JPH09219824A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH09219824A JPH09219824A JP8023931A JP2393196A JPH09219824A JP H09219824 A JPH09219824 A JP H09219824A JP 8023931 A JP8023931 A JP 8023931A JP 2393196 A JP2393196 A JP 2393196A JP H09219824 A JPH09219824 A JP H09219824A
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各受光部の飽和電荷量Qsのムラが大きいこ
とによって画像に固定パターンノイズが発生していた。 【解決手段】 撮像部10から高感度受光部11の信号
電荷と低感度受光部12の信号電荷とを読み出し、垂直
転送レジスタ13を介して点順次信号になるように水平
転送レジスタ14に転送した後、大光量時の高感度受光
部11の信号電荷に対して出力ゲート15でクリッピン
グをかけ、しかる後高感度受光部11の信号電荷と低感
度受光部12の信号電荷とを電荷検出部16のフローテ
ィング・ディフュージョン容量20で混合し、信号電圧
に変換して信号出力OUTとして導出するようにする。
とによって画像に固定パターンノイズが発生していた。 【解決手段】 撮像部10から高感度受光部11の信号
電荷と低感度受光部12の信号電荷とを読み出し、垂直
転送レジスタ13を介して点順次信号になるように水平
転送レジスタ14に転送した後、大光量時の高感度受光
部11の信号電荷に対して出力ゲート15でクリッピン
グをかけ、しかる後高感度受光部11の信号電荷と低感
度受光部12の信号電荷とを電荷検出部16のフローテ
ィング・ディフュージョン容量20で混合し、信号電圧
に変換して信号出力OUTとして導出するようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に光入力に対するダイナミックレンジが広いいわ
ゆる広ダイナミックレンジCCD(Charge Coupled Devi
ce) 固体撮像装置に関する。
し、特に光入力に対するダイナミックレンジが広いいわ
ゆる広ダイナミックレンジCCD(Charge Coupled Devi
ce) 固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD固体撮像装置では、マトリクス状
に2次元配置された各受光部(画素)において光電変換
されかつ蓄積された信号電荷が受光部から溢れた後は、
この信号電荷に基づく信号出力が一定となるため、受光
部の飽和レベル以上の入射光量に対応する信号出力が得
られなく、したがって光入力に対するダイナミックレン
ジが狭い。
に2次元配置された各受光部(画素)において光電変換
されかつ蓄積された信号電荷が受光部から溢れた後は、
この信号電荷に基づく信号出力が一定となるため、受光
部の飽和レベル以上の入射光量に対応する信号出力が得
られなく、したがって光入力に対するダイナミックレン
ジが狭い。
【0003】このダイナミックレンジを拡大するため
に、図6に示すように、感度の異なる2種類の受光部、
例えば高感度受光部101と低感度受光部102とを垂
直方向にて隣接して交互に配置し、高感度受光部101
の信号電荷については受光部内でリミッタを掛けてから
垂直転送レジスタ103に読み出し、当該レジスタ10
3内で高感度受光部101の信号電荷と低感度受光部1
02の信号電荷とを混合した後垂直転送し、さらに水平
転送レジスタ104にて水平転送して電荷検出部105
に供給し、ここで電気信号に変換した後バッファ106
を介して出力するようにした構成の固体撮像装置がある
(例えば、特開平3−117281号公報参照)。
に、図6に示すように、感度の異なる2種類の受光部、
例えば高感度受光部101と低感度受光部102とを垂
直方向にて隣接して交互に配置し、高感度受光部101
の信号電荷については受光部内でリミッタを掛けてから
垂直転送レジスタ103に読み出し、当該レジスタ10
3内で高感度受光部101の信号電荷と低感度受光部1
02の信号電荷とを混合した後垂直転送し、さらに水平
転送レジスタ104にて水平転送して電荷検出部105
に供給し、ここで電気信号に変換した後バッファ106
を介して出力するようにした構成の固体撮像装置がある
(例えば、特開平3−117281号公報参照)。
【0004】かかるCCD固体撮像装置においては、入
射光量がある一定量以上になると、高感度受光部101
の信号電荷にリミッタが掛かるため、この高感度受光部
101の信号電荷と低感度受光部102の信号電荷とを
混合することで、図7に示すところの折れ線近似の入出
力特性が得られ、これによって広ダイナミックレンジ化
が実現される。なお、図7において、一点鎖線は高感度
受光部101、点線は低感度受光部102の入出力特性
を、実線は混合後の入出力特性をそれぞれ示している。
射光量がある一定量以上になると、高感度受光部101
の信号電荷にリミッタが掛かるため、この高感度受光部
101の信号電荷と低感度受光部102の信号電荷とを
混合することで、図7に示すところの折れ線近似の入出
力特性が得られ、これによって広ダイナミックレンジ化
が実現される。なお、図7において、一点鎖線は高感度
受光部101、点線は低感度受光部102の入出力特性
を、実線は混合後の入出力特性をそれぞれ示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高感度
受光部101において、各受光部ごとにリミッタを掛け
るようにした上記構成の従来のCCD固体撮像装置で
は、現実には、受光部ごとにオーバーフロー特性がばら
つき、各受光部の飽和電荷量Qsのムラが大きいため、
図8に示すように、折れ線近似の入出力特性にオフセッ
トが生じる。したがって、高感度受光部101が飽和す
るような大光量の場合、各受光部の飽和電荷量Qsのム
ラが大きいことによって画像に固定パターンノイズ(固
定パターンのムラ)が発生するという問題があった。
受光部101において、各受光部ごとにリミッタを掛け
るようにした上記構成の従来のCCD固体撮像装置で
は、現実には、受光部ごとにオーバーフロー特性がばら
つき、各受光部の飽和電荷量Qsのムラが大きいため、
図8に示すように、折れ線近似の入出力特性にオフセッ
トが生じる。したがって、高感度受光部101が飽和す
るような大光量の場合、各受光部の飽和電荷量Qsのム
ラが大きいことによって画像に固定パターンノイズ(固
定パターンのムラ)が発生するという問題があった。
【0006】そこで、本発明は、各受光部の飽和電荷量
Qsのムラに起因する固定パターンノイズを発生するこ
となく、ダイナミックレンジの拡大を可能とした固体撮
像装置を提供することを目的とする。
Qsのムラに起因する固定パターンノイズを発生するこ
となく、ダイナミックレンジの拡大を可能とした固体撮
像装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、感度の異なる2種類以上の信号電荷を得る撮像部
と、この撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を
点順次信号として転送する電荷転送部と、この電荷転送
部によって転送された信号電荷のうち、少なくとも最小
感度の信号電荷以外の信号電荷を所定のクリップレベル
でクリッピングするための直流バイアス電圧を電荷転送
部の出力ゲートに与えるバイアス付与回路と、出力ゲー
トでクリッピングされた信号電荷と他の感度の信号電荷
とを混合して電気信号に変換する電荷検出部とを備えた
構成となっている。
置は、感度の異なる2種類以上の信号電荷を得る撮像部
と、この撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を
点順次信号として転送する電荷転送部と、この電荷転送
部によって転送された信号電荷のうち、少なくとも最小
感度の信号電荷以外の信号電荷を所定のクリップレベル
でクリッピングするための直流バイアス電圧を電荷転送
部の出力ゲートに与えるバイアス付与回路と、出力ゲー
トでクリッピングされた信号電荷と他の感度の信号電荷
とを混合して電気信号に変換する電荷検出部とを備えた
構成となっている。
【0008】上記構成の固体撮像装置において、撮像部
から感度の異なる2種類以上の信号電荷が電荷転送部に
移送されると、電荷転送部はこれら感度の異なる信号電
荷を点順次信号になるようにして転送する。この電荷転
送部において、その出力ゲートには所定のクリップレベ
ルに対応した直流バイアス電圧が印加されていることか
ら、大光量時に感度の高い信号電荷は、このクリップレ
ベルを越えることによってクリッピングされ、しかる後
電荷検出部に供給される。電荷検出部は、このクリッピ
ングされた信号電荷と他の感度の信号電荷とを混合し、
電気信号に変換して出力する。
から感度の異なる2種類以上の信号電荷が電荷転送部に
移送されると、電荷転送部はこれら感度の異なる信号電
荷を点順次信号になるようにして転送する。この電荷転
送部において、その出力ゲートには所定のクリップレベ
ルに対応した直流バイアス電圧が印加されていることか
ら、大光量時に感度の高い信号電荷は、このクリップレ
ベルを越えることによってクリッピングされ、しかる後
電荷検出部に供給される。電荷検出部は、このクリッピ
ングされた信号電荷と他の感度の信号電荷とを混合し、
電気信号に変換して出力する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態を示す概略構成図である。
図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態を示す概略構成図である。
【0010】図1において、撮像部10には感度が異な
る例えば2種類の受光部(画素)、即ち高感度受光部1
1および低感度受光部12が列単位で水平方向(図の左
右方向)において交互にストライプ状に配置されてい
る。ここで、受光部11,12の感度を違える方法とし
ては、受光部11,12の開口面積を違える、オン
チップレンズの倍率を違える、受光部11,12の各
々に透過率の異なるフィルタを付ける、信号電荷の蓄
積時間を違えるなどの方法が考えられる。なお、図面上
では、高感度受光部11を面積の大きな□で、低感度受
光部12を面積の小さな□で模式的に示している。
る例えば2種類の受光部(画素)、即ち高感度受光部1
1および低感度受光部12が列単位で水平方向(図の左
右方向)において交互にストライプ状に配置されてい
る。ここで、受光部11,12の感度を違える方法とし
ては、受光部11,12の開口面積を違える、オン
チップレンズの倍率を違える、受光部11,12の各
々に透過率の異なるフィルタを付ける、信号電荷の蓄
積時間を違えるなどの方法が考えられる。なお、図面上
では、高感度受光部11を面積の大きな□で、低感度受
光部12を面積の小さな□で模式的に示している。
【0011】高感度受光部11および低感度受光部12
は、例えばフォトダイオードによって構成され、入射光
を光電変換しかつその光量に応じた電荷量の信号電荷を
蓄積する。また、高感度受光部11および低感度受光部
12の各垂直列ごとに垂直転送レジスタ13が配されて
いる。垂直転送レジスタ13は、各受光部の信号電荷を
独立に転送できるパケット群からなる。これにより、全
受光部の信号電荷を独立に読み出し、かつ垂直転送レジ
スタ13内で混合することなく転送するいわゆる全画素
読み出しが可能となる。
は、例えばフォトダイオードによって構成され、入射光
を光電変換しかつその光量に応じた電荷量の信号電荷を
蓄積する。また、高感度受光部11および低感度受光部
12の各垂直列ごとに垂直転送レジスタ13が配されて
いる。垂直転送レジスタ13は、各受光部の信号電荷を
独立に転送できるパケット群からなる。これにより、全
受光部の信号電荷を独立に読み出し、かつ垂直転送レジ
スタ13内で混合することなく転送するいわゆる全画素
読み出しが可能となる。
【0012】撮像部10の図の下側には、水平転送レジ
スタ14が配されている。この水平転送レジスタ14
は、例えば2相の水平転送パルスφH1,φH2によっ
て駆動され、撮像部10からライン単位で移された信号
電荷を画素単位で順に水平転送する。この水平転送レジ
スタ14によって転送された信号電荷は、出力ゲート1
5を介して電荷検出部16に画素単位で供給される。出
力ゲート15には、バイアス付与回路17で生成される
直流バイアス電圧E1が印加されている。
スタ14が配されている。この水平転送レジスタ14
は、例えば2相の水平転送パルスφH1,φH2によっ
て駆動され、撮像部10からライン単位で移された信号
電荷を画素単位で順に水平転送する。この水平転送レジ
スタ14によって転送された信号電荷は、出力ゲート1
5を介して電荷検出部16に画素単位で供給される。出
力ゲート15には、バイアス付与回路17で生成される
直流バイアス電圧E1が印加されている。
【0013】このバイアス付与回路17は、水平転送パ
ルスφH1(又は、φH2)に基づいて直流バイアス電
圧E1を生成する。一例として、アノードに水平転送パ
ルスφH1が印加されるダイオードDと、このダイオー
ドDのカソードとグランドとの間に接続されたコンデン
サCと、ダイオードDのカソードにゲートが接続されか
つドレインが接地されたPチャネルMOSトランジスタ
Qと、このMOSトランジスタQのソースと電源Vdd
との間に接続された電流源Iとからなる整流回路構成と
なっている。
ルスφH1(又は、φH2)に基づいて直流バイアス電
圧E1を生成する。一例として、アノードに水平転送パ
ルスφH1が印加されるダイオードDと、このダイオー
ドDのカソードとグランドとの間に接続されたコンデン
サCと、ダイオードDのカソードにゲートが接続されか
つドレインが接地されたPチャネルMOSトランジスタ
Qと、このMOSトランジスタQのソースと電源Vdd
との間に接続された電流源Iとからなる整流回路構成と
なっている。
【0014】かかるバイアス付与回路17において、水
平転送パルスφH1はダイオードDで整流され、その整
流出力によってコンデンサCが充電される。このコンデ
ンサCの充電電圧は、水平転送パルスφH1の高レベル
の電位にほぼ等しくなる。ここで、水平転送パルスφH
1の高レベルを5V、PチャネルMOSトランジスタQ
の閾値電圧をVthとすると、約(5V+Vth)の電
圧が当該MOSトランジスタQのソース電圧として導出
される。そして、このMOSトランジスタQのソース電
圧が直流バイアス電圧E1として水平転送レジスタ14
の出力ゲート15に与えられる。
平転送パルスφH1はダイオードDで整流され、その整
流出力によってコンデンサCが充電される。このコンデ
ンサCの充電電圧は、水平転送パルスφH1の高レベル
の電位にほぼ等しくなる。ここで、水平転送パルスφH
1の高レベルを5V、PチャネルMOSトランジスタQ
の閾値電圧をVthとすると、約(5V+Vth)の電
圧が当該MOSトランジスタQのソース電圧として導出
される。そして、このMOSトランジスタQのソース電
圧が直流バイアス電圧E1として水平転送レジスタ14
の出力ゲート15に与えられる。
【0015】電荷検出部16は、例えばフローティング
・ディフュージョン・アンプによって構成されている。
この電荷検出部16において、リセットドレイン18に
は所定の直流電圧E2が印加され、リセットゲート19
にはリセットゲートパルスφRGが印加される。そし
て、水平転送レジスタ14から供給される信号電荷は、
フローティング・ディフュージョン容量20で信号電圧
に変換されて信号出力OUTとして導出される。ここ
で、リセットゲートパルスφRGの周波数、即ち電荷検
出部16のリセット周波数は、水平転送パルスφH1,
φH2の周波数、即ち水平転送レジスタ14の駆動周波
数の1/2に設定されている。
・ディフュージョン・アンプによって構成されている。
この電荷検出部16において、リセットドレイン18に
は所定の直流電圧E2が印加され、リセットゲート19
にはリセットゲートパルスφRGが印加される。そし
て、水平転送レジスタ14から供給される信号電荷は、
フローティング・ディフュージョン容量20で信号電圧
に変換されて信号出力OUTとして導出される。ここ
で、リセットゲートパルスφRGの周波数、即ち電荷検
出部16のリセット周波数は、水平転送パルスφH1,
φH2の周波数、即ち水平転送レジスタ14の駆動周波
数の1/2に設定されている。
【0016】次に、上記構成の全画素読み出し方式のC
CD固体撮像装置における信号電荷の読み出し動作およ
び転送動作について説明する。
CD固体撮像装置における信号電荷の読み出し動作およ
び転送動作について説明する。
【0017】撮像部10において、高感度受光部11お
よび低感度受光部12で光電変換されて得られる信号電
荷は垂直転送レジスタ13に読み出され、この垂直転送
レジスタ13から水平転送レジスタ14へ各列ごとに画
素単位で順に移される。このとき、水平転送レジスタ1
4には、高感度受光部11の信号電荷と低感度受光部1
2の信号電荷とが交互に配置される。したがって、水平
転送レジスタ14を動作させることで、高感度受光部1
1および低感度受光部12の各信号電荷が点順次信号と
して出力側に転送される。
よび低感度受光部12で光電変換されて得られる信号電
荷は垂直転送レジスタ13に読み出され、この垂直転送
レジスタ13から水平転送レジスタ14へ各列ごとに画
素単位で順に移される。このとき、水平転送レジスタ1
4には、高感度受光部11の信号電荷と低感度受光部1
2の信号電荷とが交互に配置される。したがって、水平
転送レジスタ14を動作させることで、高感度受光部1
1および低感度受光部12の各信号電荷が点順次信号と
して出力側に転送される。
【0018】続いて、水平転送レジスタ14の出力ゲー
ト15における大光量時の高感度受光部11の信号電荷
に対するクリッピング処理および電荷検出部16におけ
る高感度受光部11および低感度受光部12の各信号電
荷の混合処理の各動作について、図2のタイミングチャ
ートを参照しつつ図3のポテンシャル図に基づいて説明
する。なお、図中、高感度受光部11の信号電荷を○、
低感度受光部12の信号電荷を×でそれぞれ模式的に示
すものとする。
ト15における大光量時の高感度受光部11の信号電荷
に対するクリッピング処理および電荷検出部16におけ
る高感度受光部11および低感度受光部12の各信号電
荷の混合処理の各動作について、図2のタイミングチャ
ートを参照しつつ図3のポテンシャル図に基づいて説明
する。なお、図中、高感度受光部11の信号電荷を○、
低感度受光部12の信号電荷を×でそれぞれ模式的に示
すものとする。
【0019】水平転送レジスタ14において、水平転送
パルスφH1,φH2による駆動により、高感度受光部
11の信号電荷○および低感度受光部12の信号電荷×
が点順次で順に転送され、高感度受光部11の信号電荷
○が最終転送段(LH)に転送されたとき、即ち水平転
送パルスφH1が高レベル、水平転送パルスφH2が低
レベルに遷移したとき(t=t1)、その信号電荷○の
電荷量が大光量時のものであることによって出力ゲート
(HOG)15の下のポテンシャルを越える場合には、
その越えた分の信号電荷が電荷検出部16のフローティ
ング・ディフュージョン容量(FD)20に流れ込む。
パルスφH1,φH2による駆動により、高感度受光部
11の信号電荷○および低感度受光部12の信号電荷×
が点順次で順に転送され、高感度受光部11の信号電荷
○が最終転送段(LH)に転送されたとき、即ち水平転
送パルスφH1が高レベル、水平転送パルスφH2が低
レベルに遷移したとき(t=t1)、その信号電荷○の
電荷量が大光量時のものであることによって出力ゲート
(HOG)15の下のポテンシャルを越える場合には、
その越えた分の信号電荷が電荷検出部16のフローティ
ング・ディフュージョン容量(FD)20に流れ込む。
【0020】これにより、出力ゲート15において、大
光量時の高感度受光部11の信号電荷○に対するクリッ
ピング処理が行われる。ここで、出力ゲート15でのク
リップレベル、即ち出力ゲート(HOG)15の下のポ
テンシャルは、出力ゲート15に与えられる直流バイア
ス電圧E1や出力ゲート15の下の不純物濃度などによ
って決まる。
光量時の高感度受光部11の信号電荷○に対するクリッ
ピング処理が行われる。ここで、出力ゲート15でのク
リップレベル、即ち出力ゲート(HOG)15の下のポ
テンシャルは、出力ゲート15に与えられる直流バイア
ス電圧E1や出力ゲート15の下の不純物濃度などによ
って決まる。
【0021】このクリッピング処理時には、リセットゲ
ート(RG)19に印加されるリセットゲートパルスφ
RGが高レベル(例えば、15V程度)にあり、リセッ
トゲート19の下のポテンシャルが深い状態にある。し
たがって、クリップレベルを越えてフローティング・デ
ィフュージョン容量20に流れ込んだ信号電荷は、リセ
ットゲート19を介してリセットドレイン(RD)18
に掃き捨てられる。
ート(RG)19に印加されるリセットゲートパルスφ
RGが高レベル(例えば、15V程度)にあり、リセッ
トゲート19の下のポテンシャルが深い状態にある。し
たがって、クリップレベルを越えてフローティング・デ
ィフュージョン容量20に流れ込んだ信号電荷は、リセ
ットゲート19を介してリセットドレイン(RD)18
に掃き捨てられる。
【0022】次に、リセットゲートパルスφRGが低レ
ベルに遷移する(t=t2)。これにより、リセットゲ
ート19の下のポテンシャルが浅くなる。続いて、水平
転送パルスφH1が低レベル、水平転送パルスφH2が
高レベルに遷移すると(t=t3)、水平転送レジスタ
14の最終転送段(LH)の下のポテンシャルが浅くな
る。すると、クリッピング処理後に最終転送段(LH)
の下に蓄積されていた高感度受光部11の信号電荷○が
出力ゲート15を介して電荷検出部16のフローティン
グ・ディフュージョン容量20に転送される。
ベルに遷移する(t=t2)。これにより、リセットゲ
ート19の下のポテンシャルが浅くなる。続いて、水平
転送パルスφH1が低レベル、水平転送パルスφH2が
高レベルに遷移すると(t=t3)、水平転送レジスタ
14の最終転送段(LH)の下のポテンシャルが浅くな
る。すると、クリッピング処理後に最終転送段(LH)
の下に蓄積されていた高感度受光部11の信号電荷○が
出力ゲート15を介して電荷検出部16のフローティン
グ・ディフュージョン容量20に転送される。
【0023】次に、水平転送パルスφH1が高レベル、
水平転送パルスφH2が低レベルに遷移すると(t=t
4)、水平転送レジスタ14の最終転送段(LH)には
低感度受光部12の信号電荷×が転送される。すると、
低感度受光部12の信号電荷はそのまま最終転送段(L
H)の下に蓄積される。
水平転送パルスφH2が低レベルに遷移すると(t=t
4)、水平転送レジスタ14の最終転送段(LH)には
低感度受光部12の信号電荷×が転送される。すると、
低感度受光部12の信号電荷はそのまま最終転送段(L
H)の下に蓄積される。
【0024】このとき、リセットゲートパルスφRGの
周波数は水平転送パルスφH1,φH2の周波数の1/
2に設定されていることから、電荷検出部16のフロー
ティング・ディフュージョン容量20のリセットが1回
間引かれる。したがって、先にフローティング・ディフ
ュージョン容量20に転送された高感度受光部11の信
号電荷○は、リセットされることなくそのままフローテ
ィング・ディフュージョン容量20に蓄積された状態に
ある。
周波数は水平転送パルスφH1,φH2の周波数の1/
2に設定されていることから、電荷検出部16のフロー
ティング・ディフュージョン容量20のリセットが1回
間引かれる。したがって、先にフローティング・ディフ
ュージョン容量20に転送された高感度受光部11の信
号電荷○は、リセットされることなくそのままフローテ
ィング・ディフュージョン容量20に蓄積された状態に
ある。
【0025】続いて、水平転送パルスφH1が低レベ
ル、水平転送パルスφH2が高レベルに遷移すると(t
=t5)、水平転送レジスタ14の最終転送段(LH)
の下のポテンシャルが浅くなるため、低感度受光部12
の信号電荷×が出力ゲート15を介して電荷検出部16
のフローティング・ディフュージョン容量20に転送さ
れ、それまでフローティング・ディフュージョン容量2
0に蓄積されていた高感度受光部11の信号電荷○と混
合される。この混合された信号電荷は信号電圧に変換さ
れ、信号出力OUTとして導出される。
ル、水平転送パルスφH2が高レベルに遷移すると(t
=t5)、水平転送レジスタ14の最終転送段(LH)
の下のポテンシャルが浅くなるため、低感度受光部12
の信号電荷×が出力ゲート15を介して電荷検出部16
のフローティング・ディフュージョン容量20に転送さ
れ、それまでフローティング・ディフュージョン容量2
0に蓄積されていた高感度受光部11の信号電荷○と混
合される。この混合された信号電荷は信号電圧に変換さ
れ、信号出力OUTとして導出される。
【0026】以降、上述した一連の処理が繰り返して実
行される。このように、高感度受光部11の信号電荷○
と低感度受光部12の信号電荷×とを点順次信号になる
ように水平転送レジスタ14に転送した後、大光量時の
高感度受光部11の信号電荷○に対して出力ゲート15
でクリッピングをかけ、しかる後高感度受光部11の信
号電荷○と低感度受光部12の信号電荷×とを電荷検出
部16のフローティング・ディフュージョン容量20で
混合するようにしたことにより、高感度受光部11の信
号電荷○に対して各画素に共通のクリップレベルでクリ
ッピングがかけられるので、受光部(画素)間の特性バ
ラツキに起因して画像に固定パターンのムラが発生する
のを抑制できる。
行される。このように、高感度受光部11の信号電荷○
と低感度受光部12の信号電荷×とを点順次信号になる
ように水平転送レジスタ14に転送した後、大光量時の
高感度受光部11の信号電荷○に対して出力ゲート15
でクリッピングをかけ、しかる後高感度受光部11の信
号電荷○と低感度受光部12の信号電荷×とを電荷検出
部16のフローティング・ディフュージョン容量20で
混合するようにしたことにより、高感度受光部11の信
号電荷○に対して各画素に共通のクリップレベルでクリ
ッピングがかけられるので、受光部(画素)間の特性バ
ラツキに起因して画像に固定パターンのムラが発生する
のを抑制できる。
【0027】特に、出力ゲート15でクリッピング処理
を行い、かつ電荷検出部16で混合処理を行う構成とし
たことにより、出力ゲート15に印加する直流バイアス
電圧E1を適当に設定し、かつリセットゲートパルスφ
RGの周波数を水平転送パルスφH1,φH2の1/2
に設定するだけの変更で良いため、従来の全画素読み出
し方式のCCD固体撮像装置の基本的な構成をそのまま
用いて広ダイナミックレンジ読み出しを実現できるとい
う特有の効果がある。
を行い、かつ電荷検出部16で混合処理を行う構成とし
たことにより、出力ゲート15に印加する直流バイアス
電圧E1を適当に設定し、かつリセットゲートパルスφ
RGの周波数を水平転送パルスφH1,φH2の1/2
に設定するだけの変更で良いため、従来の全画素読み出
し方式のCCD固体撮像装置の基本的な構成をそのまま
用いて広ダイナミックレンジ読み出しを実現できるとい
う特有の効果がある。
【0028】また、出力ゲート15に印加する直流バイ
アス電圧E1を、バイアス付与回路17において水平転
送パルスφH1,φH2に基づいて生成するようにした
ことにより、直流バイアス電圧E1の無調整化が実現で
きる。すなわち、CCD固体撮像装置の場合、出力ゲー
トに印加すべき電圧が各デバイスごとに異なることか
ら、外部から与える直流バイアス電圧E1のレベルもデ
バイスごとに調整する必要があるが、バイアス付与回路
17を内蔵したことで、直流バイアス電圧E1をデバイ
スごとに調整する必要がなくなり、したがってその調整
のための外付回路も不要となる。
アス電圧E1を、バイアス付与回路17において水平転
送パルスφH1,φH2に基づいて生成するようにした
ことにより、直流バイアス電圧E1の無調整化が実現で
きる。すなわち、CCD固体撮像装置の場合、出力ゲー
トに印加すべき電圧が各デバイスごとに異なることか
ら、外部から与える直流バイアス電圧E1のレベルもデ
バイスごとに調整する必要があるが、バイアス付与回路
17を内蔵したことで、直流バイアス電圧E1をデバイ
スごとに調整する必要がなくなり、したがってその調整
のための外付回路も不要となる。
【0029】ところで、直流バイアス電圧E1を固定と
した場合には、水平転送パルスφH1,φH2のレベル
が変動した場合に、水平転送レジスタ14と出力ゲート
15との間のポテンシャル差が変動し、信号電荷の転送
動作に悪影響を及ぼすことになる。ところが、本実施形
態では、直流バイアス電圧E1を水平転送パルスφH
1,φH2に基づいて生成するようにしたので、水平転
送パルスφH1,φH2のレベルが変動した場合に、そ
れに追従して直流バイアス電圧E1のレベルも変動する
ことになる。これにより、水平転送レジスタ14と出力
ゲート15との間のポテンシャル差を常に一定に保てる
ことになるため、信号電荷の転送動作を損なうことなく
クリッピングおよび混合の各処理を行うことができる。
した場合には、水平転送パルスφH1,φH2のレベル
が変動した場合に、水平転送レジスタ14と出力ゲート
15との間のポテンシャル差が変動し、信号電荷の転送
動作に悪影響を及ぼすことになる。ところが、本実施形
態では、直流バイアス電圧E1を水平転送パルスφH
1,φH2に基づいて生成するようにしたので、水平転
送パルスφH1,φH2のレベルが変動した場合に、そ
れに追従して直流バイアス電圧E1のレベルも変動する
ことになる。これにより、水平転送レジスタ14と出力
ゲート15との間のポテンシャル差を常に一定に保てる
ことになるため、信号電荷の転送動作を損なうことなく
クリッピングおよび混合の各処理を行うことができる。
【0030】なお、上記実施形態では、感度の異なる2
種類の受光部の配列を縦ストライプ状としたが、これに
限定されるものではなく、水平転送レジスタ14に転送
された段階で高感度受光部11の信号電荷○と低感度受
光部12の信号電荷×とが点順次信号となっていれば良
い。したがって、図4に示すように、高感度受光部11
と低感度受光部12とが市松模様に配列された構成のC
CD固体撮像装置や、図5に示すように、高感度受光部
11と低感度受光部12とが横ストライプ状に配列され
た構成のCCD固体撮像装置が、他の例として挙げられ
る。
種類の受光部の配列を縦ストライプ状としたが、これに
限定されるものではなく、水平転送レジスタ14に転送
された段階で高感度受光部11の信号電荷○と低感度受
光部12の信号電荷×とが点順次信号となっていれば良
い。したがって、図4に示すように、高感度受光部11
と低感度受光部12とが市松模様に配列された構成のC
CD固体撮像装置や、図5に示すように、高感度受光部
11と低感度受光部12とが横ストライプ状に配列され
た構成のCCD固体撮像装置が、他の例として挙げられ
る。
【0031】図4に示す市松配列の場合には、垂直転送
レジスタ13に読み出した高感度受光部11および低感
度受光部12の各信号電荷をそのまま順に1行(1ライ
ン)ずつ水平転送レジスタ14に転送することで、水平
転送レジスタ14には高感度受光部11の信号電荷と低
感度受光部12の信号電荷とが交互に配置され、点順次
信号となる。
レジスタ13に読み出した高感度受光部11および低感
度受光部12の各信号電荷をそのまま順に1行(1ライ
ン)ずつ水平転送レジスタ14に転送することで、水平
転送レジスタ14には高感度受光部11の信号電荷と低
感度受光部12の信号電荷とが交互に配置され、点順次
信号となる。
【0032】一方、図5の横ストライプ配列の場合に
は、垂直転送レジスタ13に読み出した高感度受光部1
1および低感度受光部12の各信号電荷を、先ず1行
(1ライン)分だけ水平転送レジスタ14に転送し、次
いでこの水平転送レジスタ14を1ビット分だけシフト
し、しかる後次の1行分の信号電荷を水平転送レジスタ
14に転送することによって点順次信号となる。この場
合、水平転送レジスタ14のピッチは垂直転送レジスタ
13のピッチの2倍となる。
は、垂直転送レジスタ13に読み出した高感度受光部1
1および低感度受光部12の各信号電荷を、先ず1行
(1ライン)分だけ水平転送レジスタ14に転送し、次
いでこの水平転送レジスタ14を1ビット分だけシフト
し、しかる後次の1行分の信号電荷を水平転送レジスタ
14に転送することによって点順次信号となる。この場
合、水平転送レジスタ14のピッチは垂直転送レジスタ
13のピッチの2倍となる。
【0033】また、上記実施形態においては、各受光部
の感度を異ならしめることによって画素単位で感度の異
なる信号電荷を得る構成の場合について説明したが、単
一の受光部において、信号電荷の蓄積時間を変えること
によっても感度の異なる信号電荷を得ることも可能であ
り、このようなCCD固体撮像装置に対しても本発明は
適用可能である。
の感度を異ならしめることによって画素単位で感度の異
なる信号電荷を得る構成の場合について説明したが、単
一の受光部において、信号電荷の蓄積時間を変えること
によっても感度の異なる信号電荷を得ることも可能であ
り、このようなCCD固体撮像装置に対しても本発明は
適用可能である。
【0034】さらに、上記実施形態では、感度の異なる
受光部として高感度受光部11と低感度受光部12との
2種類を設ける構成としたが、この2種類に限定される
ものではない。なお、感度を3種類以上に設定した場合
には、各受光部の信号電荷を水平転送レジスタ14に転
送した後、少なくとも最小感度の受光部以外の受光部の
信号電荷に対してクリッピングをかけ、しかる後各感度
の受光部の信号電荷を混合するようにすれば良い。
受光部として高感度受光部11と低感度受光部12との
2種類を設ける構成としたが、この2種類に限定される
ものではない。なお、感度を3種類以上に設定した場合
には、各受光部の信号電荷を水平転送レジスタ14に転
送した後、少なくとも最小感度の受光部以外の受光部の
信号電荷に対してクリッピングをかけ、しかる後各感度
の受光部の信号電荷を混合するようにすれば良い。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
感度の異なる2種類以上の信号電荷を得ることが可能な
広ダイナミックレンジ読み出し方式の固体撮像装置にお
いて、撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を点
順次信号になるように転送し、少なくとも最小感度の信
号電荷以外の信号電荷を出力ゲートでクリッピングした
後、このクリッピングされた信号電荷と他の感度の信号
電荷とを電荷検出部で混合するようにしたことにより、
高感度受光部が飽和するような大光量の場合、飽和する
各信号電荷に対して共通のクリップレベルにてクリッピ
ングが行われるので、各受光部の飽和電荷量Qsのムラ
に起因する固定パターンノイズを発生することなく、ダ
イナミックレンジを拡大できることになる。
感度の異なる2種類以上の信号電荷を得ることが可能な
広ダイナミックレンジ読み出し方式の固体撮像装置にお
いて、撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を点
順次信号になるように転送し、少なくとも最小感度の信
号電荷以外の信号電荷を出力ゲートでクリッピングした
後、このクリッピングされた信号電荷と他の感度の信号
電荷とを電荷検出部で混合するようにしたことにより、
高感度受光部が飽和するような大光量の場合、飽和する
各信号電荷に対して共通のクリップレベルにてクリッピ
ングが行われるので、各受光部の飽和電荷量Qsのムラ
に起因する固定パターンノイズを発生することなく、ダ
イナミックレンジを拡大できることになる。
【図1】本発明の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】信号電荷のクリッピング処理および混合処理の
動作を説明するためのタイミングチャートである。
動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図3】信号電荷のクリッピング処理および混合処理の
際の各部のポテンシャル分布を示すポテンシャル図であ
る。
際の各部のポテンシャル分布を示すポテンシャル図であ
る。
【図4】高感度受光部および低感度受光部の市松配列を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図5】高感度受光部および低感度受光部の横ストライ
プ配列を示す構成図である。
プ配列を示す構成図である。
【図6】従来例を示す概略構成図である。
【図7】折れ線近似の入出力特性図である。
【図8】オフセットが生じたときの入出力特性図であ
る。
る。
11 高感度受光部 12 低感度受光部 13
垂直転送レジスタ 14 水平転送レジスタ 15 出力ゲート 16
電荷検出部 17 バイアス付与回路 18 リセットドレイン 19 リセットゲート 20 フローティング・ディ
フュージョン容量
垂直転送レジスタ 14 水平転送レジスタ 15 出力ゲート 16
電荷検出部 17 バイアス付与回路 18 リセットドレイン 19 リセットゲート 20 フローティング・ディ
フュージョン容量
Claims (3)
- 【請求項1】 感度の異なるn種類(nは2以上の整
数)の信号電荷を得る撮像部と、 前記撮像部から移送された感度の異なる信号電荷を点順
次信号として転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部によって転送された信号電荷のうち、少
なくとも最小感度の信号電荷以外の信号電荷を所定のク
リップレベルでクリッピングするための直流バイアス電
圧を前記電荷転送部の出力ゲートに与えるバイアス付与
回路と、 前記出力ゲートでクリッピングされた信号電荷と他の感
度の信号電荷とを混合して電気信号に変換する電荷検出
部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記電荷検出部は、フローティング・デ
ィフュージョン・アンプからなり、そのリセット周波数
が前記電荷転送部の駆動周波数の1/nに設定されてい
るとともに、前記出力ゲートからフローティング・ディ
フュージョン容量に供給される前記所定レベルを越える
信号電荷をリセットドレインに掃き捨てることを特徴と
する請求項1記載の固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記バイアス付与回路は、前記直流バイ
アス電圧を前記電荷転送部の駆動パルスに基づいて生成
することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023931A JPH09219824A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 固体撮像装置 |
| US08/797,448 US6211915B1 (en) | 1996-02-09 | 1997-02-06 | Solid-state imaging device operable in wide dynamic range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023931A JPH09219824A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219824A true JPH09219824A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12124278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8023931A Pending JPH09219824A (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6211915B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09219824A (ja) |
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1996
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1997
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