JPH09213632A - Ｉｉ−ｖｉ族半導体結晶の製造方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族半導体結晶の製造方法Info
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- JPH09213632A JPH09213632A JP1613696A JP1613696A JPH09213632A JP H09213632 A JPH09213632 A JP H09213632A JP 1613696 A JP1613696 A JP 1613696A JP 1613696 A JP1613696 A JP 1613696A JP H09213632 A JPH09213632 A JP H09213632A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な装置で導電性が十分に高い良結晶性の
II−VI族半導体単結晶を製造可能な製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板４上にII−VI族半導体結晶をＭＢＥ
法により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法におい
て、VI族元素用ソース５として、前記II−VI族半導体結
晶の構成元素の全部又は１部で構成されるII−VI族化合
物を用いると共に、基板温度を２００℃未満とする。
II−VI族半導体単結晶を製造可能な製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 基板４上にII−VI族半導体結晶をＭＢＥ
法により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法におい
て、VI族元素用ソース５として、前記II−VI族半導体結
晶の構成元素の全部又は１部で構成されるII−VI族化合
物を用いると共に、基板温度を２００℃未満とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、II−VI族半導体結
晶をＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）により製造する
II−VI族半導体結晶の製造方法に関する。
晶をＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）により製造する
II−VI族半導体結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】直接遷移型の広禁止帯を有するＺｎＳ
ｅ、ＺｎＳＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ等のII−VI族化合物半
導体は紫外光から青色、緑色の帯域の発光が可能なこと
から半導体レーザや発光ダイオードの材料として活発に
研究が行われている。
ｅ、ＺｎＳＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ等のII−VI族化合物半
導体は紫外光から青色、緑色の帯域の発光が可能なこと
から半導体レーザや発光ダイオードの材料として活発に
研究が行われている。
【０００３】ところで、斯る化合物半導体をＭＢＥ法で
結晶成長を行う場合、従来は結晶の良好性を高めるため
に、基板温度を十分に高く設定する必要があった。
結晶成長を行う場合、従来は結晶の良好性を高めるため
に、基板温度を十分に高く設定する必要があった。
【０００４】一方、II−VI族半導体は、導電性を打ち消
す自己補償作用が基板温度が高くなる程、強くなること
も知られていた。
す自己補償作用が基板温度が高くなる程、強くなること
も知られていた。
【０００５】従って、通常、従来は基板温度を２００℃
より高い温度に設定され、例えば、ＺｎＳｅ単結晶を成
長する場合、ソースとしてはＺｎ、Ｓｅを使用する方
法、又はＺｎＳｅを使用する方法が採用されている。
より高い温度に設定され、例えば、ＺｎＳｅ単結晶を成
長する場合、ソースとしてはＺｎ、Ｓｅを使用する方
法、又はＺｎＳｅを使用する方法が採用されている。
【０００６】また、この基板温度を２００℃以上とする
以外の報告としては、加熱によりＳｅ単体のソースから
放出されたガスをＳｅの蒸発温度より高い温度でＳｅ2
等の低次数分子にクラッキングすると共に、基板温度を
１５０℃とした条件で、ノンドープのＺｎＳｅ単結晶を
成長した例がある。
以外の報告としては、加熱によりＳｅ単体のソースから
放出されたガスをＳｅの蒸発温度より高い温度でＳｅ2
等の低次数分子にクラッキングすると共に、基板温度を
１５０℃とした条件で、ノンドープのＺｎＳｅ単結晶を
成長した例がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにクラッキングを行わずに、基板温度を２００℃以
上にする方法では、導電性が十分に高い単結晶を得るこ
とは困難であった。
ようにクラッキングを行わずに、基板温度を２００℃以
上にする方法では、導電性が十分に高い単結晶を得るこ
とは困難であった。
【０００８】また、例えば、Ｓｅの単体をソースとし、
クラッキング処理する場合には、最初にＳｅの単体を蒸
発可能な低温で加熱してＳｅn（ｎ＞２）等からなる高
次数分子ガスを形成した後、該ガスを高温に加熱してＳ
ｅ2分子にクラッキングする特別な装置が必要であり、
また導電性が十分に高い単結晶を得ることができるかも
不明であった。
クラッキング処理する場合には、最初にＳｅの単体を蒸
発可能な低温で加熱してＳｅn（ｎ＞２）等からなる高
次数分子ガスを形成した後、該ガスを高温に加熱してＳ
ｅ2分子にクラッキングする特別な装置が必要であり、
また導電性が十分に高い単結晶を得ることができるかも
不明であった。
【０００９】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、簡単な装置で導電性が十分に高い良結晶性のII
−VI族半導体結晶を製造可能な製造方法を提供すること
を目的とする。
であり、簡単な装置で導電性が十分に高い良結晶性のII
−VI族半導体結晶を製造可能な製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のII−VI族半導体
結晶の製造方法は、基板上にII−VI族半導体結晶をＭＢ
Ｅ法により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法にお
いて、VI族元素用ソースとして、前記II−VI族半導体結
晶の構成元素の全部又は１部で構成されるII−VI族化合
物を用いると共に、基板温度を２００℃未満とすること
を特徴とする。
結晶の製造方法は、基板上にII−VI族半導体結晶をＭＢ
Ｅ法により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法にお
いて、VI族元素用ソースとして、前記II−VI族半導体結
晶の構成元素の全部又は１部で構成されるII−VI族化合
物を用いると共に、基板温度を２００℃未満とすること
を特徴とする。
【００１１】本発明の製造方法は、高次数分子を形成し
やすいVI族元素の供給がII-VI族化合物からなるソース
にて行われ、且つ基板温度が２００℃未満であるので、
II-VI族化合物からなるソースから蒸発するVI族ガス
は、付着係数が大きく、基板表面上でマイグレーション
が行われやすい２原子分子が主成分であり、しかも、こ
のように、II-VI族化合物からなるソースから蒸発するV
I族ガス（主成分：２原子分子）、II族ガス（主成分：
原子）の構成物の質量が小さいのに加えて、上記ソース
はII-VI族化合物の蒸発温度以上に加熱される必要があ
り、この結果、ソースから蒸発するII族ガスビーム及び
VI族ガスビームは、非常に大きな運動エネルギーをもっ
て基板上に照射されるので、マイグレーションが良好化
される。そして、この際、基板温度は２００℃未満であ
るので、マイグレーション後の再蒸発が抑制され、良結
晶性が確保できるとともに、自己補償作用が抑制されて
高導電性が実現できる。しかも、クラッキングのための
特別な装置を用いることもない。
やすいVI族元素の供給がII-VI族化合物からなるソース
にて行われ、且つ基板温度が２００℃未満であるので、
II-VI族化合物からなるソースから蒸発するVI族ガス
は、付着係数が大きく、基板表面上でマイグレーション
が行われやすい２原子分子が主成分であり、しかも、こ
のように、II-VI族化合物からなるソースから蒸発するV
I族ガス（主成分：２原子分子）、II族ガス（主成分：
原子）の構成物の質量が小さいのに加えて、上記ソース
はII-VI族化合物の蒸発温度以上に加熱される必要があ
り、この結果、ソースから蒸発するII族ガスビーム及び
VI族ガスビームは、非常に大きな運動エネルギーをもっ
て基板上に照射されるので、マイグレーションが良好化
される。そして、この際、基板温度は２００℃未満であ
るので、マイグレーション後の再蒸発が抑制され、良結
晶性が確保できるとともに、自己補償作用が抑制されて
高導電性が実現できる。しかも、クラッキングのための
特別な装置を用いることもない。
【００１２】特に、ソースとして、前記VI族元素用ソー
スの他、前記II−VI族半導体結晶を構成するII族元素単
体からなるII族元素用ソースを用いることを特徴とす
る。
スの他、前記II−VI族半導体結晶を構成するII族元素単
体からなるII族元素用ソースを用いることを特徴とす
る。
【００１３】この場合、成長時のVI／II比を容易に適宜
変えることができ、より結晶性のよいII−VI族半導体結
晶を得られる。
変えることができ、より結晶性のよいII−VI族半導体結
晶を得られる。
【００１４】また、本発明のII−VI族半導体結晶の製造
方法は、基板上にＺｎＳｅ結晶をＭＢＥ法により製造す
るII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソースとし
て、ＺｎＳｅ、又は、ＺｎＳｅとＺｎを用いると共に、
基板温度を２００℃未満とすることを特徴とする。
方法は、基板上にＺｎＳｅ結晶をＭＢＥ法により製造す
るII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソースとし
て、ＺｎＳｅ、又は、ＺｎＳｅとＺｎを用いると共に、
基板温度を２００℃未満とすることを特徴とする。
【００１５】また、本発明のII−VI族半導体結晶の製造
方法は、基板上にＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法により製造
するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソースと
して、ＺｎＳとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎＳとＺｎＳ
ｅを用いると共に、基板温度を２００℃未満とすること
を特徴とする。
方法は、基板上にＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法により製造
するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソースと
して、ＺｎＳとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎＳとＺｎＳ
ｅを用いると共に、基板温度を２００℃未満とすること
を特徴とする。
【００１６】また、本発明のII−VI族半導体結晶の製造
方法は、基板上にＺｎＭｇＳｅ結晶をＭＢＥ法により製
造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソース
として、ＺｎＳｅとＭｇＳｅ、ＺｎＳｅとＭｇ、ＺｎＳ
ｅとＭｇＳｅとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇ、Ｚｎ
ＳｅとＭｇＳｅとＺｎとＭｇ、ＭｇＳｅとＺｎとＭｇ、
又はＺｎとＭｇＳｅのいずれかを用いると共に、基板温
度を２００℃未満とすることを特徴とする。
方法は、基板上にＺｎＭｇＳｅ結晶をＭＢＥ法により製
造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソース
として、ＺｎＳｅとＭｇＳｅ、ＺｎＳｅとＭｇ、ＺｎＳ
ｅとＭｇＳｅとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇ、Ｚｎ
ＳｅとＭｇＳｅとＺｎとＭｇ、ＭｇＳｅとＺｎとＭｇ、
又はＺｎとＭｇＳｅのいずれかを用いると共に、基板温
度を２００℃未満とすることを特徴とする。
【００１７】また、本発明のII−VI族半導体結晶の製造
方法は、基板上にＺｎＳｅＴｅ結晶をＭＢＥ法により製
造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソース
として、ＺｎＴｅとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎＳｅと
ＺｎＴｅを用いると共に、基板温度を２００℃未満とす
ることを特徴とする。
方法は、基板上にＺｎＳｅＴｅ結晶をＭＢＥ法により製
造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソース
として、ＺｎＴｅとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎＳｅと
ＺｎＴｅを用いると共に、基板温度を２００℃未満とす
ることを特徴とする。
【００１８】また、本発明のII−VI族半導体結晶の製造
方法は、基板上にＭｇＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法により
製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソー
スとして、ＺｎＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＺ
ｎＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＺｎＳ、ＺｎＳｅとＺｎＳと
Ｍｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳ
とＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳと
ＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＺ
ｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＺｎＳｅとＺ
ｎＳとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳとＭ
ｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳ
ｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳとＭ
ｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳ
とＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳ
ｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ
とＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳとＭｇとＺｎ、Ｚｎ
ＳｅとＭｇＳとＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎ
ＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳ
ｅ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＭｇＳｅとＭｇＳとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＭｇＳｅとＭｇ
ＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳと
ＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、又はＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ
とＭｇのいずれをを用いると共に、基板温度を２００℃
未満とすることを特徴とする。
方法は、基板上にＭｇＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法により
製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソー
スとして、ＺｎＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＺ
ｎＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＺｎＳ、ＺｎＳｅとＺｎＳと
Ｍｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳ
とＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳと
ＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＺ
ｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＺｎＳｅとＺ
ｎＳとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳとＭ
ｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳ
ｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳとＭ
ｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳ
とＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳ
ｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ
とＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳとＭｇとＺｎ、Ｚｎ
ＳｅとＭｇＳとＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎ
ＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳ
ｅ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＭｇＳｅとＭｇＳとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＭｇＳｅとＭｇ
ＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳと
ＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、又はＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ
とＭｇのいずれをを用いると共に、基板温度を２００℃
未満とすることを特徴とする。
【００１９】特に、前記II−VI族半導体結晶の成長速度
は、１．４μｍ／hrより大であることを特徴とする。
は、１．４μｍ／hrより大であることを特徴とする。
【００２０】更に、前記II−VI族半導体結晶の成長速度
は、１．８μｍ／hr以下であることを特徴とする。
は、１．８μｍ／hr以下であることを特徴とする。
【００２１】また、前記基板温度は、１００℃以上であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００２２】この場合、より良結晶性となる。
【００２３】特に、前記基板温度は、１５０℃以上であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００２４】この場合、非常によい結晶性となる。
【００２５】更に、前記基板温度は、１８０℃以下であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００２６】この場合、非常によい結晶性となる。
【００２７】また、前記II−VI族半導体結晶成長中に、
アクセプター又はドナーをドーピングすることを特徴と
する。特にアクセプタとしては窒素が好ましい。
アクセプター又はドナーをドーピングすることを特徴と
する。特にアクセプタとしては窒素が好ましい。
【００２８】特に、前記II−VI族半導体結晶成長中に、
窒素分子又は活性窒素（三重項励起状態の窒素分子又は
三重項励起状態の窒素原子など）を照射し、該II−VI族
半導体結晶をｐ型化することを特徴とする。
窒素分子又は活性窒素（三重項励起状態の窒素分子又は
三重項励起状態の窒素原子など）を照射し、該II−VI族
半導体結晶をｐ型化することを特徴とする。
【００２９】特に、本発明はII−VI族半導体単結晶を作
製するのに好ましい。
製するのに好ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に係るII-VI
族半導体単結晶の製造方法について説明する。本発明の
II-VI族半導体単結晶はＭＢＥ装置により製造され、図
１はこの実施形態で用いられるＭＢＥ装置の模式構成図
である。
族半導体単結晶の製造方法について説明する。本発明の
II-VI族半導体単結晶はＭＢＥ装置により製造され、図
１はこの実施形態で用いられるＭＢＥ装置の模式構成図
である。
【００３１】図１中、１は真空容器、２は図示しない真
空ポンプに接続され真空容器１内を真空排気するための
排気口、３は真空容器内に設置された基板（被照射物）
４を支持し、該基板４を加熱して所望の基板温度に保持
するための基板ホルダーである。５は真空容器１内に設
置されると共に、上記基板４表面上に分子線を照射する
ための、高純度（純度９９．９９９９％）のＺｎＳｅが
格納された分子線源としてのセル、６は適宜所望の上記
分子線と同時に基板４表面上に照射するための真空容器
１内に設置された窒素ガスセルである。尚、７、８、９
は他の分子線源としてのセルである。
空ポンプに接続され真空容器１内を真空排気するための
排気口、３は真空容器内に設置された基板（被照射物）
４を支持し、該基板４を加熱して所望の基板温度に保持
するための基板ホルダーである。５は真空容器１内に設
置されると共に、上記基板４表面上に分子線を照射する
ための、高純度（純度９９．９９９９％）のＺｎＳｅが
格納された分子線源としてのセル、６は適宜所望の上記
分子線と同時に基板４表面上に照射するための真空容器
１内に設置された窒素ガスセルである。尚、７、８、９
は他の分子線源としてのセルである。
【００３２】以下、この装置を用いたｐ型ＺｎＳｅ結晶
の製造方法の一例を示す。
の製造方法の一例を示す。
【００３３】最初に、基板４としてＧａＡｓ半導体基板
を基板ホルダー３に装着した後、真空容器１内を好まし
くは１０-9Ｔｏｒｒ程度の高真空になるまで排気する。
その後、基板４の基板温度を１００℃以上２００℃未満
に保持した状態で、セル５をＺｎＳｅが蒸発可能な温度
より高い温度、６８０℃〜１２００℃、好ましくは７０
０℃〜９００℃、例えば８００℃で加熱して、このセル
５から、主な成分がＳｅガス（主成分：Ｓｅ2分子）と
Ｚｎガス（主成分：Ｚｎ原子）であり、トータルビーム
圧が１×１０-7Ｔｏｒｒの分子線ガスを基板４の表面上
に照射すると共に、窒素分子（Ｎ2）ガスが内蔵された
ガスボンベ（図示せず）に連結され、その窒素分子を出
力１４０Ｗで放電雰囲気中にさらしてなる窒素ガスセル
６から出射した圧力１×１０-7〜１×１０-5Ｔｏｒｒの
活性窒素からなるガスを照射して、基板４表面上に窒素
がドープされてなるｐ型ＺｎＳｅ結晶層を成長させた。
を基板ホルダー３に装着した後、真空容器１内を好まし
くは１０-9Ｔｏｒｒ程度の高真空になるまで排気する。
その後、基板４の基板温度を１００℃以上２００℃未満
に保持した状態で、セル５をＺｎＳｅが蒸発可能な温度
より高い温度、６８０℃〜１２００℃、好ましくは７０
０℃〜９００℃、例えば８００℃で加熱して、このセル
５から、主な成分がＳｅガス（主成分：Ｓｅ2分子）と
Ｚｎガス（主成分：Ｚｎ原子）であり、トータルビーム
圧が１×１０-7Ｔｏｒｒの分子線ガスを基板４の表面上
に照射すると共に、窒素分子（Ｎ2）ガスが内蔵された
ガスボンベ（図示せず）に連結され、その窒素分子を出
力１４０Ｗで放電雰囲気中にさらしてなる窒素ガスセル
６から出射した圧力１×１０-7〜１×１０-5Ｔｏｒｒの
活性窒素からなるガスを照射して、基板４表面上に窒素
がドープされてなるｐ型ＺｎＳｅ結晶層を成長させた。
【００３４】図２に、基板温度（成長温度）とｐ型Ｚｎ
Ｓｅ結晶層の成長速度の関係を示す。
Ｓｅ結晶層の成長速度の関係を示す。
【００３５】この図２から基板温度が２００℃より小さ
い場合には、成長速度が著しく大きくなり、従来の成長
速度（０．７μｍ／ｈｒ程度）の２倍程度であることが
判る。特に、基板温度が１８０℃以下では成長速度が大
きくなっていることが判る。
い場合には、成長速度が著しく大きくなり、従来の成長
速度（０．７μｍ／ｈｒ程度）の２倍程度であることが
判る。特に、基板温度が１８０℃以下では成長速度が大
きくなっていることが判る。
【００３６】すなわち、２００℃より小さい場合には、
成長速度は１．４μｍ／ｈｒより大であり、１８０℃以
下では１．６μｍ／ｈｒより大で、１５０℃〜１００℃
で成長速度が飽和（１．８μｍ／ｈｒ）する傾向にある
ことが理解できる。
成長速度は１．４μｍ／ｈｒより大であり、１８０℃以
下では１．６μｍ／ｈｒより大で、１５０℃〜１００℃
で成長速度が飽和（１．８μｍ／ｈｒ）する傾向にある
ことが理解できる。
【００３７】図３に、ｐ型ＺｎＳｅ結晶層の基板温度と
ｐ型ＺｎＳｅ結晶層のＸ線ロッキングカーブ半値幅の関
係を示す。尚、測定には（４００）反射を用いた。
ｐ型ＺｎＳｅ結晶層のＸ線ロッキングカーブ半値幅の関
係を示す。尚、測定には（４００）反射を用いた。
【００３８】この図３から、基板温度が１００℃以上２
００℃未満の場合でも、通常の基板温度３００℃前後の
場合と同程度の半値幅が得られることが判る他、２００
℃近傍が最も小さくなることが判る。
００℃未満の場合でも、通常の基板温度３００℃前後の
場合と同程度の半値幅が得られることが判る他、２００
℃近傍が最も小さくなることが判る。
【００３９】即ち、基板温度が１００℃以上２００℃未
満の場合にも十分な良結晶が得られることが判る他、特
に２００℃近傍が好ましいことが判る。
満の場合にも十分な良結晶が得られることが判る他、特
に２００℃近傍が好ましいことが判る。
【００４０】図４に、基板温度が１５０℃の場合と、比
較例として基板温度が２６０℃の場合のｐ型ＺｎＳｅ結
晶層中の窒素原子濃度とアクセプタ濃度の関係を示す。
較例として基板温度が２６０℃の場合のｐ型ＺｎＳｅ結
晶層中の窒素原子濃度とアクセプタ濃度の関係を示す。
【００４１】この図４から、基板温度が２６０℃の場
合、窒素原子濃度が２×１０18ｃｍ-3程度でアクセプタ
濃度が８×１０17ｃｍ-3と上限となり、この窒素原子濃
度以上の領域では、窒素原子が自己補償作用が強くなっ
て過剰ドーピングとなり、窒素原子濃度が増加するにつ
れてアクセプタ濃度が急激に減少するのに対し、基板温
度が１５０℃の場合には、自己補償作用が抑制されて過
剰ドーピングが低減する結果、アクセプタ濃度も窒素原
子濃度が４×１０18ｃｍ-3程度で２×１０18ｃｍ -3を得
られ、この窒素原子濃度以上の領域でも１×１０18ｃｍ
-3より大きいアクセプタ濃度が得られることが判る。
合、窒素原子濃度が２×１０18ｃｍ-3程度でアクセプタ
濃度が８×１０17ｃｍ-3と上限となり、この窒素原子濃
度以上の領域では、窒素原子が自己補償作用が強くなっ
て過剰ドーピングとなり、窒素原子濃度が増加するにつ
れてアクセプタ濃度が急激に減少するのに対し、基板温
度が１５０℃の場合には、自己補償作用が抑制されて過
剰ドーピングが低減する結果、アクセプタ濃度も窒素原
子濃度が４×１０18ｃｍ-3程度で２×１０18ｃｍ -3を得
られ、この窒素原子濃度以上の領域でも１×１０18ｃｍ
-3より大きいアクセプタ濃度が得られることが判る。
【００４２】図５に、アクセプタ濃度と基板温度の関係
を示す図を示す。尚、窒素ガスセル６から出射した活性
窒素からなるガスの圧力１×１０-7Ｔｏｒｒと一定とし
た。
を示す図を示す。尚、窒素ガスセル６から出射した活性
窒素からなるガスの圧力１×１０-7Ｔｏｒｒと一定とし
た。
【００４３】この図５から、基板温度が２００℃未満と
した場合に、アクセプタ濃度を１０ 18ｃｍ-3より十分に
大きくできることが判る。すなわち、分子源としてII-V
I族化合物（ＺｎＳｅ）を用いることに加えて、基板温
度を２００℃未満とした場合、基板温度が２００℃以上
である場合に比べ高いアクセプタ濃度（導電性）が得ら
れることが判る。
した場合に、アクセプタ濃度を１０ 18ｃｍ-3より十分に
大きくできることが判る。すなわち、分子源としてII-V
I族化合物（ＺｎＳｅ）を用いることに加えて、基板温
度を２００℃未満とした場合、基板温度が２００℃以上
である場合に比べ高いアクセプタ濃度（導電性）が得ら
れることが判る。
【００４４】また、この図５と前記図３との関係から、
より好ましい結晶性と高導電性を有するためには、基板
温度を１５０℃〜１８０℃が好ましいことが判る。
より好ましい結晶性と高導電性を有するためには、基板
温度を１５０℃〜１８０℃が好ましいことが判る。
【００４５】上述のように、高導電性、良結晶性のｐ型
ＺｎＳｅ単結晶が得られる理由は、第１に、高次数分子
を構成しやすいVI族元素（Ｓｅ）の供給がＺｎＳｅソー
スにて行われるためである。即ち、VI族元素供給用ソー
ス（ここでは、II族元素供給用ソースと兼用）がII-VI
族化合物（ＺｎＳｅ）からなるためであり、第２に、基
板温度が２００℃未満であるためである。
ＺｎＳｅ単結晶が得られる理由は、第１に、高次数分子
を構成しやすいVI族元素（Ｓｅ）の供給がＺｎＳｅソー
スにて行われるためである。即ち、VI族元素供給用ソー
ス（ここでは、II族元素供給用ソースと兼用）がII-VI
族化合物（ＺｎＳｅ）からなるためであり、第２に、基
板温度が２００℃未満であるためである。
【００４６】何故なら、ＺｎＳｅからなるソースから蒸
発するＳｅガスは、付着係数の大きいＳｅ2分子殆どで
あるので、基板表面上でマイグレーションが良好に行わ
れえるためである。
発するＳｅガスは、付着係数の大きいＳｅ2分子殆どで
あるので、基板表面上でマイグレーションが良好に行わ
れえるためである。
【００４７】しかも、このように、ＺｎＳｅからなるソ
ースから蒸発するＳｅガス（主成分：Ｓｅ2分子）、Ｚ
ｎガス（主成分：Ｚｎ原子）の構成物の質量が小さいの
に加えて、ＺｎＳｅからなるソースはＺｎＳｅの蒸発温
度以上に加熱される必要があり、この結果、ソースから
蒸発するＳｅガス及びＺｎガスは、非常に大きな運動エ
ネルギーをもって基板上に照射されるので、更にマイグ
レーションが良好化される。そして、この際、基板温度
は２００℃未満であるので、マイグレーション後の再蒸
発が抑制されるため、良結晶性が確保できるとともに、
自己補償作用が抑制されて高導電性が実現できると考え
られる。
ースから蒸発するＳｅガス（主成分：Ｓｅ2分子）、Ｚ
ｎガス（主成分：Ｚｎ原子）の構成物の質量が小さいの
に加えて、ＺｎＳｅからなるソースはＺｎＳｅの蒸発温
度以上に加熱される必要があり、この結果、ソースから
蒸発するＳｅガス及びＺｎガスは、非常に大きな運動エ
ネルギーをもって基板上に照射されるので、更にマイグ
レーションが良好化される。そして、この際、基板温度
は２００℃未満であるので、マイグレーション後の再蒸
発が抑制されるため、良結晶性が確保できるとともに、
自己補償作用が抑制されて高導電性が実現できると考え
られる。
【００４８】上述では、ＺｎＳｅからなるソースを用い
たＺｎＳｅ単結晶の製造方法について説明したが、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＺｎからなるソースの両方を用い
て、ＺｎＳｅ単結晶を得るようにもできる。
たＺｎＳｅ単結晶の製造方法について説明したが、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＺｎからなるソースの両方を用い
て、ＺｎＳｅ単結晶を得るようにもできる。
【００４９】また、本発明は、ＺｎＳｅ以外のＺｎＳＳ
ｅ単結晶、ＺｎＭｇＳｅ単結晶、ＺｎＳｅＴｅ単結晶、
ＭｇＺｎＳＳｅ単結晶、ＣｄＴｅ単結晶等のII-VI族半
導体結晶も製造できる。
ｅ単結晶、ＺｎＭｇＳｅ単結晶、ＺｎＳｅＴｅ単結晶、
ＭｇＺｎＳＳｅ単結晶、ＣｄＴｅ単結晶等のII-VI族半
導体結晶も製造できる。
【００５０】例えば、ＺｎＳＳｅ結晶の場合には、Ｚｎ
ＳからなるソースとＺｎＳｅからなるソースを用いる方
法の他、ＺｎからソースとＺｎＳからソースとＺｎＳｅ
からなるソースを用いる方法もある。
ＳからなるソースとＺｎＳｅからなるソースを用いる方
法の他、ＺｎからソースとＺｎＳからソースとＺｎＳｅ
からなるソースを用いる方法もある。
【００５１】また、ＺｎＭｇＳｅ結晶の場合には、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇからなるソースを
用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳｅからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇからな
るソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇ
ＳｅからなるソースとＺｎからなるソースとＭｇからな
るソースを用いる方法、ＭｇＳｅからなるソースとＺｎ
からなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、又
はＺｎからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用い
る方法がある。
ＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇからなるソースを
用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳｅからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇからな
るソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇ
ＳｅからなるソースとＺｎからなるソースとＭｇからな
るソースを用いる方法、ＭｇＳｅからなるソースとＺｎ
からなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、又
はＺｎからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用い
る方法がある。
【００５２】また、ＺｎＳｅＴｅ結晶の場合には、Ｚｎ
ＴｅからなるソースとＺｎＳｅからなるソースを用いる
方法、又はＺｎからなるソースとＺｎＳｅからソースと
ＺｎＴｅからなるソースを用いる方法がある。
ＴｅからなるソースとＺｎＳｅからなるソースを用いる
方法、又はＺｎからなるソースとＺｎＳｅからソースと
ＺｎＴｅからなるソースを用いる方法がある。
【００５３】また、ＭｇＺｎＳＳｅ結晶の場合には、Ｚ
ｎＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＺｎＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅから
なるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎＳからなるソ
ースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳか
らなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳ
からなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソース
とＭｇＳからなるソースとＺｎからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソース
とＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなる
ソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅから
なるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅか
らなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからな
るソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅか
らなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法と、ＺｎＳ
ｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳか
らなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＭｇから
なるソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳ
ｅからなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅか
らなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからなるソ
ースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳか
らなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＭｇからなるソースからなる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅから
なるソースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソース
を用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳからな
るソースとＭｇＳからなるソースとＭｇからなるソース
とＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなる
ソースとＭｇＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳからなるソース
とＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＭ
ｇからなるソースとＺｎからなるソースを用いる方法、
ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用い
る方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳからな
るソースとＭｇＳｅからなるソースとＺｎからなるソー
スを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅから
なるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＭｇＳ
ｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからな
るソースを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳ
ｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからな
るソースを用いる方法、ＭｇＳｅからなるソースとＭｇ
ＳからなるソースとＭｇからなるソースとＺｎからなる
ソースを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅ
からなるソースとＭｇＳからなるソースとＭｇからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳから
なるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなる
ソースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用
いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソ
ースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用い
る方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースとＭｇからなるソースとＺｎ
からなるソースを用いる方法、又はＺｎＳからなるソー
スとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースと
Ｍｇからなるソースを用いる方法がある。
ｎＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＺｎＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅから
なるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎＳからなるソ
ースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳか
らなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳ
からなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソース
とＭｇＳからなるソースとＺｎからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソース
とＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなる
ソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅから
なるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅか
らなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからな
るソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅか
らなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＺｎからなるソースを用いる方法と、ＺｎＳ
ｅからなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳか
らなるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、Ｚｎ
ＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＭｇから
なるソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳ
ｅからなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅか
らなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからなるソ
ースを用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳか
らなるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからな
るソースとＭｇからなるソースからなる方法、ＺｎＳｅ
からなるソースとＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅから
なるソースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソース
を用いる方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳからな
るソースとＭｇＳからなるソースとＭｇからなるソース
とＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳｅからなる
ソースとＭｇＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用いる
方法、ＺｎＳｅからなるソースとＺｎＳからなるソース
とＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＭ
ｇからなるソースとＺｎからなるソースを用いる方法、
ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソースを用い
る方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースを用いる方法、ＺｎＳからな
るソースとＭｇＳｅからなるソースとＺｎからなるソー
スを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅから
なるソースとＭｇからなるソースを用いる方法、ＭｇＳ
ｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからな
るソースを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳ
ｅからなるソースとＭｇＳからなるソースとＺｎからな
るソースを用いる方法、ＭｇＳｅからなるソースとＭｇ
ＳからなるソースとＭｇからなるソースとＺｎからなる
ソースを用いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅ
からなるソースとＭｇＳからなるソースとＭｇからなる
ソースとＺｎからなるソースを用いる方法、ＺｎＳから
なるソースとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなる
ソースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用
いる方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソ
ースとＭｇからなるソースとＺｎからなるソースを用い
る方法、ＺｎＳからなるソースとＭｇＳｅからなるソー
スとＭｇＳからなるソースとＭｇからなるソースとＺｎ
からなるソースを用いる方法、又はＺｎＳからなるソー
スとＭｇＳｅからなるソースとＭｇＳからなるソースと
Ｍｇからなるソースを用いる方法がある。
【００５４】また、上記各実施形態では、ＧａＡｓ基板
を用いたが、ＺｎＳｅ等のII−VI族化合物半導体又はＧ
ａＰなどの他のIII−Ｖ族化合物半導体等からなる半導
体基板等を適宜使用することができる。勿論、本発明に
係る基板は、基板上に半導体層を積層したものも勿論含
まれ、またドーピングされて導電性をもってもよい。
を用いたが、ＺｎＳｅ等のII−VI族化合物半導体又はＧ
ａＰなどの他のIII−Ｖ族化合物半導体等からなる半導
体基板等を適宜使用することができる。勿論、本発明に
係る基板は、基板上に半導体層を積層したものも勿論含
まれ、またドーピングされて導電性をもってもよい。
【００５５】また、II−VI族単結晶層は、窒素分子を高
周波によって活性窒素を結晶成長時に照射してｐ型化さ
せる以外の他の方法も勿論適宜利用でき、例えば、窒素
分子を単に照射してアクセプターとしての窒素をドープ
し、ｐ型化させてもよい。
周波によって活性窒素を結晶成長時に照射してｐ型化さ
せる以外の他の方法も勿論適宜利用でき、例えば、窒素
分子を単に照射してアクセプターとしての窒素をドープ
し、ｐ型化させてもよい。
【００５６】また、勿論、良結晶性と高導電性を備えた
ｎ型II−VI族単結晶層も可能であり、例えば、ＺｎＣ
ｌ、ＣｄＣｌ等を加熱分解してなるガスを照射して、ド
ナーとしての塩素をドープしてｎ型化させて良結晶性と
高導電性を実現できる。
ｎ型II−VI族単結晶層も可能であり、例えば、ＺｎＣ
ｌ、ＣｄＣｌ等を加熱分解してなるガスを照射して、ド
ナーとしての塩素をドープしてｎ型化させて良結晶性と
高導電性を実現できる。
【００５７】
【発明の効果】本発明の製造方法は、高次数分子を形成
しやすいVI族元素の供給がII-VI族化合物からなるソー
スにて行われ、且つ基板温度が２００℃未満であるの
で、II-VI族化合物からなるソースから蒸発するIV族ガ
スは、付着係数の大きく、基板表面上でマイグレーショ
ンが行われやすい２原子分子が主成分であり、しかも、
このように、II-VI族化合物からなるソースから蒸発す
るVI族ガス（主成分：２原子分子）、II族ガス（主成
分：原子）の構成物の質量が小さいのに加えて、上記ソ
ースはII-VI族化合物の蒸発温度以上に加熱される必要
があり、この結果、ソースから蒸発するII族ガス及びVI
族ガスは、非常に大きな運動エネルギーをもって基板上
に照射されるので、マイグレーションが良好化される。
そして、この際、基板温度は２００℃未満であるので、
マイグレーション後の再蒸発が抑制され、良結晶性が確
保できるとともに、自己補償作用が抑制されて高導電性
が実現できる。しかも、クラッキングのための特別な装
置を用いることもない。
しやすいVI族元素の供給がII-VI族化合物からなるソー
スにて行われ、且つ基板温度が２００℃未満であるの
で、II-VI族化合物からなるソースから蒸発するIV族ガ
スは、付着係数の大きく、基板表面上でマイグレーショ
ンが行われやすい２原子分子が主成分であり、しかも、
このように、II-VI族化合物からなるソースから蒸発す
るVI族ガス（主成分：２原子分子）、II族ガス（主成
分：原子）の構成物の質量が小さいのに加えて、上記ソ
ースはII-VI族化合物の蒸発温度以上に加熱される必要
があり、この結果、ソースから蒸発するII族ガス及びVI
族ガスは、非常に大きな運動エネルギーをもって基板上
に照射されるので、マイグレーションが良好化される。
そして、この際、基板温度は２００℃未満であるので、
マイグレーション後の再蒸発が抑制され、良結晶性が確
保できるとともに、自己補償作用が抑制されて高導電性
が実現できる。しかも、クラッキングのための特別な装
置を用いることもない。
【図１】本発明の一実施形態に係るＭＢＥ装置の模式構
造図である。
造図である。
【図２】基板温度と成長速度の関係を示す図である。
【図３】基板温度とＸ線ロッキングカーブ半値幅の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図４】ｐ型ＺｎＳｅ単結晶層のアクセプタ濃度と窒素
原子濃度の関係を示す図である。
原子濃度の関係を示す図である。
【図５】ｐ型ＺｎＳｅ単結晶層のアクセプタ濃度と基板
温度の関係を示す図である。
温度の関係を示す図である。
４ 基板（被照射物） ５ ＺｎＳｅセル ６ 窒素ガスセル
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上にII−VI族半導体結晶をＭＢＥ法
により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法におい
て、VI族元素用ソースとして、前記II−VI族半導体結晶
の構成元素の全部又は１部で構成されるII−VI族化合物
を用いると共に、基板温度を２００℃未満とすることを
特徴とするII−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】 ソースとして、前記VI族元素用ソースの
他、前記II−VI族半導体結晶を構成するII族元素単体か
らなるII族元素用ソースを用いることを特徴とする請求
項１記載のII−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項３】 基板上にＺｎＳｅ結晶をＭＢＥ法により
製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソー
スとして、ＺｎＳｅ、又は、ＺｎＳｅとＺｎを用いると
共に、基板温度を２００℃未満とすることを特徴とする
II−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項４】 基板上にＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法によ
り製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、ソ
ースとして、ＺｎＳとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎＳと
ＺｎＳｅを用いると共に、基板温度を２００℃未満とす
ることを特徴とするII−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項５】 基板上にＺｎＭｇＳｅ結晶をＭＢＥ法に
より製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、
ソースとして、ＺｎＳｅとＭｇＳｅ、ＺｎＳｅとＭｇ、
ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭ
ｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＺｎとＭｇ、ＭｇＳｅとＺｎ
とＭｇ、又はＺｎとＭｇＳｅを用いると共に、基板温度
を２００℃未満とすることを特徴とするII−VI族半導体
結晶の製造方法。 - 【請求項６】 基板上にＺｎＳｅＴｅ結晶をＭＢＥ法に
より製造するII−VI族半導体結晶の製造方法において、
ソースとして、ＺｎＴｅとＺｎＳｅ、又は、ＺｎとＺｎ
ＳｅとＺｎＴｅを用いると共に、基板温度を２００℃未
満とすることを特徴とするII−VI族半導体結晶の製造方
法。 - 【請求項７】 基板上にＭｇＺｎＳＳｅ結晶をＭＢＥ法
により製造するII−VI族半導体結晶の製造方法におい
て、ソースとして、ＺｎＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＭｇ
ＳｅとＺｎＳ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＺｎＳ、ＺｎＳｅと
ＺｎＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅ
とＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅと
ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳ
ｅとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＺｎＳ
ｅとＺｎＳとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳ
とＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＭ
ｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＭｇＳｅとＭｇＳと
Ｍｇ、ＺｎＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎ
ＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇ
ＳｅとＭｇＳとＭｇ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳｅとＭ
ｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺｎＳとＭｇＳとＭｇとＺｎ、Ｚ
ｎＳｅとＭｇＳとＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、ＺｎＳｅとＺ
ｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳ
ｅ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇ、ＭｇＳｅとＭｇＳとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＺｎ、ＭｇＳｅとＭｇ
ＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺ
ｎ、ＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳとＭｇとＺｎ、ＺｎＳと
ＭｇＳｅとＭｇとＺｎ、又はＺｎＳとＭｇＳｅとＭｇＳ
とＭｇのいずれをを用いると共に、基板温度を２００℃
未満とすることを特徴とするII−VI族半導体結晶の製造
方法。 - 【請求項８】 前記II−VI族半導体結晶の成長速度は、
１．４μｍ／hrより大であることを特徴とする請求項
１、２、３、４、５、６、又は７記載のII−VI族半導体
結晶の製造方法。 - 【請求項９】 前記II−VI族半導体結晶の成長速度は、
１．８μｍ／hr以下であることを特徴とする請求項１、
２、３、４、５、６、７、又は８記載のII−VI族半導体
結晶の製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板温度は、１００℃以上である
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、又は９記載のII−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１１】 前記基板温度は、１５０℃以上である
ことを特徴とする請求項１０記載のII−VI族半導体結晶
の製造方法。 - 【請求項１２】 前記基板温度は、１８０℃以下である
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、又は１１記載のII−VI族半導体結晶の製
造方法。 - 【請求項１３】 前記II−VI族半導体結晶成長中に、ア
クセプター又はドナーをドーピングすることを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、
１１、又は１２記載のII−VI族半導体結晶の製造方法。 - 【請求項１４】 前記II−VI族半導体結晶成長中に、窒
素分子又は活性窒素を照射し、該II−VI族半導体結晶を
ｐ型化することを特徴とする請求項１、２、３、４、
５、６、７、８、９、１０、１１、１２、又は１３記載
のII−VI族半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1613696A JPH09213632A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1613696A JPH09213632A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213632A true JPH09213632A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11908089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1613696A Pending JPH09213632A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Ｉｉ−ｖｉ族半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015016533A1 (en) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Processes for synthesizing magnesium selenide nanocrystals |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP1613696A patent/JPH09213632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015016533A1 (en) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Processes for synthesizing magnesium selenide nanocrystals |
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