JPH09231888A - 光学式タッチスイッチ - Google Patents
光学式タッチスイッチInfo
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- JPH09231888A JPH09231888A JP3207996A JP3207996A JPH09231888A JP H09231888 A JPH09231888 A JP H09231888A JP 3207996 A JP3207996 A JP 3207996A JP 3207996 A JP3207996 A JP 3207996A JP H09231888 A JPH09231888 A JP H09231888A
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 41
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- 101100215778 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ptr-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100445488 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ptr-2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過度に強い外乱光によってタッチ検出用受光
素子に絶対定格以上の電流が流れるのを防ぐ。 【解決手段】 タッチ検出用受光素子4の周辺に、タッ
チ検出用受光素子4よりも受光感度の低い、あるいは、
絶対定格電流の大きい外乱光検出用の受光素子11を別
途設け、外乱光が過度に強いときには、タッチ検出用受
光素子4への電流供給を停止する。
素子に絶対定格以上の電流が流れるのを防ぐ。 【解決手段】 タッチ検出用受光素子4の周辺に、タッ
チ検出用受光素子4よりも受光感度の低い、あるいは、
絶対定格電流の大きい外乱光検出用の受光素子11を別
途設け、外乱光が過度に強いときには、タッチ検出用受
光素子4への電流供給を停止する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、四角形の互いに
隣接する二辺に発光素子を、残りの二辺に受光素子を複
数個配設して構成した光学式タッチスイッチに関する。
隣接する二辺に発光素子を、残りの二辺に受光素子を複
数個配設して構成した光学式タッチスイッチに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光学式タッチスイッチとして実開
昭63−31439号公報や実開平3−103536号
公報などに記載のものがあり、例えば図5及び図6に示
すような概略構成となっている。
昭63−31439号公報や実開平3−103536号
公報などに記載のものがあり、例えば図5及び図6に示
すような概略構成となっている。
【0003】即ち、一般的な光学式タッチスイッチで
は、操作パネル1の座標入力面2の縦横各一辺に複数個
の発光素子3が配列され、残りの縦横一辺に複数個のフ
ォトトランジスタやフォトダイオード等の受光素子4が
配列されている。これらの発光素子3と受光素子4と
は、マトリクス状に1対1に対応しており、オペレータ
が指5で座標入力面2を触れることによって、各発光素
子3から対向位置の受光素子4への光の通路が遮断さ
れ、遮断された発光,受光素子3,4の組の位置が導入
されて指5の触れた位置の座標入力面2における座標が
算出されるようになっている。
は、操作パネル1の座標入力面2の縦横各一辺に複数個
の発光素子3が配列され、残りの縦横一辺に複数個のフ
ォトトランジスタやフォトダイオード等の受光素子4が
配列されている。これらの発光素子3と受光素子4と
は、マトリクス状に1対1に対応しており、オペレータ
が指5で座標入力面2を触れることによって、各発光素
子3から対向位置の受光素子4への光の通路が遮断さ
れ、遮断された発光,受光素子3,4の組の位置が導入
されて指5の触れた位置の座標入力面2における座標が
算出されるようになっている。
【0004】図7は、従来におけるいわゆる光学式タッ
チパネルの概略を示す回路の一例を示したものである。
ただし、簡便のため発光素子3及びその駆動回路を省略
している。図7中の符号8は受光素子4を含む受光信号
処理回路を示している。ここでは、受光素子4としてフ
ォトトランジスタPTr1,PTr2,…,PTrnを
使用しており、そのエミッタは接地側に配置されたセレ
クタ(トランジスタ)Q1,Q2,…,Qnに接続され
る。また、受光素子4のコレクタは比較回路7の負入力
端子に接続されるとともに、抵抗Raを介して電源Vc
c供給用のスイッチ素子Q0に共通接続され、かつプル
ダウン抵抗Rbを介して設置されている(Ra<<R
b)。比較回路7の正帰還された正入力端子は、電源分
圧抵抗R1,R2によって一定の電位に保持されてお
り、この一定の電位と負入力端子に接続された受光素子
4の状態とを比較した結果を制御部6の入力端子(I
N)に送信する。なお、上記したセレクタQ1,Q2,
…,Qnのベースは制御部6の選択信号出力端子OUT
1,OUT2,…,OUTnに接続され、スイッチ素子
Q0のベースは制御部6のスイッチ信号出力端子OUT
0に接続される。
チパネルの概略を示す回路の一例を示したものである。
ただし、簡便のため発光素子3及びその駆動回路を省略
している。図7中の符号8は受光素子4を含む受光信号
処理回路を示している。ここでは、受光素子4としてフ
ォトトランジスタPTr1,PTr2,…,PTrnを
使用しており、そのエミッタは接地側に配置されたセレ
クタ(トランジスタ)Q1,Q2,…,Qnに接続され
る。また、受光素子4のコレクタは比較回路7の負入力
端子に接続されるとともに、抵抗Raを介して電源Vc
c供給用のスイッチ素子Q0に共通接続され、かつプル
ダウン抵抗Rbを介して設置されている(Ra<<R
b)。比較回路7の正帰還された正入力端子は、電源分
圧抵抗R1,R2によって一定の電位に保持されてお
り、この一定の電位と負入力端子に接続された受光素子
4の状態とを比較した結果を制御部6の入力端子(I
N)に送信する。なお、上記したセレクタQ1,Q2,
…,Qnのベースは制御部6の選択信号出力端子OUT
1,OUT2,…,OUTnに接続され、スイッチ素子
Q0のベースは制御部6のスイッチ信号出力端子OUT
0に接続される。
【0005】上記の構成において、制御部6は、図8の
ように、第1の選択信号出力端子OUT1から第nの選
択信号出力端子OUTnまで一定時間毎に一定幅のパル
ス波を与え、図9に示すように、各発光素子3(LED
1,LED2,…,LEDn)及び各受光素子4(PT
r1,PTr2,…,PTrn)を順次指定する。
ように、第1の選択信号出力端子OUT1から第nの選
択信号出力端子OUTnまで一定時間毎に一定幅のパル
ス波を与え、図9に示すように、各発光素子3(LED
1,LED2,…,LEDn)及び各受光素子4(PT
r1,PTr2,…,PTrn)を順次指定する。
【0006】上記構成の光学式タッチスイッチにおい
て、制御部6は、OUT1からOUTnまで一定時間毎
に一定幅のパルス波を順次与えていく。そして例えばO
UT1にHighレベルの信号が出力されるとLED1
が発光する。ここで、作業者がパネル操作を行わないと
き(図8中のTα)は、PTr1が受光状態となり、I
NはHighレベルとなる。以下、OUT2からOUT
nまで制御部6の出力が順次Highレベルになるのに
伴って、LED2〜LEDnが順次発光し、PTr2〜
PTrnが受光状態となり、その度にINはHighレ
ベルとなる。このようにして、それぞれの発光素子3か
らの光はすべての受光素子4に与えられ、その結果、比
較回路7からの出力(IN)はOUT0〜OUTnのH
igh信号に同期してHigh状態となり、制御部6は
その旨を検出することで、パネル操作が行われていない
ことを認識する。
て、制御部6は、OUT1からOUTnまで一定時間毎
に一定幅のパルス波を順次与えていく。そして例えばO
UT1にHighレベルの信号が出力されるとLED1
が発光する。ここで、作業者がパネル操作を行わないと
き(図8中のTα)は、PTr1が受光状態となり、I
NはHighレベルとなる。以下、OUT2からOUT
nまで制御部6の出力が順次Highレベルになるのに
伴って、LED2〜LEDnが順次発光し、PTr2〜
PTrnが受光状態となり、その度にINはHighレ
ベルとなる。このようにして、それぞれの発光素子3か
らの光はすべての受光素子4に与えられ、その結果、比
較回路7からの出力(IN)はOUT0〜OUTnのH
igh信号に同期してHigh状態となり、制御部6は
その旨を検出することで、パネル操作が行われていない
ことを認識する。
【0007】一方、作業者がパネル操作を行うと、いず
れかの発光素子3から対応する受光素子4へ向けた光が
遮られる。例えば、図9中のXの部分を指で押えたとす
る。そうすると、制御部6によって第1の受光素子(P
Tr1)と第nの受光素子(PTrn)が指定されたと
き、すなわち図8中のTβのように第1の選択信号出力
端子OUT1及び第nの選択信号出力端子OUTnから
パルス波が出力されても、受光素子(PTr1,PTr
n)への光は受光する前に指によって遮断されるので、
比較回路7からの出力(IN)はLow状態となり、制
御部6はその旨を検出することで、パネル操作が図9中
のXの部分について行われた旨を認識する。
れかの発光素子3から対応する受光素子4へ向けた光が
遮られる。例えば、図9中のXの部分を指で押えたとす
る。そうすると、制御部6によって第1の受光素子(P
Tr1)と第nの受光素子(PTrn)が指定されたと
き、すなわち図8中のTβのように第1の選択信号出力
端子OUT1及び第nの選択信号出力端子OUTnから
パルス波が出力されても、受光素子(PTr1,PTr
n)への光は受光する前に指によって遮断されるので、
比較回路7からの出力(IN)はLow状態となり、制
御部6はその旨を検出することで、パネル操作が図9中
のXの部分について行われた旨を認識する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記のような光学式タ
ッチスイッチの場合、日光等の強度の強い場所で使用し
ようとすると、受光素子4に外乱光が入射されることが
ある。このように受光素子4に外乱光が入射されると、
この外乱光と発光素子3からの光とが合成されて、予期
せぬ程度に強度の大きな光を受光してしまうことがあ
る。このように、受光素子4に絶対定格以上の予想外に
過大な電流が流れてしまうと、受光素子4への電流供給
を停止する以前に受光素子4が破壊されてしまうおそれ
があった。
ッチスイッチの場合、日光等の強度の強い場所で使用し
ようとすると、受光素子4に外乱光が入射されることが
ある。このように受光素子4に外乱光が入射されると、
この外乱光と発光素子3からの光とが合成されて、予期
せぬ程度に強度の大きな光を受光してしまうことがあ
る。このように、受光素子4に絶対定格以上の予想外に
過大な電流が流れてしまうと、受光素子4への電流供給
を停止する以前に受光素子4が破壊されてしまうおそれ
があった。
【0009】上記課題の対策として、特開平5−300
097号公報に記載のように、過大入力が加わったとき
に、回路の電源を遮断して回路保護を行うものがある
が、回路そのものの機能が停止してしまうため、過大入
力がなくなったときに過大入力がなくなった事を検知で
きず、回路保護状態から自動的に復帰することができな
いという問題があった。
097号公報に記載のように、過大入力が加わったとき
に、回路の電源を遮断して回路保護を行うものがある
が、回路そのものの機能が停止してしまうため、過大入
力がなくなったときに過大入力がなくなった事を検知で
きず、回路保護状態から自動的に復帰することができな
いという問題があった。
【0010】この発明は、上記課題に鑑み、受光素子の
破壊を未然に防止し得、かつ回路動作の復帰が容易な光
学式タッチスイッチを提供することを目的とする。
破壊を未然に防止し得、かつ回路動作の復帰が容易な光
学式タッチスイッチを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明は、座標入力面
の縦横の四辺のうち互いに隣接する二辺に発光素子群を
配列すると共に、前記発光素子群に対向する二辺に受光
素子群を配列し、前記受光素子群のうち前記座標入力面
上の光の通路が遮断された受光素子の出力に基づいて入
力座標を検出する光学式タッチスイッチにおいて、前記
受光素子群の近傍に配置されて外乱光を検出するための
外乱光検出素子と、前記外乱光検出素子で検出された外
乱光の強度が所定の基準値以上であるか否かを比較判断
する比較手段と、前記比較手段からの信号に基づいて前
記外乱光検出素子で検出された外乱光の強度が所定の基
準値以上である場合に前記受光素子群の前記受光素子へ
の電流供給を停止する電流供給停止手段とを備える。
の縦横の四辺のうち互いに隣接する二辺に発光素子群を
配列すると共に、前記発光素子群に対向する二辺に受光
素子群を配列し、前記受光素子群のうち前記座標入力面
上の光の通路が遮断された受光素子の出力に基づいて入
力座標を検出する光学式タッチスイッチにおいて、前記
受光素子群の近傍に配置されて外乱光を検出するための
外乱光検出素子と、前記外乱光検出素子で検出された外
乱光の強度が所定の基準値以上であるか否かを比較判断
する比較手段と、前記比較手段からの信号に基づいて前
記外乱光検出素子で検出された外乱光の強度が所定の基
準値以上である場合に前記受光素子群の前記受光素子へ
の電流供給を停止する電流供給停止手段とを備える。
【0012】この場合、外乱光検出素子の受光感度を受
光素子群の受光素子より小に設定し、あるいは、外乱光
検出素子の絶対定格電流を受光素子群の受光素子より大
に設定しておく。
光素子群の受光素子より小に設定し、あるいは、外乱光
検出素子の絶対定格電流を受光素子群の受光素子より大
に設定しておく。
【0013】望ましくは、外乱光検出素子を発光素子群
に対向する二辺のそれぞれに少なくとも1個ずつ配置す
る。
に対向する二辺のそれぞれに少なくとも1個ずつ配置す
る。
【0014】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施形態の光
学式タッチスイッチを示す模式図である。なお、この実
施形態では従来の技術として説明したものと同様の機能
を有する要素については同一符号を付している。この光
学式タッチスイッチは、図1の如く、四角形の操作パネ
ル1の四辺のうち、隣接する二辺にタッチ検出用発光素
子3を、残りの二辺にタッチ検出用受光素子4を複数個
配設するとともに、タッチ検出用受光素子4の近傍に少
なくとも1個以上の外乱光検出用受光素子11(外乱光
検出素子)を設けてなるものである。具体的には、操作
パネル1の四辺のうち、タッチ検出用受光素子4が配設
されている二辺の受光素子収容部材12の収容凹部12
aの夫々の中央部付近にそれぞれ1個ずつ(合計2
個)、図2のように両側に位置するタッチ検出用受光素
子4に挟まれるようにしてタッチ検出用受光素子4と同
様の向きに取り付けられる。これは、外乱光の入射方向
によってタッチパネル用受光素子に流れる電流が異なる
ため、複数のタッチ検出用受光素子4のうちのすべての
取り付け方向について外乱光を検出するためである。な
お、収容凹部12a内のタッチ検出用受光素子4及び外
乱光検出用受光素子11は、外乱光遮断用カバー13に
よって外乱光から可及的に保護される。
学式タッチスイッチを示す模式図である。なお、この実
施形態では従来の技術として説明したものと同様の機能
を有する要素については同一符号を付している。この光
学式タッチスイッチは、図1の如く、四角形の操作パネ
ル1の四辺のうち、隣接する二辺にタッチ検出用発光素
子3を、残りの二辺にタッチ検出用受光素子4を複数個
配設するとともに、タッチ検出用受光素子4の近傍に少
なくとも1個以上の外乱光検出用受光素子11(外乱光
検出素子)を設けてなるものである。具体的には、操作
パネル1の四辺のうち、タッチ検出用受光素子4が配設
されている二辺の受光素子収容部材12の収容凹部12
aの夫々の中央部付近にそれぞれ1個ずつ(合計2
個)、図2のように両側に位置するタッチ検出用受光素
子4に挟まれるようにしてタッチ検出用受光素子4と同
様の向きに取り付けられる。これは、外乱光の入射方向
によってタッチパネル用受光素子に流れる電流が異なる
ため、複数のタッチ検出用受光素子4のうちのすべての
取り付け方向について外乱光を検出するためである。な
お、収容凹部12a内のタッチ検出用受光素子4及び外
乱光検出用受光素子11は、外乱光遮断用カバー13に
よって外乱光から可及的に保護される。
【0015】ここで、タッチ検出用受光素子4として
は、従来と同様のフォトトランジスタを使用し、さら
に、外乱光検出用受光素子11としては、タッチ検出用
受光素子4よりも受光感度の低いフォトトランジスタを
使用している。
は、従来と同様のフォトトランジスタを使用し、さら
に、外乱光検出用受光素子11としては、タッチ検出用
受光素子4よりも受光感度の低いフォトトランジスタを
使用している。
【0016】図3にこの実施形態の光学式タッチスイッ
チの回路の一例を示す。ただし、簡便のため発光素子3
及びその駆動回路を省略している。また、図3では外乱
光検出用受光素子11及びその信号を処理する要素(1
4,R3〜R7)を1個ずつしか図示していないが、実
際には、上述のように外乱光検出用受光素子11を複数
個(2個)設け、これに対応する要素も複数個(2個)
設けるものである。図3中の受光信号処理回路8は、従
来の技術で説明したものと同様のものであり、制御部6
によって第1の選択信号出力端子OUT1から第nの選
択信号出力端子OUTnまで一定時間毎に一定幅のパル
ス波を与え、各受光素子4(PTr1,PTr2,…,
PTrn)を順次指定し、その受光の有無を各受光素子
4ごとに検出している。
チの回路の一例を示す。ただし、簡便のため発光素子3
及びその駆動回路を省略している。また、図3では外乱
光検出用受光素子11及びその信号を処理する要素(1
4,R3〜R7)を1個ずつしか図示していないが、実
際には、上述のように外乱光検出用受光素子11を複数
個(2個)設け、これに対応する要素も複数個(2個)
設けるものである。図3中の受光信号処理回路8は、従
来の技術で説明したものと同様のものであり、制御部6
によって第1の選択信号出力端子OUT1から第nの選
択信号出力端子OUTnまで一定時間毎に一定幅のパル
ス波を与え、各受光素子4(PTr1,PTr2,…,
PTrn)を順次指定し、その受光の有無を各受光素子
4ごとに検出している。
【0017】外乱光検出用受光素子11のエミッタは接
地されており、コレクタは、受光素子4の電流値を検出
するための比較回路7(第1の比較回路)とは別に設け
られた第2の比較回路14(比較手段)の負入力端子に
接続されるとともに、電流制限抵抗R3を介して電源V
ccに接続されている。第2の比較回路14の出力端子
は、プルアップ抵抗R6を介して電源Vccに接続さ
れ、制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に
接続されるとともに、帰還抵抗R7を介して正入力端子
に正帰還されている。また第2の比較回路14の正入力
端子は、電源分圧抵抗R4,R5によって一定の電位に
保持されており、この一定の電位と負入力端子に接続さ
れた外乱光検出用受光素子11の状態とを比較した結果
を制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に送
信する。なお、制御部6及び電源Vcc供給用のスイッ
チ素子Q0は、この明細書の特許請求の範囲に記載され
た「電流供給停止手段」を構成するものである。
地されており、コレクタは、受光素子4の電流値を検出
するための比較回路7(第1の比較回路)とは別に設け
られた第2の比較回路14(比較手段)の負入力端子に
接続されるとともに、電流制限抵抗R3を介して電源V
ccに接続されている。第2の比較回路14の出力端子
は、プルアップ抵抗R6を介して電源Vccに接続さ
れ、制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に
接続されるとともに、帰還抵抗R7を介して正入力端子
に正帰還されている。また第2の比較回路14の正入力
端子は、電源分圧抵抗R4,R5によって一定の電位に
保持されており、この一定の電位と負入力端子に接続さ
れた外乱光検出用受光素子11の状態とを比較した結果
を制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に送
信する。なお、制御部6及び電源Vcc供給用のスイッ
チ素子Q0は、この明細書の特許請求の範囲に記載され
た「電流供給停止手段」を構成するものである。
【0018】上記構成において、外乱光がなく又は外乱
光が所定の強度より小さい場合は、外乱光検出用受光素
子11を流れる電流値が所定の基準値レベルに達してい
ない旨を第2の比較回路14で判断し、その判断の結果
に従って、Low信号を制御部6の外乱光検出用入力端
子(CHECK)に送信する。この信号に基づいて、制
御部6はスイッチ素子Q0をON状態にする。その結
果、図4中の符号T1で示した部分のように、従来の技
術で説明したものと同様の動作が行われる。
光が所定の強度より小さい場合は、外乱光検出用受光素
子11を流れる電流値が所定の基準値レベルに達してい
ない旨を第2の比較回路14で判断し、その判断の結果
に従って、Low信号を制御部6の外乱光検出用入力端
子(CHECK)に送信する。この信号に基づいて、制
御部6はスイッチ素子Q0をON状態にする。その結
果、図4中の符号T1で示した部分のように、従来の技
術で説明したものと同様の動作が行われる。
【0019】すなわち、制御部6は、OUT1からOU
Tnまで一定時間毎に一定幅のパルス波を順次与えてい
く。例えばOUT1にHighレベルの信号が出力され
ているとき、図示しないLED1が発光し、PTr1が
受光状態となる。ここで、作業者がパネル操作を行わな
いとき(図4中のTα)は、このとき、PTr1にLE
D1の光がとどけば、比較回路7の出力(IN)はHi
ghレベルとなる。このように、それぞれの発光素子3
からの光はすべての受光素子4に与えられ、その結果、
比較回路7からの出力(IN)はOUT0〜OUTnの
High信号に同期してHigh状態となり、制御部6
はその旨を検出することで、パネル操作が行われていな
いことを認識する。
Tnまで一定時間毎に一定幅のパルス波を順次与えてい
く。例えばOUT1にHighレベルの信号が出力され
ているとき、図示しないLED1が発光し、PTr1が
受光状態となる。ここで、作業者がパネル操作を行わな
いとき(図4中のTα)は、このとき、PTr1にLE
D1の光がとどけば、比較回路7の出力(IN)はHi
ghレベルとなる。このように、それぞれの発光素子3
からの光はすべての受光素子4に与えられ、その結果、
比較回路7からの出力(IN)はOUT0〜OUTnの
High信号に同期してHigh状態となり、制御部6
はその旨を検出することで、パネル操作が行われていな
いことを認識する。
【0020】また、作業者がパネル操作を行ったとき
(図4中のTβ)も、従来の技術で説明したものと同様
に、それぞれの発光素子3からの光はすべての受光素子
4に与えられる前に遮断されるので、比較回路7からの
出力(IN)はLow状態を維持される。
(図4中のTβ)も、従来の技術で説明したものと同様
に、それぞれの発光素子3からの光はすべての受光素子
4に与えられる前に遮断されるので、比較回路7からの
出力(IN)はLow状態を維持される。
【0021】一方、外乱光の進入が規定の強度以上とな
る場合は、外乱光検出用受光素子11を流れる電流値が
所定の基準値レベル以上となっている旨を第2の比較回
路14で判断し、その判断結果に従って、High信号
を制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に送
信する。この信号に基づいて、制御部6はスイッチ素子
Q0をOFF状態にする。その結果、図4中の符号T2
で示した部分のように、すべての受光素子4(PTr
1,PTr2,…,PTrn)への電流供給が停止され
る。したがって、予想外の強う外乱光がタッチ検出用受
光素子4に照射されても、各受光素子4(PTr1,P
Tr2,…,PTrn)に過電流が流れるのを防止で
き、故に各タッチ検出用受光素子4の素子破壊を防止で
きる。
る場合は、外乱光検出用受光素子11を流れる電流値が
所定の基準値レベル以上となっている旨を第2の比較回
路14で判断し、その判断結果に従って、High信号
を制御部6の外乱光検出用入力端子(CHECK)に送
信する。この信号に基づいて、制御部6はスイッチ素子
Q0をOFF状態にする。その結果、図4中の符号T2
で示した部分のように、すべての受光素子4(PTr
1,PTr2,…,PTrn)への電流供給が停止され
る。したがって、予想外の強う外乱光がタッチ検出用受
光素子4に照射されても、各受光素子4(PTr1,P
Tr2,…,PTrn)に過電流が流れるのを防止で
き、故に各タッチ検出用受光素子4の素子破壊を防止で
きる。
【0022】ここで、タッチ検出用受光素子4への電流
供給を停止している間、タッチパネルの操作表示を消
し、画面に「ただいま外乱光が強いためタッチパネルは
働きません。」といったタッチパネルが使用できない
旨、及びその原因についての表示を行う。これによっ
て、作業者にパネル操作で中断されている旨を伝達し、
使用上の不快感を与えないようにする。
供給を停止している間、タッチパネルの操作表示を消
し、画面に「ただいま外乱光が強いためタッチパネルは
働きません。」といったタッチパネルが使用できない
旨、及びその原因についての表示を行う。これによっ
て、作業者にパネル操作で中断されている旨を伝達し、
使用上の不快感を与えないようにする。
【0023】次に、外乱光の強度が低下し、規定未満に
なったときは、外乱光検出用受光素子11からの信号を
受けた第2の比較回路14がその旨を速やかに判断し、
制御部6は、図4中の符号T3で示した部分のように再
びスイッチ素子Q0をON状態にする。そして、制御部
6は、電流供給を停止していた受光素子4に対応する選
択信号出力端子(図4の例ではOUT2)から順次選択
信号を送信し、後続する受光素子4(図4の例ではPT
r2,…,PTrn)についての受光処理を従来と同様
に続行し、パネル操作が行われたか否かを検知する。
なったときは、外乱光検出用受光素子11からの信号を
受けた第2の比較回路14がその旨を速やかに判断し、
制御部6は、図4中の符号T3で示した部分のように再
びスイッチ素子Q0をON状態にする。そして、制御部
6は、電流供給を停止していた受光素子4に対応する選
択信号出力端子(図4の例ではOUT2)から順次選択
信号を送信し、後続する受光素子4(図4の例ではPT
r2,…,PTrn)についての受光処理を従来と同様
に続行し、パネル操作が行われたか否かを検知する。
【0024】このように、タッチ検出用受光素子4の周
辺に外乱光検出用受光素子11を別途設け、外乱光の強
度が大きいときにはタッチ検出用受光素子4への電流供
給を停止しているので、タッチ検出用受光素子4の破壊
を未然に防止することができる。また、外乱光検出用受
光素子11として、タッチ検出用受光素子4よりも受光
感度の低いフォトトランジスタを使用しているので、予
期せぬ程度に強度の大きな外乱光を受光しても、外乱光
検出用受光素子11に絶対定格以上の過電流が流れるの
を防止でき、外乱光検出用受光素子11自体の素子破壊
を防止できる。
辺に外乱光検出用受光素子11を別途設け、外乱光の強
度が大きいときにはタッチ検出用受光素子4への電流供
給を停止しているので、タッチ検出用受光素子4の破壊
を未然に防止することができる。また、外乱光検出用受
光素子11として、タッチ検出用受光素子4よりも受光
感度の低いフォトトランジスタを使用しているので、予
期せぬ程度に強度の大きな外乱光を受光しても、外乱光
検出用受光素子11に絶対定格以上の過電流が流れるの
を防止でき、外乱光検出用受光素子11自体の素子破壊
を防止できる。
【0025】加えて、再び外乱光強度が弱くなったとき
には、外乱光検出用受光素子11からの信号を受けた第
2の比較回路14がその旨を速やかに判断することで、
すぐに通常動作状態に戻ることができる。
には、外乱光検出用受光素子11からの信号を受けた第
2の比較回路14がその旨を速やかに判断することで、
すぐに通常動作状態に戻ることができる。
【0026】なお、上記実施形態においては、外乱光検
出用受光素子11としては、タッチ検出用受光素子4よ
りも受光感度の低いものを使用していたが、受光感度が
タッチ検出用受光素子4以上であっても絶対定格電流の
大きいものを使用してもよく、あるいは、タッチ検出用
受光素子4と同等のものに光透過率の低いフィルタを設
置して最終的に受光感度を低く設定したものを使用して
もよい。
出用受光素子11としては、タッチ検出用受光素子4よ
りも受光感度の低いものを使用していたが、受光感度が
タッチ検出用受光素子4以上であっても絶対定格電流の
大きいものを使用してもよく、あるいは、タッチ検出用
受光素子4と同等のものに光透過率の低いフィルタを設
置して最終的に受光感度を低く設定したものを使用して
もよい。
【0027】また、タッチ検出用受光素子4は2個に限
定されるものではなく、それ以上設けられてもよい。
定されるものではなく、それ以上設けられてもよい。
【0028】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、予想外
の過大な強度で外乱光が進入した場合に、受光素子に絶
対定格以上の電流が流れる前に、外乱光検出素子でその
外乱光を検出し、比較手段でその旨を判断した後、電流
供給停止手段で受光素子群の受光素子への電流供給を停
止することで、各受光素子の絶対定格電流以上の過電流
による破壊といった事態を未然に防止できる。また、タ
ッチ検出用の受光素子とは別途に外乱光検出素子を設け
ているので、受光素子の電流供給を停止した後も、外乱
光検出素子で外乱光の強弱を検出することで、外乱光が
弱くなった時点で受光素子の電流供給を速やかに回復し
て後続の動作を即座に続行できる。
の過大な強度で外乱光が進入した場合に、受光素子に絶
対定格以上の電流が流れる前に、外乱光検出素子でその
外乱光を検出し、比較手段でその旨を判断した後、電流
供給停止手段で受光素子群の受光素子への電流供給を停
止することで、各受光素子の絶対定格電流以上の過電流
による破壊といった事態を未然に防止できる。また、タ
ッチ検出用の受光素子とは別途に外乱光検出素子を設け
ているので、受光素子の電流供給を停止した後も、外乱
光検出素子で外乱光の強弱を検出することで、外乱光が
弱くなった時点で受光素子の電流供給を速やかに回復し
て後続の動作を即座に続行できる。
【0029】請求項2または請求項3に記載の発明によ
れば、外乱光検出素子に絶対定格以上の過電流が流れる
のを防止でき、その素子破壊を防止できる。
れば、外乱光検出素子に絶対定格以上の過電流が流れる
のを防止でき、その素子破壊を防止できる。
【0030】ここで、外乱光の入射方向によって受光素
子に流れる電流が異なるため、請求項4に記載の発明の
ように、外乱光検出素子を発光素子群に対向する二辺の
それぞれに少なくとも1個ずつ配置することで、外乱光
検出素子の配置条件をすべての受光素子に対して同様の
条件で外乱光を検出でき、検出精度を高めることができ
る。
子に流れる電流が異なるため、請求項4に記載の発明の
ように、外乱光検出素子を発光素子群に対向する二辺の
それぞれに少なくとも1個ずつ配置することで、外乱光
検出素子の配置条件をすべての受光素子に対して同様の
条件で外乱光を検出でき、検出精度を高めることができ
る。
【図1】この発明の一実施形態の光学式タッチスイッチ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図2】この発明の一実施形態の光学式タッチスイッチ
の一部を示す斜視図である。
の一部を示す斜視図である。
【図3】この発明の一実施形態の光学式タッチスイッチ
の一部を示す回路図である。
の一部を示す回路図である。
【図4】この発明の一実施形態の光学式タッチスイッチ
の各部の電位状態を示すタイミングチャートである。
の各部の電位状態を示すタイミングチャートである。
【図5】従来の光学式タッチスイッチを示す平面図であ
る。
る。
【図6】従来の光学式タッチスイッチを示す斜視図であ
る。
る。
【図7】従来の光学式タッチスイッチの一部を示す回路
図である。
図である。
【図8】従来の光学式タッチスイッチの各部の電位状態
を示すタイミングチャートである。
を示すタイミングチャートである。
【図9】従来の光学式タッチスイッチの動作を示す模式
図である。
図である。
1 操作パネル 2 座標入力面 3 タッチ検出用発光素子 4 タッチ検出用受光素子 6 制御部 7 比較回路 8 受光信号処理回路 11 外乱光検出用受光素子 14 第2の比較回路 Q0 スイッチ素子
Claims (4)
- 【請求項1】 座標入力面の縦横の四辺のうち互いに隣
接する二辺に発光素子群を配列すると共に、前記発光素
子群に対向する二辺に受光素子群を配列し、前記受光素
子群のうち前記座標入力面上の光の通路が遮断された受
光素子の出力に基づいて入力座標を検出する光学式タッ
チスイッチにおいて、 前記受光素子群の近傍に配置されて外乱光を検出するた
めの外乱光検出素子と、 前記外乱光検出素子で検出された外乱光の強度が所定の
基準値以上であるか否かを比較判断する比較手段と、 前記比較手段からの信号に基づいて前記外乱光検出素子
で検出された外乱光の強度が所定の基準値以上である場
合に前記受光素子群の前記受光素子への電流供給を停止
する電流供給停止手段とを備えることを特徴とする光学
式タッチスイッチ。 - 【請求項2】 請求項1に記載の光学式タッチスイッチ
であって、前記外乱光検出素子の受光感度が前記受光素
子群の前記受光素子より小に設定されたことを特徴とす
る光学式タッチスイッチ。 - 【請求項3】 請求項1に記載の光学式タッチスイッチ
であって、前記外乱光検出素子の絶対定格電流が前記受
光素子群の前記受光素子より大に設定されたことを特徴
とする光学式タッチスイッチ。 - 【請求項4】 請求項1に記載の光学式タッチスイッチ
であって、前記外乱光検出素子は、前記発光素子群に対
向する二辺のそれぞれに少なくとも1個ずつ配置された
ことを特徴とする光学式タッチスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207996A JPH09231888A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 光学式タッチスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207996A JPH09231888A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 光学式タッチスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09231888A true JPH09231888A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12348881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207996A Abandoned JPH09231888A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 光学式タッチスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09231888A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678067B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 터치 센서 장치 |
| KR20200065847A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | (주)파트론 | 터치 판정 제어 장치 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP3207996A patent/JPH09231888A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678067B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 터치 센서 장치 |
| KR20200065847A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | (주)파트론 | 터치 판정 제어 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041029 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20041124 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |