JPH09213610A - 基板処理装置及び処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び処理方法Info
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- JPH09213610A JPH09213610A JP8018511A JP1851196A JPH09213610A JP H09213610 A JPH09213610 A JP H09213610A JP 8018511 A JP8018511 A JP 8018511A JP 1851196 A JP1851196 A JP 1851196A JP H09213610 A JPH09213610 A JP H09213610A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を現像または洗浄する液を効果的に使用
して、少量で有効的に現像または洗浄をすることが可能
な基板処理装置および処理方法を提供する。 【解決手段】 基板１と対向して配置される蓋１３に現
像液２に浸される羽根１５を設け、基板１に一方向の回
転を与えるとともに羽根１５に往復回転を与え、現像液
２を羽根１５で攪拌しながら現像処理を行うようにし
た。
して、少量で有効的に現像または洗浄をすることが可能
な基板処理装置および処理方法を提供する。 【解決手段】 基板１と対向して配置される蓋１３に現
像液２に浸される羽根１５を設け、基板１に一方向の回
転を与えるとともに羽根１５に往復回転を与え、現像液
２を羽根１５で攪拌しながら現像処理を行うようにし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
工程でのウエハあるいは液晶用ディスプレイで用いる基
板の現像または洗浄処理をするのに好適な基板処理装置
及び方法に関するものである。
工程でのウエハあるいは液晶用ディスプレイで用いる基
板の現像または洗浄処理をするのに好適な基板処理装置
及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程での基板や液晶ディスプ
レイ用の基板等を製造する基本プロセスでは色々な処理
工程が繰り返し行われる。その中には、基板の表面に現
像液を吐出させて処理する現像工程や、洗浄液を吐出さ
せて基板の表面を洗い落とす洗浄工程等がある。
レイ用の基板等を製造する基本プロセスでは色々な処理
工程が繰り返し行われる。その中には、基板の表面に現
像液を吐出させて処理する現像工程や、洗浄液を吐出さ
せて基板の表面を洗い落とす洗浄工程等がある。
【０００３】図６は半導体製造工程における従来の現像
処理装置の一例を示す模式図である。図６において、符
号１は基板であり、ここではウエハである。５２は基板
１を真空吸着保持するためのチャックであり、また図示
せぬモータにより回転可能になっている。５３は基板１
の基板表面（レジスト表面）上に現像液２を吐出するた
めの液吐出用ノズルである。
処理装置の一例を示す模式図である。図６において、符
号１は基板であり、ここではウエハである。５２は基板
１を真空吸着保持するためのチャックであり、また図示
せぬモータにより回転可能になっている。５３は基板１
の基板表面（レジスト表面）上に現像液２を吐出するた
めの液吐出用ノズルである。
【０００４】この装置では、チャック５２により保持さ
れている基板１上に液吐出用ノズル５３から現像液２を
吐出させるとともに、チャック５２と一体に基板１を回
転させて現像液２を拡散し、この現像液２で現像を行う
構造になっている。また、拡散された後の現像液２は、
この現像液２と基板表面との間に働く表面張力で液盛り
された、すなわち現像液２のパドルを形成した状態に保
たれ、この間に現像処理がなされる。ここで、通常のパ
ドルは、図６に示すように、１μｍ前後のレジスト薄膜
上に厚みｄが３〜４ミリ（３〜４×１０3 μｍ）程度に
なるようにして形成される。そして、露光されたレジス
ト薄膜の現像は、液盛りされた現像液２によって行われ
るが、レジストと現像液２との反応は、その界面で起こ
っているため、主に現像液の界面への拡散が律速となる
ことから現像に６０〜９０秒もの時間を要し、さらには
その界面から離れた部分にある現像液２の大部分はリン
ス処理時に未反応のまま排出されているのが現状であ
る。したがって、リンス処理するときに使用する洗浄液
の量や処理時間及び未反応のまま処理される現像液２の
量を考慮すると、現像液２の液盛り量を少なくすること
は、それなりの効果が期待できる。
れている基板１上に液吐出用ノズル５３から現像液２を
吐出させるとともに、チャック５２と一体に基板１を回
転させて現像液２を拡散し、この現像液２で現像を行う
構造になっている。また、拡散された後の現像液２は、
この現像液２と基板表面との間に働く表面張力で液盛り
された、すなわち現像液２のパドルを形成した状態に保
たれ、この間に現像処理がなされる。ここで、通常のパ
ドルは、図６に示すように、１μｍ前後のレジスト薄膜
上に厚みｄが３〜４ミリ（３〜４×１０3 μｍ）程度に
なるようにして形成される。そして、露光されたレジス
ト薄膜の現像は、液盛りされた現像液２によって行われ
るが、レジストと現像液２との反応は、その界面で起こ
っているため、主に現像液の界面への拡散が律速となる
ことから現像に６０〜９０秒もの時間を要し、さらには
その界面から離れた部分にある現像液２の大部分はリン
ス処理時に未反応のまま排出されているのが現状であ
る。したがって、リンス処理するときに使用する洗浄液
の量や処理時間及び未反応のまま処理される現像液２の
量を考慮すると、現像液２の液盛り量を少なくすること
は、それなりの効果が期待できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板表
面での現像液２の表面張力は非常に大きい。このため、
従来の現像処理方法において現像液２の量をただ単に少
なくすると、例えば図７に示すように現像液２の液盛り
が基板１の周辺まで達しないと言う現象が起きる。
面での現像液２の表面張力は非常に大きい。このため、
従来の現像処理方法において現像液２の量をただ単に少
なくすると、例えば図７に示すように現像液２の液盛り
が基板１の周辺まで達しないと言う現象が起きる。
【０００６】そこで、例えば図８に示すように、蓋５４
を用いた構造の基板処理装置も提案されている。なお、
図８において図６及び図７と同一符号を付したものは図
６及び図７と同一のものを示している。図８に示す装置
では、蓋５４は、基板１と略同じ平面形状に作られ、ま
た中心には現像液２が吐出されて供給できる穴５５を有
している。この構造では、基板１との距離βを上記現像
液２の液盛り高さｄ（図６参照）よりも小さく、すなわ
ち（β＜ｄ）に設定して基板１上に蓋５４を対向させて
配置し、次いで現像液２を供給穴５５から供給すると蓋
５４と基板１との間にパドルを形成することができ、こ
の方法では少量での現像が可能になる。また、この構造
では、距離βを小さくすると、これに比例して現像液２
の使用量も少なくなる。しかし、図８に示す構造におい
て、その蓋５４と基板１との距離βを小さくして、距離
β間に存在する現像液２を効率的に使用するにも限界が
ある。
を用いた構造の基板処理装置も提案されている。なお、
図８において図６及び図７と同一符号を付したものは図
６及び図７と同一のものを示している。図８に示す装置
では、蓋５４は、基板１と略同じ平面形状に作られ、ま
た中心には現像液２が吐出されて供給できる穴５５を有
している。この構造では、基板１との距離βを上記現像
液２の液盛り高さｄ（図６参照）よりも小さく、すなわ
ち（β＜ｄ）に設定して基板１上に蓋５４を対向させて
配置し、次いで現像液２を供給穴５５から供給すると蓋
５４と基板１との間にパドルを形成することができ、こ
の方法では少量での現像が可能になる。また、この構造
では、距離βを小さくすると、これに比例して現像液２
の使用量も少なくなる。しかし、図８に示す構造におい
て、その蓋５４と基板１との距離βを小さくして、距離
β間に存在する現像液２を効率的に使用するにも限界が
ある。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は基板を現像または洗浄する液を効
果的に使用して、少量で有効的に現像または洗浄をする
ことが可能な基板処理装置および処理方法を提供するこ
とにある。
のであり、その目的は基板を現像または洗浄する液を効
果的に使用して、少量で有効的に現像または洗浄をする
ことが可能な基板処理装置および処理方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の装置にあっては、基板上に吐出された現像
用または洗浄用の液で前記基板表面の現像または洗浄を
行う基板処理装置において、前記液に浸される羽根を有
して前記基板と対向して配置される蓋と、前記液に前記
羽根を浸して少なくとも前記基板または前記羽根の一方
を回転させる手段とを備えてなる構成としたものであ
る。
め、本発明の装置にあっては、基板上に吐出された現像
用または洗浄用の液で前記基板表面の現像または洗浄を
行う基板処理装置において、前記液に浸される羽根を有
して前記基板と対向して配置される蓋と、前記液に前記
羽根を浸して少なくとも前記基板または前記羽根の一方
を回転させる手段とを備えてなる構成としたものであ
る。
【０００９】また、上記目的を達成するため、本発明の
方法にあっては、基板上に吐出された現像用または洗浄
用の液で前記基板表面の現像または洗浄を行う基板処理
方法において、前記基板と対向して配置される蓋に前記
液に浸される羽根を設け、少なくとも前記基板または前
記羽根の一方に回転を与えて前記液を前記羽根で攪拌し
ながら現像または洗浄を行うようにしたものである。
方法にあっては、基板上に吐出された現像用または洗浄
用の液で前記基板表面の現像または洗浄を行う基板処理
方法において、前記基板と対向して配置される蓋に前記
液に浸される羽根を設け、少なくとも前記基板または前
記羽根の一方に回転を与えて前記液を前記羽根で攪拌し
ながら現像または洗浄を行うようにしたものである。
【００１０】これによれば、基板上と蓋との間に液が流
し込まれると羽根が液に浸され、さらに基板または羽根
の一方を回転させると液が羽根で攪拌されて、この液を
基板表面との界面に次々と供給される状態にして現像ま
たは洗浄を行うことができる。これにより、現像または
洗浄効果を向上させることができ、短時間でより精度の
高い基板処理を行うことができる。
し込まれると羽根が液に浸され、さらに基板または羽根
の一方を回転させると液が羽根で攪拌されて、この液を
基板表面との界面に次々と供給される状態にして現像ま
たは洗浄を行うことができる。これにより、現像または
洗浄効果を向上させることができ、短時間でより精度の
高い基板処理を行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処
理装置の一形態例を示すもので、本例では半導体製造工
程でウエハを現像処理する場合を一例としている。な
お、図１において図６乃至図８と同一符号を付したもの
は図６乃至図８と同一のものを示している。そして、図
１において符号１は基板であり、ここではウエハであ
る。１１は基板１を真空吸着するためのチャックであ
り、また図示せぬモータにより回転可能になっている。
１３は蓋であり、この蓋１３は基板１と略同じ平面形状
に作られ、中心には現像液２が吐出されて供給できる穴
１４を有している。さらに、蓋１３の基板１と対向して
配置される下面には、攪拌用の羽根１５が下面より真っ
直ぐ垂れ下げられた状態にして設けられている。その羽
根１５は、この形態例では図２に示すように、供給穴１
４を中心として放射状に８枚等間隔で設けられている
が、少なくとも１枚以上設けてあれば良いものである。
なお、この蓋１３は図示せぬモータにより供給穴１４を
中心として左右に往復回転できる構造になっている。ま
た、羽根１５が下面より吐出されている寸法γ（図１参
照）は、蓋１３と基板１とが対向配置されるときの寸法
β（図１参照）よりも小さく、約半分の大きさ［γ＝
（１／２）・β］で形成されている。
面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処
理装置の一形態例を示すもので、本例では半導体製造工
程でウエハを現像処理する場合を一例としている。な
お、図１において図６乃至図８と同一符号を付したもの
は図６乃至図８と同一のものを示している。そして、図
１において符号１は基板であり、ここではウエハであ
る。１１は基板１を真空吸着するためのチャックであ
り、また図示せぬモータにより回転可能になっている。
１３は蓋であり、この蓋１３は基板１と略同じ平面形状
に作られ、中心には現像液２が吐出されて供給できる穴
１４を有している。さらに、蓋１３の基板１と対向して
配置される下面には、攪拌用の羽根１５が下面より真っ
直ぐ垂れ下げられた状態にして設けられている。その羽
根１５は、この形態例では図２に示すように、供給穴１
４を中心として放射状に８枚等間隔で設けられている
が、少なくとも１枚以上設けてあれば良いものである。
なお、この蓋１３は図示せぬモータにより供給穴１４を
中心として左右に往復回転できる構造になっている。ま
た、羽根１５が下面より吐出されている寸法γ（図１参
照）は、蓋１３と基板１とが対向配置されるときの寸法
β（図１参照）よりも小さく、約半分の大きさ［γ＝
（１／２）・β］で形成されている。
【００１２】次に、この基板処理装置の動作を説明す
る。まず、センタリングされた基板１がチャック１１上
に搬送され、このチャック１１で真空チャックされる。
このとき、基板１の搬送がスムースに行えるように、チ
ャック１１と蓋１３との間は十分に離された状態にあ
る。基板１のチャック１１への吸着が完了されると、チ
ャック１１の上昇または蓋１３の下降によって基板１と
蓋１３との間の距離が狭められ、現像の前準備が整う。
次いで、図示せぬポンプあるいはガス加圧によって現像
液２が圧送され、供給穴１４より蓋１３と基板１との間
に供給される。その際、それぞれ図示せぬモータによっ
て蓋１３は左右方向に往復回転されるとともに、チャッ
ク１１は基板１と共に一方向に回転され、これらの各回
転によって基板１のレジスト表面に現像液２が均一に流
し込まれる。また、現像液２の供給は、その先端が基板
１の端（ウエハ周端）に達した時点で止める。すると、
現像液２の表面張力によって蓋１３と基板との間に現像
液２が保持される形でパドル状態が形成さる。図１はこ
の状態を示している。
る。まず、センタリングされた基板１がチャック１１上
に搬送され、このチャック１１で真空チャックされる。
このとき、基板１の搬送がスムースに行えるように、チ
ャック１１と蓋１３との間は十分に離された状態にあ
る。基板１のチャック１１への吸着が完了されると、チ
ャック１１の上昇または蓋１３の下降によって基板１と
蓋１３との間の距離が狭められ、現像の前準備が整う。
次いで、図示せぬポンプあるいはガス加圧によって現像
液２が圧送され、供給穴１４より蓋１３と基板１との間
に供給される。その際、それぞれ図示せぬモータによっ
て蓋１３は左右方向に往復回転されるとともに、チャッ
ク１１は基板１と共に一方向に回転され、これらの各回
転によって基板１のレジスト表面に現像液２が均一に流
し込まれる。また、現像液２の供給は、その先端が基板
１の端（ウエハ周端）に達した時点で止める。すると、
現像液２の表面張力によって蓋１３と基板との間に現像
液２が保持される形でパドル状態が形成さる。図１はこ
の状態を示している。
【００１３】続いて、基板１の表面におけるレジスト薄
膜の現像に入る。このときも羽根１５の付いた蓋１３あ
るいは基板１を回転させ、蓋１３と基板１との間の現像
液２を攪拌し、常に未反応の現像液がレジスト表面と現
像液との界面に供給される状態にして現像を行う。
膜の現像に入る。このときも羽根１５の付いた蓋１３あ
るいは基板１を回転させ、蓋１３と基板１との間の現像
液２を攪拌し、常に未反応の現像液がレジスト表面と現
像液との界面に供給される状態にして現像を行う。
【００１４】現像処理が終わったら、次にリンス処理に
入る。この現像後のリンス処理は図示せぬ三方弁により
配管を切り換え、リンス液を供給穴１４より吐出して行
う。また、このときも蓋１３及び基板１を回転させる。
そして、こうして現像処理が終わったら基板１をスピン
乾燥させ、現像を終了し、蓋１３を上昇あるいはチャッ
ク１１を降下させた状態で基板１を次工程に搬送する。
入る。この現像後のリンス処理は図示せぬ三方弁により
配管を切り換え、リンス液を供給穴１４より吐出して行
う。また、このときも蓋１３及び基板１を回転させる。
そして、こうして現像処理が終わったら基板１をスピン
乾燥させ、現像を終了し、蓋１３を上昇あるいはチャッ
ク１１を降下させた状態で基板１を次工程に搬送する。
【００１５】したがって、本形態例の基板処理装置で
は、現像液２のパドルを基板１と蓋１３との間に形成
し、現像中に基板１あるいは蓋１３を回転させることに
よりパドル状態の現像液２を羽根１５により攪拌するこ
とができるため、常に反応界面に未反応の現像液を供給
でき、現像液の少量化とともに、現像時間の短縮化が図
れる。
は、現像液２のパドルを基板１と蓋１３との間に形成
し、現像中に基板１あるいは蓋１３を回転させることに
よりパドル状態の現像液２を羽根１５により攪拌するこ
とができるため、常に反応界面に未反応の現像液を供給
でき、現像液の少量化とともに、現像時間の短縮化が図
れる。
【００１６】ここで、現像液濃度と解像限界寸法との関
係を図４に示すとともに、現像液濃度と現像時間の関係
を図５に示すように、この図４及び図５からは、一般
に、現像液濃度が低くなると解像限界寸法は小さくなっ
てレジストパターンの解像度は向上する傾向にあるが、
その反面、現像液濃度を低くすると現像に要する時間が
長くなると言うことが分かる。しかしながら、本発明の
処理方法を用いると、上述したように現像時間を短くす
ることができるため、低濃度の現像液を用いた場合には
通常のパドル法と同じ現像時間でより解像度の高いレジ
ストパターンを形成することができることになる。
係を図４に示すとともに、現像液濃度と現像時間の関係
を図５に示すように、この図４及び図５からは、一般
に、現像液濃度が低くなると解像限界寸法は小さくなっ
てレジストパターンの解像度は向上する傾向にあるが、
その反面、現像液濃度を低くすると現像に要する時間が
長くなると言うことが分かる。しかしながら、本発明の
処理方法を用いると、上述したように現像時間を短くす
ることができるため、低濃度の現像液を用いた場合には
通常のパドル法と同じ現像時間でより解像度の高いレジ
ストパターンを形成することができることになる。
【００１７】なお、上記実施の形態例では、蓋１３に設
けた羽根１５を、この蓋１３の中心より放射状に延びる
構造のものを開示したが、図３に示すように角度θだけ
同一方向にずらして設けてなる構造にすると、現像液供
給時に現像液２をより均一に広げることができるととも
に、現像時においてもパドル中の現像液２をより効率良
く攪拌させることができ、現像液２とレジストとの反応
界面に効率良く未反応の現像液が供給できるようにな
り、現像時間の短縮化がより一層図れる。また、上記実
施の形態例では、半導体製造工程でのウエハの現像処理
を行う場合について説明したが、液晶ディスプレイ用の
基板の現像処理装置に適用したり、あるいは半導体製造
工程でのウエハの洗浄処理を行う場合や液晶ディスプレ
イ用の基板の洗浄処理を行う場合についても同様にして
適用できるものである。さらに、洗浄処理装置として使
用する場合では、一枚のウエハを回転させ、この回転中
にウエハ表面に洗浄液をスプレーで吐出させるようにし
た枚葉式の洗浄装置にも適用することができるものであ
る。
けた羽根１５を、この蓋１３の中心より放射状に延びる
構造のものを開示したが、図３に示すように角度θだけ
同一方向にずらして設けてなる構造にすると、現像液供
給時に現像液２をより均一に広げることができるととも
に、現像時においてもパドル中の現像液２をより効率良
く攪拌させることができ、現像液２とレジストとの反応
界面に効率良く未反応の現像液が供給できるようにな
り、現像時間の短縮化がより一層図れる。また、上記実
施の形態例では、半導体製造工程でのウエハの現像処理
を行う場合について説明したが、液晶ディスプレイ用の
基板の現像処理装置に適用したり、あるいは半導体製造
工程でのウエハの洗浄処理を行う場合や液晶ディスプレ
イ用の基板の洗浄処理を行う場合についても同様にして
適用できるものである。さらに、洗浄処理装置として使
用する場合では、一枚のウエハを回転させ、この回転中
にウエハ表面に洗浄液をスプレーで吐出させるようにし
た枚葉式の洗浄装置にも適用することができるものであ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
基板上と蓋との間に液が流し込まれたら、基板または羽
根の一方を回転させると液が羽根で攪拌され、この液を
基板表面との界面に次々と供給される状態にして現像ま
たは洗浄を行うことができ、現像または洗浄効果を向上
させて短時間でより精度の高い基板処理を行うことがで
きる。
基板上と蓋との間に液が流し込まれたら、基板または羽
根の一方を回転させると液が羽根で攪拌され、この液を
基板表面との界面に次々と供給される状態にして現像ま
たは洗浄を行うことができ、現像または洗浄効果を向上
させて短時間でより精度の高い基板処理を行うことがで
きる。
【図１】本発明に係る基板処理装置の一形態例を示す模
式図である。
式図である。
【図２】図１に示した同上装置における蓋単体の底面図
である。
である。
【図３】蓋単体の一変形例を示す底面図である。
【図４】現像液濃度と解像限界寸法との関係を示す図で
ある。
ある。
【図５】現像液濃度と現像時間との関係を示す図であ
る。
る。
【図６】従来の現像処理装置の一例を示す模式図であ
る。
る。
【図７】従来装置の問題点を説明するための図である。
【図８】従来の現像処理装置の他の例を示す模式図であ
る。
る。
１ 基板（ウエハ） ２ 現像液 １３ 蓋 １４ 供給穴 １５ 羽根
Claims (26)
- 【請求項１】 基板上に吐出された現像用または洗浄用
の液で前記基板表面の現像または洗浄を行う基板処理装
置において、 前記液に浸される羽根を有して前記基板と対向して配置
される蓋と、 前記液に前記羽根を浸して少なくとも前記基板または前
記羽根の一方を回転させる手段、 とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記基板と前記蓋との間で前記基板の中
央に前記液を吐出させる手段を設けた請求項１に記載の
基板処理装置。 - 【請求項３】 前記羽根を前記蓋の中心から放射状にし
て複数設けてなる請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線に
対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求項
３に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記基板を一方向に回転させるとともに
前記羽根を往復回転させるようにしてなる請求項１に記
載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記基板として半導体装置用のウエハを
使用する請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記基板として液晶ディスプレイ用の基
板を使用する請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 基板上に吐出された現像用の液で前記基
板表面の現像を行う基板処理装置において、 前記基板と対向して配置される蓋と、 前記蓋に固定されて前記蓋の中心から放射状にして複数
設けられているとともに、前記蓋が前記基板と対向され
たときに前記液に浸される羽根と、 前記基板を一方向に回転させるとともに前記蓋を前記羽
根と一体に往復回転させる手段と、 前記蓋の略中心より前記基板と蓋との間に前記液を吐出
させるための手段、 とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 前記基板として半導体装置用のウエハを
使用する請求項８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線
に対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求
項９に記載の基板処理装置。 - 【請求項１１】 前記基板として液晶ディスプレイ用の
基板を使用する請求項８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線
に対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求
項１１に記載の基板処理装置。 - 【請求項１３】 基板上に吐出された洗浄用の液で前記
基板表面の洗浄を行う基板処理装置において、 前記基板と対向して配置される蓋と、 前記蓋に固定されて前記蓋の中心から放射状にして複数
設けられているとともに、前記蓋が前記基板と対向され
たときに前記液に浸される羽根と、 前記基板を一方向に回転させるとともに前記蓋を前記羽
根と一体に往復回転させる手段と、 前記蓋の略中心より前記基板と蓋との間に前記液を吐出
させるための手段、 とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１４】 前記基板として半導体装置用のウエハ
を使用する請求項１３に記載の基板処理装置。 - 【請求項１５】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線
に対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求
項１４に記載の基板処理装置。 - 【請求項１６】 前記基板として液晶ディスプレイ用の
基板を使用する請求項１３に記載の基板処理装置。 - 【請求項１７】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線
に対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求
項１６に記載の基板処理装置。 - 【請求項１８】 基板上に吐出された現像用または洗浄
用の液で前記基板表面の現像または洗浄を行う基板処理
方法において、 前記液に浸される羽根を前記基板と対向して配置される
蓋に設け、 少なくとも前記基板または前記羽根の一方に回転を与え
て前記液を前記羽根で攪拌しながら現像または洗浄を行
うことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１９】 前記基板と前記蓋との間で前記基板の
中央より前記液を吐出させるようにした請求項１８記載
の基板処理方法。 - 【請求項２０】 前記羽根を前記蓋の中心から放射状に
して複数設けてなる請求項１９に記載の基板処理方法。 - 【請求項２１】 前記羽根を前記蓋の中心からの放射線
に対して角度θだけ同一方向にずらして設けてなる請求
項２０に記載の基板処理方法。 - 【請求項２２】 前記基板を一方向に回転させるととも
に前記羽根を往復回転させるようにしてなる請求項１８
に記載の基板処理方法。 - 【請求項２３】 前記基板として半導体装置用のウエハ
を使用する請求項１８に記載の基板処理方法。 - 【請求項２４】 前記基板として液晶ディスプレイ用の
基板を使用する請求項１８に記載の基板処理方法。 - 【請求項２５】 基板上に吐出された現像用の液で前記
基板表面の現像を行う基板処理方法において、 前記基板と対向して配置される蓋に前記液に浸される羽
根を設けるとともに、 前記蓋の略中心より前記基板と蓋との間に前記液を吐出
させ、 かつ前記基板を一方向に回転させるとともに前記蓋を前
記羽根と一体に往復回転させて前記液を前記羽根で攪拌
しながら現像を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２６】 基板上に吐出された洗浄用の液で前記
基板表面の洗浄を行う基板処理方法において、 前記基板と対向して配置される蓋に前記液に浸される羽
根を設けるとともに、 前記蓋の略中心より前記基板と蓋との間に前記液を吐出
させ、 かつ前記基板を一方向に回転させるとともに前記蓋を前
記羽根と一体に往復回転させて前記液を前記羽根で攪拌
しながら洗浄を行うことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018511A JPH09213610A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 基板処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8018511A JPH09213610A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 基板処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213610A true JPH09213610A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11973664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8018511A Pending JPH09213610A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 基板処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213610A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009182257A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2011124352A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2015032749A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2015106688A (ja) * | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 表面張力を利用したスピン洗浄装置 |
| WO2015083669A1 (ja) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 | ウェット処理装置 |
| JP2015185803A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| WO2016088798A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリンジを用いた処理液供給装置およびウェット処理装置 |
| US10825713B2 (en) | 2014-02-27 | 2020-11-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1996
- 1996-02-05 JP JP8018511A patent/JPH09213610A/ja active Pending
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| US10431446B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Wet processing apparatus |
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| JP2016111053A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリンジを用いた処理液供給装置およびウェット処理装置 |
| US10478867B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Treatment liquid supply device using syringe, and wet treatment device |
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