JPH09213585A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JPH09213585A JPH09213585A JP2004496A JP2004496A JPH09213585A JP H09213585 A JPH09213585 A JP H09213585A JP 2004496 A JP2004496 A JP 2004496A JP 2004496 A JP2004496 A JP 2004496A JP H09213585 A JPH09213585 A JP H09213585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電容量を増大し得る電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔の提供を目的とする。 【解決手段】 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍｇ：１０
〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍを含有す
る。あるいはＭｇおよびＰｂに加えて、さらにＺｎ：１
〜５０ｐｐｍ、Ｇａ：１〜５０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０
ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ
のうちの１種以上を含有する
アルミニウム箔の提供を目的とする。 【解決手段】 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍｇ：１０
〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍを含有す
る。あるいはＭｇおよびＰｂに加えて、さらにＺｎ：１
〜５０ｐｐｍ、Ｇａ：１〜５０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０
ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍ
のうちの１種以上を含有する
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔に関する。
電極用アルミニウム箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当たりの静電容量を増大するため、通常、
電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当たりの静電容量を増大するため、通常、
電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
【０００３】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は、箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多
く有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させ
るべく４５０℃程度以上の高温加熱処理を施したり、あ
るいはさらにエッチピットを均一かつ高密度に分布させ
るべく、箔の合金組成の面からも種々の微量元素の添加
が提案されている。
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は、箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多
く有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させ
るべく４５０℃程度以上の高温加熱処理を施したり、あ
るいはさらにエッチピットを均一かつ高密度に分布させ
るべく、箔の合金組成の面からも種々の微量元素の添加
が提案されている。
【０００４】後者の微量元素を添加したアルミニウム箔
の一例としては、特開平７−１５０２７９号に記載され
たものがある。このアルミニウム箔は、Ｐｂ：０．１〜
５ｐｐｍおよびＭｇ：０．１〜５ｐｐｍを添加すること
により、エッチング特性の向上を図ろうというものであ
る。
の一例としては、特開平７−１５０２７９号に記載され
たものがある。このアルミニウム箔は、Ｐｂ：０．１〜
５ｐｐｍおよびＭｇ：０．１〜５ｐｐｍを添加すること
により、エッチング特性の向上を図ろうというものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の高温加
熱処理を施したアルミニウム箔、あるいは微量元素を添
加したアルミニウム箔は、昨今の電解コンデンサの高静
電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなか
った。特に、後者の微量元素の添加量に改善の余地があ
った。
熱処理を施したアルミニウム箔、あるいは微量元素を添
加したアルミニウム箔は、昨今の電解コンデンサの高静
電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなか
った。特に、後者の微量元素の添加量に改善の余地があ
った。
【０００６】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とする。
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム箔組成にお
いてＭｇ含有量を特開平７−１５０２７９号に記載され
たよりも増やすことによってはるかにエッチングによる
拡面率を増大させ得ることを見出だし、さらに各種微量
元素の添加により相乗的に高静電容量のアルミニウム箔
が得られることを見出した。
に、発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム箔組成にお
いてＭｇ含有量を特開平７−１５０２７９号に記載され
たよりも増やすことによってはるかにエッチングによる
拡面率を増大させ得ることを見出だし、さらに各種微量
元素の添加により相乗的に高静電容量のアルミニウム箔
が得られることを見出した。
【０００８】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、第１の電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍｇ：
１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍを含
有することを特徴とする。また、第２の電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９
％以上で、Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．
１〜５ｐｐｍを含有し、さらにＺｎ：１〜５０ｐｐｍ、
Ｇａ：１〜５０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：
５〜８０ｐｐｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍのうちの１種以
上を含有することを特徴とする。
ものであって、第１の電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍｇ：
１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍを含
有することを特徴とする。また、第２の電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９
％以上で、Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．
１〜５ｐｐｍを含有し、さらにＺｎ：１〜５０ｐｐｍ、
Ｇａ：１〜５０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：
５〜８０ｐｐｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍのうちの１種以
上を含有することを特徴とする。
【０００９】この発明に係る２種類の電解コンデンサ電
極用アルミニウム箔において、アルミニウム純度に９
９．９％以上を必要とするのは、９９．９％未満の純度
では、エッチング時にエッチピットの成長が多くの不純
物の存在によって阻害され、本発明範囲のＭｇおよびそ
の他の微量元素の存在によってもなお均一な深いトンネ
ル状のエッチピットを形成できず、従って静電容量の高
いアルミニウム箔を得ることができないからである。好
ましくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするの
が良い。
極用アルミニウム箔において、アルミニウム純度に９
９．９％以上を必要とするのは、９９．９％未満の純度
では、エッチング時にエッチピットの成長が多くの不純
物の存在によって阻害され、本発明範囲のＭｇおよびそ
の他の微量元素の存在によってもなお均一な深いトンネ
ル状のエッチピットを形成できず、従って静電容量の高
いアルミニウム箔を得ることができないからである。好
ましくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするの
が良い。
【００１０】アルミニウム箔中のＭｇは、エッチング時
にピットを高密度かつ均一に分布させるために必要な元
素である。即ち、一般にエッチング初期には箔表面に存
在する表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着
物、あるいはそれらが変質したものから発生する不均一
な局部溶解ピットが発生し、エッチピット密度の不均一
性（疎・密）を生じ、著しい場合には表面がクレーター
状に溶解する。この不均一性はエッチング終了後も残
り、静電容量低下の原因となっている。そこで、このよ
うな不具合点を防止するために、これら表面に存在する
エッチピットの不均一要因を制御する試みが行われてい
るが、発明者らは、この点について鋭意研究の結果、Ｍ
ｇがエッチピットの局部性をなくすとともに、高密度に
形成させる効果を有することを知見した。Ｍｇ含有量が
前述の特開平７−１５０２７９号のように１０ｐｐｍ未
満ではこのような効果が乏しい。一方、１００ｐｐｍを
越えると最終焼鈍後の（１００）結晶面の占有率が低下
するため、高静電容量箔を得ることができない。なお、
（１００）結晶面の占有率が９５％以上であるとき静電
容量の増大を図ることができるが、Ｍｇ含有量が上記範
囲内であれば９５％以上を達成できる。そこで、Ｍｇ含
有量は、１０〜１００ｐｐｍとする必要がある。Ｍｇ含
有量の好ましい下限値は２０ｐｐｍであり、好ましい上
限値は５０ｐｐｍである。
にピットを高密度かつ均一に分布させるために必要な元
素である。即ち、一般にエッチング初期には箔表面に存
在する表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着
物、あるいはそれらが変質したものから発生する不均一
な局部溶解ピットが発生し、エッチピット密度の不均一
性（疎・密）を生じ、著しい場合には表面がクレーター
状に溶解する。この不均一性はエッチング終了後も残
り、静電容量低下の原因となっている。そこで、このよ
うな不具合点を防止するために、これら表面に存在する
エッチピットの不均一要因を制御する試みが行われてい
るが、発明者らは、この点について鋭意研究の結果、Ｍ
ｇがエッチピットの局部性をなくすとともに、高密度に
形成させる効果を有することを知見した。Ｍｇ含有量が
前述の特開平７−１５０２７９号のように１０ｐｐｍ未
満ではこのような効果が乏しい。一方、１００ｐｐｍを
越えると最終焼鈍後の（１００）結晶面の占有率が低下
するため、高静電容量箔を得ることができない。なお、
（１００）結晶面の占有率が９５％以上であるとき静電
容量の増大を図ることができるが、Ｍｇ含有量が上記範
囲内であれば９５％以上を達成できる。そこで、Ｍｇ含
有量は、１０〜１００ｐｐｍとする必要がある。Ｍｇ含
有量の好ましい下限値は２０ｐｐｍであり、好ましい上
限値は５０ｐｐｍである。
【００１１】また、Ｐｂはエッチング初期の局部溶解性
を抑止して、エッチピットの均一分布に寄与する。Ｐｂ
含有量は０．１ｐｐｍでは前記効果に乏しく、５ｐｐｍ
を越えると表面溶解が生じるおそれがある。そのため、
Ｐｂ含有量は０．１〜５ｐｐｍとする必要があり、好ま
しい下限値は０．３ｐｐｍ、好ましい上限値は２．５ｐ
ｐｍである。また、エッチング初期に効果を発揮する元
素であるから、箔の表層部に高濃度に存在していること
が好ましい。
を抑止して、エッチピットの均一分布に寄与する。Ｐｂ
含有量は０．１ｐｐｍでは前記効果に乏しく、５ｐｐｍ
を越えると表面溶解が生じるおそれがある。そのため、
Ｐｂ含有量は０．１〜５ｐｐｍとする必要があり、好ま
しい下限値は０．３ｐｐｍ、好ましい上限値は２．５ｐ
ｐｍである。また、エッチング初期に効果を発揮する元
素であるから、箔の表層部に高濃度に存在していること
が好ましい。
【００１２】さらに、箔組成に含有される微量元素Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕは、下記に詳述するように
それぞれに箔のエッチング特性の向上に寄与し、これら
のうちの１種以上の存在により、上述のＭｇおよびＰｂ
とともに相乗的に静電容量の増大を図ることができる。
なお、これらの微量元素はそれぞれ単独で添加しても良
いし、また任意の２種以上を添加しても良く、それぞれ
の作用に応じた相乗的効果が得られる。
ｎ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕは、下記に詳述するように
それぞれに箔のエッチング特性の向上に寄与し、これら
のうちの１種以上の存在により、上述のＭｇおよびＰｂ
とともに相乗的に静電容量の増大を図ることができる。
なお、これらの微量元素はそれぞれ単独で添加しても良
いし、また任意の２種以上を添加しても良く、それぞれ
の作用に応じた相乗的効果が得られる。
【００１３】Ｚｎは、Ａｌマトリックス中に固溶するこ
とにより、箔の溶解性を増してエッチピットの成長を促
進し、静電容量を増大させる。Ｚｎ含有量は１ｐｐｍ未
満では前記効果が乏しく、また５０ｐｐｍを越えると局
部溶解性が強まり、エッチピットの均一分布を妨げる。
そのため、Ｚｎ含有量は１〜５０ｐｐｍとする必要があ
り、好ましい下限値は８ｐｐｍ、好ましい上限値は２０
ｐｐｍである。
とにより、箔の溶解性を増してエッチピットの成長を促
進し、静電容量を増大させる。Ｚｎ含有量は１ｐｐｍ未
満では前記効果が乏しく、また５０ｐｐｍを越えると局
部溶解性が強まり、エッチピットの均一分布を妨げる。
そのため、Ｚｎ含有量は１〜５０ｐｐｍとする必要があ
り、好ましい下限値は８ｐｐｍ、好ましい上限値は２０
ｐｐｍである。
【００１４】Ｇａは、結晶粒界または亜粒界に偏析しや
すく、単独ではエッチピットの不均一分布をもたらす元
素であるが、Ｍｇが亜粒界のサイズを細くするため、Ｍ
ｇ存在下ではエッチピットの均一分散性を高める効果が
ある。Ｇａ含有量は、１ｐｐｍ未満では前記効果に乏し
く、５０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エッチ
ピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｇａ含有量は１
〜５０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は８ｐ
ｐｍ、好ましい上限値は２０ｐｐｍである。
すく、単独ではエッチピットの不均一分布をもたらす元
素であるが、Ｍｇが亜粒界のサイズを細くするため、Ｍ
ｇ存在下ではエッチピットの均一分散性を高める効果が
ある。Ｇａ含有量は、１ｐｐｍ未満では前記効果に乏し
く、５０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エッチ
ピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｇａ含有量は１
〜５０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は８ｐ
ｐｍ、好ましい上限値は２０ｐｐｍである。
【００１５】Ｆｅ、Ｓｉは、マトリックス中でＡｌとの
化合物を形成しやすく、これらの元素の分散状態を制御
することにより、Ｍｇの濃度分布を均一にすることがで
き、ひいてはエッチピット分布を均一にすることができ
る。このような効果においてＦｅ、Ｓｉは均等物であ
り、少なくとも１種を含有すれば良い。しかし、含有量
が多すぎると、エッチング時の過溶解の原因となり静電
容量が低下する。そのため、Ｆｅ含有量は５〜６０ｐｐ
ｍとする必要があり、好ましい下限値は１０ｐｐｍ、好
ましい上限値は３０ｐｐｍである。また、Ｓｉ含有量は
５〜８０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は１
５ｐｐｍ、好ましい上限値は４０ｐｐｍである。
化合物を形成しやすく、これらの元素の分散状態を制御
することにより、Ｍｇの濃度分布を均一にすることがで
き、ひいてはエッチピット分布を均一にすることができ
る。このような効果においてＦｅ、Ｓｉは均等物であ
り、少なくとも１種を含有すれば良い。しかし、含有量
が多すぎると、エッチング時の過溶解の原因となり静電
容量が低下する。そのため、Ｆｅ含有量は５〜６０ｐｐ
ｍとする必要があり、好ましい下限値は１０ｐｐｍ、好
ましい上限値は３０ｐｐｍである。また、Ｓｉ含有量は
５〜８０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は１
５ｐｐｍ、好ましい上限値は４０ｐｐｍである。
【００１６】Ｃｕは、Ａｌマトリックス中に固溶するこ
とにより、箔の溶解性を増してエッピットの成長を促進
して深いエッチピットを形成し、静電容量を増大させ
る。Ｃｕ含有量は、５ｐｐｍ未満では前記効果が乏し
く、また８０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エ
ッチピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｃｕ含有量
は５〜８０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は
１５ｐｐｍ、好ましい上限値は６０ｐｐｍである。
とにより、箔の溶解性を増してエッピットの成長を促進
して深いエッチピットを形成し、静電容量を増大させ
る。Ｃｕ含有量は、５ｐｐｍ未満では前記効果が乏し
く、また８０ｐｐｍを越えると局部溶解性が強まり、エ
ッチピットの均一分布を妨げる。そのため、Ｃｕ含有量
は５〜８０ｐｐｍとする必要があり、好ましい下限値は
１５ｐｐｍ、好ましい上限値は６０ｐｐｍである。
【００１７】
【実施例】次に、この発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
【００１８】まず、表１に示す各種組成のアルミニウム
鋳塊を面削した後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含
む）を施し、さらに最終焼鈍を行い、最終的に厚さが１
００μｍのアルミニウム箔を作製した。
鋳塊を面削した後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含
む）を施し、さらに最終焼鈍を行い、最終的に厚さが１
００μｍのアルミニウム箔を作製した。
【００１９】次に、各アルミニウム箔について、以下の
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を５％ホウ酸液中で２５０Ｖに化成したときの静電
容量を測定した。その結果を、比較例１９の静電容量を
１００％としたときの相対比較にて表１に示す。
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を５％ホウ酸液中で２５０Ｖに化成したときの静電
容量を測定した。その結果を、比較例１９の静電容量を
１００％としたときの相対比較にて表１に示す。
【００２０】 ［エッチング条件］ 前処理 なし 一次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋１０％Ｈ2 ＳＯ4 、液温：７５℃ 電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時間：８０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ、液温：７５℃、 電流密度：直流５Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
【表１】
【００２１】表１の結果から、本発明範囲のＭｇおよび
Ｐｂを含有する本発明実施品は、本発明範囲を逸脱する
比較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得
た。さらに、ＭｇおよびＰｂに加えて１種以上の微量元
素を含有するものは、相乗的にエッチング特性が向上
し、なお一層静電容量を増大し得ることも確認できた。
Ｐｂを含有する本発明実施品は、本発明範囲を逸脱する
比較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得
た。さらに、ＭｇおよびＰｂに加えて１種以上の微量元
素を含有するものは、相乗的にエッチング特性が向上
し、なお一層静電容量を増大し得ることも確認できた。
【００２２】
【発明の効果】この発明に係る第１の電解コンデンサ電
極用アルミニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９％
以上で、Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１
〜５ｐｐｍを含有するものであるから、エッチピットの
密度を高めるととも深さを大きくし、かつ均一に分散さ
せ、エッチング処理により極めて大きな拡面率を得るこ
とができる。従って、大きな静電容量を有し電気的特性
に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔となしう
る。
極用アルミニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９％
以上で、Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１
〜５ｐｐｍを含有するものであるから、エッチピットの
密度を高めるととも深さを大きくし、かつ均一に分散さ
せ、エッチング処理により極めて大きな拡面率を得るこ
とができる。従って、大きな静電容量を有し電気的特性
に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔となしう
る。
【００２３】また、第２の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍ
ｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍ
を含有し、さらにＺｎ：１〜５０ｐｐｍ、Ｇａ：１〜５
０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐ
ｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍのうちの１種以上を含有する
ものであるから、相乗的にエッチング特性が向上し、第
１のアルミニウム箔よりもなお一層静電容量の大きい電
気的特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
となしうる。
ニウム箔は、アルミニウム純度が９９．９％以上で、Ｍ
ｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐｍ
を含有し、さらにＺｎ：１〜５０ｐｐｍ、Ｇａ：１〜５
０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐ
ｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍのうちの１種以上を含有する
ものであるから、相乗的にエッチング特性が向上し、第
１のアルミニウム箔よりもなお一層静電容量の大きい電
気的特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
となしうる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山ノ井 智明 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 加藤 豊 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 御所名 健司 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 遠藤 茂 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が９９．９％以上で、
Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐ
ｍを含有することを特徴とする電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔。 - 【請求項２】 アルミニウム純度が９９．９％以上で、
Ｍｇ：１０〜１００ｐｐｍおよびＰｂ：０．１〜５ｐｐ
ｍを含有し、さらにＺｎ：１〜５０ｐｐｍ、Ｇａ：１〜
５０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐ
ｐｍ、Ｃｕ：５〜８０ｐｐｍのうちの１種以上を含有す
ることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02004496A JP3218176B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02004496A JP3218176B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213585A true JPH09213585A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3218176B2 JP3218176B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=12016068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02004496A Expired - Lifetime JP3218176B2 (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3218176B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| KR100755081B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2007-09-06 | 아레스 트레이딩 에스.아. | 적어도 하나의 피하주사용 바늘을 위한 보관 용기 |
| JP2012144809A (ja) * | 2005-05-31 | 2012-08-02 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP02004496A patent/JP3218176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100755081B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2007-09-06 | 아레스 트레이딩 에스.아. | 적어도 하나의 피하주사용 바늘을 위한 보관 용기 |
| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
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