JPH09223721A - 半導体装置及びその製造方法及び実装基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法及び実装基板及びその製造方法Info
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- JPH09223721A JPH09223721A JP8028088A JP2808896A JPH09223721A JP H09223721 A JPH09223721 A JP H09223721A JP 8028088 A JP8028088 A JP 8028088A JP 2808896 A JP2808896 A JP 2808896A JP H09223721 A JPH09223721 A JP H09223721A
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- H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は突起電極を有する半導体装置及びその
製造方法及び実装用基板及びその製造方法に関し、安定
したフリップチップ接合を可能とすることを課題とす
る。 【解決手段】複数のバンプ１３が配設された構成を有し
ており、実装基板１１に形成された電極部１８に前記バ
ンプ１３が接続されることにより実装基板１１に実装さ
れる半導体装置１０において、前記バンプ１３の先端部
に尖鋭部１５を形成し、この尖鋭部１５が電極部１８に
嵌入されることにより実装基板１１に実装される構成と
した。
製造方法及び実装用基板及びその製造方法に関し、安定
したフリップチップ接合を可能とすることを課題とす
る。 【解決手段】複数のバンプ１３が配設された構成を有し
ており、実装基板１１に形成された電極部１８に前記バ
ンプ１３が接続されることにより実装基板１１に実装さ
れる半導体装置１０において、前記バンプ１３の先端部
に尖鋭部１５を形成し、この尖鋭部１５が電極部１８に
嵌入されることにより実装基板１１に実装される構成と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法及び実装基板及びその製造方法に係り、特に突
起電極を用いて実装処理を行う半導体装置及びその製造
方法及び実装基板及びその製造方法に関する。
製造方法及び実装基板及びその製造方法に係り、特に突
起電極を用いて実装処理を行う半導体装置及びその製造
方法及び実装基板及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高密度化，高速化，小
型化が要求されており、この要求に対応すべくフリップ
チップ実装方法が多く用いられるようになってきてい
る。このフリップチップ実装方法においては、半導体チ
ップ或いは半導体装置の所定位置に複数の突起電極を形
成する必要がある。また、高密度化により突起電極の形
成数も増大する傾向にある。更に、複数配設される突起
電極の内、一つにでも接続不良が発生すると半導体チッ
プ及び半導体装置は機能しなくなる。
型化が要求されており、この要求に対応すべくフリップ
チップ実装方法が多く用いられるようになってきてい
る。このフリップチップ実装方法においては、半導体チ
ップ或いは半導体装置の所定位置に複数の突起電極を形
成する必要がある。また、高密度化により突起電極の形
成数も増大する傾向にある。更に、複数配設される突起
電極の内、一つにでも接続不良が発生すると半導体チッ
プ及び半導体装置は機能しなくなる。
【０００３】よって、信頼性の高い実装を行うために
は、各突起電極を確実に実装基板に接続する必要があ
る。
は、各突起電極を確実に実装基板に接続する必要があ
る。
【０００４】
【従来の技術】例えば、マルチチップモジュール（ＭＣ
Ｍ）においては、ベアチップ状の半導体チップの一面に
複数の突起電極（以下、バンプという）を形成し、この
ベアチップをマザーボードにフリップチップ接合により
実装することが行われている。また、ＢＧＡ(Ball Grid
Allay) 構造の半導体装置は、半導体チップを搭載した
基板の実装面に複数のバンプを形成し、この半導体装置
を実装基板にフリップチップ接合により実装することが
行われている。
Ｍ）においては、ベアチップ状の半導体チップの一面に
複数の突起電極（以下、バンプという）を形成し、この
ベアチップをマザーボードにフリップチップ接合により
実装することが行われている。また、ＢＧＡ(Ball Grid
Allay) 構造の半導体装置は、半導体チップを搭載した
基板の実装面に複数のバンプを形成し、この半導体装置
を実装基板にフリップチップ接合により実装することが
行われている。
【０００５】従来、上記突起電極を形成する方法として
は、メッキ法，蒸着法，及びワイヤーボンディング法等
が用いられており、また突起電極の材質としては半田或
いは金（Ａｕ）が一般に用いられている。メッキ法によ
り突起電極を形成する方法では、半導体チップ或いは基
板にバンプ形成位置を残してレジストを配設し、これを
電界メッキ槽に浸漬してバンプ形成位置にバンプを成長
させる。また、蒸着法では、半導体チップ或いは基板に
バンプ形成位置を残してレジストを配設し、これを蒸着
装置に装着してバンプ形成位置にバンプを成長させる。
図１３（Ａ）は、メッキ法或いは蒸着法を用いることに
より半導体チップ１上に形成されたバンプ２を示してい
る。
は、メッキ法，蒸着法，及びワイヤーボンディング法等
が用いられており、また突起電極の材質としては半田或
いは金（Ａｕ）が一般に用いられている。メッキ法によ
り突起電極を形成する方法では、半導体チップ或いは基
板にバンプ形成位置を残してレジストを配設し、これを
電界メッキ槽に浸漬してバンプ形成位置にバンプを成長
させる。また、蒸着法では、半導体チップ或いは基板に
バンプ形成位置を残してレジストを配設し、これを蒸着
装置に装着してバンプ形成位置にバンプを成長させる。
図１３（Ａ）は、メッキ法或いは蒸着法を用いることに
より半導体チップ１上に形成されたバンプ２を示してい
る。
【０００６】一方、ワイヤーボンディング法では、ワイ
ヤーボンディング装置を用い、バンプ形成位置に金ワイ
ヤを接合した後、キャピラリを微量上昇させた時点でワ
イヤカットを行い、これによりバンプ形成位置にスタッ
トバンプを形成する。図１３（Ｂ）は、ワイヤーボンデ
ィング法を用いることにより半導体チップ１上に形成さ
れたスタットバンプ３を示している。
ヤーボンディング装置を用い、バンプ形成位置に金ワイ
ヤを接合した後、キャピラリを微量上昇させた時点でワ
イヤカットを行い、これによりバンプ形成位置にスタッ
トバンプを形成する。図１３（Ｂ）は、ワイヤーボンデ
ィング法を用いることにより半導体チップ１上に形成さ
れたスタットバンプ３を示している。
【０００７】上記のようにバンプが形成された半導体チ
ップ或いは半導体装置（以下、半導体チップ及び半導体
装置を総称して半導体装置という）は、マザーボード或
いは実装基板（以下、マザーボード及び実装基板を総称
して実装基板という）にフリップチップ接合される。こ
のため、図１４（Ａ）に示されるように、実装基板４の
バンプ５が形成された位置と対応する位置には平面電極
６が形成されており、この平面電極６にバンプ５がフリ
ップチップ接合されることにより半導体装置７は実装基
板４に電気的に接合させる構成とされていた。尚、図１
４（Ｂ）は半導体装置７が実装基板４にフリップチップ
接合された状態を示している。
ップ或いは半導体装置（以下、半導体チップ及び半導体
装置を総称して半導体装置という）は、マザーボード或
いは実装基板（以下、マザーボード及び実装基板を総称
して実装基板という）にフリップチップ接合される。こ
のため、図１４（Ａ）に示されるように、実装基板４の
バンプ５が形成された位置と対応する位置には平面電極
６が形成されており、この平面電極６にバンプ５がフリ
ップチップ接合されることにより半導体装置７は実装基
板４に電気的に接合させる構成とされていた。尚、図１
４（Ｂ）は半導体装置７が実装基板４にフリップチップ
接合された状態を示している。
【０００８】また、接合時におけるフリップチップ方法
はバンプの材質に依存する。具体的には、半田の場合に
はバンプを加熱・加圧することにより平面電極に接合さ
せ、金スタットバンプの場合には半導体装置と実装基板
の間に導電性樹脂等を介在させた上で加圧することによ
り平面電極に接合させる構成とされていた。
はバンプの材質に依存する。具体的には、半田の場合に
はバンプを加熱・加圧することにより平面電極に接合さ
せ、金スタットバンプの場合には半導体装置と実装基板
の間に導電性樹脂等を介在させた上で加圧することによ
り平面電極に接合させる構成とされていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フリップチ
ップ接合の場合、バンプ５が実装基板４上に形成された
平面電極６と安定した接続を行うためには、バンプ５の
高さを一定化することが不可欠である。このため従来で
は、バンプ５に対してその高さを一定化するためのレベ
リング処理を行っている。
ップ接合の場合、バンプ５が実装基板４上に形成された
平面電極６と安定した接続を行うためには、バンプ５の
高さを一定化することが不可欠である。このため従来で
は、バンプ５に対してその高さを一定化するためのレベ
リング処理を行っている。
【００１０】このレベリング処理は、図１５（Ａ）に示
されるように、バンプ５の形成後に押圧部が平坦面とさ
れたレベリング用治具８にてバンプ５の上部を押圧し、
バンプ５の上部に平坦部５ａを成形する処理である。し
かるに従来のレベリング処理は、単にバンプ５の上部に
平坦部５ａを成形するのみの処理であったため、バンプ
５自体のボリューム（大きさ）にバラツキがある場合に
は、レベリング処理により形成された平坦部５ａの面積
に差が生じてしまう。即ち、バンプ５のボリュームが大
きい場合には平坦部５ａの面積は大きくなり、逆にバン
プ５のボリュームが小さい場合には平坦部５ａの面積は
小さくなる。
されるように、バンプ５の形成後に押圧部が平坦面とさ
れたレベリング用治具８にてバンプ５の上部を押圧し、
バンプ５の上部に平坦部５ａを成形する処理である。し
かるに従来のレベリング処理は、単にバンプ５の上部に
平坦部５ａを成形するのみの処理であったため、バンプ
５自体のボリューム（大きさ）にバラツキがある場合に
は、レベリング処理により形成された平坦部５ａの面積
に差が生じてしまう。即ち、バンプ５のボリュームが大
きい場合には平坦部５ａの面積は大きくなり、逆にバン
プ５のボリュームが小さい場合には平坦部５ａの面積は
小さくなる。
【００１１】よって、上記のように平坦部５ａの面積に
バラツキがあるバンプ５が形成された半導体装置７を実
装基板４にフリップチップ接合すると、バンプ５と平面
電極６との接続面積にバラツキが生じ、接続抵抗（接続
インピーダンス）に差が生じてしまうという問題点が生
じる。このように接続抵抗に差が生じると、高速化され
た半導体装置７の場合には、接続抵抗差に起因して半導
体装置７の処理速度にバラツキが生じ、安定した処理が
行えないおそれがある。
バラツキがあるバンプ５が形成された半導体装置７を実
装基板４にフリップチップ接合すると、バンプ５と平面
電極６との接続面積にバラツキが生じ、接続抵抗（接続
インピーダンス）に差が生じてしまうという問題点が生
じる。このように接続抵抗に差が生じると、高速化され
た半導体装置７の場合には、接続抵抗差に起因して半導
体装置７の処理速度にバラツキが生じ、安定した処理が
行えないおそれがある。
【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、安定したフリップチップ接合を可能とした半導体
装置及びその製造方法及び実装基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。
あり、安定したフリップチップ接合を可能とした半導体
装置及びその製造方法及び実装基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体チップまたは半導体チップが搭
載される基板に複数の突起電極が配設された構成を有し
ており、実装基板に形成された電極部に前記突起電極が
接続されることにより前記実装基板に実装される半導体
装置において、前記突起電極の先端部に尖鋭部を形成
し、該尖鋭部が前記電極部に嵌入されることにより前記
実装基板に実装されることを特徴とするものである。
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体チップまたは半導体チップが搭
載される基板に複数の突起電極が配設された構成を有し
ており、実装基板に形成された電極部に前記突起電極が
接続されることにより前記実装基板に実装される半導体
装置において、前記突起電極の先端部に尖鋭部を形成
し、該尖鋭部が前記電極部に嵌入されることにより前記
実装基板に実装されることを特徴とするものである。
【００１４】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置において、前記突起電極は、前記
電極部よりも硬質な材質で形成されていることを特徴と
するものである。
項１記載の半導体装置において、前記突起電極は、前記
電極部よりも硬質な材質で形成されていることを特徴と
するものである。
【００１５】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法であって、半
導体チップまたは半導体チップが搭載される基板に複数
の突起電極を形成する突起電極形成工程と、形成された
突起電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧し、前記突起電
極を変形させることにより尖鋭部を形成する尖鋭部形成
工程とを具備することを特徴とするものである。
項１または２記載の半導体装置の製造方法であって、半
導体チップまたは半導体チップが搭載される基板に複数
の突起電極を形成する突起電極形成工程と、形成された
突起電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧し、前記突起電
極を変形させることにより尖鋭部を形成する尖鋭部形成
工程とを具備することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載の半導体装置の製造方法において、尖鋭部形成
工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、前記突起電
極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応した凹部が
形成されたものを用いたことを特徴とするものである。
項３記載の半導体装置の製造方法において、尖鋭部形成
工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、前記突起電
極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応した凹部が
形成されたものを用いたことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置が実装される実装基板に
おいて、前記尖鋭部の形成位置と対応する位置に、前記
尖鋭部が嵌入するホール電極を形成したことを特徴とす
るものである。
項１または２記載の半導体装置が実装される実装基板に
おいて、前記尖鋭部の形成位置と対応する位置に、前記
尖鋭部が嵌入するホール電極を形成したことを特徴とす
るものである。
【００１８】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載の実装基板において、前記ホール電極は、基板
本体に形成された孔部と、該孔部に形成された環状電極
部とにより構成されることを特徴とするものである。
項５記載の実装基板において、前記ホール電極は、基板
本体に形成された孔部と、該孔部に形成された環状電極
部とにより構成されることを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項７記載の発明では、半導体チ
ップまたは半導体チップが搭載される基板に複数の電極
部が配設された構成の半導体装置が装着される実装基板
において、前記半導体装置に配設された電極部に対応す
る位置に複数の突起電極部を形成すると共に、前記突起
電極の先端部に尖鋭部を形成し、該尖鋭部が前記電極部
に嵌入されることにより前記半導体装置を実装すること
を特徴とするものである。
ップまたは半導体チップが搭載される基板に複数の電極
部が配設された構成の半導体装置が装着される実装基板
において、前記半導体装置に配設された電極部に対応す
る位置に複数の突起電極部を形成すると共に、前記突起
電極の先端部に尖鋭部を形成し、該尖鋭部が前記電極部
に嵌入されることにより前記半導体装置を実装すること
を特徴とするものである。
【００２０】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項７記載の実装基板において、前記突起電極は、前記電
極部よりも硬質な材質で形成されていることを特徴とす
るものである。
項７記載の実装基板において、前記突起電極は、前記電
極部よりも硬質な材質で形成されていることを特徴とす
るものである。
【００２１】また、請求項９記載の発明では、前記請求
項７または８記載の実装基板の製造方法であって、実装
基板を構成する基板本体の半導体装置における電極部形
成位置と対応する位置に突起電極を形成する突起電極形
成工程と、形成された突起電極に対し尖鋭部形成用治具
を押圧し、前記突起電極を変形させることにより尖鋭部
を形成する尖鋭部形成工程とを具備することを特徴とす
るものである。
項７または８記載の実装基板の製造方法であって、実装
基板を構成する基板本体の半導体装置における電極部形
成位置と対応する位置に突起電極を形成する突起電極形
成工程と、形成された突起電極に対し尖鋭部形成用治具
を押圧し、前記突起電極を変形させることにより尖鋭部
を形成する尖鋭部形成工程とを具備することを特徴とす
るものである。
【００２２】更に、請求項１０記載の発明では、前記請
求項９記載の実装基板置の製造方法において、尖鋭部形
成工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、前記突起
電極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応した凹部
が形成された構成のものを用いたことを特徴とするもの
である。
求項９記載の実装基板置の製造方法において、尖鋭部形
成工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、前記突起
電極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応した凹部
が形成された構成のものを用いたことを特徴とするもの
である。
【００２３】上記した各手段は、下記のように作用す
る。請求項１記載の発明によれば、基板に複数配設され
た突起電極の先端部に尖鋭部を形成し、この尖鋭部が実
装基板に形成された電極部に嵌入されることにより半導
体装置が実装基板に実装される構成としたことにより、
実装状態において尖鋭部は実装基板に形成されている電
極部に突き刺さった状態となる。
る。請求項１記載の発明によれば、基板に複数配設され
た突起電極の先端部に尖鋭部を形成し、この尖鋭部が実
装基板に形成された電極部に嵌入されることにより半導
体装置が実装基板に実装される構成としたことにより、
実装状態において尖鋭部は実装基板に形成されている電
極部に突き刺さった状態となる。
【００２４】このように、突起電極の先端部に形成され
た尖鋭部が実装基板に形成されている電極部に嵌入する
ことにより、突起電極と電極部との電気的な接続面積を
増大することができ、突起電極の大きさにバラツキが生
じていたとしても突起電極と電極部との電気的接続を確
実に行うことができる。
た尖鋭部が実装基板に形成されている電極部に嵌入する
ことにより、突起電極と電極部との電気的な接続面積を
増大することができ、突起電極の大きさにバラツキが生
じていたとしても突起電極と電極部との電気的接続を確
実に行うことができる。
【００２５】更に、突起電極と電極部との電気的接続を
行うに際し、半導体装置と実装基板との間に他の導電性
部材を介在させる必要がなくなるため、部品点数の削減
及び製造工程の簡単化を図ることができる。また、請求
項２及び８記載の発明によれば、突起電極は電極部より
も硬質な材質で形成されているため、突起電極に形成さ
れた尖鋭部を確実に電極部に嵌入することができる。
行うに際し、半導体装置と実装基板との間に他の導電性
部材を介在させる必要がなくなるため、部品点数の削減
及び製造工程の簡単化を図ることができる。また、請求
項２及び８記載の発明によれば、突起電極は電極部より
も硬質な材質で形成されているため、突起電極に形成さ
れた尖鋭部を確実に電極部に嵌入することができる。
【００２６】また、請求項３記載の発明によれば、前記
請求項１または２記載の半導体装置を製造するに際し、
突起電極形成工程において半導体チップまたは半導体チ
ップが搭載される基板に複数の突起電極を形成し、続い
て実施される尖鋭部形成工程において、形成された突起
電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧して突起電極を変形
させ尖鋭部を形成することにより、簡単に尖鋭部を形成
することができる。
請求項１または２記載の半導体装置を製造するに際し、
突起電極形成工程において半導体チップまたは半導体チ
ップが搭載される基板に複数の突起電極を形成し、続い
て実施される尖鋭部形成工程において、形成された突起
電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧して突起電極を変形
させ尖鋭部を形成することにより、簡単に尖鋭部を形成
することができる。
【００２７】即ち、尖鋭部形成工程は従来実施されてい
るレベリング処理に代えて行われるものであり、尖鋭部
形成工程を設けてもこれにより製造工程が複雑化するよ
うなことはない。また、尖鋭部形成工程は単に突起電極
に対し尖鋭部形成用治具を押圧することにより尖鋭部を
形成する工程であるため、容易に尖鋭部を形成すること
ができる。
るレベリング処理に代えて行われるものであり、尖鋭部
形成工程を設けてもこれにより製造工程が複雑化するよ
うなことはない。また、尖鋭部形成工程は単に突起電極
に対し尖鋭部形成用治具を押圧することにより尖鋭部を
形成する工程であるため、容易に尖鋭部を形成すること
ができる。
【００２８】また、請求項４及び１０記載の発明によれ
ば、尖鋭部形成工程において、突起電極を押圧する部位
に尖鋭部の形状に対応した凹部が形成された尖鋭部形成
用治具を用いたことにより、簡単な構成の治具で容易か
つ確実に尖鋭部を形成することができる。
ば、尖鋭部形成工程において、突起電極を押圧する部位
に尖鋭部の形状に対応した凹部が形成された尖鋭部形成
用治具を用いたことにより、簡単な構成の治具で容易か
つ確実に尖鋭部を形成することができる。
【００２９】また、請求項５及び６記載の発明によれ
ば、尖鋭部の形成位置と対応する位置に尖鋭部が嵌入す
るホール電極を形成したことにより、前記請求項１また
は２記載の半導体装置を実装基板に装着した際、突起電
極の尖鋭部はホール電極内に嵌入される。よって、突起
電極とホール電極との接続状態を一定化でき、これに伴
い接続面積も一定化するため、安定した電気特性を得る
ことができる。
ば、尖鋭部の形成位置と対応する位置に尖鋭部が嵌入す
るホール電極を形成したことにより、前記請求項１また
は２記載の半導体装置を実装基板に装着した際、突起電
極の尖鋭部はホール電極内に嵌入される。よって、突起
電極とホール電極との接続状態を一定化でき、これに伴
い接続面積も一定化するため、安定した電気特性を得る
ことができる。
【００３０】また、請求項７記載の発明によれば、実装
基板に複数配設された突起電極の先端部に尖鋭部を形成
し、この尖鋭部が電極部に嵌入することにより半導体装
置を実装基板に実装する構成としたことにより、実装状
態において尖鋭部は実装基板に形成されている電極部に
突き刺さった状態となる。
基板に複数配設された突起電極の先端部に尖鋭部を形成
し、この尖鋭部が電極部に嵌入することにより半導体装
置を実装基板に実装する構成としたことにより、実装状
態において尖鋭部は実装基板に形成されている電極部に
突き刺さった状態となる。
【００３１】このように、尖鋭部が電極部に嵌入するこ
とにより、突起電極と電極部との電気的な接続面積を増
大することができ、突起電極の大きさにバラツキが生じ
ていたとしても突起電極と電極部との電気的接続を確実
に行うことができる。更に、突起電極と電極部との電気
的接続を行うに際し、半導体装置と実装基板との間に他
の導電性部材を介在させる必要がなくなるため、部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
とにより、突起電極と電極部との電気的な接続面積を増
大することができ、突起電極の大きさにバラツキが生じ
ていたとしても突起電極と電極部との電気的接続を確実
に行うことができる。更に、突起電極と電極部との電気
的接続を行うに際し、半導体装置と実装基板との間に他
の導電性部材を介在させる必要がなくなるため、部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
【００３２】更に、請求項９記載の発明によれば、前記
請求項７または８記載の実装基板を製造するに際し、突
起電極形成工程において実装基板を構成する基板本体に
複数の突起電極を形成し、続いて実施される尖鋭部形成
工程において、形成された突起電極に対し尖鋭部形成用
治具を押圧して突起電極を変形させ尖鋭部を形成するこ
とにより、簡単に尖鋭部を形成することができる。
請求項７または８記載の実装基板を製造するに際し、突
起電極形成工程において実装基板を構成する基板本体に
複数の突起電極を形成し、続いて実施される尖鋭部形成
工程において、形成された突起電極に対し尖鋭部形成用
治具を押圧して突起電極を変形させ尖鋭部を形成するこ
とにより、簡単に尖鋭部を形成することができる。
【００３３】即ち、尖鋭部形成工程は従来実施されてい
るレベリング処理に代えて行われるものであり、尖鋭部
形成工程を設けてもこれにより製造工程が複雑化するよ
うなことはない。また、尖鋭部形成工程は単に突起電極
に対し尖鋭部形成用治具を押圧するこにより尖鋭部を形
成する工程であるため、容易に尖鋭部を形成することが
できる。
るレベリング処理に代えて行われるものであり、尖鋭部
形成工程を設けてもこれにより製造工程が複雑化するよ
うなことはない。また、尖鋭部形成工程は単に突起電極
に対し尖鋭部形成用治具を押圧するこにより尖鋭部を形
成する工程であるため、容易に尖鋭部を形成することが
できる。
【００３４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１及び図２は本発明の一実施例
である半導体装置１０を示しており、図１は半導体装置
１０を実装基板１１に実装した状態を、また図２は半導
体装置１０を実装基板１１に実装する前の状態を示して
いる。
図面と共に説明する。図１及び図２は本発明の一実施例
である半導体装置１０を示しており、図１は半導体装置
１０を実装基板１１に実装した状態を、また図２は半導
体装置１０を実装基板１１に実装する前の状態を示して
いる。
【００３５】尚、本発明はバンプが形成された半導体チ
ップ及び半導体装置（例えばＢＧＡ構造の半導体装置）
の双方に適用することができるが、以下の説明において
は、この半導体チップ及び半導体装置を総称して半導体
装置１０というものとする。図１及び図２に示す例で
は、半導体装置１０として半導体チップを用いた例を示
しており、チップ本体１２の実装基板１１と対向する面
には複数の突起電極１３（以下、バンプという）が形成
されている。このバンプ１３は、例えば材料として高融
点半田が用いられており、基部１４の先端部に尖鋭部１
５が形成されたことを特徴としている。
ップ及び半導体装置（例えばＢＧＡ構造の半導体装置）
の双方に適用することができるが、以下の説明において
は、この半導体チップ及び半導体装置を総称して半導体
装置１０というものとする。図１及び図２に示す例で
は、半導体装置１０として半導体チップを用いた例を示
しており、チップ本体１２の実装基板１１と対向する面
には複数の突起電極１３（以下、バンプという）が形成
されている。このバンプ１３は、例えば材料として高融
点半田が用いられており、基部１４の先端部に尖鋭部１
５が形成されたことを特徴としている。
【００３６】基部１４はその一端部が半導体装置１０に
形成されているパッド３７（図3 に示す）に接合されて
おり、これによりバンプ１３は半導体装置１０と電気的
に接続されている。また、尖鋭部１５は基部１４と一体
的に形成されており、例えば円錐形状等の尖った形状を
有している。この尖鋭部１５は基部１４の先端部に形成
された平坦部１６の中央に形成されており、実装基板１
１に向け突出した構成とされている。
形成されているパッド３７（図3 に示す）に接合されて
おり、これによりバンプ１３は半導体装置１０と電気的
に接続されている。また、尖鋭部１５は基部１４と一体
的に形成されており、例えば円錐形状等の尖った形状を
有している。この尖鋭部１５は基部１４の先端部に形成
された平坦部１６の中央に形成されており、実装基板１
１に向け突出した構成とされている。
【００３７】一方、上記構成とされた半導体装置１０が
実装される実装基板１１は、図１及び図２に加え図４に
示されるように、基板本体１７の半導体装置１０と対向
する面に複数の電極部１８が形成されている。この電極
部１８は突起電極状（バンプ状）の形状を有しており、
また半導体装置１０に配設されているバンプ１３の材料
に対し柔らかい材料（例えば金（Ａｕ））で形成されて
いる。更に、電極部１８の配設位置は、バンプ１３の形
成位置と対応するよう構成されている。
実装される実装基板１１は、図１及び図２に加え図４に
示されるように、基板本体１７の半導体装置１０と対向
する面に複数の電極部１８が形成されている。この電極
部１８は突起電極状（バンプ状）の形状を有しており、
また半導体装置１０に配設されているバンプ１３の材料
に対し柔らかい材料（例えば金（Ａｕ））で形成されて
いる。更に、電極部１８の配設位置は、バンプ１３の形
成位置と対応するよう構成されている。
【００３８】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
を実装基板１１に実装する方法について説明する。半導
体装置１０を実装基板１１に実装するには、図２に示さ
れるように、バンプ１３とバンプ状の電極部１８とが対
向するよう半導体装置１０と実装基板１１とを位置決め
し、続いて半導体装置１０を実装基板１１に向け押圧す
る。前記のように、バンプ１３と電極部１８とは位置決
めされているため、半導体装置１０を実装基板１１に向
け押圧することにより、バンプ１３は電極部１８に向け
押圧される。
を実装基板１１に実装する方法について説明する。半導
体装置１０を実装基板１１に実装するには、図２に示さ
れるように、バンプ１３とバンプ状の電極部１８とが対
向するよう半導体装置１０と実装基板１１とを位置決め
し、続いて半導体装置１０を実装基板１１に向け押圧す
る。前記のように、バンプ１３と電極部１８とは位置決
めされているため、半導体装置１０を実装基板１１に向
け押圧することにより、バンプ１３は電極部１８に向け
押圧される。
【００３９】この際、上記のようにバンプ１３はその先
端部に尖った尖鋭部１５が形成されており、かつバンプ
１３は電極部１８に対して硬い材質により形成されてお
り、更に電極部１８はバンプ状とされているため、上記
押圧処理により尖鋭部１５は電極部１８に嵌入する。
端部に尖った尖鋭部１５が形成されており、かつバンプ
１３は電極部１８に対して硬い材質により形成されてお
り、更に電極部１８はバンプ状とされているため、上記
押圧処理により尖鋭部１５は電極部１８に嵌入する。
【００４０】図３は、バンプ１３に形成された尖鋭部１
５が電極部１８に嵌入した状態を拡大して示している。
同図に示されるように、バンプ１３が電極部１８に嵌入
した状態で、尖鋭部１５は電極部１８に突き刺さった状
態となっている。このように、半導体装置１０を実装基
板１１に実装した状態において、バンプ１３の先端部に
形成された尖鋭部１５が実装基板１１に形成されている
電極部１８に嵌入するため、バンプ１３と電極部１８と
の電気的な接続面積を増大することができる。即ち、尖
鋭部１５は上記したように円錐形状等の表面積の広い形
状とされているため、バンプ１３と電極部１８との接触
面積は増大する。
５が電極部１８に嵌入した状態を拡大して示している。
同図に示されるように、バンプ１３が電極部１８に嵌入
した状態で、尖鋭部１５は電極部１８に突き刺さった状
態となっている。このように、半導体装置１０を実装基
板１１に実装した状態において、バンプ１３の先端部に
形成された尖鋭部１５が実装基板１１に形成されている
電極部１８に嵌入するため、バンプ１３と電極部１８と
の電気的な接続面積を増大することができる。即ち、尖
鋭部１５は上記したように円錐形状等の表面積の広い形
状とされているため、バンプ１３と電極部１８との接触
面積は増大する。
【００４１】よって、バンプ１３の大きさにバラツキが
生じていたとしても、バンプ１３と電極部１８との接触
面積は十分に広くなり、バンプ１３と電極部１８の電気
的接続を確実に行うことができる。これにより、バンプ
１３と電極部１８との電気的接続位置において接続抵抗
（接続インピーダンス）にバラツキが発生することを防
止でき、従って高速化された半導体装置１０であっても
安定した処理を確保することができる。
生じていたとしても、バンプ１３と電極部１８との接触
面積は十分に広くなり、バンプ１３と電極部１８の電気
的接続を確実に行うことができる。これにより、バンプ
１３と電極部１８との電気的接続位置において接続抵抗
（接続インピーダンス）にバラツキが発生することを防
止でき、従って高速化された半導体装置１０であっても
安定した処理を確保することができる。
【００４２】また、バンプ１３と電極部１８との電気的
接続を行うに際し、従来のスタットバンプ３を用いた実
装構造で必要とされた導電性部材が不要となるため、従
来のスタットバンプ３を用いた実装構造に比べて部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
接続を行うに際し、従来のスタットバンプ３を用いた実
装構造で必要とされた導電性部材が不要となるため、従
来のスタットバンプ３を用いた実装構造に比べて部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
【００４３】更に、本実施例においては、バンプ１３を
電極部１８に機械的に嵌入させることにより接続を行う
構成とされているため、従来バンプを電極部に接続する
際に必要とされた加熱処理を不要とすることができる。
よって、実装処理の簡単化を図ることができると共に、
半導体装置１０に熱ダメージが発生することを防止する
ことができる。尚、バンプ１３と電極部１８との電気的
接続をより確実にするために、従来と同様に実装時に加
熱雰囲気下でバンプ１３と電極部１８とを接合する構成
としてもよい。
電極部１８に機械的に嵌入させることにより接続を行う
構成とされているため、従来バンプを電極部に接続する
際に必要とされた加熱処理を不要とすることができる。
よって、実装処理の簡単化を図ることができると共に、
半導体装置１０に熱ダメージが発生することを防止する
ことができる。尚、バンプ１３と電極部１８との電気的
接続をより確実にするために、従来と同様に実装時に加
熱雰囲気下でバンプ１３と電極部１８とを接合する構成
としてもよい。
【００４４】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
の製造方法について説明する。尚、本発明に係る半導体
装置１０の製造方法は、バンプ１３の形成方法に特徴を
有するため、以下の説明においてはバンプ１３の形成方
法についてのみ説明するものとする。
の製造方法について説明する。尚、本発明に係る半導体
装置１０の製造方法は、バンプ１３の形成方法に特徴を
有するため、以下の説明においてはバンプ１３の形成方
法についてのみ説明するものとする。
【００４５】バンプ１３は、突起電極形成工程と尖鋭部
形成工程とを実施することにより形成される。突起電極
形成工程は、半導体装置１０の所定位置に尖鋭部１５が
形成されていない状態のバンプ１３ａ（即ち、従来構成
のバンプ）を形成する工程であり、尖鋭部形成工程は突
起電極形成工程で形成されたバンプ１３ａに対して尖鋭
部１５を形成する工程である。以下、各構成について説
明する。
形成工程とを実施することにより形成される。突起電極
形成工程は、半導体装置１０の所定位置に尖鋭部１５が
形成されていない状態のバンプ１３ａ（即ち、従来構成
のバンプ）を形成する工程であり、尖鋭部形成工程は突
起電極形成工程で形成されたバンプ１３ａに対して尖鋭
部１５を形成する工程である。以下、各構成について説
明する。
【００４６】バンプ１３を形成するには、突起電極形成
工程においてメッキ法，蒸着法，或いはワイヤーボンデ
ィング法等を用いて半導体装置１０の所定位置にバンプ
１３ａを形成する。このバンプ１３ａの形成方法は、特
に限定されるものではなく、上記した各方法の何れを用
いて形成してもよい。また、上記のバンプ１３ａの形成
方法は、何れもバンプ形成方法として一般に知られてい
るものであり、よって従来から用いられているバンプ形
成設備をそのまま用いてバンプ１３ａを形成することが
できる。
工程においてメッキ法，蒸着法，或いはワイヤーボンデ
ィング法等を用いて半導体装置１０の所定位置にバンプ
１３ａを形成する。このバンプ１３ａの形成方法は、特
に限定されるものではなく、上記した各方法の何れを用
いて形成してもよい。また、上記のバンプ１３ａの形成
方法は、何れもバンプ形成方法として一般に知られてい
るものであり、よって従来から用いられているバンプ形
成設備をそのまま用いてバンプ１３ａを形成することが
できる。
【００４７】図５は、突起電極形成工程を実施すること
により、バンプ１３ａが形成された半導体装置１０を示
している。この突起電極形成工程が終了した状態では、
バンプ１３ａにはまだ尖鋭部１５は形成されておらず、
よってバンプ１３ａは球状或いは柱状形状となっている
（図５では球状形状を示す）。
により、バンプ１３ａが形成された半導体装置１０を示
している。この突起電極形成工程が終了した状態では、
バンプ１３ａにはまだ尖鋭部１５は形成されておらず、
よってバンプ１３ａは球状或いは柱状形状となっている
（図５では球状形状を示す）。
【００４８】突起電極形成工程が終了すると、続いて尖
鋭部形成工程が実施される。尖鋭部形成工程では、図６
及び図７に示されるように、尖鋭部形成用治具１９（以
下、単に治具という）を用いてバンプ１３ａの先端部に
尖鋭部１５を形成する。治具１９は、図６及び図８
（Ａ）に示すように、バンプ１３ａと当接する先端部に
例えば円錐形状の凹部２０と環状の平面部２１とを有し
ており、図示しない昇降機構により上下動する構成とさ
れている。バンプ１３ａに尖鋭部１５を形成する際、治
具１９は昇降機構により図６に示されるようにバンプ１
３ａに向け下降してバンプ１３ａの先端部を加圧する。
鋭部形成工程が実施される。尖鋭部形成工程では、図６
及び図７に示されるように、尖鋭部形成用治具１９（以
下、単に治具という）を用いてバンプ１３ａの先端部に
尖鋭部１５を形成する。治具１９は、図６及び図８
（Ａ）に示すように、バンプ１３ａと当接する先端部に
例えば円錐形状の凹部２０と環状の平面部２１とを有し
ており、図示しない昇降機構により上下動する構成とさ
れている。バンプ１３ａに尖鋭部１５を形成する際、治
具１９は昇降機構により図６に示されるようにバンプ１
３ａに向け下降してバンプ１３ａの先端部を加圧する。
【００４９】この際、治具１９は成形型として機能し、
よってバンプ１３ａの先端部には凹部２０の形状に対応
した尖鋭部１５が形成される。また、同時にバンプ１３
ａの先端部には平面部２１に対応した平坦部１６も形成
される。これにより、図７に示される基部１４，尖鋭部
１５，及び平坦部１６を有したバンプ１３が形成され
る。
よってバンプ１３ａの先端部には凹部２０の形状に対応
した尖鋭部１５が形成される。また、同時にバンプ１３
ａの先端部には平面部２１に対応した平坦部１６も形成
される。これにより、図７に示される基部１４，尖鋭部
１５，及び平坦部１６を有したバンプ１３が形成され
る。
【００５０】上記した尖鋭部形成工程は、従来実施され
ていたレベリング処理（図１５参照）に代えて行われる
ものであり、尖鋭部形成工程を設けてもこれにより製造
工程が複雑化するようなことはない。また、治具１９を
上下動させる昇降機構も従来のレベリング処理において
レベリング用治具８を駆動する機構として用いられてい
るものであり、よってレベリング用治具８を治具１９に
交換するだけで尖鋭部１５を形成することが可能とな
る。更に、尖鋭部形成工程は単に突起電極１３ａに対し
治具１９を押圧するだけの処理であるため、容易に尖鋭
部１５を形成することができる。
ていたレベリング処理（図１５参照）に代えて行われる
ものであり、尖鋭部形成工程を設けてもこれにより製造
工程が複雑化するようなことはない。また、治具１９を
上下動させる昇降機構も従来のレベリング処理において
レベリング用治具８を駆動する機構として用いられてい
るものであり、よってレベリング用治具８を治具１９に
交換するだけで尖鋭部１５を形成することが可能とな
る。更に、尖鋭部形成工程は単に突起電極１３ａに対し
治具１９を押圧するだけの処理であるため、容易に尖鋭
部１５を形成することができる。
【００５１】尚、上記した尖鋭部形成工程で使用した治
具１９は、半導体装置１０に形成された複数のバンプ１
３ａに対し、１個づつ尖鋭部１５を形成する構成のもの
であったが、図８（Ｂ）に示されるように、複数のバン
プ１３ａの形成位置に対応するよう複数の凹部２０を平
面部２１内に設けた構成の治具２２を用意し、この治具
２２を用いて尖鋭部形成工程を実施することにより、複
数のバンプ１３ａに対し効率良く尖鋭部１５を形成する
ことが可能となる。
具１９は、半導体装置１０に形成された複数のバンプ１
３ａに対し、１個づつ尖鋭部１５を形成する構成のもの
であったが、図８（Ｂ）に示されるように、複数のバン
プ１３ａの形成位置に対応するよう複数の凹部２０を平
面部２１内に設けた構成の治具２２を用意し、この治具
２２を用いて尖鋭部形成工程を実施することにより、複
数のバンプ１３ａに対し効率良く尖鋭部１５を形成する
ことが可能となる。
【００５２】また、上記した尖鋭部形成工程では、従来
実施されていたレベリング処理の効果をそのまま維持す
ることができ、尖鋭部１５の形成時に同時に形成される
平坦部１６の高さは均一となるよう構成されている。続
いて、本発明に係る実装基板の第１実施例について説明
する。
実施されていたレベリング処理の効果をそのまま維持す
ることができ、尖鋭部１５の形成時に同時に形成される
平坦部１６の高さは均一となるよう構成されている。続
いて、本発明に係る実装基板の第１実施例について説明
する。
【００５３】図９は第１実施例に係る実装基板２５にＢ
ＧＡ構造の半導体装置３０が実装された状態を示してい
る。先ず、ＢＧＡ構造の半導体装置３０について説明す
る。ＢＧＡ構造の半導体装置３０は、大略すると基板３
１，封止樹脂３３，及び突起電極である複数のバンプ３
４（以下、電極部という）等により構成されている。
ＧＡ構造の半導体装置３０が実装された状態を示してい
る。先ず、ＢＧＡ構造の半導体装置３０について説明す
る。ＢＧＡ構造の半導体装置３０は、大略すると基板３
１，封止樹脂３３，及び突起電極である複数のバンプ３
４（以下、電極部という）等により構成されている。
【００５４】基板３１は例えばガラス・エポキシ製の基
板であり、その上面３１ａに半導体チップ３２を搭載す
ると共に、所定のパターンを有する配線３５が形成され
ている。この配線３５の所定位置と半導体チップ３２と
は、ワイヤ３６を用いて電気的に接続されている。ま
た、基板３１の上面３１ａには、半導体チップ３２及び
ワイヤ３６を封止するように封止樹脂３３が形成されて
おり、この封止樹脂３３により半導体チップ３２及びワ
イヤ３６は外部に対して保護される構成とされている。
板であり、その上面３１ａに半導体チップ３２を搭載す
ると共に、所定のパターンを有する配線３５が形成され
ている。この配線３５の所定位置と半導体チップ３２と
は、ワイヤ３６を用いて電気的に接続されている。ま
た、基板３１の上面３１ａには、半導体チップ３２及び
ワイヤ３６を封止するように封止樹脂３３が形成されて
おり、この封止樹脂３３により半導体チップ３２及びワ
イヤ３６は外部に対して保護される構成とされている。
【００５５】一方、基板３１の下面３１ｂには複数のバ
ンプ電極部３４が配設されている。この電極部３４は半
導体装置３０の外部接続端子として機能するものであ
り、基板３１に形成された配線及びスルーホール（共に
図示せず）により配線３５に接続されている。従って、
半導体チップ３２はワイヤ３６，配線，スルーホールを
介して電極部３４に電気的に接続された構成とされてい
る。
ンプ電極部３４が配設されている。この電極部３４は半
導体装置３０の外部接続端子として機能するものであ
り、基板３１に形成された配線及びスルーホール（共に
図示せず）により配線３５に接続されている。従って、
半導体チップ３２はワイヤ３６，配線，スルーホールを
介して電極部３４に電気的に接続された構成とされてい
る。
【００５６】上記構成された半導体装置３０は実装基板
２５に実装される。実装基板２５は、基板本体２４に複
数のバンプ２６を形成した構成とされている。このバン
プ２６の形成位置は、半導体装置３０に設けられた電極
部３４の形成位置と対応するよう構成されている。ま
た、バンプ２６は材料として例えば高融点半田が用いら
れており、前記した半導体装置１０側に配設されたバン
プ１３と同様に基部２７，尖鋭部２８，及び平坦部２８
を一体的に形成した構成とされている。
２５に実装される。実装基板２５は、基板本体２４に複
数のバンプ２６を形成した構成とされている。このバン
プ２６の形成位置は、半導体装置３０に設けられた電極
部３４の形成位置と対応するよう構成されている。ま
た、バンプ２６は材料として例えば高融点半田が用いら
れており、前記した半導体装置１０側に配設されたバン
プ１３と同様に基部２７，尖鋭部２８，及び平坦部２８
を一体的に形成した構成とされている。
【００５７】基部２７はその一端部が基板本体２４に形
成されているパッド（図示せず）に接合されており、こ
れによりバンプ２６は実装基板２５と電気的に接続され
ている。また、尖鋭部２８は円錐形状等の尖った形状を
有しており、基部２７の先端部に形成された平坦部２９
の中央に上部に向け突出するよう形成されている。尚、
バンプ２６の材質は、前記した半導体装置３０に設けら
れた電極部３４の材質に対して硬い材料とされている。
成されているパッド（図示せず）に接合されており、こ
れによりバンプ２６は実装基板２５と電気的に接続され
ている。また、尖鋭部２８は円錐形状等の尖った形状を
有しており、基部２７の先端部に形成された平坦部２９
の中央に上部に向け突出するよう形成されている。尚、
バンプ２６の材質は、前記した半導体装置３０に設けら
れた電極部３４の材質に対して硬い材料とされている。
【００５８】上記構成とされた実装基板２５に半導体装
置３０を実装するには、バンプ２６と電極部３４とが対
向するよう半導体装置３０と実装基板２５とを位置決め
し、続いて半導体装置３０を実装基板２５に向け押圧す
る。これにより、電極部３４はバンプ２６に向け押圧さ
れる。この際、上記のようにバンプ２６はその先端部に
尖った尖鋭部２８が形成されており、かつバンプ２６は
電極部３４に対して硬い材質により形成されているた
め、上記押圧処理により尖鋭部２８は電極部３４に嵌入
する。
置３０を実装するには、バンプ２６と電極部３４とが対
向するよう半導体装置３０と実装基板２５とを位置決め
し、続いて半導体装置３０を実装基板２５に向け押圧す
る。これにより、電極部３４はバンプ２６に向け押圧さ
れる。この際、上記のようにバンプ２６はその先端部に
尖った尖鋭部２８が形成されており、かつバンプ２６は
電極部３４に対して硬い材質により形成されているた
め、上記押圧処理により尖鋭部２８は電極部３４に嵌入
する。
【００５９】このように、半導体装置３０を実装基板２
５に実装した状態において、尖鋭部２８が電極部３４に
嵌入するため、バンプ２６と電極部３４との電気的な接
続面積を増大することができる。よって、バンプ２６或
いは電極部３４の大きさにバラツキが生じていたとして
も、バンプ２６と電極部３４との接触面積は十分に広く
なり、バンプ２６と電極部３４の電気的接続を確実に行
うことができる。
５に実装した状態において、尖鋭部２８が電極部３４に
嵌入するため、バンプ２６と電極部３４との電気的な接
続面積を増大することができる。よって、バンプ２６或
いは電極部３４の大きさにバラツキが生じていたとして
も、バンプ２６と電極部３４との接触面積は十分に広く
なり、バンプ２６と電極部３４の電気的接続を確実に行
うことができる。
【００６０】これにより、バンプ２６と電極部３４との
電気的接続位置において接続抵抗（接続インピーダン
ス）にバラツキが発生することを防止でき、従って高速
化された半導体装置３０であっても安定した処理を確保
することができる。また、導電性部材を半導体装置３０
と実装基板２５との間に介在させる必要もなく、部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
電気的接続位置において接続抵抗（接続インピーダン
ス）にバラツキが発生することを防止でき、従って高速
化された半導体装置３０であっても安定した処理を確保
することができる。また、導電性部材を半導体装置３０
と実装基板２５との間に介在させる必要もなく、部品点
数の削減及び製造工程の簡単化を図ることができる。
【００６１】更に、本実施例においては、バンプ２６を
電極部３４に機械的に嵌入させることにより接続を行う
構成とされているため、両者２６，３４の接続に際し加
熱処理を不要とすることができ、よって実装処理の簡単
化及び半導体装置３０に熱ダメージが発生することを防
止することができる。
電極部３４に機械的に嵌入させることにより接続を行う
構成とされているため、両者２６，３４の接続に際し加
熱処理を不要とすることができ、よって実装処理の簡単
化及び半導体装置３０に熱ダメージが発生することを防
止することができる。
【００６２】尚、実装基板２５にバンプ２６を形成する
方法については、図５乃至図８を用いて説明したバンプ
１３の形成方法と同一であるため、その説明は省略す
る。続いて、本発明に係る実装基板の第２実施例につい
て説明する。図１０は第２実施例に係る実装基板４０を
示している。本実施例に係る実装基板４０は基板本体４
１に複数のホール電極４２を形成したことを特徴とする
ものであり、例えば図１に示した半導体装置１０が実装
されるものである。
方法については、図５乃至図８を用いて説明したバンプ
１３の形成方法と同一であるため、その説明は省略す
る。続いて、本発明に係る実装基板の第２実施例につい
て説明する。図１０は第２実施例に係る実装基板４０を
示している。本実施例に係る実装基板４０は基板本体４
１に複数のホール電極４２を形成したことを特徴とする
ものであり、例えば図１に示した半導体装置１０が実装
されるものである。
【００６３】この実装基板４０に形成されるホール電極
４２は、基板本体４１に形成された孔部４２ａと、この
孔部４２ａに形成された環状電極部４２ｂとにより構成
されている。また、ホール電極４２の形成位置は、半導
体装置１０に設けられたバンプ１３の形成位置と対応す
るよう設定されている。このホール電極４２の形成方法
としては、基板形成技術の一つとして一般に用いられて
いるスルーホール形成技術を利用することができ、よっ
てホール電極４２を容易に形成することができる。
４２は、基板本体４１に形成された孔部４２ａと、この
孔部４２ａに形成された環状電極部４２ｂとにより構成
されている。また、ホール電極４２の形成位置は、半導
体装置１０に設けられたバンプ１３の形成位置と対応す
るよう設定されている。このホール電極４２の形成方法
としては、基板形成技術の一つとして一般に用いられて
いるスルーホール形成技術を利用することができ、よっ
てホール電極４２を容易に形成することができる。
【００６４】図１１は、第２実施例に係る実装基板４０
に図１に示した半導体装置１０が実装された状態を示し
てる。同図に示されるように、実装状態において半導体
装置１０に形成されたバンプ１３は実装基板４０に形成
されたホール電極４２に電気的に接続する。具体的に
は、実装状態においてバンプ１３に形成された尖鋭部１
５はホール電極４２の孔部４２ａに嵌入し、バンプ１３
に形成された平坦部１６はホール電極４２の環状電極部
４２ｂの上部と当接する。
に図１に示した半導体装置１０が実装された状態を示し
てる。同図に示されるように、実装状態において半導体
装置１０に形成されたバンプ１３は実装基板４０に形成
されたホール電極４２に電気的に接続する。具体的に
は、実装状態においてバンプ１３に形成された尖鋭部１
５はホール電極４２の孔部４２ａに嵌入し、バンプ１３
に形成された平坦部１６はホール電極４２の環状電極部
４２ｂの上部と当接する。
【００６５】上記のように、尖鋭部１５が孔部４２ａに
嵌入することにより、バンプ１３とホール電極４２との
位置決めを一義的に行うことができ、また共に平坦面と
されたバンプ１３の平坦部１６と環状電極部４２ｂとが
当接することにより、バンプ１３とホール電極４２との
接続状態を一定化でき、これに伴い接続面積も一定化す
るため、安定した電気特性を得ることができる。
嵌入することにより、バンプ１３とホール電極４２との
位置決めを一義的に行うことができ、また共に平坦面と
されたバンプ１３の平坦部１６と環状電極部４２ｂとが
当接することにより、バンプ１３とホール電極４２との
接続状態を一定化でき、これに伴い接続面積も一定化す
るため、安定した電気特性を得ることができる。
【００６６】図１２は、図１１における接続構造をより
強化するために、ホール電極４２の裏側から裏打ち材４
３を設けた構成を示している。この裏打ち材４３は、例
えば半田よりなり、ホール電極４２の裏側から孔部４２
ａ内に充填し配設された構成とされている。
強化するために、ホール電極４２の裏側から裏打ち材４
３を設けた構成を示している。この裏打ち材４３は、例
えば半田よりなり、ホール電極４２の裏側から孔部４２
ａ内に充填し配設された構成とされている。
【００６７】この構成とすることにより、尖鋭部１５と
ホール電極４２との電気的な接続面積を更に増大するこ
とができ、よってバンプ１３とホール電極４２との電気
的接続をより確実に行うことができる。また、これに伴
いバンプ１３とホール電極４２との機械的接続強度も向
上するため、実装の信頼性をより向上させることができ
る。
ホール電極４２との電気的な接続面積を更に増大するこ
とができ、よってバンプ１３とホール電極４２との電気
的接続をより確実に行うことができる。また、これに伴
いバンプ１３とホール電極４２との機械的接続強度も向
上するため、実装の信頼性をより向上させることができ
る。
【００６８】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１及び７記載の
発明によれば、実装状態において突起電極の先端部に形
成された尖鋭部が実装基板に形成されている電極部に嵌
入することにより、突起電極と電極部との電気的な接続
面積を増大することができ、突起電極の大きさにバラツ
キが生じていたとしても突起電極と電極部との電気的接
続を確実に行うことができる。また、突起電極と電極部
との電気的接続を行うに際し、半導体装置と実装基板と
の間に他の導電性部材を介在させる必要がなくなるた
め、部品点数の削減及び製造工程の簡単化を図ることが
できる。
の効果を実現することができる。請求項１及び７記載の
発明によれば、実装状態において突起電極の先端部に形
成された尖鋭部が実装基板に形成されている電極部に嵌
入することにより、突起電極と電極部との電気的な接続
面積を増大することができ、突起電極の大きさにバラツ
キが生じていたとしても突起電極と電極部との電気的接
続を確実に行うことができる。また、突起電極と電極部
との電気的接続を行うに際し、半導体装置と実装基板と
の間に他の導電性部材を介在させる必要がなくなるた
め、部品点数の削減及び製造工程の簡単化を図ることが
できる。
【００６９】また、請求項２及び８記載の発明によれ
ば、突起電極は電極部よりも硬質な材質で形成されてい
るため、突起電極に形成された尖鋭部を確実に電極部に
嵌入することができる。また、請求項３及び９記載の発
明によれば、尖鋭部形成工程において突起電極に対し尖
鋭部形成用治具を押圧して突起電極を変形させ尖鋭部を
形成するため、簡単に尖鋭部を形成することができる。
ば、突起電極は電極部よりも硬質な材質で形成されてい
るため、突起電極に形成された尖鋭部を確実に電極部に
嵌入することができる。また、請求項３及び９記載の発
明によれば、尖鋭部形成工程において突起電極に対し尖
鋭部形成用治具を押圧して突起電極を変形させ尖鋭部を
形成するため、簡単に尖鋭部を形成することができる。
【００７０】また、請求項４及び１０記載の発明によれ
ば、尖鋭部形成工程において突起電極を押圧する部位に
尖鋭部の形状に対応した凹部が形成された尖鋭部形成用
治具を用いたことにより、簡単な構成の治具で容易かつ
確実に尖鋭部を形成することができる。
ば、尖鋭部形成工程において突起電極を押圧する部位に
尖鋭部の形状に対応した凹部が形成された尖鋭部形成用
治具を用いたことにより、簡単な構成の治具で容易かつ
確実に尖鋭部を形成することができる。
【００７１】更に、請求項５及び６記載の発明によれ
ば、突起電極とホール電極との接続状態を一定化でき、
これに伴い接続面積も一定化するため、安定した電気特
性を得ることができる。
ば、突起電極とホール電極との接続状態を一定化でき、
これに伴い接続面積も一定化するため、安定した電気特
性を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体装置が実装基板
に実装さたれ状態を示す図である。
に実装さたれ状態を示す図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体装置が実装基板
に実装される前の状態を示す図である。
に実装される前の状態を示す図である。
【図３】バンプと電極部との接続部分を拡大して示す図
である。
である。
【図４】本発明の一実施例である半導体装置が実装され
る実装基板を示す図である。
る実装基板を示す図である。
【図５】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図である（突起電極形成工程）。
を説明するための図である（突起電極形成工程）。
【図６】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図である（尖鋭部形成工程）。
を説明するための図である（尖鋭部形成工程）。
【図７】尖鋭部形成工程により形成された尖鋭部を拡大
して示す図である。
して示す図である。
【図８】尖鋭部形成工程で用いる尖鋭部形成用治具を説
明するための図である。
明するための図である。
【図９】本発明に係る実装基板の第１実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
【図１０】本発明に係る実装基板の第２実施例を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１１】第２実施例に係る実装基板にバンプが接合し
た状態を拡大して示す図である。
た状態を拡大して示す図である。
【図１２】図１１に示す接合状態において、半田を裏打
ちした構成を示す図である。
ちした構成を示す図である。
【図１３】従来の半導体装置に設けられるバンプを説明
するための図である。
するための図である。
【図１４】従来の半導体装置の実装方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
１０，３０ 半導体装置 １１，２５，４０ 実装基板 １３，１３ａ，２６ バンプ １４，２７ 基部 １５，２８ 尖鋭部 １６，２９ 平坦部 １８，３４ 電極部 １９，２２ 治具（尖鋭部形成用治具） ２０ 凹部 ２１ 平面部 ３１ 基板 ３２ 半導体チップ ４２ ホール電極 ４３ 裏打ち材
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体チップまたは半導体チップが搭載
される基板に複数の突起電極が配設された構成を有して
おり、実装基板に形成された電極部に前記突起電極が接
続されることにより前記実装基板に実装される半導体装
置において、 前記突起電極の先端部に尖鋭部を形成し、該尖鋭部が前
記電極部に嵌入されることにより前記実装基板に実装さ
れることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記突起電極は、前記電極部よりも硬質な材質で形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法であって、 半導体チップまたは半導体チップが搭載される基板に複
数の突起電極を形成する突起電極形成工程と、 形成された突起電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧し、
前記突起電極を変形させることにより尖鋭部を形成する
尖鋭部形成工程とを具備することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 尖鋭部形成工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、
前記突起電極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応
した凹部が形成されたものを用いたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の半導体装置が実
装される実装基板において、 前記尖鋭部の形成位置と対応する位置に、前記尖鋭部が
嵌入するホール電極を形成したことを特徴とする実装基
板。 - 【請求項６】 請求項５記載の実装基板において、 前記ホール電極は、基板本体に形成された孔部と、該孔
部に形成された環状電極部とにより構成されることを特
徴とする実装基板。 - 【請求項７】 半導体チップまたは半導体チップが搭載
される基板に複数の電極部が配設された構成の半導体装
置が装着される実装基板において、 前記半導体装置に配設された電極部に対応する位置に複
数の突起電極部を形成すると共に、 前記突起電極の先端部に尖鋭部を形成し、該尖鋭部が前
記電極部に嵌入されることにより前記半導体装置を実装
することを特徴とする実装基板。 - 【請求項８】 請求項７記載の実装基板において、 前記突起電極は、前記電極部よりも硬質な材質で形成さ
れていることを特徴とする実装基板 - 【請求項９】 請求項７または８記載の実装基板の製造
方法であって、 実装基板を構成する基板本体の半導体装置における電極
部形成位置と対応する位置に突起電極を形成する突起電
極形成工程と、 形成された突起電極に対し尖鋭部形成用治具を押圧し、
前記突起電極を変形させることにより尖鋭部を形成する
尖鋭部形成工程とを具備することを特徴とする実装基板
の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の実装基板置の製造方法
において、 尖鋭部形成工程で用いられる尖鋭部形成用治具として、
前記突起電極を押圧する部位に前記尖鋭部の形状に対応
した凹部が形成されたものを用いたことを特徴とする実
装基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02808896A JP3370842B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02808896A JP3370842B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223721A true JPH09223721A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3370842B2 JP3370842B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=12239036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02808896A Expired - Lifetime JP3370842B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3370842B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224703B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-05-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of making laminate ceramic substrate with domed pads |
| JP2002151534A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電極形成方法およびそれに用いられる半導体装置並びに基板 |
| US7167344B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head actuator having finely movable tracking device |
| JP2009238806A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Denso Corp | バンプの接合方法およびバンプの接合構造体 |
| JP2009246166A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Ltd | 電子部品パッケージおよび基板ユニット並びにプリント配線板およびその製造方法 |
| US8729868B2 (en) | 2007-07-27 | 2014-05-20 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for charging batteries |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP02808896A patent/JP3370842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224703B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-05-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of making laminate ceramic substrate with domed pads |
| JP2002151534A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電極形成方法およびそれに用いられる半導体装置並びに基板 |
| US7167344B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-01-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head actuator having finely movable tracking device |
| US8729868B2 (en) | 2007-07-27 | 2014-05-20 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for charging batteries |
| JP2009238806A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Denso Corp | バンプの接合方法およびバンプの接合構造体 |
| JP2009246166A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Ltd | 電子部品パッケージおよび基板ユニット並びにプリント配線板およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3370842B2 (ja) | 2003-01-27 |
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