JPH09219301A - 低温焼成用抵抗ペースト - Google Patents
低温焼成用抵抗ペーストInfo
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- JPH09219301A JPH09219301A JP8048246A JP4824696A JPH09219301A JP H09219301 A JPH09219301 A JP H09219301A JP 8048246 A JP8048246 A JP 8048246A JP 4824696 A JP4824696 A JP 4824696A JP H09219301 A JPH09219301 A JP H09219301A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成固着される抵抗体の抵抗値の焼成温度に
対する依存度が小さく現れる低温焼成用抵抗ペーストを
提供しようとするものである。 【構成】 導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃
のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
と、酸化チタン粉末と、導電性酸化チタン粉末または導
電性酸化錫粉末のいずれか一種とを有機ビヒクル中に分
散させた構成とする。導電粒子は、ルテニウム酸鉛粉
末、ルテニウム酸ビスマス粉末、ルテニウム酸カルシウ
ム粉末、ルテニウム酸ストロンチウム粉末、及びルテニ
ウム酸ランタン粉末のなかから選ばれる。尚、導電性酸
化チタン粉末としては、ＴｉＯ2 ８６．０〜９４．０
ｗｔ％と、ＳｎＯ2 ５．５〜９．０ｗｔ％、及びＳｂ2
Ｏ3 ０．５〜５．０ｗｔ％を含む組成のもの、導電性
酸化錫粉末としては、ＳｎＯ2 ８８．０〜９９．０ｗ
ｔ％とＳｂ2Ｏ3 １．０〜１２．０ｗｔ％とを含む組成
が用いられる。
対する依存度が小さく現れる低温焼成用抵抗ペーストを
提供しようとするものである。 【構成】 導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃
のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
と、酸化チタン粉末と、導電性酸化チタン粉末または導
電性酸化錫粉末のいずれか一種とを有機ビヒクル中に分
散させた構成とする。導電粒子は、ルテニウム酸鉛粉
末、ルテニウム酸ビスマス粉末、ルテニウム酸カルシウ
ム粉末、ルテニウム酸ストロンチウム粉末、及びルテニ
ウム酸ランタン粉末のなかから選ばれる。尚、導電性酸
化チタン粉末としては、ＴｉＯ2 ８６．０〜９４．０
ｗｔ％と、ＳｎＯ2 ５．５〜９．０ｗｔ％、及びＳｂ2
Ｏ3 ０．５〜５．０ｗｔ％を含む組成のもの、導電性
酸化錫粉末としては、ＳｎＯ2 ８８．０〜９９．０ｗ
ｔ％とＳｂ2Ｏ3 １．０〜１２．０ｗｔ％とを含む組成
が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル、液晶表示板、陰極線管等のガラス基材表
面に焼成抵抗体を固着形成することができ、その焼成抵
抗体の抵抗値の焼成温度依存性を小さくなる様に配慮し
た、５００℃から６００℃程度の低温で焼成可能な低温
焼成用抵抗ペーストに関する。
プレイパネル、液晶表示板、陰極線管等のガラス基材表
面に焼成抵抗体を固着形成することができ、その焼成抵
抗体の抵抗値の焼成温度依存性を小さくなる様に配慮し
た、５００℃から６００℃程度の低温で焼成可能な低温
焼成用抵抗ペーストに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】発明者は、プラズマデ
ィスプレイ装置等のガラス基材表面に焼成固着される無
数の抵抗体の均等性を得るために、抵抗値のばらつきの
小さな焼成抵抗体を得る事ができる低温焼成用抵抗ペー
ストについて発明し、これを先願において出願した。前
記の様なプラズマディスプレイ装置の大画面化を図る場
合には、大型ガラス基板上の焼成温度を均一に保つこと
が要求されるものの、従来の抵抗ペーストでは、大型ガ
ラス基板上での抵抗値ばらつきが大きくなるため、焼成
固着される無数の抵抗体の抵抗値の焼成温度依存性を小
さくする事が望まれる。また、オーバーコート層やその
他の機能部材の焼成固着等の度重なる焼成によっても、
先に焼成固着された抵抗体の抵抗値が変化する事は好ま
しくない。そこでこの発明は、焼成固着される抵抗体の
抵抗値焼成温度依存性の小さな低温焼成用抵抗ペースト
を提供する事を目的とする。
ィスプレイ装置等のガラス基材表面に焼成固着される無
数の抵抗体の均等性を得るために、抵抗値のばらつきの
小さな焼成抵抗体を得る事ができる低温焼成用抵抗ペー
ストについて発明し、これを先願において出願した。前
記の様なプラズマディスプレイ装置の大画面化を図る場
合には、大型ガラス基板上の焼成温度を均一に保つこと
が要求されるものの、従来の抵抗ペーストでは、大型ガ
ラス基板上での抵抗値ばらつきが大きくなるため、焼成
固着される無数の抵抗体の抵抗値の焼成温度依存性を小
さくする事が望まれる。また、オーバーコート層やその
他の機能部材の焼成固着等の度重なる焼成によっても、
先に焼成固着された抵抗体の抵抗値が変化する事は好ま
しくない。そこでこの発明は、焼成固着される抵抗体の
抵抗値焼成温度依存性の小さな低温焼成用抵抗ペースト
を提供する事を目的とする。
【０００３】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、ルテ
ニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビスマス粉末、ルテニウ
ム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸ストロンチウム粉末
及びルテニウム酸ランタン粉末の中から一種類又は複数
種類選んだ導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃
のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
と、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづれ
か一種と導電性ＴｉＯ2粉末又は導電性ＳｎＯ2粉末のい
づれか一種とを、有機ビヒクル中に分散させてなる低温
焼成用抵抗ペーストによって達成される。この発明の目
的は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづ
れか一種と導電性ＴｉＯ2粉末又は導電性ＳｎＯ2粉末の
いづれか一種の重量の和は、導電粒子とガラス粉末との
重量和の５ｗｔ％から３５ｗｔ％の範囲である請求項１
の低温焼成用抵抗ペーストによって達成される。更にこ
の発明の目的は、導電性ＴｉＯ2粉末はＴｉＯ2 ８６．
０〜９４．０ｗｔ％と、ＳｎＯ2 ５．５〜９．０ｗｔ
％と、Ｓｂ2Ｏ3 ０．５〜５．０ｗｔ％とを含む組成で
ある請求項１または請求項２の低温焼成用抵抗ペースト
又は導電性ＳｎＯ2粉末は、ＳｎＯ2 ８８．０〜９９．
０ｗｔ％とＳｂ2Ｏ3 １．０〜１２．０ｗｔ％とを含む
組成である請求項１または請求項２の低温焼成用抵抗ペ
ーストによって達成される。
ニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビスマス粉末、ルテニウ
ム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸ストロンチウム粉末
及びルテニウム酸ランタン粉末の中から一種類又は複数
種類選んだ導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃
のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＺｎＯ系のガラス粉末
と、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづれ
か一種と導電性ＴｉＯ2粉末又は導電性ＳｎＯ2粉末のい
づれか一種とを、有機ビヒクル中に分散させてなる低温
焼成用抵抗ペーストによって達成される。この発明の目
的は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづ
れか一種と導電性ＴｉＯ2粉末又は導電性ＳｎＯ2粉末の
いづれか一種の重量の和は、導電粒子とガラス粉末との
重量和の５ｗｔ％から３５ｗｔ％の範囲である請求項１
の低温焼成用抵抗ペーストによって達成される。更にこ
の発明の目的は、導電性ＴｉＯ2粉末はＴｉＯ2 ８６．
０〜９４．０ｗｔ％と、ＳｎＯ2 ５．５〜９．０ｗｔ
％と、Ｓｂ2Ｏ3 ０．５〜５．０ｗｔ％とを含む組成で
ある請求項１または請求項２の低温焼成用抵抗ペースト
又は導電性ＳｎＯ2粉末は、ＳｎＯ2 ８８．０〜９９．
０ｗｔ％とＳｂ2Ｏ3 １．０〜１２．０ｗｔ％とを含む
組成である請求項１または請求項２の低温焼成用抵抗ペ
ーストによって達成される。
【０００４】
【発明の実施の形態】低温焼成用抵抗ペーストの製造に
当たり、先ず平均粒径１μｍ以下の導電粒子、ガラス粉
末、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、導電性
ＴｉＯ2粉末、及び導電性ＳｎＯ2粉末が用意される。こ
れらの材料の調合重量は、求められる抵抗値や抵抗値許
容変化量等の要求に基づいて選択される。調合された材
料は、有機ビヒクル中に混入されて、遊星ブレンダーや
三本ロール等の装置にかけることによって、有機ビヒク
ル中に均等分散される。
当たり、先ず平均粒径１μｍ以下の導電粒子、ガラス粉
末、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、導電性
ＴｉＯ2粉末、及び導電性ＳｎＯ2粉末が用意される。こ
れらの材料の調合重量は、求められる抵抗値や抵抗値許
容変化量等の要求に基づいて選択される。調合された材
料は、有機ビヒクル中に混入されて、遊星ブレンダーや
三本ロール等の装置にかけることによって、有機ビヒク
ル中に均等分散される。
【０００５】この発明によって得られた低温焼成用抵抗
ペーストは、例えばプラズマディスプレイに用いられ
る。２６インチ以上の大型壁掛けディスプレイの場合、
あらかじめＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ
等の導電物質を主成分とする電極をスクリーン印刷法や
リフトオフ法、サンドブラスト法、埋め込み法、感光
法、蒸着、スパッタリング等の薄膜法によりガラス基材
表面に形成し、この発明による低温焼成用抵抗ペースト
を電極間に接する様にほぼ０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程の
寸法でスクリーン印刷後焼成固着させて、シート抵抗値
１ＭΩ程度の焼成抵抗体を１００万個以上形成する。必
要に応じてその上に導電回路や誘電体層を焼成固着す
る。この際、本発明による低温焼成用抵抗ペーストによ
れば、焼成温度に対して鈍感であるので、複数回の焼成
によっても焼成抵抗体の抵抗値を許容範囲に保持でき、
また大型ガラス基材上に無数の焼成抵抗体を固着形成す
る際にも、基材上の温度むらがあっても、各焼成抵抗体
の抵抗値を許容範囲に保持できる。
ペーストは、例えばプラズマディスプレイに用いられ
る。２６インチ以上の大型壁掛けディスプレイの場合、
あらかじめＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ
等の導電物質を主成分とする電極をスクリーン印刷法や
リフトオフ法、サンドブラスト法、埋め込み法、感光
法、蒸着、スパッタリング等の薄膜法によりガラス基材
表面に形成し、この発明による低温焼成用抵抗ペースト
を電極間に接する様にほぼ０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程の
寸法でスクリーン印刷後焼成固着させて、シート抵抗値
１ＭΩ程度の焼成抵抗体を１００万個以上形成する。必
要に応じてその上に導電回路や誘電体層を焼成固着す
る。この際、本発明による低温焼成用抵抗ペーストによ
れば、焼成温度に対して鈍感であるので、複数回の焼成
によっても焼成抵抗体の抵抗値を許容範囲に保持でき、
また大型ガラス基材上に無数の焼成抵抗体を固着形成す
る際にも、基材上の温度むらがあっても、各焼成抵抗体
の抵抗値を許容範囲に保持できる。
【０００６】この様な特質のこの発明による抵抗ペース
トの誕生は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末
をそれぞれ用いた抵抗ペーストによる焼成抵抗体の焼成
温度に対する抵抗値変化と、導電性酸化ＴｉＯ2粉末又
は導電性ＳｎＯ2粉末を用いた抵抗ペーストによる焼成
抵抗体の焼成温度に対する抵抗値変化の勾配が逆向きで
あるという発見に基づいている。即ち、Ａｌ2Ｏ3粉末、
ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のそれぞれと導電性ＴｉＯ2
粉末、又は導電性ＳｎＯ2粉末の配合によって、焼成温
度の変化にかかわらず一定抵抗値となす事が可能とな
る。よって、請求項１によれば、抵抗値ばらつきが小さ
く、焼成温度依存度の小さな焼成抵抗体が得られる低温
焼成用抵抗ペーストが得られる。Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ
2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづれか一種と導電性ＴｉＯ2粉
末又は導電性ＳｎＯ2粉末のいづれか一種の量との和
は、導電粒子とガラス粉末との重量和の５ｗｔ％〜３５
ｗｔ％とし、抵抗値の決定は、主に導電粒子とガラス粉
末の混合割合によって決定する。
トの誕生は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末
をそれぞれ用いた抵抗ペーストによる焼成抵抗体の焼成
温度に対する抵抗値変化と、導電性酸化ＴｉＯ2粉末又
は導電性ＳｎＯ2粉末を用いた抵抗ペーストによる焼成
抵抗体の焼成温度に対する抵抗値変化の勾配が逆向きで
あるという発見に基づいている。即ち、Ａｌ2Ｏ3粉末、
ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末のそれぞれと導電性ＴｉＯ2
粉末、又は導電性ＳｎＯ2粉末の配合によって、焼成温
度の変化にかかわらず一定抵抗値となす事が可能とな
る。よって、請求項１によれば、抵抗値ばらつきが小さ
く、焼成温度依存度の小さな焼成抵抗体が得られる低温
焼成用抵抗ペーストが得られる。Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ
2粉末、ＴｉＯ2粉末のいづれか一種と導電性ＴｉＯ2粉
末又は導電性ＳｎＯ2粉末のいづれか一種の量との和
は、導電粒子とガラス粉末との重量和の５ｗｔ％〜３５
ｗｔ％とし、抵抗値の決定は、主に導電粒子とガラス粉
末の混合割合によって決定する。
【０００７】
【実施例１】まず、導電粒子として平均粒径１μｍ以下
のルテニウム酸鉛粉末を用意した。同様にＴｉＯ2粉末
と導電性ＴｉＯ2粉末も平均粒径１μｍ以下のものを用
意した。導電性ＴｉＯ2粉末は、ＳｎとＳｂの塩化物の
水溶液中にＴｉＯ2粉末を分散させ還元剤を用いてＴｉ
Ｏ2粉末表面上に共沈させた後に熱処理する事によって
得られ、ＴｉＯ2粉の表面にＳｂをドープしたＳｎＯ2層
を施した構造になっており、粉体抵抗はほぼ２〜３００
Ωｃｍ程度である。石原産業株式会社よりＥＴシリーズ
として市販されている。ガラス粉末は、ＰｂＯ ７３．
３ｗｔ％、ＳｉＯ2２．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 １６．９ｗ
ｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及びＺｎＯ ５．２ｗ
ｔ％を混合して約１３００℃で溶解し、冷却後ボールミ
ルにて平均粒径１μｍ以下に粉砕したものを用いた。こ
れらの材料を用い、ルテニウム酸鉛粉末２０．６ｗｔ
％、ガラス粉末 ６２．８ｗｔ％、ＴｉＯ2粉末 ８．
３ｗｔ％、及び導電性ＴｉＯ2粉末８．３ｗｔ％の割合
で調合し、これに適量の有機ビヒクルを加えて遊星ブレ
ンダーを用いて予備混練した後、入口側から出口側に向
かって順次回転速度を高めた三本ロール装置に数回通し
て固形物を有機ビヒクル中に分散させて、この発明によ
る低温焼成用抵抗ペーストを得た。
のルテニウム酸鉛粉末を用意した。同様にＴｉＯ2粉末
と導電性ＴｉＯ2粉末も平均粒径１μｍ以下のものを用
意した。導電性ＴｉＯ2粉末は、ＳｎとＳｂの塩化物の
水溶液中にＴｉＯ2粉末を分散させ還元剤を用いてＴｉ
Ｏ2粉末表面上に共沈させた後に熱処理する事によって
得られ、ＴｉＯ2粉の表面にＳｂをドープしたＳｎＯ2層
を施した構造になっており、粉体抵抗はほぼ２〜３００
Ωｃｍ程度である。石原産業株式会社よりＥＴシリーズ
として市販されている。ガラス粉末は、ＰｂＯ ７３．
３ｗｔ％、ＳｉＯ2２．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 １６．９ｗ
ｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及びＺｎＯ ５．２ｗ
ｔ％を混合して約１３００℃で溶解し、冷却後ボールミ
ルにて平均粒径１μｍ以下に粉砕したものを用いた。こ
れらの材料を用い、ルテニウム酸鉛粉末２０．６ｗｔ
％、ガラス粉末 ６２．８ｗｔ％、ＴｉＯ2粉末 ８．
３ｗｔ％、及び導電性ＴｉＯ2粉末８．３ｗｔ％の割合
で調合し、これに適量の有機ビヒクルを加えて遊星ブレ
ンダーを用いて予備混練した後、入口側から出口側に向
かって順次回転速度を高めた三本ロール装置に数回通し
て固形物を有機ビヒクル中に分散させて、この発明によ
る低温焼成用抵抗ペーストを得た。
【０００８】得られた低温焼成用抵抗ペーストの評価に
当たり、２５ｃｍ×２５ｃｍ、厚さ１ｍｍのガラス表面
に、Ａｇ導体ペーストを用いてあらかじめ１６対の電極
を焼成固着した評価用ガラス基材を所要枚用意し、これ
らの各ガラス基材上に電極を短絡する様にこの発明によ
る低温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷した。これ
を焼成温度５６０℃１０分に設定したコンベア炉で１時
間焼成したものと、５８０℃１０分に設定したコンベア
炉で１時間焼成したものと、６００℃１０分に設定した
コンベア炉で１時間焼成したものの三通りのサンプルを
各２枚用意して評価測定した。その結果を表１に示す。
表１より、上記の実施例１、実施例２のシート抵抗値
と、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末をそれぞ
れ単独で含む比較例１、２、３のシート抵抗値のそれぞ
れと焼成温度との関係をグラフ表示すると図１の様にな
り、実施例の焼成温度ーシート抵抗特性線１、２は、焼
成温度軸とほぼ平行であり、焼成温度の変化によってシ
ート抵抗値がほとんど変化しない事が明確にわかり、こ
れに対して比較例の焼成温度ーシート抵抗特性線２、
３、４は焼成温度軸と角度を成しており、焼成温度に応
じてシート抵抗値が大きく変化する事がわかる。即ち、
実施例の焼成抵抗体は、焼成温度依存度の極めて小さな
ものであることがわかる。
当たり、２５ｃｍ×２５ｃｍ、厚さ１ｍｍのガラス表面
に、Ａｇ導体ペーストを用いてあらかじめ１６対の電極
を焼成固着した評価用ガラス基材を所要枚用意し、これ
らの各ガラス基材上に電極を短絡する様にこの発明によ
る低温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷した。これ
を焼成温度５６０℃１０分に設定したコンベア炉で１時
間焼成したものと、５８０℃１０分に設定したコンベア
炉で１時間焼成したものと、６００℃１０分に設定した
コンベア炉で１時間焼成したものの三通りのサンプルを
各２枚用意して評価測定した。その結果を表１に示す。
表１より、上記の実施例１、実施例２のシート抵抗値
と、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末をそれぞ
れ単独で含む比較例１、２、３のシート抵抗値のそれぞ
れと焼成温度との関係をグラフ表示すると図１の様にな
り、実施例の焼成温度ーシート抵抗特性線１、２は、焼
成温度軸とほぼ平行であり、焼成温度の変化によってシ
ート抵抗値がほとんど変化しない事が明確にわかり、こ
れに対して比較例の焼成温度ーシート抵抗特性線２、
３、４は焼成温度軸と角度を成しており、焼成温度に応
じてシート抵抗値が大きく変化する事がわかる。即ち、
実施例の焼成抵抗体は、焼成温度依存度の極めて小さな
ものであることがわかる。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【図１】
【００１１】
【実施例２】実施例１と同様の導電粒子とガラス粉末を
用意した。さらに平均粒子１μｍ以下のＡｌ2Ｏ3粉末と
導電性ＳｎＯ2粉末を用い、ルテニウム酸鉛粉末１５．
７ｗｔ％、ガラス粉末６７．７％、Ａｌ2Ｏ3粉末８．３
ｗｔ％及び導電性ＳｎＯ2粉末８．３ｗｔ％で調合し、
実施例１と同様の方法にてこの発明による低温焼成用抵
抗ペーストを得た。ここで用意した導電性ＳｎＯ2粉末
は、実施例１で用いた導電性ＴｉＯ2粉末と同様の方法
によって得られ、石原産業株式会社よりＳＮシリーズと
して市販されており、粉体抵抗はほぼ１〜３０Ωｃｍ程
度である。
用意した。さらに平均粒子１μｍ以下のＡｌ2Ｏ3粉末と
導電性ＳｎＯ2粉末を用い、ルテニウム酸鉛粉末１５．
７ｗｔ％、ガラス粉末６７．７％、Ａｌ2Ｏ3粉末８．３
ｗｔ％及び導電性ＳｎＯ2粉末８．３ｗｔ％で調合し、
実施例１と同様の方法にてこの発明による低温焼成用抵
抗ペーストを得た。ここで用意した導電性ＳｎＯ2粉末
は、実施例１で用いた導電性ＴｉＯ2粉末と同様の方法
によって得られ、石原産業株式会社よりＳＮシリーズと
して市販されており、粉体抵抗はほぼ１〜３０Ωｃｍ程
度である。
【００１２】次に、実施例１、２と比較例１、２、３の
抵抗ペーストを用いて、ガラス基材に施したペーストを
５８０℃で５回繰り返し焼成して、焼成回数毎のシート
抵抗値と抵抗値変動係数ＣＶとを測定した。その結果を
表２に示す。図２は、ここで得られたデータを基に、シ
ート抵抗値と繰り返し焼成回数との関係を示したグラフ
である。図２に示した通り、実施例の焼成回数特性線
１、２は、焼成回数軸との交差角度が極めて小さいのに
比較して、比較例の焼成回数特性線３、４、５は焼成回
数軸と４５度以上の角度で交差する特性である。これよ
り、実施例の抵抗ペーストを用いれば、複数の焼成回数
にもかかわらず、抵抗値変化が小さく、自由度の大きな
製造設計ができるものとなる。
抵抗ペーストを用いて、ガラス基材に施したペーストを
５８０℃で５回繰り返し焼成して、焼成回数毎のシート
抵抗値と抵抗値変動係数ＣＶとを測定した。その結果を
表２に示す。図２は、ここで得られたデータを基に、シ
ート抵抗値と繰り返し焼成回数との関係を示したグラフ
である。図２に示した通り、実施例の焼成回数特性線
１、２は、焼成回数軸との交差角度が極めて小さいのに
比較して、比較例の焼成回数特性線３、４、５は焼成回
数軸と４５度以上の角度で交差する特性である。これよ
り、実施例の抵抗ペーストを用いれば、複数の焼成回数
にもかかわらず、抵抗値変化が小さく、自由度の大きな
製造設計ができるものとなる。
【００１３】
【表２】
【００１４】
【図２】
【００１５】本発明の低温焼成用抵抗ペーストをＤＣ型
プラズマディスプレイパネルに適用した例について述べ
る。プラズマディスプレイ用の電極としては、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ等の導電物質を主成
分とする導体をスクリーン印刷法やリフトオフ法、サン
ドブラスト法、埋め込み法、感光法、蒸着、スパッタリ
ング等の厚膜法および薄膜法により形成する。この実施
例では、電極はＡｕペーストを用いて、エッチングによ
り形成した。抵抗体の形成方法は、スクリーン印刷法の
他にリフトオフ法、サンドブラスト法、埋め込み法、感
光法などがあるが、抵抗ペーストをスクリーン印刷法で
印刷、焼成し、１枚のガラス基板上に０．３０ｍｍ×
０．１８ｍｍの抵抗体素子を３６００個形成した。その
時平均抵抗値は１．０３ＭΩ、抵抗値変動係数ＣＶ％は
３．０３％であった。さらに、その上にガラスペースト
からなる絶縁層を形成し、蛍光体障壁等を形成し、パネ
ルを作製した。パネルを実際に作動させ、抵抗値を測定
したところ、ほぼ設計通りの抵抗値が得られた。この工
程中での抵抗値の増加は初期抵抗値の約３０％で抵抗値
ばらつきの増加は無かった。ちなみに従来のものは抵抗
値の変化が１００％以上であった。
プラズマディスプレイパネルに適用した例について述べ
る。プラズマディスプレイ用の電極としては、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ等の導電物質を主成
分とする導体をスクリーン印刷法やリフトオフ法、サン
ドブラスト法、埋め込み法、感光法、蒸着、スパッタリ
ング等の厚膜法および薄膜法により形成する。この実施
例では、電極はＡｕペーストを用いて、エッチングによ
り形成した。抵抗体の形成方法は、スクリーン印刷法の
他にリフトオフ法、サンドブラスト法、埋め込み法、感
光法などがあるが、抵抗ペーストをスクリーン印刷法で
印刷、焼成し、１枚のガラス基板上に０．３０ｍｍ×
０．１８ｍｍの抵抗体素子を３６００個形成した。その
時平均抵抗値は１．０３ＭΩ、抵抗値変動係数ＣＶ％は
３．０３％であった。さらに、その上にガラスペースト
からなる絶縁層を形成し、蛍光体障壁等を形成し、パネ
ルを作製した。パネルを実際に作動させ、抵抗値を測定
したところ、ほぼ設計通りの抵抗値が得られた。この工
程中での抵抗値の増加は初期抵抗値の約３０％で抵抗値
ばらつきの増加は無かった。ちなみに従来のものは抵抗
値の変化が１００％以上であった。
【００１６】
【発明の効果】以上の通りこの発明によれば、抵抗ペー
スト内に、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末の
いづれか１種類と焼成温度に対する抵抗値変化の勾配が
異なる導電性ＴｉＯ2粉末、又は、導電性ＳｎＯ2粉末を
含有させた事によって、焼成温度に対する焼成抵抗体の
温度依存性を極めて小さく押さえる事ができるため、温
度むらの生じがちな大型基材への焼成固着や複数回の焼
成を伴う場合であっても、抵抗値のばらつきが小さく、
歩留まり良くデバイスを製造できる効果が得られる。
スト内に、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末の
いづれか１種類と焼成温度に対する抵抗値変化の勾配が
異なる導電性ＴｉＯ2粉末、又は、導電性ＳｎＯ2粉末を
含有させた事によって、焼成温度に対する焼成抵抗体の
温度依存性を極めて小さく押さえる事ができるため、温
度むらの生じがちな大型基材への焼成固着や複数回の焼
成を伴う場合であっても、抵抗値のばらつきが小さく、
歩留まり良くデバイスを製造できる効果が得られる。
【図１】 実施例と比較例の焼成温度−シート抵抗値特
性図である。
性図である。
【図２】 実施例と比較例の繰り返し焼成回数−シート
抵抗値特性図である。
抵抗値特性図である。
１ 実施例１の焼成温度−シート抵抗値特性線 ２ 実施例２の焼成温度−シート抵抗値特性線 ３ 比較例１の焼成温度−シート抵抗値特性線 ４ 比較例２の焼成温度−シート抵抗値特性線 ５ 比較例３の焼成温度−シート抵抗値特性線繰 ６ 実施例１の繰り返し焼成回数−シート抵抗値特性線 ７ 実施例２の繰り返し焼成回数−シート抵抗値特性線 ８ 比較例１の繰り返し焼成回数−シート抵抗値特性線 ９ 比較例２の繰り返し焼成回数−シート抵抗値特性線 １０ 比較例３の繰り返し焼成回数−シート抵抗値特性
線
線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 嘉伸 神奈川県厚木市飯山字台ノ岡2453番21号田 中貴金属インターナショナル株式会社厚木 工場内 (72)発明者 後沢 瑞芳 東京都世田谷区砧１丁目10番11号日本放送 協会放送技術研究所内 (72)発明者 坂井 徹男 東京都世田谷区砧１丁目10番11号日本放送 協会放送技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、及びルテニウム酸ランタン粉末の
なかから一種類又は複数種類選んだ導電粒子と、軟化点
が３５０℃から５５０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−
Ａｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−
ＺｎＯ系のガラス粉末と、アルミナ粉末、酸化ジルコニ
ウム粉末、酸化チタン粉末のいずれか一種と導電性酸化
チタン粉末又は導電性酸化錫粉末のいづれか一種とを、
有機ビヒクル中に分散させてなる低温焼成用抵抗ペース
ト。 - 【請求項２】 アルミナ粉末、酸化ジルコニウム粉末、
酸化チタン粉末のいずれか１種と導電性酸化チタン粉末
又は導電性酸化錫粉末のいづれか一種との重量の和は、
導電粒子とガラス粉末との重量和の５ｗｔ％から３５ｗ
ｔ％の範囲である請求項１の低温焼成用抵抗ペースト。 - 【請求項３】 導電性酸化チタン粉末はＴｉＯ2 ８
６．０〜９４．０ｗｔ％と、ＳｎＯ2 ５．５〜９．０
ｗｔ％と、Ｓｂ2Ｏ3 ０．５〜５．０ｗｔ％とを含む組
成である請求項１または請求項２の低温焼成用抵抗ペー
スト。 - 【請求項４】 導電性酸化錫粉末は、ＳｎＯ2 ８８．
０〜９９．０ｗｔ％とＳｂ2Ｏ3 １．０〜１２．０ｗｔ
％とを含む組成である請求項１または請求項２の低温焼
成用抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8048246A JPH09219301A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8048246A JPH09219301A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219301A true JPH09219301A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12798093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8048246A Pending JPH09219301A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013100254A1 (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 금오공과대학교 산학협력단 | 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 무기첨가제 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지 |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP8048246A patent/JPH09219301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013100254A1 (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 금오공과대학교 산학협력단 | 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 무기첨가제 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지 |
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