JPH09213572A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH09213572A JPH09213572A JP3752096A JP3752096A JPH09213572A JP H09213572 A JPH09213572 A JP H09213572A JP 3752096 A JP3752096 A JP 3752096A JP 3752096 A JP3752096 A JP 3752096A JP H09213572 A JPH09213572 A JP H09213572A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 16
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流を低下でき、短絡不良を減少できる
固体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 陽極リード線１を引き出した、弁作用金
属の粉末からなる焼結体２に、陽極酸化皮膜６、半導体
層７、陰極層８を順次設けた固体電解コンデンサ１３に
おいて、陽極リード線１の根本部分３の焼結体２に凹部
４を設け、この凹部４に絶縁性樹脂５を充填することを
特徴とする固体電解コンデンサ１３。
固体電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 陽極リード線１を引き出した、弁作用金
属の粉末からなる焼結体２に、陽極酸化皮膜６、半導体
層７、陰極層８を順次設けた固体電解コンデンサ１３に
おいて、陽極リード線１の根本部分３の焼結体２に凹部
４を設け、この凹部４に絶縁性樹脂５を充填することを
特徴とする固体電解コンデンサ１３。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサ等のコンデ
ンサは、通常、タンタル等の微粉末を、タンタル線等の
陽極リード線を引き出した状態にして、円筒状や直方体
上に加圧成形し、さらに真空中において高温度で焼結し
て形成した焼結体を用いている。そして図２に示す通
り、この焼結体２０に陽極酸化皮膜２１、二酸化マンガ
ン層２２、カーボン層及び銀層（又は銅層）からなる陰
極層２３を順次設ける。また、陽極リード線２４には根
本部分２５にテフロン製のワッシャ２６を挿入するとと
もに陽極端子２７を接続し、陰極層２３には陰極端子２
８を接続する。さらに、樹脂モールド法や樹脂ディップ
法等により樹脂外装２９を設けている。
ンサは、通常、タンタル等の微粉末を、タンタル線等の
陽極リード線を引き出した状態にして、円筒状や直方体
上に加圧成形し、さらに真空中において高温度で焼結し
て形成した焼結体を用いている。そして図２に示す通
り、この焼結体２０に陽極酸化皮膜２１、二酸化マンガ
ン層２２、カーボン層及び銀層（又は銅層）からなる陰
極層２３を順次設ける。また、陽極リード線２４には根
本部分２５にテフロン製のワッシャ２６を挿入するとと
もに陽極端子２７を接続し、陰極層２３には陰極端子２
８を接続する。さらに、樹脂モールド法や樹脂ディップ
法等により樹脂外装２９を設けている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２の従来の
固体電解コンデンサ３０は、製造工程中において陽極リ
ード線２４の根本部分２５に機械的なストレスがかか
る。そのため、陽極リード線２４の根本部分２５の表面
に形成されている陽極酸化皮膜３１に亀裂ができ易い。
この陽極酸化皮膜３１の亀裂の部分は、正常な陽極酸化
皮膜２１の部分に比較して抵抗が低く、電流が流れ易
い。従って、固体電解コンデンサ３０に電圧を印加した
場合に、充電電流がこの陽極酸化皮膜３１の亀裂を通
り、二酸化マンガン層２２、陰極層２３、陰極端子２８
を通して流れ易くなる。その結果、固体電解コンデンサ
３０の漏れ電流が増加し、短絡不良を生じ易い欠点があ
る。
固体電解コンデンサ３０は、製造工程中において陽極リ
ード線２４の根本部分２５に機械的なストレスがかか
る。そのため、陽極リード線２４の根本部分２５の表面
に形成されている陽極酸化皮膜３１に亀裂ができ易い。
この陽極酸化皮膜３１の亀裂の部分は、正常な陽極酸化
皮膜２１の部分に比較して抵抗が低く、電流が流れ易
い。従って、固体電解コンデンサ３０に電圧を印加した
場合に、充電電流がこの陽極酸化皮膜３１の亀裂を通
り、二酸化マンガン層２２、陰極層２３、陰極端子２８
を通して流れ易くなる。その結果、固体電解コンデンサ
３０の漏れ電流が増加し、短絡不良を生じ易い欠点があ
る。
【０００４】本発明は、以上の欠点を改良し、漏れ電流
を低下でき、短絡不良を減少できる固体電解コンデンサ
を提供することを課題とするものである。
を低下でき、短絡不良を減少できる固体電解コンデンサ
を提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極リード線
を引き出した、弁作用金属の粉末からなる焼結体に、陽
極酸化皮膜、半導体層、陰極層を順次設けた固体電解コ
ンデンサにおいて、陽極リード線の根本部分の焼結体に
凹部を設け、この凹部に絶縁性樹脂を充填することを特
徴とする固体電解コンデンサである。
を引き出した、弁作用金属の粉末からなる焼結体に、陽
極酸化皮膜、半導体層、陰極層を順次設けた固体電解コ
ンデンサにおいて、陽極リード線の根本部分の焼結体に
凹部を設け、この凹部に絶縁性樹脂を充填することを特
徴とする固体電解コンデンサである。
【０００６】陽極リード線の根本部分の焼結体に凹部を
設けているため、陽極リード線の根本部分から陰極端子
までの焼結体の表面の距離が長くなり、その表面の抵抗
が大きくなる。
設けているため、陽極リード線の根本部分から陰極端子
までの焼結体の表面の距離が長くなり、その表面の抵抗
が大きくなる。
【０００７】また、凹部に樹脂を充填しているため、陽
極リード線の根本部分をより強固に固定できる。従っ
て、製造工程中において、陽極リード線に機械的なスト
レスがかかっても、陽極リード線の根本部分の陽極酸化
皮膜に亀裂が生じるのを防止できる。それ故、固体電解
コンデンサの漏れ電流特性を改良でき、短絡不良を減少
できる。
極リード線の根本部分をより強固に固定できる。従っ
て、製造工程中において、陽極リード線に機械的なスト
レスがかかっても、陽極リード線の根本部分の陽極酸化
皮膜に亀裂が生じるのを防止できる。それ故、固体電解
コンデンサの漏れ電流特性を改良でき、短絡不良を減少
できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。弁作用金属の粉末にはタンタル等
の微粉末を用いる。また陽極リード線にはタンタル線等
を用いる。そして、図１に示す通り、陽極リード線１の
一端を前記粉末中に埋め、他端を引き出して焼結体２を
形成する。この焼結体２は全体として直方体状や円筒状
に形成している。
に基づいて説明する。弁作用金属の粉末にはタンタル等
の微粉末を用いる。また陽極リード線にはタンタル線等
を用いる。そして、図１に示す通り、陽極リード線１の
一端を前記粉末中に埋め、他端を引き出して焼結体２を
形成する。この焼結体２は全体として直方体状や円筒状
に形成している。
【０００９】そして特に、陽極リード線１の根本部分３
の焼結体２に凹部４を形成している。この凹部４は、多
角形状や円筒状等であり、焼結体２全体の体積の２〜１
０％程度の大きさが好ましい。すなわち、凹部４の大き
さが２％未満では漏れ電流を低下したり、短絡不良を減
少する効果が低く、１０％より大きいと容量の減少が大
きく小形化し難くなる。
の焼結体２に凹部４を形成している。この凹部４は、多
角形状や円筒状等であり、焼結体２全体の体積の２〜１
０％程度の大きさが好ましい。すなわち、凹部４の大き
さが２％未満では漏れ電流を低下したり、短絡不良を減
少する効果が低く、１０％より大きいと容量の減少が大
きく小形化し難くなる。
【００１０】また、凹部４には、フッ素樹脂やシリコン
樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂５を充填している。
この絶縁性樹脂５は、凹部４の深さよりも高く、焼結体
２の表面からはみ出して充填する方が好ましい。これに
より、絶縁性を向上でき、かつ陽極リード線１の根本部
分３を固定でき、機械的ストレスが加わってもそれを緩
和できる。
樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂５を充填している。
この絶縁性樹脂５は、凹部４の深さよりも高く、焼結体
２の表面からはみ出して充填する方が好ましい。これに
より、絶縁性を向上でき、かつ陽極リード線１の根本部
分３を固定でき、機械的ストレスが加わってもそれを緩
和できる。
【００１１】また、焼結体２には、陽極酸化皮膜６、二
酸化マンガン等の半導体層７、カーボン層及び銀ペース
ト層（又は銅ペースト層）等からなる陰極層８を順次設
けている。
酸化マンガン等の半導体層７、カーボン層及び銀ペース
ト層（又は銅ペースト層）等からなる陰極層８を順次設
けている。
【００１２】そして、陽極リード線１に陽極端子９を溶
接するとともに、陰極層８に陰極端子１０を導電性樹脂
１１により接続する。
接するとともに、陰極層８に陰極端子１０を導電性樹脂
１１により接続する。
【００１３】焼結体２に陽極酸化皮膜６等を設けたコン
デンサ素子全体は、樹脂外装１２を被覆している。ま
た、陽極端子９及び陰極端子１０の先端はこの樹脂外装
１２の表面に沿って下面の方に折り曲げている。
デンサ素子全体は、樹脂外装１２を被覆している。ま
た、陽極端子９及び陰極端子１０の先端はこの樹脂外装
１２の表面に沿って下面の方に折り曲げている。
【００１４】次に、上記固体電解コンデンサ１３の製造
方法について説明する。先ず、弁作用金属の粉末を、陽
極リード線１の一端を埋め他端を引き出してプレスで圧
縮成形し、１０-4〜１０-5Ｔｏｒｒ程度の真空中で２０
００℃程度の温度で数１０分間加熱し、焼結体２を形成
する。そして成形の際、陽極リード線１の根本部分３の
焼結体２に凹部４を形成する。
方法について説明する。先ず、弁作用金属の粉末を、陽
極リード線１の一端を埋め他端を引き出してプレスで圧
縮成形し、１０-4〜１０-5Ｔｏｒｒ程度の真空中で２０
００℃程度の温度で数１０分間加熱し、焼結体２を形成
する。そして成形の際、陽極リード線１の根本部分３の
焼結体２に凹部４を形成する。
【００１５】焼結体２を形成後、複数個の焼結体２を陽
極リード線１の先端の箇所でステンレス等の金属製バー
に溶接する。溶接後、焼結体２を硝酸やリン酸等の化成
液中で電圧を印加して化成し、陽極酸化皮膜６を形成す
る。陽極酸化皮膜６を形成後、凹部４に絶縁性樹脂５を
充填する。なお、絶縁性樹脂５の充填は、焼結体２を金
属製バーに溶接する前、または、金属製バーに溶接した
後で陽極酸化皮膜６を形成する前に行ってもよい。しか
し、陽極酸化皮膜８を形成後に行なう方が絶縁性が向上
する。
極リード線１の先端の箇所でステンレス等の金属製バー
に溶接する。溶接後、焼結体２を硝酸やリン酸等の化成
液中で電圧を印加して化成し、陽極酸化皮膜６を形成す
る。陽極酸化皮膜６を形成後、凹部４に絶縁性樹脂５を
充填する。なお、絶縁性樹脂５の充填は、焼結体２を金
属製バーに溶接する前、または、金属製バーに溶接した
後で陽極酸化皮膜６を形成する前に行ってもよい。しか
し、陽極酸化皮膜８を形成後に行なう方が絶縁性が向上
する。
【００１６】絶縁性樹脂５を充填後、焼結体２を硝酸マ
ンガン溶液中に浸漬して、液を含浸する。含浸後、温度
２００〜３５０℃の温度で焼成して熱分解し、二酸化マ
ンガン層等の半導体層７を形成する。熱分解後、再化成
して、焼成の際に損傷した陽極酸化皮膜６を修復する。
そしてこの浸漬、熱分解、再化成の工程を必要に応じて
数回〜数１０回繰り返す。半導体層７を形成後、カーボ
ンを塗布してカーボン層を形成するとともに、銀ペース
ト（又は銅ペースト）を塗布して銀ペースト層（又は銅
ペースト層）を形成し、合せて陰極層８とする。陰極層
８を形成後、焼結体２をリードフレームに接続し、陽極
リード線１及び陰極層８に各々陽極端子９及び陰極端子
１０を接続する。そして樹脂モールド法（又は樹脂ディ
ップ法）により樹脂外装１１を形成する。
ンガン溶液中に浸漬して、液を含浸する。含浸後、温度
２００〜３５０℃の温度で焼成して熱分解し、二酸化マ
ンガン層等の半導体層７を形成する。熱分解後、再化成
して、焼成の際に損傷した陽極酸化皮膜６を修復する。
そしてこの浸漬、熱分解、再化成の工程を必要に応じて
数回〜数１０回繰り返す。半導体層７を形成後、カーボ
ンを塗布してカーボン層を形成するとともに、銀ペース
ト（又は銅ペースト）を塗布して銀ペースト層（又は銅
ペースト層）を形成し、合せて陰極層８とする。陰極層
８を形成後、焼結体２をリードフレームに接続し、陽極
リード線１及び陰極層８に各々陽極端子９及び陰極端子
１０を接続する。そして樹脂モールド法（又は樹脂ディ
ップ法）により樹脂外装１１を形成する。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例のタンタルチップ型固
体電解コンデンサについて、従来例及び比較例の同種の
コンデンサとともに、初期の漏れ電流及び耐圧不良率に
ついて測定した。
体電解コンデンサについて、従来例及び比較例の同種の
コンデンサとともに、初期の漏れ電流及び耐圧不良率に
ついて測定した。
【００１８】なお、実施例は図１の構造とし、焼結体２
全体に対する凹部４の体積を種々に変えたものとする。
また、従来例は図２の構造のものとする。そして比較例
１は、図３に示す通りの構造であり、特に、陽極リード
線４０の根本部分４１の焼結体４２に凹部を設けず、平
坦にしている。そして、根本部分４１を絶縁性樹脂４３
により被覆している。さらに、比較例２は、図４に示す
通りの構造であり、特に陽極リード線５０の根本部分５
１の焼結体５２に凹部５３を設けるとともに、この凹部
５３に、凹部５３の深さよりも薄いテフロン製のワッシ
ャ５４を挿入している。
全体に対する凹部４の体積を種々に変えたものとする。
また、従来例は図２の構造のものとする。そして比較例
１は、図３に示す通りの構造であり、特に、陽極リード
線４０の根本部分４１の焼結体４２に凹部を設けず、平
坦にしている。そして、根本部分４１を絶縁性樹脂４３
により被覆している。さらに、比較例２は、図４に示す
通りの構造であり、特に陽極リード線５０の根本部分５
１の焼結体５２に凹部５３を設けるとともに、この凹部
５３に、凹部５３の深さよりも薄いテフロン製のワッシ
ャ５４を挿入している。
【００１９】そして、実施例、従来例、比較例１及び比
較例２の各試料の定格は３５Ｖ、１０μｍとする。ま
た、試料数は各々５００ケとする。さらに、耐圧不良率
は、温度２３℃の雰囲気中において電圧４２Ｖを印加し
た場合の値とする。
較例２の各試料の定格は３５Ｖ、１０μｍとする。ま
た、試料数は各々５００ケとする。さらに、耐圧不良率
は、温度２３℃の雰囲気中において電圧４２Ｖを印加し
た場合の値とする。
【００２０】測定結果は、漏れ電流については図５に示
し、耐圧不良率については表１に示した。
し、耐圧不良率については表１に示した。
【００２１】図５から明らかな通り、漏れ電流は実施例
１〜実施例５による方が、従来例、比較例１及び比較例
２よりも全体的に低くなっていることが明らかである。 以下余白。
１〜実施例５による方が、従来例、比較例１及び比較例
２よりも全体的に低くなっていることが明らかである。 以下余白。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から明らかな通り、耐圧不良率は、実
施例１〜実施例５が２．０〜３．８％、従来例が８．８
％、比較例１〜比較例２が４．８〜５．２％となる。す
なわち、実施例１〜実施例５は従来例の約２２．７〜４
３．２％、比較例１〜比較例２の約３８．５〜７９．２
％に減少している。
施例１〜実施例５が２．０〜３．８％、従来例が８．８
％、比較例１〜比較例２が４．８〜５．２％となる。す
なわち、実施例１〜実施例５は従来例の約２２．７〜４
３．２％、比較例１〜比較例２の約３８．５〜７９．２
％に減少している。
【００２４】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、陽極リー
ド線の根本部分の焼結体に凹部を設け、この凹部に絶縁
性樹脂を充填しているため、漏れ電流を低下でき、耐圧
不良を減少できる固体電解コンデンサが得られる。
ド線の根本部分の焼結体に凹部を設け、この凹部に絶縁
性樹脂を充填しているため、漏れ電流を低下でき、耐圧
不良を減少できる固体電解コンデンサが得られる。
【図１】本発明の実施例の断面図を示す。
【図２】従来例の断面図を示す。
【図３】比較例の断面図を示す。
【図４】他の比較例の断面図を示す。
【図５】漏れ電流のグラフを示す。
１…陽極リード線、 ２…焼結体、 ３…根本部分、
４…凹部、５…絶縁性樹脂、 ６…陽極酸化皮膜、 ７
…半導体層、 ８…陰極層、１２…樹脂外装、 １３…
固体電解コンデンサ。
４…凹部、５…絶縁性樹脂、 ６…陽極酸化皮膜、 ７
…半導体層、 ８…陰極層、１２…樹脂外装、 １３…
固体電解コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極リード線を引き出した、弁作用金属
の粉末からなる焼結体に、陽極酸化皮膜、半導体層、陰
極層を順次設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極リ
ード線の根本部分の焼結体に凹部を設け、この凹部に絶
縁性樹脂を充填することを特徴とする固体電解コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3752096A JPH09213572A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3752096A JPH09213572A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213572A true JPH09213572A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12499830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3752096A Pending JPH09213572A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034429A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP3752096A patent/JPH09213572A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034429A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
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