JPH09214280A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH09214280A JPH09214280A JP2233396A JP2233396A JPH09214280A JP H09214280 A JPH09214280 A JP H09214280A JP 2233396 A JP2233396 A JP 2233396A JP 2233396 A JP2233396 A JP 2233396A JP H09214280 A JPH09214280 A JP H09214280A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電性基板の種類、表面状態およびパッド電極
の金属膜質が硬い等にかかわらず、外部回路との接続の
ための導体との圧着接合工程の作業性を改善した弾性表
面波素子を提供する。 【解決手段】圧電性基板１の表面に入力櫛形電極２１、
出力櫛形電極２２と櫛形電極２１、２２を外部回路と接
続するためのパッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２
ｄとを備えた弾性表面波素子１０において、パッド電極
２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄを圧電性基板１の表面
に形成したシリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの上に形
成した。
の金属膜質が硬い等にかかわらず、外部回路との接続の
ための導体との圧着接合工程の作業性を改善した弾性表
面波素子を提供する。 【解決手段】圧電性基板１の表面に入力櫛形電極２１、
出力櫛形電極２２と櫛形電極２１、２２を外部回路と接
続するためのパッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２
ｄとを備えた弾性表面波素子１０において、パッド電極
２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄを圧電性基板１の表面
に形成したシリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの上に形
成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば通信機用の
フィルタ回路、共振回路などに使用される弾性表面波素
子に関する。
フィルタ回路、共振回路などに使用される弾性表面波素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電体に電圧を印加して生ずる弾性表面
波を利用する素子として、弾性表面波素子が知られてい
る。
波を利用する素子として、弾性表面波素子が知られてい
る。
【０００３】図３（ａ）は従来の弾性表面波素子の外観
図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示した弾性表面波
素子の電極パターンを示す模式図であり、図３（ｃ）は
図３（ｂ）の一部（Ｂ−Ｂ）断面図である。
図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示した弾性表面波
素子の電極パターンを示す模式図であり、図３（ｃ）は
図３（ｂ）の一部（Ｂ−Ｂ）断面図である。
【０００４】弾性表面波素子は、圧電性基板１と圧電性
基板１の表面に形成された入力櫛形電極２１、出力櫛形
電極２２、金属薄膜からなるパッド電極２１ｂ、２１
ｄ、２２ｂおよび２２ｄを備えている。
基板１の表面に形成された入力櫛形電極２１、出力櫛形
電極２２、金属薄膜からなるパッド電極２１ｂ、２１
ｄ、２２ｂおよび２２ｄを備えている。
【０００５】圧電性基板１は例えば（Ｘ−１１２°Ｙ）
ＬｉＴａＯ3 等から構成されており、圧電性基板１の表
面に入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２が形成し
てある。
ＬｉＴａＯ3 等から構成されており、圧電性基板１の表
面に入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２が形成し
てある。
【０００６】入力櫛形電極２１は接続部２１ａ′にて電
気的に接続された電極指２１ａおよび接続部２１ｃ′に
て電気的に接続された電極指２１ｃとを備えている。同
様に、出力櫛形電極２２は接続部２２ａ′にて電気的に
接続された電極指２２ａおよび接続部２２ｃ′にて電気
的に接続された電極指２２ｃとを備えている。
気的に接続された電極指２１ａおよび接続部２１ｃ′に
て電気的に接続された電極指２１ｃとを備えている。同
様に、出力櫛形電極２２は接続部２２ａ′にて電気的に
接続された電極指２２ａおよび接続部２２ｃ′にて電気
的に接続された電極指２２ｃとを備えている。
【０００７】さらに、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２
ｂおよび２２ｄは外部回路との接続のための電極であっ
て、パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてい
る。パッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてお
り、パッド電極２２ｂは接続部２２ａ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてお
り、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてい
る。
ｂおよび２２ｄは外部回路との接続のための電極であっ
て、パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてい
る。パッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてお
り、パッド電極２２ｂは接続部２２ａ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてお
り、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′の表面の一部分
上および圧電性基板１の表面にまたがって形成されてい
る。
【０００８】電極指２１ａ、２１ｃ、２２ａおよび２２
ｃは、直線で形成された同一の長方形状で、かつ所定間
隔で規則的に配列された数百本の線状のパターンから形
成され、電極指２１ａと電極指２１ｃとは交互に対向し
て配列され、電極指２２ａと電極指２２ｃとは交互に対
向して配列される。パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′
を介して電極指２１ａを外部回路に電気的に接続し、パ
ッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′を介して電極指２１ｃ
を外部回路に電気的に接続し、パッド電極２２ｂは接続
部２２ａ′を介して電極指２２ａを外部回路に電気的に
接続し、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′を介して電
極指２２ｃを外部回路に電気的に接続する。
ｃは、直線で形成された同一の長方形状で、かつ所定間
隔で規則的に配列された数百本の線状のパターンから形
成され、電極指２１ａと電極指２１ｃとは交互に対向し
て配列され、電極指２２ａと電極指２２ｃとは交互に対
向して配列される。パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′
を介して電極指２１ａを外部回路に電気的に接続し、パ
ッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′を介して電極指２１ｃ
を外部回路に電気的に接続し、パッド電極２２ｂは接続
部２２ａ′を介して電極指２２ａを外部回路に電気的に
接続し、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′を介して電
極指２２ｃを外部回路に電気的に接続する。
【０００９】入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２
は、通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜で形成され、その
膜厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍ、電極指幅Ｗおよび電極指
のピッチＬは、通常、それぞれ０．５μｍ〜１０μｍの
範囲である。
は、通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜で形成され、その
膜厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍ、電極指幅Ｗおよび電極指
のピッチＬは、通常、それぞれ０．５μｍ〜１０μｍの
範囲である。
【００１０】パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２
ｄは、通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜、銅（Ｃｕ）を
数％含むアルミニウム（Ａｌ）薄膜、もしくは金（Ａ
ｕ）薄膜であり、その膜厚は１００ｎｍ〜３００ｎｍで
ある。
ｄは、通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜、銅（Ｃｕ）を
数％含むアルミニウム（Ａｌ）薄膜、もしくは金（Ａ
ｕ）薄膜であり、その膜厚は１００ｎｍ〜３００ｎｍで
ある。
【００１１】入力櫛形電極２１、出力櫛形電極２２、パ
ッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄは、蒸着法も
しくはスパッタ法で形成される。
ッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄは、蒸着法も
しくはスパッタ法で形成される。
【００１２】この弾性表面波素子の入力櫛形電極２１へ
信号を入力するため、および出力櫛形電極２２からの信
号を検出するため、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２
ｂ、２２ｄで外部回路と接続する。この接続には、３０
μｍφの金線、もしくはアルミニウム線を用い、超音波
を印加して圧着接合する。
信号を入力するため、および出力櫛形電極２２からの信
号を検出するため、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２
ｂ、２２ｄで外部回路と接続する。この接続には、３０
μｍφの金線、もしくはアルミニウム線を用い、超音波
を印加して圧着接合する。
【００１３】さらに、弾性表面波素子を部品として完成
させるには、弾性表面波素子をパッケージに接着固定
し、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄとパッ
ケージの外部接続端子とを接続し、そのパッケージをカ
バーで封着している。
させるには、弾性表面波素子をパッケージに接着固定
し、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄとパッ
ケージの外部接続端子とを接続し、そのパッケージをカ
バーで封着している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッド
電極に用いる金属膜質が硬い場合、パッド電極に外部回
路との接続のための金線等を圧着接合する工程での作業
性が悪くなるという問題点がある。
電極に用いる金属膜質が硬い場合、パッド電極に外部回
路との接続のための金線等を圧着接合する工程での作業
性が悪くなるという問題点がある。
【００１５】本発明は、従来の弾性表面波素子が有する
上記の不具合を解決するためになされたものであり、圧
電性基板の種類、表面状態にかかわらず、外部回路と接
続のための導体との圧着接合工程の作業性を改善した弾
性表面波素子を提供することを目的とする。
上記の不具合を解決するためになされたものであり、圧
電性基板の種類、表面状態にかかわらず、外部回路と接
続のための導体との圧着接合工程の作業性を改善した弾
性表面波素子を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる弾性表面
波素子は、圧電性基板の表面に櫛形電極と該櫛形電極を
外部回路と接続するためのパッド電極とを備えた弾性表
面波素子において、パッド電極は圧電性基板の表面に形
成したシリコン薄膜もしくはシリコン酸化物薄膜と、該
薄膜上に形成した金属薄膜との積層構造としたことを特
徴とする。
波素子は、圧電性基板の表面に櫛形電極と該櫛形電極を
外部回路と接続するためのパッド電極とを備えた弾性表
面波素子において、パッド電極は圧電性基板の表面に形
成したシリコン薄膜もしくはシリコン酸化物薄膜と、該
薄膜上に形成した金属薄膜との積層構造としたことを特
徴とする。
【００１７】本発明の弾性表面波素子によれば、パッド
電極は圧電性基板の表面にシリコン薄膜もしくはシリコ
ン酸化物薄膜と該薄膜上に形成された金属薄膜との積層
構造としたため、圧電性基板の種類、表面状態にかかわ
らず、パッド電極として形成した金属膜の硬さを軟らか
くすることができる。この結果、外部回路と接続のため
の導体との圧着接合が容易に行えて、圧着接合工程の作
業性が向上することになる。
電極は圧電性基板の表面にシリコン薄膜もしくはシリコ
ン酸化物薄膜と該薄膜上に形成された金属薄膜との積層
構造としたため、圧電性基板の種類、表面状態にかかわ
らず、パッド電極として形成した金属膜の硬さを軟らか
くすることができる。この結果、外部回路と接続のため
の導体との圧着接合が容易に行えて、圧着接合工程の作
業性が向上することになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明にかかる弾性表面波素子の
実施の一形態について説明する。
実施の一形態について説明する。
【００１９】図１（ａ）は本発明の実施の一形態にかか
る弾性表面波素子の電極パターンを示す模式図であり、
図１（ｂ）は図１（ａ）に示した弾性表面波素子の一部
（Ａ−Ａ）断面図である。
る弾性表面波素子の電極パターンを示す模式図であり、
図１（ｂ）は図１（ａ）に示した弾性表面波素子の一部
（Ａ−Ａ）断面図である。
【００２０】本発明の実施の一形態にかかる弾性表面波
素子１０は、圧電性基板１と圧電性基板１の表面に形成
された入力櫛形電極２１、出力櫛形電極２２、シリコン
酸化物薄膜３０ａ、３０ｂ、３０ｃおよび３０ｄ、金属
薄膜からなるパッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂおよび
２２ｄを備えている。
素子１０は、圧電性基板１と圧電性基板１の表面に形成
された入力櫛形電極２１、出力櫛形電極２２、シリコン
酸化物薄膜３０ａ、３０ｂ、３０ｃおよび３０ｄ、金属
薄膜からなるパッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂおよび
２２ｄを備えている。
【００２１】圧電性基板１は例えば（Ｘ−１１２°Ｙ）
ＬｉＴａＯ3 等から構成されており、圧電性基板１の表
面に入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２が形成し
てある。
ＬｉＴａＯ3 等から構成されており、圧電性基板１の表
面に入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２が形成し
てある。
【００２２】入力櫛形電極２１は接続部２１ａ′にて電
気的に接続された電極指２１ａおよび接続部２１ｃ′に
て電気的に接続された電極指２１ｃとを備えている。同
様に、出力櫛形電極２２は接続部２２ａ′にて電気的に
接続された電極指２２ａおよび接続部２２ｃ′にて電気
的に接続された電極指２２ｃとを備えている。
気的に接続された電極指２１ａおよび接続部２１ｃ′に
て電気的に接続された電極指２１ｃとを備えている。同
様に、出力櫛形電極２２は接続部２２ａ′にて電気的に
接続された電極指２２ａおよび接続部２２ｃ′にて電気
的に接続された電極指２２ｃとを備えている。
【００２３】シリコン酸化物薄膜３０ａ、３０ｂ、３０
ｃおよび３０ｄは圧電性基板１の表面に形成してある。
ｃおよび３０ｄは圧電性基板１の表面に形成してある。
【００２４】さらに、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２
ｂおよび２２ｄは外部回路と接続するための電極であっ
て、パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′の表面の一部分
上、圧電性基板１の表面上およびシリコン酸化物薄膜３
０ａの表面上にまたがって形成してある。パッド電極２
１ｄは接続部２１ｃ′の表面の一部分上、圧電性基板１
の表面上およびシリコン酸化物薄膜３０ｂの表面上にま
たがって形成してある。パッド電極２２ｂは接続部２２
ａ′の表面の一部分上、圧電性基板１の表面上およびシ
リコン酸化物薄膜３０ｃの表面上にまたがって形成して
ある。パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′の表面の一部
分上、圧電性基板１の表面上およびシリコン酸化物薄膜
３０ｄの表面上にまたがって形成してある。
ｂおよび２２ｄは外部回路と接続するための電極であっ
て、パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′の表面の一部分
上、圧電性基板１の表面上およびシリコン酸化物薄膜３
０ａの表面上にまたがって形成してある。パッド電極２
１ｄは接続部２１ｃ′の表面の一部分上、圧電性基板１
の表面上およびシリコン酸化物薄膜３０ｂの表面上にま
たがって形成してある。パッド電極２２ｂは接続部２２
ａ′の表面の一部分上、圧電性基板１の表面上およびシ
リコン酸化物薄膜３０ｃの表面上にまたがって形成して
ある。パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′の表面の一部
分上、圧電性基板１の表面上およびシリコン酸化物薄膜
３０ｄの表面上にまたがって形成してある。
【００２５】電極指２１ａ、２１ｃ、２２ａおよび２２
ｃは、直線で形成された同一の長方形状で、かつ所定間
隔で規則的に配列された数百本の線状のパターンから形
成され、電極指２１ａと電極指２１ｃとは交互に対向し
て配列され、電極指２２ａと電極指２２ｃとは交互に対
向して配列される。パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′
を介して電極指２１ａを外部回路に電気的に接続し、パ
ッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′を介して電極指２１ｃ
を外部回路に電気的に接続し、パッド電極２２ｂは接続
部２２ａ′を介して電極指２２ａを外部回路に電気的に
接続し、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′を介して電
極指２２ｃを外部回路に電気的に接続する。
ｃは、直線で形成された同一の長方形状で、かつ所定間
隔で規則的に配列された数百本の線状のパターンから形
成され、電極指２１ａと電極指２１ｃとは交互に対向し
て配列され、電極指２２ａと電極指２２ｃとは交互に対
向して配列される。パッド電極２１ｂは接続部２１ａ′
を介して電極指２１ａを外部回路に電気的に接続し、パ
ッド電極２１ｄは接続部２１ｃ′を介して電極指２１ｃ
を外部回路に電気的に接続し、パッド電極２２ｂは接続
部２２ａ′を介して電極指２２ａを外部回路に電気的に
接続し、パッド電極２２ｄは接続部２２ｃ′を介して電
極指２２ｃを外部回路に電気的に接続する。
【００２６】入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２
は、通常、アルミニウム（Ａｌ）であり、アルミニウム
金属を蒸着法、もしくはスパッタ法で形成する。その膜
厚は１００ｎｍである。
は、通常、アルミニウム（Ａｌ）であり、アルミニウム
金属を蒸着法、もしくはスパッタ法で形成する。その膜
厚は１００ｎｍである。
【００２７】シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄは、シ
リコンと酸素の化合物であるが、その組成比を変えるこ
とができ、シリコンおよび酸素の組成比によって導電性
が変化するが、絶縁特性、半絶縁特性のいずれの特性で
あっても差し支えない。
リコンと酸素の化合物であるが、その組成比を変えるこ
とができ、シリコンおよび酸素の組成比によって導電性
が変化するが、絶縁特性、半絶縁特性のいずれの特性で
あっても差し支えない。
【００２８】またシリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄは
スパッタ法もしくはＣＶＤ法によって成長させ、その厚
さは本実施の形態では、約３０ｎｍの厚さとした。
スパッタ法もしくはＣＶＤ法によって成長させ、その厚
さは本実施の形態では、約３０ｎｍの厚さとした。
【００２９】パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２
ｄは、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの表面に形成
する。パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄは、
通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜、銅（Ｃｕ）を数％含
むアルミニウム薄膜、もしくは金（Ａｕ）薄膜であり、
本実施の形態では、蒸着法もしくはスパッタ法で形成
し、その厚さは８００ｎｍとした。
ｄは、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの表面に形成
する。パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄは、
通常、アルミニウム（Ａｌ）薄膜、銅（Ｃｕ）を数％含
むアルミニウム薄膜、もしくは金（Ａｕ）薄膜であり、
本実施の形態では、蒸着法もしくはスパッタ法で形成
し、その厚さは８００ｎｍとした。
【００３０】これら入力櫛形電極２１、出力櫛形電極２
２、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄ、シリ
コン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの圧電性基板１上におけ
る形成順序は、入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２
２、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄ、パッド電極２
１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄの順序である。
２、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄ、シリ
コン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄの圧電性基板１上におけ
る形成順序は、入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２
２、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄ、パッド電極２
１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄの順序である。
【００３１】入力櫛形電極２１および出力櫛形電極２２
のパターンの形成、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ
および２２ｄのパターンの形成は、フォトリソグラフィ
法を用い、エッチング法、もしくはリフトオフ法で形成
する。ここで、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄはパ
ッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄが対応する部
分のみの形成で十分である。
のパターンの形成、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ
および２２ｄのパターンの形成は、フォトリソグラフィ
法を用い、エッチング法、もしくはリフトオフ法で形成
する。ここで、シリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０ｄはパ
ッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄが対応する部
分のみの形成で十分である。
【００３２】弾性表面波素子１０の入力櫛形電極２１へ
信号を入力するため、および出力櫛形電極２２から信号
を検出するため、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂお
よび２２ｄに、超音波を印加して３０μｍφの金線、も
しくはアルミニウム線を圧着接合して外部回路と接続す
る。この圧着接合において、パッド電極２１ｂ、２１
ｄ、２２ｂ、２２ｄをシリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０
ｄの表面に形成することにより、パッド電極の金属薄膜
の硬さを軟らかくすることができて、外部回路と接続の
ための導体との圧着接合工程が容易に行える。この結
果、圧着接合工程の作業性が向上する。
信号を入力するため、および出力櫛形電極２２から信号
を検出するため、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂお
よび２２ｄに、超音波を印加して３０μｍφの金線、も
しくはアルミニウム線を圧着接合して外部回路と接続す
る。この圧着接合において、パッド電極２１ｂ、２１
ｄ、２２ｂ、２２ｄをシリコン酸化物薄膜３０ａ〜３０
ｄの表面に形成することにより、パッド電極の金属薄膜
の硬さを軟らかくすることができて、外部回路と接続の
ための導体との圧着接合工程が容易に行える。この結
果、圧着接合工程の作業性が向上する。
【００３３】次に、本発明の実施の第２の形態にかかる
弾性表面波素子について説明する。
弾性表面波素子について説明する。
【００３４】第２の形態では、シリコン酸化物薄膜３０
ａ〜３０ｄに代わって、図２（ａ）に示すパターンの格
子状に形成したシリコン酸化物薄膜３１を用いる。図２
（ａ）において、３２は格子を形成するための空白部を
示している。第２の形態における一部断面図は図２
（ｂ）に示すごとくになる。その他の構成は前述した実
施の第１の形態と同様である。図２（ｂ）は図１（ｂ）
に対応して示している。
ａ〜３０ｄに代わって、図２（ａ）に示すパターンの格
子状に形成したシリコン酸化物薄膜３１を用いる。図２
（ａ）において、３２は格子を形成するための空白部を
示している。第２の形態における一部断面図は図２
（ｂ）に示すごとくになる。その他の構成は前述した実
施の第１の形態と同様である。図２（ｂ）は図１（ｂ）
に対応して示している。
【００３５】第２の形態の場合には、例えばシリコン酸
化物薄膜３１の厚さは約５０ｎｍとし、１辺約５μｍの
空白部３２を有する格子状パターンで形成している。こ
の上に、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂおよび２２
ｄを厚さ約７００ｎｍで形成する。
化物薄膜３１の厚さは約５０ｎｍとし、１辺約５μｍの
空白部３２を有する格子状パターンで形成している。こ
の上に、パッド電極２１ｂ、２１ｄ、２２ｂおよび２２
ｄを厚さ約７００ｎｍで形成する。
【００３６】この第２の形態では、シリコン酸化物薄膜
３１が格子状であるため、図２（ｂ）に示すように、パ
ッド電極２２ｄの表面に凹凸が形成される。このため、
パッド電極２２ｄへの金線、もしくはアルミニウム線の
圧着接合がより容易になる効果がある。他のパッド電極
２１ｂ、２１ｄ、２２ｂについても同様である。第２の
形態の場合、フォトリソグラフィ法を用いることで容易
にシリコン酸化物薄膜３１を格子状に形成することがで
きる。
３１が格子状であるため、図２（ｂ）に示すように、パ
ッド電極２２ｄの表面に凹凸が形成される。このため、
パッド電極２２ｄへの金線、もしくはアルミニウム線の
圧着接合がより容易になる効果がある。他のパッド電極
２１ｂ、２１ｄ、２２ｂについても同様である。第２の
形態の場合、フォトリソグラフィ法を用いることで容易
にシリコン酸化物薄膜３１を格子状に形成することがで
きる。
【００３７】上記において、シリコン酸化物薄膜３０ａ
〜３０ｄ、３１を用いた場合を例示したが、シリコン薄
膜、もしくはシリコン酸化物薄膜とシリコン薄膜の積層
構造としてもよい。
〜３０ｄ、３１を用いた場合を例示したが、シリコン薄
膜、もしくはシリコン酸化物薄膜とシリコン薄膜の積層
構造としてもよい。
【００３８】シリコン薄膜も、前述のスパッタ法、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて形成することができ、また、フォ
トリソグラフィ法でパターン形成することもできる。
ズマＣＶＤ法を用いて形成することができ、また、フォ
トリソグラフィ法でパターン形成することもできる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の弾性表面波素子によれば、パッ
ド電極への圧接作業が容易になり、作業性が向上する。
また、従来の技術、設備を用いて本発明を実施すること
ができる。
ド電極への圧接作業が容易になり、作業性が向上する。
また、従来の技術、設備を用いて本発明を実施すること
ができる。
【図１】本発明の実施の一形態にかかる弾性表面波素子
の構成を示す模式図であって、図１（ａ）は表面模式図
であり、図１（ｂ）は一部断面図である。
の構成を示す模式図であって、図１（ａ）は表面模式図
であり、図１（ｂ）は一部断面図である。
【図２】本発明の実施の第２の形態にかかる弾性表面波
素子の構成を示す模式図であって、図２（ａ）はシリコ
ン酸化物薄膜の表面模式図であり、図２（ｂ）は一部断
面図である。
素子の構成を示す模式図であって、図２（ａ）はシリコ
ン酸化物薄膜の表面模式図であり、図２（ｂ）は一部断
面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、それぞれ従来の弾
性表面波素子の外観図、表面模式図および一部断面図で
ある。
性表面波素子の外観図、表面模式図および一部断面図で
ある。
１…圧電性基板 １０…弾性表面
波素子 ２１…入力櫛形電極 ２２…出力櫛形
電極 ２１ａ、２１ｃ、２２ａ、２２ｃ…電極指 ２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄ…パッド電極 ２１ａ′、２１ｃ′、２２ａ′、２２ｃ′…接続部 ３０ａ〜３０ｄ、３１…シリコン酸化物薄膜 ３２…空白部
波素子 ２１…入力櫛形電極 ２２…出力櫛形
電極 ２１ａ、２１ｃ、２２ａ、２２ｃ…電極指 ２１ｂ、２１ｄ、２２ｂ、２２ｄ…パッド電極 ２１ａ′、２１ｃ′、２２ａ′、２２ｃ′…接続部 ３０ａ〜３０ｄ、３１…シリコン酸化物薄膜 ３２…空白部
Claims (1)
- 【請求項１】圧電性基板の表面に櫛形電極と該櫛形電極
を外部回路と接続するためのパッド電極とを備えた弾性
表面波素子において、パッド電極は圧電性基板の表面に
形成したシリコン薄膜もしくはシリコン酸化物薄膜と、
該薄膜上に形成した金属薄膜との積層構造としたことを
特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233396A JPH09214280A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233396A JPH09214280A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214280A true JPH09214280A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12079792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233396A Pending JPH09214280A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112913B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-09-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| EP1414149A4 (en) * | 2001-07-02 | 2010-02-17 | Panasonic Corp | METHOD FOR PRODUCING A SURFACE WAVE COMPONENT |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP2233396A patent/JPH09214280A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112913B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-09-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| EP1414149A4 (en) * | 2001-07-02 | 2010-02-17 | Panasonic Corp | METHOD FOR PRODUCING A SURFACE WAVE COMPONENT |
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