JPS637029B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS637029B2 JPS637029B2 JP57153687A JP15368782A JPS637029B2 JP S637029 B2 JPS637029 B2 JP S637029B2 JP 57153687 A JP57153687 A JP 57153687A JP 15368782 A JP15368782 A JP 15368782A JP S637029 B2 JPS637029 B2 JP S637029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- glass
- diode
- diameter part
- large diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
この発明はDHD型ガラス封止ダイオード電極
に係り、詳しくのべると、リード線を一定長に切
断後、小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工
または成形加工して得られるリードレスダイオー
ド電極において、小径部と大径部との釘打ち加工
または成形加工の際に該小径部と大径部が隣接す
る円周面の離散した位置にそれぞれ独立した小突
起部を２ケ所以上形成させることにより、ガラス
封止後のガラスクラツク発生を防止したダイオー
ド電極部品に関するものである。
に係り、詳しくのべると、リード線を一定長に切
断後、小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工
または成形加工して得られるリードレスダイオー
ド電極において、小径部と大径部との釘打ち加工
または成形加工の際に該小径部と大径部が隣接す
る円周面の離散した位置にそれぞれ独立した小突
起部を２ケ所以上形成させることにより、ガラス
封止後のガラスクラツク発生を防止したダイオー
ド電極部品に関するものである。
＜従来の技術＞
現在市販されているダイオード電極の殆んど
は、第１図に示すように両端部にリード線１を具
備した電極２間に半導体素子３を装着し、電極２
の周囲を封止ガラス４にて封止したDHD型ガラ
ス封止ダイオード電極であり、これをプリント基
板等に装着する際には、プリント基板の装着孔に
細長いリード線１を挿入して用いるほか、第２図
のようなリード線を有しない、プリント基板への
装着容易なDHD型ガラス封止リードレスダイオ
ードが考案され、その需要が次第に急増しつつあ
る。
は、第１図に示すように両端部にリード線１を具
備した電極２間に半導体素子３を装着し、電極２
の周囲を封止ガラス４にて封止したDHD型ガラ
ス封止ダイオード電極であり、これをプリント基
板等に装着する際には、プリント基板の装着孔に
細長いリード線１を挿入して用いるほか、第２図
のようなリード線を有しない、プリント基板への
装着容易なDHD型ガラス封止リードレスダイオ
ードが考案され、その需要が次第に急増しつつあ
る。
そしてこのようなリードレスダイオードの電極
２には銅層６を被覆した心線５（例えばFe−Ni
線）の表面に亜酸化銅（Cu2O）層７を施したジ
ユメツト線（第３図）が使用され、これを一定長
に切断し、釘打ち加工を施して第４図に示すよう
な小径部８と大径部９からなる電極２を使用して
いる。
２には銅層６を被覆した心線５（例えばFe−Ni
線）の表面に亜酸化銅（Cu2O）層７を施したジ
ユメツト線（第３図）が使用され、これを一定長
に切断し、釘打ち加工を施して第４図に示すよう
な小径部８と大径部９からなる電極２を使用して
いる。
そしてこのような形状の電極２の中央部に第２
図のようにシリコン等の半導体素子３を装着し、
電極２の周囲が封止ガラス４で封止することによ
つてダイオードを得ている。
図のようにシリコン等の半導体素子３を装着し、
電極２の周囲が封止ガラス４で封止することによ
つてダイオードを得ている。
＜発明が解決しようとする問題点＞
ところが、この方式のガラス封止では、大径部
９の側面と封止ガラスが第２図の１０で示すよう
に直接接着し、釘打ち時の変形の際に銅被覆層６
と心線５の割合が小径部８の割合より小さくなつ
たりするため、ガラスとの膨脹係数に差が発生し
たり、心線５のFe−Ni合金が強加工により膨脹
係数が小さくなつたりするため、ガラス封止後特
に半田付時にガラスクラツクが発生することが多
く、これがリーク不良につながり、ダイオードの
信頼性を大きく低下させるという欠点があつた。
９の側面と封止ガラスが第２図の１０で示すよう
に直接接着し、釘打ち時の変形の際に銅被覆層６
と心線５の割合が小径部８の割合より小さくなつ
たりするため、ガラスとの膨脹係数に差が発生し
たり、心線５のFe−Ni合金が強加工により膨脹
係数が小さくなつたりするため、ガラス封止後特
に半田付時にガラスクラツクが発生することが多
く、これがリーク不良につながり、ダイオードの
信頼性を大きく低下させるという欠点があつた。
＜問題点を解決するための手段＞
この発明は、上記のガラス封止ダイオードにお
けるガラスクラツク発生の欠点を改善すべく検討
の結果なされたものであり、大径部と小径部が隣
接する円周面の離散した位置にそれぞれ独立した
小突起部を２ケ所以上形成させることでガラス側
面が全面変形加工を受けた大径部に直接接しない
ようにして膨脹係数の差により発生するガラスク
ラツクを完全に防止したことを特徴とするもので
ある。
けるガラスクラツク発生の欠点を改善すべく検討
の結果なされたものであり、大径部と小径部が隣
接する円周面の離散した位置にそれぞれ独立した
小突起部を２ケ所以上形成させることでガラス側
面が全面変形加工を受けた大径部に直接接しない
ようにして膨脹係数の差により発生するガラスク
ラツクを完全に防止したことを特徴とするもので
ある。
＜実施例＞
以下、この発明の実施例を第５図について説明
する。
する。
釘打ち用ジユメツト線として0.6〜1.5mmφの素
線を２〜３mm長さに切断したのち、釘打ち加工に
おいて大径部と小径部が隣接する円周面の離散し
た位置にそれぞれ独立した小突起部１２を形成さ
せて第５図のような電極１３を作成した。この電
極１３を用いて第６図に示すようなリードレス
DHD型ダイオードをガラス封止４にて作成する
ならば、ガラス４は電極１３の小径部８と大径部
９が隣接する円周面に形成した２ケ所以上の小突
起部１２によつて大径部９の側面１４に直接接す
ることがなくなるため、ガラスと電極の膨脹の差
により発生するガラスクラツクを改良することが
できるのである。
線を２〜３mm長さに切断したのち、釘打ち加工に
おいて大径部と小径部が隣接する円周面の離散し
た位置にそれぞれ独立した小突起部１２を形成さ
せて第５図のような電極１３を作成した。この電
極１３を用いて第６図に示すようなリードレス
DHD型ダイオードをガラス封止４にて作成する
ならば、ガラス４は電極１３の小径部８と大径部
９が隣接する円周面に形成した２ケ所以上の小突
起部１２によつて大径部９の側面１４に直接接す
ることがなくなるため、ガラスと電極の膨脹の差
により発生するガラスクラツクを改良することが
できるのである。
この時小径部８からの長さｄは常に大径部９か
らの長さＤよりＤ＞ｄであり、かつｄ＜Ｄ／２以
下にする方がよい。ｄ＞Ｄ／２とすると、小突起
部１２の側面の影響がてでガラスクラツクを発生
する場合があり好ましくない。
らの長さＤよりＤ＞ｄであり、かつｄ＜Ｄ／２以
下にする方がよい。ｄ＞Ｄ／２とすると、小突起
部１２の側面の影響がてでガラスクラツクを発生
する場合があり好ましくない。
従来の電極の場合のクラツク発生率は0.1〜10
％もあつたのにｄ＝Ｄ／４とした電極の場合には
殆んどクラツクは認められなかつた。
％もあつたのにｄ＝Ｄ／４とした電極の場合には
殆んどクラツクは認められなかつた。
またこの発明のダイオード電極部品は、リード
レス電極として利点のあるプリント基板への装着
の容易なことは勿論である。
レス電極として利点のあるプリント基板への装着
の容易なことは勿論である。
第１図はリード線つきDHD型ダイオードの断
面図、第２図はリードレスDHD型ダイオードの
断面図、第３図はジユメツト線の断面図、第４図
は従来のリードレスダイオード電極の斜視図、第
５図はこの発明のダイオード電極の一実施例を示
す斜視図、第６図はこの発明で得た電極を用いた
リードレスDHD型ダイオードの断面図である。 ８……小径部、９……大径部、１２……小突起
部、１３……電極。
面図、第２図はリードレスDHD型ダイオードの
断面図、第３図はジユメツト線の断面図、第４図
は従来のリードレスダイオード電極の斜視図、第
５図はこの発明のダイオード電極の一実施例を示
す斜視図、第６図はこの発明で得た電極を用いた
リードレスDHD型ダイオードの断面図である。 ８……小径部、９……大径部、１２……小突起
部、１３……電極。
Claims (1)
- １ 小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工ま
たは成形加工して得られるリードレスダイオード
電極において、小径部と大径部が隣接する円周面
の離散した位置に２ケ所以上の小突起部を形成さ
せたことを特徴とするダイオード電極部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153687A JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153687A JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943558A JPS5943558A (ja) | 1984-03-10 |
| JPS637029B2 true JPS637029B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15567947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153687A Granted JPS5943558A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | ダイオ−ド電極部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943558A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6071148U (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | ローム株式会社 | ダイオ−ド |
| JPS61129849A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Toshiba Corp | リ−ドレス半導体装置 |
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| JPS6355549U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | ||
| US5248902A (en) * | 1991-08-30 | 1993-09-28 | General Instrument Corporation | Surface mounting diode |
| SG107595A1 (en) | 2002-06-18 | 2004-12-29 | Micron Technology Inc | Semiconductor devices and semiconductor device components with peripherally located, castellated contacts, assembles and packages including such semiconductor devices or packages and associated methods |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828859A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド |
| JPS5869953A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | 株式会社 平井技研 | 屋根側部装置 |
| JPS58168269A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Home Electronics Ltd | リ−ドレスダイオ−ド |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP57153687A patent/JPS5943558A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5943558A (ja) | 1984-03-10 |
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