JPH1041177A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH1041177A JPH1041177A JP19435196A JP19435196A JPH1041177A JP H1041177 A JPH1041177 A JP H1041177A JP 19435196 A JP19435196 A JP 19435196A JP 19435196 A JP19435196 A JP 19435196A JP H1041177 A JPH1041177 A JP H1041177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- magnetic
- electron beam
- recording medium
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持体の厚さが薄い場合においても均一な磁
性膜が得られ、そして成膜に際して支持体の走行性の低
下や、支持体の熱による損傷を抑制できる磁気記録媒体
の製造方法を提供することである。 【解決手段】 磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発
した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させることによ
り磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、前記電子ビーム
の照射方向と前記支持体の走行方向とは逆方向であり、
かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
磁気記録媒体の製造方法。
性膜が得られ、そして成膜に際して支持体の走行性の低
下や、支持体の熱による損傷を抑制できる磁気記録媒体
の製造方法を提供することである。 【解決手段】 磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発
した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させることによ
り磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、前記電子ビーム
の照射方向と前記支持体の走行方向とは逆方向であり、
かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、斜め蒸着により磁
性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を斜め蒸着によ
り形成する金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方法は、広
く知られている。しかし、従来の製造方法は満足できる
ものではない。例えば、成膜に際して支持体に散乱電子
がチャージし、支持体の走行性が低下して、磁性膜の形
成不良が発生することがある。又、支持体が熱によって
損傷を受け、良好な磁性膜が得られないこともある。例
えば、支持体の厚さが２〜６μｍのように薄くなって来
ると、電子ビームの拡散や蒸発源からの輻射熱による損
傷が極めて大きい。
り形成する金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方法は、広
く知られている。しかし、従来の製造方法は満足できる
ものではない。例えば、成膜に際して支持体に散乱電子
がチャージし、支持体の走行性が低下して、磁性膜の形
成不良が発生することがある。又、支持体が熱によって
損傷を受け、良好な磁性膜が得られないこともある。例
えば、支持体の厚さが２〜６μｍのように薄くなって来
ると、電子ビームの拡散や蒸発源からの輻射熱による損
傷が極めて大きい。
【０００３】支持体への散乱電子のチャージによる走行
性の低下に対する策としてテンションを高めることが行
われている。しかし、支持体の厚さが薄くなって来る
と、高テンションによる歪みが大きくなる。この為、支
持体の厚さが薄くなって来ると、形成された磁性膜の支
持体の長手方向における均一性に問題が起きる。従っ
て、本発明の目的は、支持体の厚さが薄い場合において
も、均一な磁性膜が得られる磁気記録媒体の製造方法を
提供することである。
性の低下に対する策としてテンションを高めることが行
われている。しかし、支持体の厚さが薄くなって来る
と、高テンションによる歪みが大きくなる。この為、支
持体の厚さが薄くなって来ると、形成された磁性膜の支
持体の長手方向における均一性に問題が起きる。従っ
て、本発明の目的は、支持体の厚さが薄い場合において
も、均一な磁性膜が得られる磁気記録媒体の製造方法を
提供することである。
【０００４】又、本発明の他の目的は、成膜に際して、
支持体の走行性の低下や、支持体の熱による損傷を抑制
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
支持体の走行性の低下や、支持体の熱による損傷を抑制
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、磁
性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を走行す
る支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を形成す
る磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は厚さ
が２〜６μｍであり、前記電子ビームの照射方向と前記
支持体の走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビ
ームの偏向角が６０°〜９５°であることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。
性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を走行す
る支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を形成す
る磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は厚さ
が２〜６μｍであり、前記電子ビームの照射方向と前記
支持体の走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビ
ームの偏向角が６０°〜９５°であることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。
【０００６】特に、磁性材料源に電子ビームを照射し、
蒸発した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させること
により磁性膜が形成され、かつ、前記磁性膜の形成に際
して酸化性ガスが供給される磁気記録媒体の製造方法で
あって、前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、前記酸
化性ガスの供給方向と前記支持体の走行方向とは逆方向
であり、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行
方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏向角
が６０°〜９５°であることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法によって解決される。
蒸発した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させること
により磁性膜が形成され、かつ、前記磁性膜の形成に際
して酸化性ガスが供給される磁気記録媒体の製造方法で
あって、前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、前記酸
化性ガスの供給方向と前記支持体の走行方向とは逆方向
であり、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行
方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏向角
が６０°〜９５°であることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法によって解決される。
【０００７】更には、供給側ロールから巻取側ロールに
走行し、その走行途中において冷却キャンロールに添接
された支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子
が真空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成
され、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給
される磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は
厚さが２〜６μｍであり、前記酸素ガスの供給方向と前
記支持体の走行方向とは逆方向であり、前記電子ビーム
の照射方向と前記支持体の走行方向とは逆方向であり、
かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解決
される。
走行し、その走行途中において冷却キャンロールに添接
された支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子
が真空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成
され、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給
される磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は
厚さが２〜６μｍであり、前記酸素ガスの供給方向と前
記支持体の走行方向とは逆方向であり、前記電子ビーム
の照射方向と前記支持体の走行方向とは逆方向であり、
かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって解決
される。
【０００８】すなわち、上記の条件下で成膜すると、特
に電子ビームの照射方向と支持体の走行方向とを逆方向
とし、かつ、電子ビームの偏向角を６０°〜９５°にす
ると、電子ビームからの散乱電子が支持体にチャージし
難いものとなる。従って、支持体の走行時におけるテン
ションが小さくても済むようになり、支持体に歪みが出
来難く、長手方向に均一な磁性膜が得られる。
に電子ビームの照射方向と支持体の走行方向とを逆方向
とし、かつ、電子ビームの偏向角を６０°〜９５°にす
ると、電子ビームからの散乱電子が支持体にチャージし
難いものとなる。従って、支持体の走行時におけるテン
ションが小さくても済むようになり、支持体に歪みが出
来難く、長手方向に均一な磁性膜が得られる。
【０００９】特に、成膜に際して、粒子の蒸発源に照射
される電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設して
おくと、電子ビームからの散乱電子は遮蔽部材に補足さ
れ、支持体にはチャージしないものとなる。従って、支
持体の走行時におけるテンションが小さくても済み、支
持体に歪みが出来難く、長手方向に均一な磁性膜が得ら
れる。尚、電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設
できるのは、電子ビームの照射方向と支持体の走行方向
とを逆方向としたからである。つまり、逆方向でない場
合には、電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設す
ると、優れた磁気特性を有する磁性膜を斜め蒸着法によ
り得ることが出来なくなる。
される電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設して
おくと、電子ビームからの散乱電子は遮蔽部材に補足さ
れ、支持体にはチャージしないものとなる。従って、支
持体の走行時におけるテンションが小さくても済み、支
持体に歪みが出来難く、長手方向に均一な磁性膜が得ら
れる。尚、電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設
できるのは、電子ビームの照射方向と支持体の走行方向
とを逆方向としたからである。つまり、逆方向でない場
合には、電子ビームと支持体との間に遮蔽部材を配設す
ると、優れた磁気特性を有する磁性膜を斜め蒸着法によ
り得ることが出来なくなる。
【００１０】又、走行する支持体に対して作用するテン
ションを０．０１〜０．４ｋｇ、特に０．０２〜０．１
ｋｇ（支持体の幅１ｃｍ当たり）としておくことによ
り、支持体に歪みが出来難く、長手方向に均一な磁性膜
が得られる。又、磁性膜が複数層設けられる場合には、
上層磁性膜の形成に際しての電子銃の出力Ｐu と前記上
層磁性膜に隣接した下層磁性膜の形成に際しての電子銃
の出力Ｐl とがＰl ≦０．９×Ｐu を満たすようにする
のが好ましい。これにより、一層高い飽和磁束密度のも
のが得られる。
ションを０．０１〜０．４ｋｇ、特に０．０２〜０．１
ｋｇ（支持体の幅１ｃｍ当たり）としておくことによ
り、支持体に歪みが出来難く、長手方向に均一な磁性膜
が得られる。又、磁性膜が複数層設けられる場合には、
上層磁性膜の形成に際しての電子銃の出力Ｐu と前記上
層磁性膜に隣接した下層磁性膜の形成に際しての電子銃
の出力Ｐl とがＰl ≦０．９×Ｐu を満たすようにする
のが好ましい。これにより、一層高い飽和磁束密度のも
のが得られる。
【００１１】又、磁性粒子の支持体に蒸着する時の最小
入射角を５０°〜７０°（特に、５０°〜６５°）とす
るのが好ましい。又、磁性材料源に電子ビームが照射さ
れたことによる輝点と該輝点の真上の支持体との間には
遮蔽物がない条件にすることによって、蒸発粒子の中で
一番高いエネルギーを持つ粒子を効果的に利用できる。
従って、粒子の充填密度が一層高まることから、より高
い飽和磁束密度のものが得られる。すなわち、より高い
出力のものが得られる。
入射角を５０°〜７０°（特に、５０°〜６５°）とす
るのが好ましい。又、磁性材料源に電子ビームが照射さ
れたことによる輝点と該輝点の真上の支持体との間には
遮蔽物がない条件にすることによって、蒸発粒子の中で
一番高いエネルギーを持つ粒子を効果的に利用できる。
従って、粒子の充填密度が一層高まることから、より高
い飽和磁束密度のものが得られる。すなわち、より高い
出力のものが得られる。
【００１２】尚、図１に示す如く、支持体の走行方向が
右側から左側であり、かつ、蒸発源が支持体の下側に有
るとすると、電子銃が蒸発源より左上側に有る場合、
「電子ビームの照射方向と支持体の走行方向とが逆方
向」である。又、図１に示す如く、支持体の走行方向が
右側から左側であり、かつ、蒸発源が支持体の下側に有
り、かつ、酸素ガスを供給するノズルが支持体の下側に
有り、そして酸素ガスの供給方向が左側から右側である
場合、「酸素ガスの供給方向と支持体の走行方向とが逆
方向」である。
右側から左側であり、かつ、蒸発源が支持体の下側に有
るとすると、電子銃が蒸発源より左上側に有る場合、
「電子ビームの照射方向と支持体の走行方向とが逆方
向」である。又、図１に示す如く、支持体の走行方向が
右側から左側であり、かつ、蒸発源が支持体の下側に有
り、かつ、酸素ガスを供給するノズルが支持体の下側に
有り、そして酸素ガスの供給方向が左側から右側である
場合、「酸素ガスの供給方向と支持体の走行方向とが逆
方向」である。
【００１３】又、最小入射角は、図１中、θ1 で示され
る角度である。電子ビームの偏向角θ2 は電子銃が向い
ている角度であり、電子銃が水平方向に有る場合、電子
ビームの偏向角は９０°である。
る角度である。電子ビームの偏向角θ2 は電子銃が向い
ている角度であり、電子銃が水平方向に有る場合、電子
ビームの偏向角は９０°である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を
走行する支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体
は厚さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であ
り、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行方向
とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏向角が６
０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）である。特に、
磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を走行
する支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜が形成
され、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸化性ガスが供
給される磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体
は厚さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であ
り、前記酸化性ガスの供給方向と前記支持体の走行方向
とは逆方向であり、前記電子ビームの照射方向と前記支
持体の走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビー
ムの偏向角が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）
である。更には、供給側ロールから巻取側ロールに走行
し、その走行途中において冷却キャンロールに添接され
た支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が真
空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成さ
れ、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給さ
れる磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は厚
さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であり、
前記酸素ガスの供給方向と前記支持体の走行方向とは逆
方向であり、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の
走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏
向角が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）であ
る。又、成膜に際して、粒子の蒸発源に照射される電子
ビームと支持体との間には遮蔽部材が配設されている。
又、磁性粒子の支持体に蒸着する時の最小入射角は５０
°〜７０°（特に、５０°〜６５°）である。又、磁性
材料源に電子ビームが照射されたことによる輝点と該輝
点の真上の支持体との間には遮蔽物がない。又、走行す
る支持体に対して長手方向において作用するテンション
は０．０１〜０．４ｋｇ、特に０．０２〜０．１ｋｇ
（支持体の幅１ｃｍ当たり）である。又、磁性膜が複数
層設けられる場合には、上層磁性膜の形成に際しての電
子銃の出力Ｐu と前記上層磁性膜に隣接した下層磁性膜
の形成に際しての電子銃の出力Ｐl とがＰl ≦０．９×
Ｐu を満たす。
は、磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を
走行する支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体
は厚さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であ
り、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行方向
とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏向角が６
０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）である。特に、
磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発した粒子を走行
する支持体上に斜め蒸着させることにより磁性膜が形成
され、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸化性ガスが供
給される磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体
は厚さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であ
り、前記酸化性ガスの供給方向と前記支持体の走行方向
とは逆方向であり、前記電子ビームの照射方向と前記支
持体の走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビー
ムの偏向角が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）
である。更には、供給側ロールから巻取側ロールに走行
し、その走行途中において冷却キャンロールに添接され
た支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が真
空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成さ
れ、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給さ
れる磁気記録媒体の製造方法であって、前記支持体は厚
さが２〜６μｍ（特に、２．５〜５．５μｍ）であり、
前記酸素ガスの供給方向と前記支持体の走行方向とは逆
方向であり、前記電子ビームの照射方向と前記支持体の
走行方向とは逆方向であり、かつ、前記電子ビームの偏
向角が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）であ
る。又、成膜に際して、粒子の蒸発源に照射される電子
ビームと支持体との間には遮蔽部材が配設されている。
又、磁性粒子の支持体に蒸着する時の最小入射角は５０
°〜７０°（特に、５０°〜６５°）である。又、磁性
材料源に電子ビームが照射されたことによる輝点と該輝
点の真上の支持体との間には遮蔽物がない。又、走行す
る支持体に対して長手方向において作用するテンション
は０．０１〜０．４ｋｇ、特に０．０２〜０．１ｋｇ
（支持体の幅１ｃｍ当たり）である。又、磁性膜が複数
層設けられる場合には、上層磁性膜の形成に際しての電
子銃の出力Ｐu と前記上層磁性膜に隣接した下層磁性膜
の形成に際しての電子銃の出力Ｐl とがＰl ≦０．９×
Ｐu を満たす。
【００１５】以下、更に説明する。図１は、本発明にな
る磁気記録媒体の製造方法が実施される装置（斜め蒸着
装置）の概略図である。同図中、１は支持体である。こ
の支持体１は、供給側ロール２ａから巻取側ロール２ｂ
に、矢印で示す如く、右から左に走行する。この走行途
中において、支持体１は冷却キャンロール３に添接され
ている。
る磁気記録媒体の製造方法が実施される装置（斜め蒸着
装置）の概略図である。同図中、１は支持体である。こ
の支持体１は、供給側ロール２ａから巻取側ロール２ｂ
に、矢印で示す如く、右から左に走行する。この走行途
中において、支持体１は冷却キャンロール３に添接され
ている。
【００１６】支持体１は、磁性あるいは非磁性いずれの
ものでも良い。一般的には、非磁性である。支持体とし
ては、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと記
す）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
スルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオ
レフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系
の樹脂等の有機材料（樹脂）が用いられる。尚、支持体
１の表面には、磁性膜との密着性を向上させる為のアン
ダーコート層が適宜設けられる。
ものでも良い。一般的には、非磁性である。支持体とし
ては、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと記
す）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
スルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオ
レフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系
の樹脂等の有機材料（樹脂）が用いられる。尚、支持体
１の表面には、磁性膜との密着性を向上させる為のアン
ダーコート層が適宜設けられる。
【００１７】４は、蒸着が行われる前段階の位置におい
て、支持体１の表面をイオンボンバード処理する為のイ
オンボンバード室である。このイオンボンバード処理に
より、支持体１に後述する蒸発粒子が蒸着した時、当該
支持体と蒸発粒子間の結着強度が向上する。５は、冷却
キャンロール３の下方位置に設けられた遮蔽板である。
尚、遮蔽板５は、支持体１に対して蒸着が行われた後段
階の位置に対応する部分に設けられたものである。又、
遮蔽板５は、後述するルツボからの蒸発粒子が支持体１
に蒸着する時の最小入射角θ1 が５０°〜７０°（特
に、５０°〜６５°）となるよう設定されている。か
つ、後述する電子銃からの電子ビームが後述の磁性金属
材料に照射されたことによる輝点Ｘと、この輝点Ｘの真
上の支持体１との間には、遮蔽板５がないよう設定され
ている。すなわち、輝点Ｘとその真上の支持体１との間
には一切の遮蔽物がなく、輝点Ｘの真上位置にある支持
体１から真下を覗いた場合、輝点Ｘを認めることが出来
るようになっている。
て、支持体１の表面をイオンボンバード処理する為のイ
オンボンバード室である。このイオンボンバード処理に
より、支持体１に後述する蒸発粒子が蒸着した時、当該
支持体と蒸発粒子間の結着強度が向上する。５は、冷却
キャンロール３の下方位置に設けられた遮蔽板である。
尚、遮蔽板５は、支持体１に対して蒸着が行われた後段
階の位置に対応する部分に設けられたものである。又、
遮蔽板５は、後述するルツボからの蒸発粒子が支持体１
に蒸着する時の最小入射角θ1 が５０°〜７０°（特
に、５０°〜６５°）となるよう設定されている。か
つ、後述する電子銃からの電子ビームが後述の磁性金属
材料に照射されたことによる輝点Ｘと、この輝点Ｘの真
上の支持体１との間には、遮蔽板５がないよう設定され
ている。すなわち、輝点Ｘとその真上の支持体１との間
には一切の遮蔽物がなく、輝点Ｘの真上位置にある支持
体１から真下を覗いた場合、輝点Ｘを認めることが出来
るようになっている。
【００１８】６は、遮蔽板５と冷却キャンロール３との
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。従っ
て、ノズル６より供給される酸素の供給方向は、図１
中、左から右であり、支持体１の走行方向は、図１中、
右から左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体１
の走行方向とは逆方向である。７は冷却キャンロール３
の下方位置に設けられたＭｇＯ製のルツボである。この
ルツボ７には磁性金属材料８が充填されている。尚、磁
性金属材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，あるいはこれ
らの合金、及びその窒化物や炭化物などが適宜用いられ
る。
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。従っ
て、ノズル６より供給される酸素の供給方向は、図１
中、左から右であり、支持体１の走行方向は、図１中、
右から左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体１
の走行方向とは逆方向である。７は冷却キャンロール３
の下方位置に設けられたＭｇＯ製のルツボである。この
ルツボ７には磁性金属材料８が充填されている。尚、磁
性金属材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，あるいはこれ
らの合金、及びその窒化物や炭化物などが適宜用いられ
る。
【００１９】９はルツボ７の左上の位置に設置された電
子銃であり、電子銃９からの電子ビームはルツボ７内の
磁性金属材料８目掛けて照射される。従って、矢印で示
す電子ビームの照射方向と支持体１の走行方向とは逆方
向である。尚、電子銃９からの電子ビームの偏向角θ2
が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）であるよう
に電子銃９は設定されている。更に、電子銃９の上には
遮蔽板５が有り、電子銃９からの電子ビームの上には遮
蔽板５が有るから、電子ビームからの散乱電子は支持体
１にチャージし難いものとなっている。
子銃であり、電子銃９からの電子ビームはルツボ７内の
磁性金属材料８目掛けて照射される。従って、矢印で示
す電子ビームの照射方向と支持体１の走行方向とは逆方
向である。尚、電子銃９からの電子ビームの偏向角θ2
が６０°〜９５°（特に、８０°〜９０°）であるよう
に電子銃９は設定されている。更に、電子銃９の上には
遮蔽板５が有り、電子銃９からの電子ビームの上には遮
蔽板５が有るから、電子ビームからの散乱電子は支持体
１にチャージし難いものとなっている。
【００２０】１０は真空槽である。上記装置において、
先ず、真空槽１０内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に排気する。そして、電子銃９からの電子ビームを磁性
金属材料８に照射し、蒸発させる。これにより、磁性金
属粒子が、最小入射角θ1 は５０°〜７０°（特に、５
０°〜６５°）でもって、０．０１〜０．４ｋｇ（支持
体の幅１ｃｍ当たり）のテンションが作用しながら走行
する支持体１上に斜め蒸着する。この斜め蒸着に際し
て、ノズル６から酸素ガスが１０〜５０００ｓｃｃｍ供
給され、磁性膜の表面酸化が行われる。そして、厚さが
８００〜５０００Å（特に、１０００〜２５００Å）の
金属薄膜型の磁性膜が設けられる。
先ず、真空槽１０内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に排気する。そして、電子銃９からの電子ビームを磁性
金属材料８に照射し、蒸発させる。これにより、磁性金
属粒子が、最小入射角θ1 は５０°〜７０°（特に、５
０°〜６５°）でもって、０．０１〜０．４ｋｇ（支持
体の幅１ｃｍ当たり）のテンションが作用しながら走行
する支持体１上に斜め蒸着する。この斜め蒸着に際し
て、ノズル６から酸素ガスが１０〜５０００ｓｃｃｍ供
給され、磁性膜の表面酸化が行われる。そして、厚さが
８００〜５０００Å（特に、１０００〜２５００Å）の
金属薄膜型の磁性膜が設けられる。
【００２１】磁性膜の表面には厚さが１０〜５００Åの
保護膜が設けられる。保護膜を構成する材料として、Ａ
ｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは炭化物などの
他、ＳｉＣ等、及びそれを含む化合物などが考えられ
る。特に、ダイヤモンドライクカーボンは好ましいもの
である。ダイヤモンドライクカーボンよりなる保護膜は
ケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により形成
される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により形成さ
れる。すなわち、真空槽内に配設された支持体上の磁性
膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を作動させ、磁性
膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き付ける。これによ
り、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモンドライクカーボン
膜）が形成される。
保護膜が設けられる。保護膜を構成する材料として、Ａ
ｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは炭化物などの
他、ＳｉＣ等、及びそれを含む化合物などが考えられ
る。特に、ダイヤモンドライクカーボンは好ましいもの
である。ダイヤモンドライクカーボンよりなる保護膜は
ケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により形成
される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により形成さ
れる。すなわち、真空槽内に配設された支持体上の磁性
膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を作動させ、磁性
膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き付ける。これによ
り、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモンドライクカーボン
膜）が形成される。
【００２２】支持体１の他面（裏面）には、バックコー
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。
【００２３】そして、表面には、潤滑剤、特にパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが５〜５０Åの潤滑剤の膜が設けられる。尚、
潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、Ｒ
はＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F
4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF 2C
OOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C
2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2)
n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコール
変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子量は
５００〜５００００のものが好ましい。具体的には、モ
ンテカチーニ社の商品名ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社の商品
名デムナムＳＡ等がある。
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが５〜５０Åの潤滑剤の膜が設けられる。尚、
潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、Ｒ
はＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F
4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF 2C
OOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C
2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2)
n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコール
変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子量は
５００〜５００００のものが好ましい。具体的には、モ
ンテカチーニ社の商品名ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社の商品
名デムナムＳＡ等がある。
【００２４】尚、以下の実施例では、磁性膜の構成材料
として全てＣｏを用いているが、本発明は、当該材料が
Ｃｏの磁気記録媒体に限定されるものではない。
として全てＣｏを用いているが、本発明は、当該材料が
Ｃｏの磁気記録媒体に限定されるものではない。
【００２５】
【実施例１】図１に示す装置を用いた。支持体１は２．
５μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体１を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
３に接している。
５μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体１を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
３に接している。
【００２６】そして、下記の条件で１５００Å厚の磁性
膜を形成した。支持体１の走行速度は１０ｍ／分、支持
体１に作用している長手方向（支持体走行方向）におけ
るテンションは０．０４ｋｇ（フィルムの幅１ｃｍ当た
り）である。冷却キャンロール３の径は４０ｃｍであ
り、冷却キャンロール３の温度は−１０℃に制御されて
いる。
膜を形成した。支持体１の走行速度は１０ｍ／分、支持
体１に作用している長手方向（支持体走行方向）におけ
るテンションは０．０４ｋｇ（フィルムの幅１ｃｍ当た
り）である。冷却キャンロール３の径は４０ｃｍであ
り、冷却キャンロール３の温度は−１０℃に制御されて
いる。
【００２７】遮蔽板５は１０℃に冷却保持されている。
ノズル６からの酸素供給量は２００ｓｃｃｍである。ル
ツボ７にはＣｏが充填されており、これより蒸発し、支
持体１に斜め蒸着する時の最小入射角θ1 は５５°であ
る。輝点Ｘの真上位置にある支持体１から真下を覗いた
場合、輝点Ｘを認めることが出来る。
ノズル６からの酸素供給量は２００ｓｃｃｍである。ル
ツボ７にはＣｏが充填されており、これより蒸発し、支
持体１に斜め蒸着する時の最小入射角θ1 は５５°であ
る。輝点Ｘの真上位置にある支持体１から真下を覗いた
場合、輝点Ｘを認めることが出来る。
【００２８】電子銃９の出力Ｐは３０ｋＷ、偏向角θ2
は９０°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によ
り１００Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜
の上に設けた。又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜
を２０Å厚設け、この後通常の工程を経て８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
は９０°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によ
り１００Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜を磁性膜
の上に設けた。又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜
を２０Å厚設け、この後通常の工程を経て８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
【００２９】
【実施例２】実施例１において、４．５μｍ厚のＰＥＴ
フィルムを用いた以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
フィルムを用いた以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
【００３０】
【実施例３】実施例１において、５．５μｍ厚のＰＥＴ
フィルムを用いた以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
フィルムを用いた以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ
用磁気テープを得た。
【００３１】
【実施例４】実施例１において、θ2 ＝６５°とした以
外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
【００３２】
【実施例５】実施例１において、支持体１に作用させた
テンションを０．０８ｋｇ（フィルムの幅１ｃｍ当た
り）とした以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。
テンションを０．０８ｋｇ（フィルムの幅１ｃｍ当た
り）とした以外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。
【００３３】
【実施例６】実施例２において、支持体の走行速度＝２
０ｍ／分、酸素供給量＝１００ｓｃｃｍとした以外は実
施例１に準じて行った。更に、この後、支持体の走行速
度＝２２ｍ／分、酸素供給量＝１４０ｓｃｃｍ、電子銃
９の出力Ｐを４０ｋＷとした以外は実施例１に準じて行
った。そして、下層磁性膜の厚さが８００Å、上層磁性
膜の厚さが１０００Åの二層型の磁性膜を有するものと
した以外は、実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テー
プを得た。
０ｍ／分、酸素供給量＝１００ｓｃｃｍとした以外は実
施例１に準じて行った。更に、この後、支持体の走行速
度＝２２ｍ／分、酸素供給量＝１４０ｓｃｃｍ、電子銃
９の出力Ｐを４０ｋＷとした以外は実施例１に準じて行
った。そして、下層磁性膜の厚さが８００Å、上層磁性
膜の厚さが１０００Åの二層型の磁性膜を有するものと
した以外は、実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テー
プを得た。
【００３４】
【比較例１】実施例１において、θ2 ＝４５°とした以
外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
外は実施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。
【００３５】
【比較例２】実施例１において、電子銃９の設置位置を
図１の場合と左右対称な位置にセットし、電子ビームの
照射方向と支持体の走行方向とを順方向にした以外は実
施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
図１の場合と左右対称な位置にセットし、電子ビームの
照射方向と支持体の走行方向とを順方向にした以外は実
施例１に準じて８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００３６】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、２００ｍ毎の位置での磁気特性（飽和磁束密度Ｂ
ｓ、保磁力Ｈｃ）及び電磁変換特性（５ＭＨｚのＣ／
Ｎ、１０ＭＨｚのＣ／Ｎ）を調べたので、その結果を表
−１，２に示す。 表−１（飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）） 0m 200m 400m 600m 800m 1000m Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc 実施例１ 6100 1600 6100 1610 6000 1630 6000 1600 6050 1620 5900 1640 実施例２ 6000 1610 6200 1600 6000 1620 6100 1600 6300 1590 6100 1600 実施例３ 6200 1600 6100 1620 6100 1620 6100 1610 6300 1620 6200 1610 実施例４ 6000 1570 6000 1580 6200 1590 6000 1590 5700 1540 5600 1530 実施例５ 6200 1610 6100 1610 6100 1600 6000 1590 6300 1600 6100 1610 実施例６ 6200 1640 6100 1650 6200 1650 6200 1640 6000 1650 6000 1640 比較例１ 5600 1580 5900 1490 4800 1600 4500 1720 5400 1600 5000 1670 比較例２ 5900 1570 6000 1480 4900 1660 4300 1750 4700 1700 5900 1540 表−２（５ＭＨｚのＣ／Ｎ、１０ＭＨｚのＣ／Ｎ（ｄＢ）） 0m 200m 400m 600m 800m 1000m ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ 実施例１ +0.4 +0.5 +0.4 +0.6 +0.3 +0.4 +0.4 +0.4 +0.5 +0.5 +0.3 +0.5 実施例２ +0.5 +0.7 +0.7 +0.7 +0.6 +0.9 +0.7 +0.5 +0.4 +0.8 +0.3 +0.6 実施例３ +0.8 +0.7 +0.7 +0.9 +0.6 +1.0 +0.8 +0.8 +0.8 +0.9 +0.8 +0.9 実施例４ +0.5 +0.6 +0.3 +0.7 +0.6 +0.8 +0.5 +0.5 +0.4 +0.4 +0.3 +0.2 実施例５ +0.8 +0.9 +0.7 +1.1 +0.9 +0.9 +0.8 +0.7 +1.1 +1.2 +0.9 +1.0 実施例６ +1.4 +1.9 +1.5 +2.1 +1.6 +2.1 +1.5 +2.2 +1.4 +1.8 +1.4 +1.4 比較例１ +0.1 +0.3 +0.1 +0.8 -0.3 -0.4 -0.5 ０ ０ +0.3 ０ -0.5 比較例２ +0.5 +0.3 +0.1 -0.4 +0.3 +0.4 -0.4 ０ -0.4 ０ +0.2 +0.6 ＊磁気特性はＶＳＭ（理研電子製）により求めた。
いて、２００ｍ毎の位置での磁気特性（飽和磁束密度Ｂ
ｓ、保磁力Ｈｃ）及び電磁変換特性（５ＭＨｚのＣ／
Ｎ、１０ＭＨｚのＣ／Ｎ）を調べたので、その結果を表
−１，２に示す。 表−１（飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ）、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）） 0m 200m 400m 600m 800m 1000m Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc Bs Hc 実施例１ 6100 1600 6100 1610 6000 1630 6000 1600 6050 1620 5900 1640 実施例２ 6000 1610 6200 1600 6000 1620 6100 1600 6300 1590 6100 1600 実施例３ 6200 1600 6100 1620 6100 1620 6100 1610 6300 1620 6200 1610 実施例４ 6000 1570 6000 1580 6200 1590 6000 1590 5700 1540 5600 1530 実施例５ 6200 1610 6100 1610 6100 1600 6000 1590 6300 1600 6100 1610 実施例６ 6200 1640 6100 1650 6200 1650 6200 1640 6000 1650 6000 1640 比較例１ 5600 1580 5900 1490 4800 1600 4500 1720 5400 1600 5000 1670 比較例２ 5900 1570 6000 1480 4900 1660 4300 1750 4700 1700 5900 1540 表−２（５ＭＨｚのＣ／Ｎ、１０ＭＨｚのＣ／Ｎ（ｄＢ）） 0m 200m 400m 600m 800m 1000m ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ ５ １０ 実施例１ +0.4 +0.5 +0.4 +0.6 +0.3 +0.4 +0.4 +0.4 +0.5 +0.5 +0.3 +0.5 実施例２ +0.5 +0.7 +0.7 +0.7 +0.6 +0.9 +0.7 +0.5 +0.4 +0.8 +0.3 +0.6 実施例３ +0.8 +0.7 +0.7 +0.9 +0.6 +1.0 +0.8 +0.8 +0.8 +0.9 +0.8 +0.9 実施例４ +0.5 +0.6 +0.3 +0.7 +0.6 +0.8 +0.5 +0.5 +0.4 +0.4 +0.3 +0.2 実施例５ +0.8 +0.9 +0.7 +1.1 +0.9 +0.9 +0.8 +0.7 +1.1 +1.2 +0.9 +1.0 実施例６ +1.4 +1.9 +1.5 +2.1 +1.6 +2.1 +1.5 +2.2 +1.4 +1.8 +1.4 +1.4 比較例１ +0.1 +0.3 +0.1 +0.8 -0.3 -0.4 -0.5 ０ ０ +0.3 ０ -0.5 比較例２ +0.5 +0.3 +0.1 -0.4 +0.3 +0.4 -0.4 ０ -0.4 ０ +0.2 +0.6 ＊磁気特性はＶＳＭ（理研電子製）により求めた。
【００３７】＊出力は、市販のＨｉ８ＶＴＲを改造した
ものを用いて測定し、比較例１の所定位置を基準（０ｄ
Ｂ）。 これによれば、本発明の方法により得られる磁性膜は磁
気特性や電磁変換特性の均一性に優れたものが得られて
いる。
ものを用いて測定し、比較例１の所定位置を基準（０ｄ
Ｂ）。 これによれば、本発明の方法により得られる磁性膜は磁
気特性や電磁変換特性の均一性に優れたものが得られて
いる。
【００３８】
【発明の効果】膜形成に際して支持体に散乱電子がチャ
ージし難く、支持体の走行性の低下が抑制され、かつ、
支持体が熱による損傷を受けることなく、均一で良好な
磁気記録媒体が効率良く得られる。しかも、支持体は薄
いので、同一規格のカセットに装填した場合、より長い
ものを装填できる。
ージし難く、支持体の走行性の低下が抑制され、かつ、
支持体が熱による損傷を受けることなく、均一で良好な
磁気記録媒体が効率良く得られる。しかも、支持体は薄
いので、同一規格のカセットに装填した場合、より長い
ものを装填できる。
【図１】磁気記録媒体の製造装置の概略図
１ 支持体 ３ 冷却キャンロール ５ 遮蔽板 ６ 酸素ガス供給ノズル ７ ルツボ ８ 磁性金属材料 ９ 電子銃 １０ 真空槽 Ｘ 輝点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 磁性材料源に電子ビームを照射し、蒸発
した粒子を走行する支持体上に斜め蒸着させることによ
り磁性膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、 前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、 前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行方向とは
逆方向であり、 かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 供給側ロールから巻取側ロールに走行
し、その走行途中において冷却キャンロールに添接され
た支持体に、電子ビームの照射による蒸発磁性粒子が真
空雰囲気下で斜め蒸着することにより磁性膜が形成さ
れ、かつ、前記磁性膜の形成に際して酸素ガスが供給さ
れる磁気記録媒体の製造方法であって、 前記支持体は厚さが２〜６μｍであり、 前記酸素ガスの供給方向と前記支持体の走行方向とは逆
方向であり、 前記電子ビームの照射方向と前記支持体の走行方向とは
逆方向であり、 かつ、前記電子ビームの偏向角が６０°〜９５°である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 粒子の蒸発源に照射される電子ビームと
支持体との間には遮蔽部材が配設されていることを特徴
とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 粒子が支持体に蒸着するに際して酸化性
ガスが供給されてなり、前記酸化性ガスの供給方向と支
持体の走行方向とが逆方向であることを特徴とする請求
項１の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 走行する支持体に対して０．０１〜０．
４ｋｇ（支持体の幅１ｃｍ当たり）のテンションが作用
していることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 磁性膜が複数層設けられ、上層磁性膜の
形成に際しての電子銃の出力Ｐu と前記上層磁性膜に隣
接した下層磁性膜の形成に際しての電子銃の出力Ｐl と
がＰl ≦０．９×Ｐu を満たすことを特徴とする請求項
１又は請求項２の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19435196A JPH1041177A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19435196A JPH1041177A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041177A true JPH1041177A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16323147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19435196A Pending JPH1041177A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104952464A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 索尼公司 | 磁记录介质及其制造方法和成膜装置 |
| JP2022021080A (ja) * | 2020-07-21 | 2022-02-02 | 株式会社アルバック | 真空成膜装置用の部品及び真空成膜装置 |
-
1996
- 1996-07-24 JP JP19435196A patent/JPH1041177A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104952464A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 索尼公司 | 磁记录介质及其制造方法和成膜装置 |
| JP2015197938A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに成膜装置 |
| CN104952464B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-03-19 | 索尼公司 | 磁记录介质及其制造方法和成膜装置 |
| US11232813B2 (en) | 2014-03-31 | 2022-01-25 | Sony Corporation | Film-forming apparatus and method for manufacturing magnetic recording medium |
| JP2022021080A (ja) * | 2020-07-21 | 2022-02-02 | 株式会社アルバック | 真空成膜装置用の部品及び真空成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1041177A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH1091958A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH1031819A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11120535A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11161948A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11161947A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08102068A (ja) | 金属膜の成膜方法及びその装置 | |
| JPH1091957A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2883334B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10105964A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0841642A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH09212846A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10105945A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1092683A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH09245347A (ja) | 磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07331438A (ja) | 金属膜体の製造装置 | |
| JPH07243032A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH11161935A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1091955A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH09245348A (ja) | 磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH09198645A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11102521A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH1091956A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH09198646A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6236285B2 (ja) |