JPH09153401A - 低温焼成用抵抗ペースト - Google Patents
低温焼成用抵抗ペーストInfo
- Publication number
- JPH09153401A JPH09153401A JP7334075A JP33407595A JPH09153401A JP H09153401 A JPH09153401 A JP H09153401A JP 7334075 A JP7334075 A JP 7334075A JP 33407595 A JP33407595 A JP 33407595A JP H09153401 A JPH09153401 A JP H09153401A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- resistance paste
- temperature firing
- glass
- filler
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値ばらつきの小さな焼成抵抗体を得る事
のできる低温焼成用抵抗ペーストを提供することを目的
とする。 【構成】 Ｐｂ2ＲｕＯ7-x粉末（Ｘは０〜１）、Ｂｉ2
ＲｕＯ7ーx粉末（Ｘは０〜１）、ＣａＲｕＯ3粉末、Ｓｒ
ＲｕＯ3粉末、及びＬａＲｕＯ3粉末のうち一種類又は複
数種類選んだ導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０
℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末
と、このガラス粉末の焼成時の流動を押さえるフィラー
とを有機ビヒクル中に分散させた抵抗ペーストとする。
フィラーはＡｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、
及び軟化点が７５０℃から８５０℃のガラス粉末から選
ばれ、有機ビヒクルを含まない粉体成分の３〜３０ｗｔ
％を含有する。
のできる低温焼成用抵抗ペーストを提供することを目的
とする。 【構成】 Ｐｂ2ＲｕＯ7-x粉末（Ｘは０〜１）、Ｂｉ2
ＲｕＯ7ーx粉末（Ｘは０〜１）、ＣａＲｕＯ3粉末、Ｓｒ
ＲｕＯ3粉末、及びＬａＲｕＯ3粉末のうち一種類又は複
数種類選んだ導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０
℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末
と、このガラス粉末の焼成時の流動を押さえるフィラー
とを有機ビヒクル中に分散させた抵抗ペーストとする。
フィラーはＡｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、
及び軟化点が７５０℃から８５０℃のガラス粉末から選
ばれ、有機ビヒクルを含まない粉体成分の３〜３０ｗｔ
％を含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル、液晶表示板、陰極線管等のガラス基材表
面に焼成固着させて形成する事ができる５００℃から６
００℃で焼成可能な低温焼成用抵抗ペーストに関する。
プレイパネル、液晶表示板、陰極線管等のガラス基材表
面に焼成固着させて形成する事ができる５００℃から６
００℃で焼成可能な低温焼成用抵抗ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、抵抗ペーストは、酸化ルテニウ
ム粉末とガラス粉末とを有機ビヒクル中に分散させてな
り、低温焼成用抵抗ペーストの場合、軟化点が４００℃
〜５５０℃程度のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉
末が用いられていた。しかしながら、この様に導電粒子
として酸化ルテニウム粉末を用いた低温焼成用抵抗ペー
ストにおいては、酸化ルテニウムは比抵抗が小さく電気
伝導度が比較的高いため、一定の抵抗値を得るために
は、導電粒子に対するガラス粉末の量を多くしなければ
ならず、為に分散度の相異や焼成温度のばらつきによっ
て抵抗ペーストの焼成によって得られた抵抗体の抵抗値
にかなりのばらつきを生じてしまう不都合があった。
ム粉末とガラス粉末とを有機ビヒクル中に分散させてな
り、低温焼成用抵抗ペーストの場合、軟化点が４００℃
〜５５０℃程度のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉
末が用いられていた。しかしながら、この様に導電粒子
として酸化ルテニウム粉末を用いた低温焼成用抵抗ペー
ストにおいては、酸化ルテニウムは比抵抗が小さく電気
伝導度が比較的高いため、一定の抵抗値を得るために
は、導電粒子に対するガラス粉末の量を多くしなければ
ならず、為に分散度の相異や焼成温度のばらつきによっ
て抵抗ペーストの焼成によって得られた抵抗体の抵抗値
にかなりのばらつきを生じてしまう不都合があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、例えばプラ
ズマディスプレイ装置に形成される無数の約０．５ｍｍ
角の各画素内に設けられるスパッタ防止用の電流制限抵
抗体や、その他のガラス基材表面に焼成固着される無数
の抵抗体においては、極力抵抗値のばらつきが小さい事
が望まれている。そこでこの発明は、抵抗値ばらつきの
小さな焼成抵抗体を得る事のできる低温焼成用抵抗ペー
ストを提供することを目的とする。
ズマディスプレイ装置に形成される無数の約０．５ｍｍ
角の各画素内に設けられるスパッタ防止用の電流制限抵
抗体や、その他のガラス基材表面に焼成固着される無数
の抵抗体においては、極力抵抗値のばらつきが小さい事
が望まれている。そこでこの発明は、抵抗値ばらつきの
小さな焼成抵抗体を得る事のできる低温焼成用抵抗ペー
ストを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、Ｐｂ
2ＲｕＯ7-x（Ｘは０〜１）粉末、Ｂｉ2ＲｕＯ7-x（Ｘは
０〜１）粉末、ＣａＲｕＯ3粉末、ＳｒＲｕＯ3粉末、及
びＬａＲｕＯ3粉末のうちの一種類又は複数種類選んだ
導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃のＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末と、このガラ
ス粉末の焼成時の流動を押さえるフィラーとを、有機ビ
ヒクル中に分散させてなる低温焼成用抵抗ペーストによ
って達成される。この発明において、フィラーとして
は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、及び軟
化点が７５０℃から８５０℃のガラス粉末のなかから選
ばれるフィラーが望ましく用いられ、該フィラーを有機
ビヒクルを含まない粉末成分の３〜３０ｗｔ％含有させ
ることが望ましい。ガラス組成が、ＰｂＯ ７５．０〜
８１．０ｗｔ％、ＳｉＯ2 ６．０〜１０．０ｗｔ％、Ｂ
2Ｏ3 ３．０〜５．０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ８．０〜１
２．０ｗｔ％からなるガラス粉末又は、ＰｂＯ ７０．
３〜７６．４ｗｔ％、ＳｉＯ2 ０．９〜３．ｗｔ％、Ｂ
2Ｏ3 １４．８〜１８．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 １．７〜
３．７ｗｔ％、及びＺｎＯ ４．１〜６．２ｗｔ％よ
りなるガラス粉末が望ましく用いられる。
2ＲｕＯ7-x（Ｘは０〜１）粉末、Ｂｉ2ＲｕＯ7-x（Ｘは
０〜１）粉末、ＣａＲｕＯ3粉末、ＳｒＲｕＯ3粉末、及
びＬａＲｕＯ3粉末のうちの一種類又は複数種類選んだ
導電粒子と、軟化点が３５０℃から５５０℃のＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末と、このガラ
ス粉末の焼成時の流動を押さえるフィラーとを、有機ビ
ヒクル中に分散させてなる低温焼成用抵抗ペーストによ
って達成される。この発明において、フィラーとして
は、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、ＴｉＯ2粉末、及び軟
化点が７５０℃から８５０℃のガラス粉末のなかから選
ばれるフィラーが望ましく用いられ、該フィラーを有機
ビヒクルを含まない粉末成分の３〜３０ｗｔ％含有させ
ることが望ましい。ガラス組成が、ＰｂＯ ７５．０〜
８１．０ｗｔ％、ＳｉＯ2 ６．０〜１０．０ｗｔ％、Ｂ
2Ｏ3 ３．０〜５．０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ８．０〜１
２．０ｗｔ％からなるガラス粉末又は、ＰｂＯ ７０．
３〜７６．４ｗｔ％、ＳｉＯ2 ０．９〜３．ｗｔ％、Ｂ
2Ｏ3 １４．８〜１８．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 １．７〜
３．７ｗｔ％、及びＺｎＯ ４．１〜６．２ｗｔ％よ
りなるガラス粉末が望ましく用いられる。
【０００５】
【発明の実施の形態】低温焼成用抵抗ペーストの製造に
当たり、導電粒子の量と、ガラス粉末及びフィラーの量
については、焼成抵抗体に求められる抵抗値に応じて調
合選択する。導電粒子、ガラス粉末及びフィラーは、焼
成抵抗体の固着対象が例えばプラズマディスプレイ装置
の画素である場合は、粉体の平均粒径を１μｍ以下にあ
らかじめ加工しておく。かくして得られた導電粒子、ガ
ラス粉末及びフィラーは抵抗値に応じて調合されて有機
ビヒクル中に混合され分散される。この分散のためには
例えば遊星ブレンダーや三本ロール等の装置が用いられ
る。得られた低温焼成用抵抗ペーストは、あらかじめＡ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌをそれぞれ主成分と
する電極を形成したガラス基板或いはガラス基材表面に
スクリーン印刷法により位置や形状を定めて付着され
る。基材に付着された抵抗ペーストは、基材の軟化点以
下の温度で焼成され、所定位置に焼成抵抗体が形成され
る。この際有機ビヒクルは消失し、導電粒子とガラス粉
末とフィラーとで焼成抵抗体が形成される。
当たり、導電粒子の量と、ガラス粉末及びフィラーの量
については、焼成抵抗体に求められる抵抗値に応じて調
合選択する。導電粒子、ガラス粉末及びフィラーは、焼
成抵抗体の固着対象が例えばプラズマディスプレイ装置
の画素である場合は、粉体の平均粒径を１μｍ以下にあ
らかじめ加工しておく。かくして得られた導電粒子、ガ
ラス粉末及びフィラーは抵抗値に応じて調合されて有機
ビヒクル中に混合され分散される。この分散のためには
例えば遊星ブレンダーや三本ロール等の装置が用いられ
る。得られた低温焼成用抵抗ペーストは、あらかじめＡ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌをそれぞれ主成分と
する電極を形成したガラス基板或いはガラス基材表面に
スクリーン印刷法により位置や形状を定めて付着され
る。基材に付着された抵抗ペーストは、基材の軟化点以
下の温度で焼成され、所定位置に焼成抵抗体が形成され
る。この際有機ビヒクルは消失し、導電粒子とガラス粉
末とフィラーとで焼成抵抗体が形成される。
【０００６】この発明によれば、導電粒子はＰｂ2Ｒｕ
Ｏ7-x（Ｘは、０〜１）粉末、Ｂｉ2ＲｕＯ7-x（Ｘは、
０〜１）粉末、ＣａＲｕＯ3粉末、ＳｒＲｕＯ3粉末、Ｌ
ａＲｕＯ3粉末等のルテニウム酸化合物から選択され
る。これらのルテニウム酸化合物は、ＲｕＯ2に比較し
て電気伝導度が一桁小さいため、絶縁物であるガラス粉
末やフィラーの量を少なくでき、抵抗値ばらつき要素が
少なくなる。
Ｏ7-x（Ｘは、０〜１）粉末、Ｂｉ2ＲｕＯ7-x（Ｘは、
０〜１）粉末、ＣａＲｕＯ3粉末、ＳｒＲｕＯ3粉末、Ｌ
ａＲｕＯ3粉末等のルテニウム酸化合物から選択され
る。これらのルテニウム酸化合物は、ＲｕＯ2に比較し
て電気伝導度が一桁小さいため、絶縁物であるガラス粉
末やフィラーの量を少なくでき、抵抗値ばらつき要素が
少なくなる。
【０００７】フィラーはＡｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉末、
ＴｉＯ2粉末、及び軟化点が７５０℃から８５０℃のガ
ラス粉末等の、抵抗ペーストの焼成温度では形態変化を
しない粉体が用いられ、抵抗ペーストの焼成時にガラス
粉末が過度に流動する事を制限し、焼成抵抗体の均質化
に寄与する。混合比率は３〜３０ｗｔ％である。
ＴｉＯ2粉末、及び軟化点が７５０℃から８５０℃のガ
ラス粉末等の、抵抗ペーストの焼成温度では形態変化を
しない粉体が用いられ、抵抗ペーストの焼成時にガラス
粉末が過度に流動する事を制限し、焼成抵抗体の均質化
に寄与する。混合比率は３〜３０ｗｔ％である。
【０００８】ガラス粉末は、軟化点が３５０℃から５５
０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラスが
用いられ、窓ガラス他の汎用ガラス表面に焼成抵抗体の
固着を可能にしている。その様なガラス粉末として例え
ば、軟化点５１０℃のＰｂＯ７８．０ｗｔ％、ＳｉＯ2
８．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 ４．０ｗｔ％、及びＡｌ2Ｏ3
１０．０ｗｔ％のガラス粉末、或いは、軟化点４３０
℃のＰｂＯ ７３．３ｗｔ％、ＳｉＯ2 ２．ｗｔ％、
Ｂ2Ｏ3 １６．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及
びＺｎＯ ５．２ｗｔ％のガラス粉末を用いる事ができ
る。
０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラスが
用いられ、窓ガラス他の汎用ガラス表面に焼成抵抗体の
固着を可能にしている。その様なガラス粉末として例え
ば、軟化点５１０℃のＰｂＯ７８．０ｗｔ％、ＳｉＯ2
８．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 ４．０ｗｔ％、及びＡｌ2Ｏ3
１０．０ｗｔ％のガラス粉末、或いは、軟化点４３０
℃のＰｂＯ ７３．３ｗｔ％、ＳｉＯ2 ２．ｗｔ％、
Ｂ2Ｏ3 １６．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及
びＺｎＯ ５．２ｗｔ％のガラス粉末を用いる事ができ
る。
【０００９】
【実施例１】次に具体例について説明する。先ず、Ｐｂ
Ｏ ７３．３ｗｔ％、ＳｉＯ2 ２．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3
１６．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及びＺｎ
Ｏ ５．２ｗｔ％を混合して約１３００℃で溶解した後
冷却し、これをボールミルにて粉砕して軟化点４３０℃
で平均粒径１μｍ以下のガラス粉末を用意した。これと
は別に、導電粒子として平均粒径１μｍ以下のＰｂＲｕ
Ｏ6.5粉末、並びにフィラーとして平均粒径１μｍ以下
ののＴｉＯ2粉末を用意した。ここで用意した材料を用
い、ＰｂＲｕＯ6.5粉末２４．１ｗｔ％、ガラス粉末５
９．２ｗｔ％、ＴｉＯ2粉末１６．７ｗｔ％の割合で調
合し、これに適量の有機ビヒクルを加えて、遊星ブレン
ダーで予備混練した後、順次圧力を変えた三本ロールに
数個ずつ通して、導電粒子であるＰｂＲｕＯ6.5粉末
と、ガラス粉末と、フィラーであるＴｉＯ2粉末とを有
機ビヒクル中に均等に分散させて低温焼成用抵抗ペース
トを得た。
Ｏ ７３．３ｗｔ％、ＳｉＯ2 ２．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3
１６．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 ２．７ｗｔ％、及びＺｎ
Ｏ ５．２ｗｔ％を混合して約１３００℃で溶解した後
冷却し、これをボールミルにて粉砕して軟化点４３０℃
で平均粒径１μｍ以下のガラス粉末を用意した。これと
は別に、導電粒子として平均粒径１μｍ以下のＰｂＲｕ
Ｏ6.5粉末、並びにフィラーとして平均粒径１μｍ以下
ののＴｉＯ2粉末を用意した。ここで用意した材料を用
い、ＰｂＲｕＯ6.5粉末２４．１ｗｔ％、ガラス粉末５
９．２ｗｔ％、ＴｉＯ2粉末１６．７ｗｔ％の割合で調
合し、これに適量の有機ビヒクルを加えて、遊星ブレン
ダーで予備混練した後、順次圧力を変えた三本ロールに
数個ずつ通して、導電粒子であるＰｂＲｕＯ6.5粉末
と、ガラス粉末と、フィラーであるＴｉＯ2粉末とを有
機ビヒクル中に均等に分散させて低温焼成用抵抗ペース
トを得た。
【００１０】かくして得られたこの発明による低温焼成
用抵抗ペーストの抵抗値ばらつきの評価に当たり、ガラ
ス板の中央部に直線状の共通電極を設け、この共通電極
の両側に振り分けで各１６個の試験電極を設けた評価基
板２枚を用意した。これらの評価基板の各電極はそれぞ
れ、ガラス板上にＡｇを主成分とする導体ペーストをス
クリーン印刷してから焼成して得た。この評価基板上の
共通電極と試験電極とを橋絡する様にこの発明による低
温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷してから５８０
℃ピーク値１０分トータル１時間に設定した炉で焼成
し、評価基板一枚当たり３２試料の０．２５ｍｍ×０．
２５ｍｍで厚さ５．５μｍの抵抗体を焼成形成した。こ
の評価基板を２枚作成し、合計６４サンプルの焼成抵抗
体を作成して評価した所、平均抵抗値は１．１７ＭΩ、
抵抗値ばらつきの指標である抵抗値変動係数ＣＶ＝σ／
ｘ×１００（％）（ここでσは標準偏差、ｘは平均抵抗
値である）は３．７％であった。これを従来の低温焼成
用抵抗ペーストと比較するに、導電粒子としてＲｕＯ2
粉末、軟化点４９０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガ
ラス粉末を用いた抵抗ペーストによって同様の抵抗体を
作成し評価したところ抵抗値変動係数が１６．７％であ
った。比較すると、従来の約１／５（２２％）にばらつ
きが小さくなったことがわかった。
用抵抗ペーストの抵抗値ばらつきの評価に当たり、ガラ
ス板の中央部に直線状の共通電極を設け、この共通電極
の両側に振り分けで各１６個の試験電極を設けた評価基
板２枚を用意した。これらの評価基板の各電極はそれぞ
れ、ガラス板上にＡｇを主成分とする導体ペーストをス
クリーン印刷してから焼成して得た。この評価基板上の
共通電極と試験電極とを橋絡する様にこの発明による低
温焼成用抵抗ペーストをスクリーン印刷してから５８０
℃ピーク値１０分トータル１時間に設定した炉で焼成
し、評価基板一枚当たり３２試料の０．２５ｍｍ×０．
２５ｍｍで厚さ５．５μｍの抵抗体を焼成形成した。こ
の評価基板を２枚作成し、合計６４サンプルの焼成抵抗
体を作成して評価した所、平均抵抗値は１．１７ＭΩ、
抵抗値ばらつきの指標である抵抗値変動係数ＣＶ＝σ／
ｘ×１００（％）（ここでσは標準偏差、ｘは平均抵抗
値である）は３．７％であった。これを従来の低温焼成
用抵抗ペーストと比較するに、導電粒子としてＲｕＯ2
粉末、軟化点４９０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガ
ラス粉末を用いた抵抗ペーストによって同様の抵抗体を
作成し評価したところ抵抗値変動係数が１６．７％であ
った。比較すると、従来の約１／５（２２％）にばらつ
きが小さくなったことがわかった。
【００１１】
【実施例２】同様にして、平均粒径１μｍ以下のＰｂ2
ＲｕＯ6.5粉末からなる導電粒子１９．９ｗｔ％と、Ｐ
ｂＯ ７８．０ｗｔ％、ＳｉＯ2 ８．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ
3 ４．０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 １０．０ｗｔ％よりなる
軟化点５１０℃の平均粒径１μｍ以下のガラス粉末 ６
３．４ｗｔ％と、軟化点８５０℃で平均粒径１μｍ以下
のガラス粉末よりなるフィラー １６．７ｗｔ％とを有
機ビヒクルに分散させて得た。この発明による低温焼成
用抵抗ペーストについて、評価した所、焼成膜厚５．０
μｍで、平均抵抗値８３９ＫΩの焼成抵抗体が得られ、
抵抗値変動係数は４．６％であった。この値は、従来の
約１／４（２７％）である。
ＲｕＯ6.5粉末からなる導電粒子１９．９ｗｔ％と、Ｐ
ｂＯ ７８．０ｗｔ％、ＳｉＯ2 ８．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ
3 ４．０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 １０．０ｗｔ％よりなる
軟化点５１０℃の平均粒径１μｍ以下のガラス粉末 ６
３．４ｗｔ％と、軟化点８５０℃で平均粒径１μｍ以下
のガラス粉末よりなるフィラー １６．７ｗｔ％とを有
機ビヒクルに分散させて得た。この発明による低温焼成
用抵抗ペーストについて、評価した所、焼成膜厚５．０
μｍで、平均抵抗値８３９ＫΩの焼成抵抗体が得られ、
抵抗値変動係数は４．６％であった。この値は、従来の
約１／４（２７％）である。
【００１２】
【発明の効果】以上の通りこの発明によれば、導電率の
比較的低い導電粒子を用いることにより絶縁物依頼度を
低下させると共に、低温で軟化流動するガラス粉末の流
動をフィラーによって制限する構成としたため、ガラス
表面上に均質で抵抗値変動係数の小さな焼成抵抗体を形
成することが可能となり、例えばプラズマディスプレイ
装置の画素内の電流制限抵抗体等の特殊用途に用いる事
ができ、ガラス基材を用いた電子機器の機能を高める事
ができ、その産業上の効果大いなるものがある。
比較的低い導電粒子を用いることにより絶縁物依頼度を
低下させると共に、低温で軟化流動するガラス粉末の流
動をフィラーによって制限する構成としたため、ガラス
表面上に均質で抵抗値変動係数の小さな焼成抵抗体を形
成することが可能となり、例えばプラズマディスプレイ
装置の画素内の電流制限抵抗体等の特殊用途に用いる事
ができ、ガラス基材を用いた電子機器の機能を高める事
ができ、その産業上の効果大いなるものがある。
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 嘉伸 神奈川県厚木市飯山字台ノ岡2453番21号田 中貴金属インターナショナル株式会社厚木 工場内 (72)発明者 後沢 瑞芳 東京都世田谷区砧１丁目10番11号日本放送 協会放送技術研究所内 (72)発明者 坂井 徹男 東京都世田谷区砧１丁目10番11号日本放送 協会放送技術研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 ルテニウム酸鉛粉末、ルテニウム酸ビス
マス粉末、ルテニウム酸カルシウム粉末、ルテニウム酸
ストロンチウム粉末、及びルテニウム酸ランタン粉末の
うちの一種類又は複数種類選んだ導電粒子と、軟化点が
３５０℃から５５０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａ
ｌ2Ｏ3系又はＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｚ
ｎＯ系のガラス粉末と、焼成中のガラス熔解による抵抗
体の流動を押さえるフィラーとを、有機ビヒクル中に分
散させてなる低温焼成用抵抗ペースト。 - 【請求項２】 フィラーは、Ａｌ2Ｏ3粉末、ＺｒＯ2粉
末、ＴｉＯ2粉末、及び軟化点が７５０℃から８５０℃
のガラス粉末の中から選ばれる請求項１に記載の低温焼
成用抵抗ペースト。 - 【請求項３】 フィラーは、ＴｉＯ2粉末である請求項
１に記載の低温焼成用抵抗ペースト。 - 【請求項４】 フィラーの含有量は、有機ビヒクルを含
まない粉末成分の３〜３０ｗｔ％である請求項１ないし
請求項３に記載の低温焼成用抵抗ペースト。 - 【請求項５】 ガラス組成が、ＰｂＯ ７５．０〜８
１．０ｗｔ％、ＳｉＯ2 ６．０〜１０．０ｗｔ％、Ｂ2
Ｏ3 ３．０〜５．０ｗｔ％、及びＡｌ2Ｏ3８．０〜１
２．０ｗｔ％である「請求項１」ないし「請求項４」の
いずれかに記載の低温焼成用抵抗ペースト。 - 【請求項６】 ガラス組成が、ＰｂＯ ７０．３〜７
６．３ｗｔ％、ＳｉＯ2０．９〜３．０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3
１４．８〜１８．９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3 １．７〜３．
７ｗｔ％、及びＺｎＯ ４．１〜６．２ｗｔ％である請
求項１ないし請求項５のいずれかに記載の低温焼成用抵
抗ペースト。 - 【請求項７】 導電粒子がルテニウム酸鉛である請求項
１〜６の低温焼成用抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7334075A JPH09153401A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7334075A JPH09153401A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153401A true JPH09153401A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18273240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7334075A Pending JPH09153401A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 低温焼成用抵抗ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013161770A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-19 | Kyoto Elex Kk | セラミック基板ヒータ用抵抗体ペーストおよびセラミック基板ヒータ |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7334075A patent/JPH09153401A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013161770A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-19 | Kyoto Elex Kk | セラミック基板ヒータ用抵抗体ペーストおよびセラミック基板ヒータ |
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