JPH0923064A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 下層導体回路と上層導体回路との電気的接続
をポストにより行なう構造のプリント回路基板を形成す
る際に、ポストを無電解めっきを用いることなく形成で
きる方法を提供する。 【構成】 下層導体回路形成用の金属膜１３上に、これ
をパターニングする前に、この金属膜１３を給電体とし
て利用して電解めっきによりポスト１７を形成する。ポ
スト１７の形成が済んだ金属膜１３上に、金属膜１３の
下層導体回路として残存させたい部分表面およびポスト
１７を覆うためのマスク２１を電解めっきにより形成す
る。金属膜１３のマスク２１で覆われていない部分をエ
ッチングして下層導体回路１３ａを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プリント回路基板の
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】下層導体回路と上層導体回路との電気的
接続をポスト（金属柱）により行なう構造のプリント回
路基板を製造する場合、一般には以下に説明する手順が
とられる。まず下層導体回路形成用の金属膜としての銅
薄膜が、下層導体回路の形状にパターニングされる。こ
こでこの銅薄膜は、絶縁性基板上に形成されたものであ
る場合や、また３層以上のプリント回路基板の２層目以
上の場合なら層間絶縁膜上に形成されたものとなる。次
にこの銅薄膜上に、後にポスト形成のためなされる電解
めっき時に用いる給電膜が、無電解めっきにより形成さ
れる。次にこの給電膜上に、該給電膜のポスト形成予定
部分以外の部分を覆うマスクが、形成される。次にポス
ト形成のための電解めっきが行なわれて目的のポストが
形成される。次に上記マスクが除去され、その後、給電
膜の、ポストで覆われていない部分が除去される。次に
この試料全面に層間絶縁膜形成用の樹脂が塗布され、さ
らに硬化される。硬化された樹脂はポスト表面が露出さ
れるまで研磨され層間絶縁膜となる。この層間絶縁膜上
に上層導体回路形成用の金属膜（これは、さらに多層に
する場合は下層導体回路形成用の金属膜にも相当す
る。）が形成され、次いで、この金属膜が所望の形状に
パターニングされて上層導体回路が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たプリント回路基板の製造方法では、ポスト形成時の電
解めっきの際に使用される給電膜を無電解めっきにより
予め形成する必要があった。無電解めっきは、前処理工
程、めっき工程などの多くの工程を必要とし、さらに薬
液の管理も難しく、さらにコストも高いことから、プリ
ント回路基板の全製造工程においてなるべく無電解めっ
きを行なう工程は少ない方が好ましい。また、上記形成
した給電体はポスト形成のための電解めっきが終了した
後にポスト直下の部分を除いて除去されるものである
が、この除去に当たってポストや下層導体回路はエッチ
ングマスク等で特に覆うことはしない。給電膜自体の厚
さがポストや下層導体回路の厚さに比べるとかなり薄い
のでポストや下層導体回路を損傷することなく給電膜を
選択的に除去できると考えられているからである。しか
し、例えばエッチング液によってはポストや下層導体回
路が損傷される場合がある。また、この給電膜の除去に
おいて無電解めっきで形成した膜（一般には銅）自体は
除去できても、無電解めっきの前処理時に下地に付与さ
れるパラジウムは除去しきれずに残存してしまう場合が
あり、そのためこれが原因でプリント回路基板の特性上
必要な絶縁抵抗を確保できない場合も生じる。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明によれ
ば、下層導体回路と上層導体回路との電気的接続をポス
トにより行なう構造のプリント回路基板を製造するに当
たり、下層導体回路形成用の金属膜上に、該金属膜を下
層導体回路の形状にパターニングする前に、ポストを形
成する。そして、該ポストの形成が済んだ前記金属膜上
に、前記金属膜の下層導体回路として残存させたい部分
表面および該ポストを覆うためのマスクであって前記金
属膜をエッチングするための手段に対し耐性を有する材
料から成るマスクを形成し、その後、前記金属膜の前記
マスクで覆われていない部分をエッチングして下層導体
回路を形成する。

【０００５】ここで、上記マスクは、任意好適な方法で
形成出来る。例えば、電解めっきを用いる方法、或は、
ドライフィルムレジスト例えば紫外性感光型のドライフ
ィルムレジストをマスク形成部分に残存するようにパタ
ーニングする方法、或は、ポストの形成が済んだ前記金
属膜上に好適な有機材料を含む塗布液により皮膜を形成
しこの皮膜を当該マスク形状にパターニングする方法な
どで形成出来る。ただし、これら方法のうち電解めっき
を用いる方法は、ポスト自体も金属であることから、下
層導体回路形成用の金属膜の下層導体回路として残存さ
せたい部分表面およびポスト双方を他の方法に比べ良好
に被覆できるので、マスクの形成方法として特に好まし
い。

【０００６】

【作用】この発明の構成によれば、下層導体回路を形成
する前に下層導体回路形成用の金属膜上にポストを形成
する。これは、下層導体薄膜形成用の金属膜のポスト形
成予定部分表面のみを露出する絶縁性マスクをこの金属
膜上に形成し、かつ、該下層導体薄膜形成用の金属膜自
体を給電膜として利用してポストを電解めっき法で形成
出来ることを意味する。このため、ポスト形成用の給電
膜を形成するために従来は必要であった無電解めっきの
工程を、この発明では不要と出来る。

【０００７】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明のいくつかの
実施例について説明する。ただし、説明に用いる各図は
この発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、形状お
よび配置関係を概略的に示してある。また、説明に用い
る各図において同様な構成成分については同一の番号を
付し、その重複する説明を省略することもある。

【０００８】１．第１の実施例 先ず、図１〜図５に断面図をもって示した工程図を参照
してこの発明の第１の実施例について説明する。

【０００９】絶縁性の下地１１上に下層導体回路形成用
の金属膜１３としての例えば銅薄膜が形成されている構
造体を用意する（図１（Ａ））。なお、この構造体は、
これから形成しようとする配線構造がプリント回路基板
の最下層導体回路および第２層目導体回路から成る配線
構造である場合なら、典型的には、例えばガラスエポキ
シ基板などの絶縁性基板と、この上に例えば熱プレス法
で形成された銅薄膜とで構成された構造体であり、これ
から形成しようとする配線構造が３層構造以上のプリン
ト回路基板における２層目以上の配線構造である場合な
ら、典型的には、層間絶縁膜とこの上に形成された導体
回路形成用の金属膜とを含む構造体である。

【００１０】次に、この発明では下層導体回路形成用の
金属膜１３上に、該金属膜１３を下層導体回路の形状に
パターニングする前に、ポストを形成する。これをこの
実施例では次の様な手順で行なう。

【００１１】はじめに、下層導体回路形成用の金属膜１
３上に、該金属膜１３のポスト形成予定部分を露出する
開口部１５ａを有したマスク１５（これを「ポストめっ
き用マスク１５」という。）を形成する（図１
（Ｂ））。このポストめっき用マスク１５は、例えば、
下層導体回路形成用の金属膜１３上に紫外線感光性のレ
ジストの膜（図示せず）を形成し、これを選択的に露光
し、その後現像することにより形成出来る。

【００１２】次に、下層導体回路形成用の金属膜１３を
給電膜として用いて電解めっき例えば銅めっきを行う。
この電解めっきにおいては、下層導体回路形成用の金属
膜１３の、めっき用マスク１５で覆われていない部分
に、めっきがなされて、ポスト１７が形成される（図１
（Ｃ））。その後、ポストめっき用マスク１５を除去す
る（図１（Ｄ））。従来はポスト形成前に無電解めっき
により専用の給電膜を形成する必要があったがこの発明
ではこれを不要にできることが分かる。

【００１３】次に、ポスト１７の形成が済んだ下層導体
形成用の金属膜１３上に、この金属膜１３の下層導体回
路として残存させたい部分表面およびポスト１７を覆う
ためのマスクであって金属膜１３をエッチングするため
の手段に対し耐性を有する材料から成るマスク（以下、
「下層導体回路等形成用マスク」ともいう。）を形成す
る。これをこの実施例では電解めっき法を用い以下の様
に形成する。

【００１４】先ず、ポスト１７の形成が済んだ下層導体
形成用の金属膜１３上に、紫外線感光性のレジストの層
１９を形成する（図２（Ａ））。次に、このレジストの
層１９の一部分であって、金属膜１３の下層導体回路等
形成用マスク形成予定領域上に形成された部分が除去さ
れる様に、このレジストの層１９を露光および現像し、
レジストパターン１９ａを得る（図２（Ｂ））。

【００１５】次に、下層導体回路形成用の金属膜１３を
給電膜として用いて電解めっきを行なう。この際金属膜
１３をエッチングする手段に対し耐性を有する材料をめ
っきする。この場合、エッチング手段として後述する様
にＮＨ₄ ＯＨとＮＨ₄ Ｃｌとを基本組成とするエッチン
グ液を用いるので、これに耐え得る材料として電解はん
だめっきを行なう。この電解めっきにおいては、ポスト
１７と、下層導体回路形成用の金属膜１３の、レジスト
パターン１９ａで覆われていない部分とに、めっきがな
されるので、はんだから成る下層導体回路等形成用マス
ク２１（以下、マスク２１と略称することもある。）が
形成できる（図２（Ｃ））。なお、電解めっきによりマ
スク２１を形成すると、ポスト１７の周囲も良好にマス
ク２１により覆われるので好ましい。また、金属膜１３
が銅で構成されている場合にマスク２１をはんだで構成
すると後に説明する様に適当な剥離液によりはんだのみ
を選択的に除去することができるから、マスク２１を後
まで残したくない場合に好適である。その後、レジスト
パターン１９ａを除去する（図３（Ａ））。

【００１６】次に、この試料を、下層導体回路形成用の
金属膜１３である銅薄膜を溶解（エッチング）し、か
つ、下層導体回路等形成用マスク２１を構成するはんだ
を溶解しないエッチング液としてここではＮＨ₄ ＯＨと
ＮＨ₄ Ｃｌとを基本組成とするエッチング液中に浸漬す
るか、または、該試料にこのエッチング液をスプレー装
置等により吹きつけることにより、下層導体回路形成用
の金属膜１３の、マスク２１で覆われていない部分を除
去する。これにより下層導体回路１３ａが形成出来る
（図３（Ｂ））。

【００１７】下層導体回路１３ａの形成が済んだら、下
層導体回路１３ａを構成している銅を溶解することなく
マスク２１を構成しているはんだを溶解するエッチング
液、例えばエレクトロ・ブライトソルダーストリッパー
８８０（（株）荏原電産製のはんだ剥離液の商品名）に
より、マスク２１を除去する（図３（Ｃ））。

【００１８】次に、この試料上に層間絶縁膜形成用の樹
脂層２３を形成しさらにそれを硬化させる（図４
（Ａ））。この樹脂層を構成する樹脂は任意好適なもの
を用いることが出来る。また樹脂層の形成も樹脂に応じ
た任意好適な方法で行なえる。例えば樹脂が液状のもの
である場合は例えばスクリーン印刷法、カーテン塗布
法、或はスプレー塗布法などの任意好適な方法で行な
え、樹脂がシート状のものである場合は圧着法で行なえ
る。

【００１９】次に、樹脂層２３をポスト１７の頭部が露
出されるまで研磨する。これにより層間絶縁膜２３ａが
得られる（図４（Ｂ））。

【００２０】次に、この層間絶縁膜２３ａ上に例えば無
電解めっきおよび電解めっきにより上層導体回路形成用
の金属膜２５として例えば銅薄膜を形成する（図４
（Ｃ））。

【００２１】次に、この上層導体回路形成用の金属膜２
５上に、例えばレジストパターンから成る上層導体回路
形成用マスク２７を形成する（図５（Ａ））。次に、上
層導体回路形成用の金属膜２５の、マスク２７で覆われ
ていない部分をエッチングして上層導体回路２５ａを形
成する（図５（Ｂ））。その後、マスク２７を除去する
（図５（Ｃ））。これにより、下層導体回路１３ａと、
ビルドアップ導体層としての上層導体回路２５ａとを有
しかつこれら導体回路間をポスト１７で電気的に接続し
てある構造を有したプリント回路基板が得られる。

【００２２】なお、この第１の実施例では下層導体回路
等形成用マスク２１を電解はんだめっきにより形成する
例を説明したが、電解めっきする材料はこれに限られな
い。下層導体回路形成用の金属膜１３をエッチングする
際に使用する薬液に耐性のある金属であれば他の物でも
良い。例えば錫、金、ロジウム、銀、ニッケル、パラジ
ム等もマスク形成用材料として用い得る。また、上述の
実施例では、下層導体回路１３ａを形成した後にマスク
２１を除去する例を述べたが、その後の工程に支障がな
く、かつ、プリント回路基板の長期安定性を損ねること
がない場合等はマスク２１は必ずしも除去する必要はな
く残存させても良い。例えば金やロジウムなどは化学
的、物理的に安定な材料であるので、これを用いてマス
ク２１を形成した場合等は、マスクを除去しなくても良
い例の一つと考えられる。

【００２３】２．第２の実施例 上述の第１の実施例では下層導体回路等形成用マスク２
１を電解めっきにより形成した例を説明した。しかし、
このマスク２１はドライフィルムレジストを用い形成し
ても良い。この第２の実施例はその例である。この説明
を図６および図７に断面図によって示した工程図を主に
参照して行なう。

【００２４】先ず、第１の実施例において図１（Ａ）〜
（Ｃ）を参照して説明した手順に従い、下層導体回路形
成用の金属膜１３上にポスト１７を形成する（図６
（Ａ））。

【００２５】次に、この試料のポスト１７形成面上にド
ライフィルムレジストとして紫外線感光型のドライフィ
ルム３１を圧着させる（図６（Ｂ））。このドライフィ
ルムレジスト３１は、ポスト１７を実質的に埋没でき、
かつ、下層導体回路形成用の金属膜１３をパターニング
する際にポストを実質的に保護できる厚さを持つものと
するのが良い。

【００２６】次に、このドライフィルムレジスト３１
を、これが下層導体回路形成用の金属膜３１の下層導体
回路として残存させたい部分表面およびポスト１７上に
残存するようにパターニングすなわち露光および現像を
する。これにより、ドライフィルムレジストで構成され
た下層導体回路等形成用マスク３１ａ（以下、マスク３
１ａともいう。）が得られる（図６（Ｃ））。

【００２７】次に、下層導体回路形成用の金属膜１３
の、マスク３１ａで覆われていない部分を好適なエッチ
ング液により除去して、下層導体回路１３ａを得る（図
７（Ａ））。この際に用いるエッチング液は、金属膜１
３を除去できかつレジストから成るマスク３１ａが耐性
を持つものであれば任意のものを用い得る。第１の実施
例の場合はマスク２１をはんだで構成していたため例え
ば塩化鉄や塩酸等のエッチング液を用いることができな
かったが、この第２の実施例ではこのようなエッチング
液も使用可能となる。したがって、この第２の実施例の
場合は第１の実施例（電解めっきでマスク２１を形成す
る例）に比べ、下層導体回路を形成するためのエッチン
グ液として多種のものを用いることができるという利点
が得られる。すなわち、下層導体回路を形成するための
エッチング液の選択自由度が向上する。

【００２８】次に、マスク３１ａを除去する（図７
（Ｂ））。その後は、第１の実施例において図４および
図５を参照して説明した手順により、層間絶縁膜の形
成、上層導体回路の形成を行なえば良い。

【００２９】３．第３の実施例 上述の第１および第２の各実施例ではビルドアップ導体
層を１層有したプリント回路基板の製造例を説明した。
しかしこの出願に係る発明はビルドアップ導体層を２層
以上有するプリント回路基板の製造にももちろん適用で
きる。その一例として、この第３の実施例ではビルドア
ップ導体層を２層有したプリント回路基板をこの発明の
製造方法により製造する例を説明する。この説明を図８
〜図１４に断面図をもって示した工程図を参照して行な
う。

【００３０】先ず、第１の実施例において図１（Ａ）〜
図４（Ｃ）を参照して説明した手順に従い、ポスト１
７、下層導体回路１３ａ、層間絶縁膜２３ａおよび上層
導体回路形成用の金属膜を形成するまでの各工程を順次
に実施する。ただしこの場合に形成された上層導体回路
形成用の金属膜は、これから形成する第３層目の導体回
路に対しての下層導体回路形成用の金属膜４１（以下、
金属膜４１と略称することもある。）に相当するものと
なる（図８（Ａ））。

【００３１】次に、この金属膜４１上に、例えば紫外線
感光性のレジストを用いて、ポスト形成予定部分を露出
する開口部１５ａを有したマスク１５を形成する（図８
（Ｂ））。

【００３２】次に、金属膜４１を給電膜として用いて電
解めっき例えば銅めっきを行ってポスト１７を形成する
（図９（Ａ））。その後、ポストめっき用マスク１５を
除去する（図９（Ｂ））。

【００３３】次に、ポスト１７の形成が済んだ金属膜４
１上に、この金属膜４１の導体回路として残存させたい
部分表面およびポスト１７を覆うためのマスクであって
金属膜１３をエッチングするための手段に対し耐性を有
する材料から成るマスク（以下、「中間導体回路等形成
用マスク」ともいう。）を形成する。これをこの実施例
では以下の様に形成する。

【００３４】先ず、ポスト１７の形成が済んだ金属膜４
１上に、紫外線感光性のレジストの層（図示せず）を形
成する。次に、このレジストの層の一部分であって、金
属膜４１の中間導体回路等形成用マスク形成予定領域上
に形成された部分が除去される様に、このレジストの層
を露光および現像し、レジストパターン４３を得る（図
１０（Ａ））。

【００３５】次に、金属膜４１を給電膜として用いて電
解めっきを行なう。この際金属膜４１をエッチングする
手段に対し耐性を有する材料をめっきする。ここでは第
１の実施例と同様に電解はんだめっきを行なう。この電
解めっきにおいては、ポスト１７と、金属膜４１の、レ
ジストパターン４３で覆われていない部分とに、めっき
がなされるので、はんだから成る中間導体回路等形成用
マスク４５（以下、マスク４５と略称することもあ
る。）が形成できる（図１０（Ｂ））。その後、レジス
トパターン４３を除去する（図１１（Ａ））。もちろ
ん、マスク４５の形成材料ははんだに限られず、例えば
第１の実施例で例示したような他の材料を用いることも
できる。

【００３６】次に、この試料を、例えばＮＨ₄ ＯＨとＮ
Ｈ₄ Ｃｌとを基本組成とするエッチング液中に浸漬する
か、または、該試料にこのエッチング液をスプレー装置
等により吹きつけることにより、金属膜４１の、マスク
４５で覆われていない部分を除去する。これにより導体
回路４１ａ（以下、「中間導体回路４１ａ」という。）
が形成出来る（図１１（Ｂ））。

【００３７】中間導体回路４１ａの形成が済んだら、例
えばエレクトロ・ブライトソルダーストリッパー８８０
（（株）荏原電産製のはんだ剥離液の商品名）により、
マスク４５を除去する（図１２（Ａ））。

【００３８】次に、この試料上に層間絶縁膜形成用の任
意好適な樹脂層２３を形成しさらにそれを硬化させる
（図１２（Ｂ））。この樹脂層２３をポスト１７の頭部
が露出されるまで研磨する。これにより層間絶縁膜２３
ａが得られる（図１３（Ａ））。

【００３９】次に、この層間絶縁膜２３ａ上に例えば無
電解めっきおよび電解めっきにより上層導体回路形成用
の金属膜２５として例えば銅薄膜を形成する（図１３
（Ｂ））。この上層導体回路形成用の金属膜２５上に、
例えばレジストパターンから成る上層導体回路形成用マ
スク２７を形成する（図１４（Ａ））。そして、上層導
体回路形成用の金属膜２５の、マスク２７で覆われてい
ない部分をエッチングして上層導体回路２５ａを形成
し、その後、マスク２７を除去する（図１４（Ｂ））。
これにより、下層導体回路１３ａと、ビルドアップ導体
層としての２層の導体回路４１ａ，２５ａとを有しかつ
これら導体回路間をポスト１７で電気的に接続してある
構造を有したプリント回路基板が得られる。

【００４０】この第３の実施例ではこの発明が次の様な
効果も有するものであることが理解出来る。ビルドアッ
プ導体層が２層以上のプリント回路基板の場合は、層間
絶縁膜とこの上に形成される上層導体回路形成用の金属
膜との密着性を向上させる目的で、上層導体回路形成用
の金属膜を形成する前に層間絶縁膜表面に対しバフによ
る機械的研磨および薬液による粗化が行なわれる。この
ように粗化された面には、その凹部深くに、上層導体回
路形成用の金属膜形成の際の無電解めっき工程に先立つ
前処理時に用いるパラジウム等や、無電解めっき時に析
出する銅が吸着するようになる。しかし、このように凹
部深くに吸着したパラジウムや銅は、特に従来技術でな
されていた様な給電膜のみを除去する短時間の薬液処理
では、除去することが殆ど不可能であった。これに対
し、この発明の方法では、ポストや導体回路形成用の金
属膜の必要部分が、上述の様に中間導体回路等形成用マ
スク４５により覆われた状態で該金属膜の不用部分を除
去する処理がなされる（図１１（Ａ）、（Ｂ）参照）。
したがって、層間絶縁膜の粗化面における凹部深くに吸
着したパラジウムや銅を除去し得るように比較的長時間
の薬液処理を行なっても、ポストや導体回路形成用の金
属膜の必要部分が損傷されることもない。

【００４１】上述においてはこの発明のいくつかの実施
例について説明したがこの発明は上述の実施例に限られ
ない。例えば、上述の実施例では下層導体回路形成用マ
スク２１，３１ａや中間導体回路形成用マスク４５を電
解めっきやドライフィルムレジストを用い形成する例を
説明した。しかし、これらマスクは例えばポストの形成
が済んだ下層導体回路形成用の前記金属膜上に好適な有
機材料を含む塗布液により皮膜を形成しこの皮膜を当該
マスク形状にパターニングする方法などで形成しても良
い。その具体例としては、ポストの形成が済んだ下層導
体回路形成用の金属膜上に、例えば、アルキルベンズイ
ミダゾールの液状物や溶液などを例えば浸漬法などの好
適な方法により形成しこれをパターニングしてマスク２
１、３１ａ、４５を得る方法、或は、液状の紫外線感光
型のレジストを形成しこれをパターニングする方法など
が挙げられる。

【００４２】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明によれば、下層導体回路と上層導体回路との電気的
接続をポストにより行なう構造のいわゆるポスト接続型
プリント回路基板を製造するに当たり、下層導体回路形
成用の金属膜上に、該金属膜を下層導体回路の形状にパ
ターニングする前に、ポストを形成する。そして、ポス
トの形成が済んだ前記金属膜上に、前記金属膜の下層導
体回路として残存させたい部分表面および該ポストを覆
うためのマスクであって前記金属膜をエッチングするた
めの手段に対し耐性を有する材料から成るマスクを形成
し、その後、前記金属膜の前記マスクで覆われていない
部分をエッチングして下層導体回路を形成する。このた
め、ポストは下層導体回路形成用の金属膜を給電膜とし
て利用して電解めっきにより形成できる。したがって、
ポスト形成用の給電膜を形成するために従来は必要であ
った無電解めっきの工程をこの発明では不要と出来るか
ら、プリント回路基板製造プロセスにおける無電解めっ
き工程自体の数を減らすことができる。さらに、ポスト
形成用の給電膜を形成するために必要であった無電解め
っきを行なわないで済むので、給電膜の除去に起因する
ポストの損傷、下層導体回路の損傷、パラジウムに起因
する絶縁抵抗の低下はそもそも生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の説明に供する工程図である。

【図２】第１の実施例の説明に供する図１に続く工程図
である。

【図３】第１の実施例の説明に供する図２に続く工程図
である。

【図４】第１の実施例の説明に供する図３に続く工程図
である。

【図５】第１の実施例の説明に供する図４に続く工程図
である。

【図６】第２の実施例の説明に供する要部工程図であ
る。

【図７】第２の実施例の説明に供する図６に続く要部工
程図である。

【図８】第３の実施例の説明に供する工程図である。

【図９】第３の実施例の説明に供する図８に続く工程図
である。

【図１０】第３の実施例の説明に供する図９に続く工程
図である。

【図１１】第３の実施例の説明に供する図１０に続く工
程図である。

【図１２】第３の実施例の説明に供する図１１に続く工
程図である。

【図１３】第３の実施例の説明に供する図１２に続く工
程図である。

【図１４】第３の実施例の説明に供する図１３に続く工
程図である。

【符号の説明】

１１：絶縁性の下地 １３：下層導体回路形成用の金属膜 １３ａ：下層導体回路 １５：ポストめっき用マスク １５ａ：開口部 １９：レジストの層 １９ａ：レジストパターン ２１：下層導体回路等形成用マスク（電解めっきによる
もの） ２３：樹脂層 ２３ａ：層間絶縁膜 ２５：上層導体回路形成用の金属膜 ２５ａ：上層導体回路 ２７：上層導体回路形成用マスク ３１：紫外線感光型のドライフィルムレジスト ３１ａ：下層導体回路等形成用マスク（ドライフィルム
レジストによるもの） ４１：第３層目に対しての下層導体回路形成用の金属膜 ４１ａ：中間導体回路 ４３：レジストパターン ４５：中間導体回路等形成用マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 烏野 ゆたか 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 中久木 穂 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層導体回路と上層導体回路との電気的
   接続をポストにより行なう構造のプリント回路基板を製
   造するに当たり、 下層導体回路形成用の金属膜上に、該金属膜を下層導体
   回路の形状にパターニングする前に、ポストを形成し、 該ポストの形成が済んだ前記金属膜上に、前記金属膜の
   下層導体回路として残存させたい部分表面および該ポス
   トを覆うためのマスクであって前記金属膜をエッチング
   するための手段に対し耐性を有する材料から成るマスク
   を形成し、その後、前記金属膜の前記マスクで覆われて
   いない部分をエッチングして下層導体回路を形成するこ
   とを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のプリント回路基板の製
   造方法において、 前記マスクを電解めっきにより形成することを特徴とす
   るプリント回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のプリント回路基板の製
   造方法において、 前記マスクは、ドライフィルムレジストを該当部分に残
   存するようにパターニングすることで形成することを特
   徴とするプリント回路基板の製造方法。