
％、Ｎが５〜５０ａｔ．％、Ｏが５〜４０ａｔ．％の組
成からなることを特徴とする請求項１〜請求項７いずれ
かの磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253480A JPH09212846A (ja) | 1995-11-30 | 1996-09-25 | 磁気記録媒体 |
| US08/754,165 US5817429A (en) | 1995-11-30 | 1996-11-22 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-313165 | 1995-11-30 | ||
| JP31316595 | 1995-11-30 | ||
| JP8253480A JPH09212846A (ja) | 1995-11-30 | 1996-09-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09212846A true JPH09212846A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=26541226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8253480A Pending JPH09212846A (ja) | 1995-11-30 | 1996-09-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5817429A (ja) |
| JP (1) | JPH09212846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106339A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Shincron:Kk | 成膜方法及び成膜装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3772458B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2006-05-10 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0654533B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1994-07-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5538802A (en) * | 1992-09-18 | 1996-07-23 | Kao Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP8253480A patent/JPH09212846A/ja active Pending
- 1996-11-22 US US08/754,165 patent/US5817429A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106339A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Shincron:Kk | 成膜方法及び成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5817429A (en) | 1998-10-06 |
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