JPH09232105A - サーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタ - Google Patents
サーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタInfo
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 7
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- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
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- Details Of Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】サーミスタ素子の角部が欠けにくく、電極の密
着強度が安定し、かつ抵抗値の精度及び信頼性がよいサ
ーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタを提供
することにある。 【解決手段】本発明によるサーミスタ素子は、セラミッ
クからなる板状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体が
対向する主面に形成された一対の電極とから構成されて
おり、前記電極が形成されている主面とこの主面に隣接
するサーミスタ素体の角部に丸みをつける。
着強度が安定し、かつ抵抗値の精度及び信頼性がよいサ
ーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタを提供
することにある。 【解決手段】本発明によるサーミスタ素子は、セラミッ
クからなる板状のサーミスタ素体と、サーミスタ素体が
対向する主面に形成された一対の電極とから構成されて
おり、前記電極が形成されている主面とこの主面に隣接
するサーミスタ素体の角部に丸みをつける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精度の抵抗値を
有するサーミスタ素子およびその素子を用いたサーミス
タに関するものである。
有するサーミスタ素子およびその素子を用いたサーミス
タに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のサーミスタ素子について
図４および図５にもとづいて説明する。セラミックから
なる大きな板状のサーミスタウエハ２の両主面に電極
３、４が形成され、次に、図４に示した一点鎖線Ａ、Ｂ
に沿ってダイシングされる。ダイシングによって分割さ
れた各個片がサーミスタ素子１である。従って、サーミ
スタ素子１は６面体状であってサーミスタ素体５の両主
面に一対の電極６、７を備えたものである。
図４および図５にもとづいて説明する。セラミックから
なる大きな板状のサーミスタウエハ２の両主面に電極
３、４が形成され、次に、図４に示した一点鎖線Ａ、Ｂ
に沿ってダイシングされる。ダイシングによって分割さ
れた各個片がサーミスタ素子１である。従って、サーミ
スタ素子１は６面体状であってサーミスタ素体５の両主
面に一対の電極６、７を備えたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
サーミスタ素子１において、サーミスタ素体５と電極
６、７の端部とで形成される角部８、９が直角状になる
と共に、ダイシングによって切断されたサーミスタ素子
１の側面１０、１１、１２、１３にはストレスが残留す
る。また、角部８、９近傍におけるサーミスタ素体５と
電極６、７との界面は、ダイシングによってマイクロク
ラックが内在しており、密着強度が低下している。
サーミスタ素子１において、サーミスタ素体５と電極
６、７の端部とで形成される角部８、９が直角状になる
と共に、ダイシングによって切断されたサーミスタ素子
１の側面１０、１１、１２、１３にはストレスが残留す
る。また、角部８、９近傍におけるサーミスタ素体５と
電極６、７との界面は、ダイシングによってマイクロク
ラックが内在しており、密着強度が低下している。
【０００４】このため、サーミスタ素子１の角部８、９
は、サーミスタ素子１の取扱い等において何かに接触す
ると欠けやすく、欠けることによって電極６、７の面積
が減少してサーミスタ素子１の抵抗値が大きくなるとい
う問題点を有していた。さらに、角部８、９におけるセ
ラミック素体５と電極６、７との密着強度が低下してお
り電気的接続が不安定であり、温度サイクルテスト等の
負荷試験に対する信頼性が低下するという問題点があっ
た。
は、サーミスタ素子１の取扱い等において何かに接触す
ると欠けやすく、欠けることによって電極６、７の面積
が減少してサーミスタ素子１の抵抗値が大きくなるとい
う問題点を有していた。さらに、角部８、９におけるセ
ラミック素体５と電極６、７との密着強度が低下してお
り電気的接続が不安定であり、温度サイクルテスト等の
負荷試験に対する信頼性が低下するという問題点があっ
た。
【０００５】また、サーミスタ素子１の電極にリード端
子を接続し、さらにサーミスタ素子１を絶縁被覆したサ
ーミスタにおいても上述したサーミスタ素子１における
問題点と同様の問題点があった。
子を接続し、さらにサーミスタ素子１を絶縁被覆したサ
ーミスタにおいても上述したサーミスタ素子１における
問題点と同様の問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、サーミスタ素子の角部が欠けにく
く、電極の密着強度が安定し、かつ抵抗値の精度及び信
頼性がよいサーミスタ素子およびその素子を用いたサー
ミスタを提供することにある。
くなされたもので、サーミスタ素子の角部が欠けにく
く、電極の密着強度が安定し、かつ抵抗値の精度及び信
頼性がよいサーミスタ素子およびその素子を用いたサー
ミスタを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のサーミスタ素子においては、セラミックか
らなる板状のサーミスタ素体と、該サーミスタ素体の対
向する主面に形成された一対の電極とから構成されてお
り、前記電極が形成されている主面とこの主面に隣接す
るサーミスタ素体の側面との角部に丸みをつける。
に、本発明のサーミスタ素子においては、セラミックか
らなる板状のサーミスタ素体と、該サーミスタ素体の対
向する主面に形成された一対の電極とから構成されてお
り、前記電極が形成されている主面とこの主面に隣接す
るサーミスタ素体の側面との角部に丸みをつける。
【０００８】また、本発明のサーミスタにおいては、上
述のサーミスタ素子と、サーミスタ素子の電極に導通し
て接続されたリード端子とを備え、前記サーミスタ素子
が絶縁被覆される。これにより、サーミスタ素子の切断
によるストレスを解消し、接触および衝突が起こりやす
い角部のチッピングを防止することができ、サーミスタ
素体と電極との密着強度が弱い部分を除去することがで
きる。
述のサーミスタ素子と、サーミスタ素子の電極に導通し
て接続されたリード端子とを備え、前記サーミスタ素子
が絶縁被覆される。これにより、サーミスタ素子の切断
によるストレスを解消し、接触および衝突が起こりやす
い角部のチッピングを防止することができ、サーミスタ
素体と電極との密着強度が弱い部分を除去することがで
きる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によるサーミスタ素子の一
つの実施の形態について、図１および図２にもとづいて
説明する。サーミスタ素子２１は、例えば、Ｍｎ−Ｎｉ
−Ｃｏを主原料としてＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ等が添加された
セラミック原料からなる負特性を有するセラミック素体
５に、Ａｇ等を主成分とする電極が形成された図５に示
した従来のサーミスタ素子１の角部８、９に丸みを付け
たものである。つまり、サーミスタ素子２１は、図１及
び図２に示すように、サーミスタ素体２５の対抗する両
主面に一対の電極２６、２７が形成されており、電極２
６、２７が形成されている主面と、この主面に隣接する
サーミスタ素体２５の側面とで形成される角部２８、２
９が、電極２６、２７の端部を含めて一体的に丸みが付
いている。したがって、図２に示すように、角部２８、
２９の丸みの部分において、サーミスタ素子２１は電極
２６、２７を備えていない。
つの実施の形態について、図１および図２にもとづいて
説明する。サーミスタ素子２１は、例えば、Ｍｎ−Ｎｉ
−Ｃｏを主原料としてＡｌ，Ｆｅ，Ｃｕ等が添加された
セラミック原料からなる負特性を有するセラミック素体
５に、Ａｇ等を主成分とする電極が形成された図５に示
した従来のサーミスタ素子１の角部８、９に丸みを付け
たものである。つまり、サーミスタ素子２１は、図１及
び図２に示すように、サーミスタ素体２５の対抗する両
主面に一対の電極２６、２７が形成されており、電極２
６、２７が形成されている主面と、この主面に隣接する
サーミスタ素体２５の側面とで形成される角部２８、２
９が、電極２６、２７の端部を含めて一体的に丸みが付
いている。したがって、図２に示すように、角部２８、
２９の丸みの部分において、サーミスタ素子２１は電極
２６、２７を備えていない。
【００１０】丸みを付ける方法として好ましくはバレル
研磨があり、バレル研磨によって角部２８、２９に丸み
が付けられたサーミスタ素子２１は、図１および図２上
では図示できないが、側面３０、３１、３２、３３近傍
におけるダイシングによる残留ストレスが解消されると
ともに、角部２８、２９近傍におけるサーミスタ素体２
５と電極２６、２７との界面に発生したマイクロクラッ
ク部分が除去される。さらに、バレル研磨されたサーミ
スタ素子２１は、電極２６、２７が玉石等と衝突するこ
とによってサーミスタ素体２５と電極２６、２７との密
着強度がさらに大きくなるという効果も得られる。
研磨があり、バレル研磨によって角部２８、２９に丸み
が付けられたサーミスタ素子２１は、図１および図２上
では図示できないが、側面３０、３１、３２、３３近傍
におけるダイシングによる残留ストレスが解消されると
ともに、角部２８、２９近傍におけるサーミスタ素体２
５と電極２６、２７との界面に発生したマイクロクラッ
ク部分が除去される。さらに、バレル研磨されたサーミ
スタ素子２１は、電極２６、２７が玉石等と衝突するこ
とによってサーミスタ素体２５と電極２６、２７との密
着強度がさらに大きくなるという効果も得られる。
【００１１】次に、本発明によるサーミスタの一つの実
施の形態について、図３にもとづいて詳細に説明する。
サーミスタ４１は、サーミスタ素子２１の電極２６、２
７のそれぞれに、例えば半田引き軟銅線からなるリード
端子４２、４３の一端が半田４４、４５等によって電気
的に接続され、さらに、サーミスタ素子２１をリード端
子４２、４３の接続部と共に例えば樹脂モールド４６に
よって絶縁被覆されたものである。
施の形態について、図３にもとづいて詳細に説明する。
サーミスタ４１は、サーミスタ素子２１の電極２６、２
７のそれぞれに、例えば半田引き軟銅線からなるリード
端子４２、４３の一端が半田４４、４５等によって電気
的に接続され、さらに、サーミスタ素子２１をリード端
子４２、４３の接続部と共に例えば樹脂モールド４６に
よって絶縁被覆されたものである。
【００１２】以下にサーミスタ素子２１を得た方法につ
いての実施例を述べる。図５に示した大きさが１×１×
０．５ｍｍのサーミスタ素子１を２００００個と、φ３
〜φ５ｍｍの玉石６００ｇと、水３５０ｇとをφ１１０
ｍｍ×高さ１００ｍｍのバレルに投入し、バレルを２２
０ｒｐｍで回転させて、サーミスタ素子１を研磨した。
いての実施例を述べる。図５に示した大きさが１×１×
０．５ｍｍのサーミスタ素子１を２００００個と、φ３
〜φ５ｍｍの玉石６００ｇと、水３５０ｇとをφ１１０
ｍｍ×高さ１００ｍｍのバレルに投入し、バレルを２２
０ｒｐｍで回転させて、サーミスタ素子１を研磨した。
【００１３】研磨時間を変化させて得られたサーミスタ
素子２１について、バレル研磨時間と角部２８、２９の
丸み（半径Ｒで表す）との関係を表１に示す。表１か
ら、バレル研磨時間を長くするほど角部の丸みが大きく
なることがわかる。
素子２１について、バレル研磨時間と角部２８、２９の
丸み（半径Ｒで表す）との関係を表１に示す。表１か
ら、バレル研磨時間を長くするほど角部の丸みが大きく
なることがわかる。
【００１４】
【表１】
【００１５】上述したバレル研磨で得られたサーミスタ
素子２１について、電極２６、２７の密着強度を表２に
示す。なお、比較例として従来品のサーミスタ素子１に
おける電極６、７の密着強度を表２に示す。表２から明
らかなように、本発明による電極の密着強度は、従来例
の密着強度より平均値で３４％、最小値で６７％大きく
なった。
素子２１について、電極２６、２７の密着強度を表２に
示す。なお、比較例として従来品のサーミスタ素子１に
おける電極６、７の密着強度を表２に示す。表２から明
らかなように、本発明による電極の密着強度は、従来例
の密着強度より平均値で３４％、最小値で６７％大きく
なった。
【００１６】
【表２】
【００１７】次に、チッピング発生率、抵抗値のばらつ
き（Ｒばらつき）およびサーミスタ素子２１を用いてサ
ーミスタ４１に加工する間における常温抵抗値の変化率
（加工変化率）を表３に示す。さらに、温度サイクルテ
ストによる抵抗値の変化率も表３に示す。表３中の温度
サイクルテスト（ＨＣＴと呼ぶ）の条件は−５５±３
℃、常温、１２５±２℃を空気中で各３０分保持するこ
とを１サイクルとして、１００サイクル繰り返すもので
ある。また、表３中の３ＣＶは、集合のばらつき度合い
を表す指標であって、その集合の平均値をＸ、標準偏差
をσとすると、３ＣＶ＝３σ／Ｘで定義される。
き（Ｒばらつき）およびサーミスタ素子２１を用いてサ
ーミスタ４１に加工する間における常温抵抗値の変化率
（加工変化率）を表３に示す。さらに、温度サイクルテ
ストによる抵抗値の変化率も表３に示す。表３中の温度
サイクルテスト（ＨＣＴと呼ぶ）の条件は−５５±３
℃、常温、１２５±２℃を空気中で各３０分保持するこ
とを１サイクルとして、１００サイクル繰り返すもので
ある。また、表３中の３ＣＶは、集合のばらつき度合い
を表す指標であって、その集合の平均値をＸ、標準偏差
をσとすると、３ＣＶ＝３σ／Ｘで定義される。
【００１８】
【表３】
【００１９】なお、表２、表３に示したサーミスタ素子
２１の角部２８、２９の丸みは、Ｒが０．０２ｍｍ以上
であれば同様の効果が得られる。また、バレルに投入す
る玉石の量が６００±５０ｇ、水の量が３５０±５０
ｇ、バレルの回転数が２２０±４０ｒｐｍの範囲であれ
ば、上述の実施例と同様にサーミスタ素子２１の角部２
８、２９に丸みを付けることができる。
２１の角部２８、２９の丸みは、Ｒが０．０２ｍｍ以上
であれば同様の効果が得られる。また、バレルに投入す
る玉石の量が６００±５０ｇ、水の量が３５０±５０
ｇ、バレルの回転数が２２０±４０ｒｐｍの範囲であれ
ば、上述の実施例と同様にサーミスタ素子２１の角部２
８、２９に丸みを付けることができる。
【００２０】また、サーミスタ素子２１およびサーミス
タ４１は負特性サーミスタに基づいて説明をしたが、正
特性サーミスタに適用されてもよく、また、サーミスタ
以外の電子部品であってもセラミック素子の両主面に一
対の電極が形成される電子部品であれば適用することが
できる。
タ４１は負特性サーミスタに基づいて説明をしたが、正
特性サーミスタに適用されてもよく、また、サーミスタ
以外の電子部品であってもセラミック素子の両主面に一
対の電極が形成される電子部品であれば適用することが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるサーミ
スタ素子では、電極が形成されている主面とこの主面に
隣接するサーミスタ素体の側面との角部に丸みが付けら
れているために、サーミスタ素子同志またはサーミスタ
素子以外のものに接触しても、角部が欠けるなどのチッ
ピングが発生せず、サーミスタ素子の取扱いが容易にな
るとともに、サーミスタ素子に形成された電極の面積が
減少せず、抵抗値の変化率が減少する。
スタ素子では、電極が形成されている主面とこの主面に
隣接するサーミスタ素体の側面との角部に丸みが付けら
れているために、サーミスタ素子同志またはサーミスタ
素子以外のものに接触しても、角部が欠けるなどのチッ
ピングが発生せず、サーミスタ素子の取扱いが容易にな
るとともに、サーミスタ素子に形成された電極の面積が
減少せず、抵抗値の変化率が減少する。
【００２２】さらに、サーミスタ素子の角部近傍の電極
密着強度が弱い部分が除去されているため、電極密着強
度が一定になり、負荷試験等によるサーミスタ素子の抵
抗値の変化率が減少し、サーミスタ素子の信頼性が向上
する。
密着強度が弱い部分が除去されているため、電極密着強
度が一定になり、負荷試験等によるサーミスタ素子の抵
抗値の変化率が減少し、サーミスタ素子の信頼性が向上
する。
【００２３】また、本発明によるサーミスタでは、角部
に丸みが付いたサーミスタ素子を用いるために、上述の
サーミスタ素子における効果と同様の効果を得ることが
できる。
に丸みが付いたサーミスタ素子を用いるために、上述の
サーミスタ素子における効果と同様の効果を得ることが
できる。
【図１】本発明に係るサーミスタ素子２１の一つの実施
の形態の斜視図である。
の形態の斜視図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】図１のサーミスタ素子２１を用いたサーミスタ
４１の一つの実施の形態の部分断面図である。
４１の一つの実施の形態の部分断面図である。
【図４】従来のダイシングする前の電極３、４が形成さ
れたサーミスタウエハ２の斜視図である。
れたサーミスタウエハ２の斜視図である。
【図５】従来のサーミスタ素子１の斜視図である。
２１ サーミスタ素子 ２５ サーミスタ素体 ２６，２７ 電極 ２８，２９ 角部 ４１ サーミスタ ４２，４３ リード端子
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックからなる板状のサーミスタ素
体と、該サーミスタ素体の対向する主面に形成された一
対の電極とから構成されており、前記電極が形成されて
いる主面とこの主面に隣接するサーミスタ素体の側面と
の角部に丸みをつけたことを特徴とするサーミスタ素
子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のサーミスタ素子と、該
サーミスタ素子の電極に導通して接続されたリード端子
とを備え、前記サーミスタ素子が絶縁被覆されているこ
とを特徴とするサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090496A JPH09232105A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | サーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090496A JPH09232105A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | サーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232105A true JPH09232105A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12316720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3090496A Pending JPH09232105A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | サーミスタ素子およびその素子を用いたサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232105A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011516821A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-05-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度計測のための複合素材、複合素材を備える温度センサー、複合素材の製造方法、及び、温度センサーの製造方法 |
| JP2014003053A (ja) * | 2011-08-09 | 2014-01-09 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ |
| JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP3090496A patent/JPH09232105A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011516821A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-05-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 温度計測のための複合素材、複合素材を備える温度センサー、複合素材の製造方法、及び、温度センサーの製造方法 |
| US9341521B2 (en) | 2008-02-19 | 2016-05-17 | Epcos Ag | Composite material for temperature measurement, temperature sensor comprising the composite material, and method for producing the composite material and the temperature sensor |
| JP2014003053A (ja) * | 2011-08-09 | 2014-01-09 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ |
| JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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