JPH09232279A - エッチングによりウエーハを平坦化する方法およびウェーハ平坦化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ウエーハ表面の歪み、汚染あるいは定盤の摩
耗、大型複雑化、さらには研磨パッドの不安定等の問題
のない、ウエーハを平坦化する方法および装置を提供す
る。 【解決手段】 １）まず、ウエーハの厚さ分布を測定
し、２）次に、その厚さ分布データからフォトマスクを
作成し、３）このフォトマスクを通してエッチャント中
のウエーハに露光することによって、前記ウエーハをそ
の厚さ分布に応じた温度分布としてエッチングする、こ
とを特徴とするエッチングによりウエーハを平坦化する
方法。および、少なくとも、ウエーハに露光するための
光源と、前記光源から照射される光束を吸収遮蔽するフ
ォトマスクと、ウエーハをエッチャント中に保持するウ
エーハホルダーと、ウエーハをエッチングにより平坦化
処理するエッチング槽とを具備する、ことを特徴とする
ウエーハ平坦化装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエーハを平坦化
（厚さ均一化）する方法、特に半導体シリコン鏡面ウエ
ーハ製造工程において、ウエーハを平坦化する方法およ
びウエーハ平坦化装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、一般に半導体シリコン鏡面ウエー
ハの製造方法は、図６に工程の流れ図を示すように、単
結晶引上装置によって引き上げられた単結晶棒をスライ
スして薄円板状のウエーハを得るスライス工程Ａと、該
スライス工程Ａで得られたウエーハの割れや欠けを防ぐ
ためにその外周エッジ部を面取りする面取り工程Ｂと、
面取りされたウエーハをラッピングしてこれを平坦化す
るラッピング工程Ｃと、面取りおよびラッピングされた
ウエーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング工
程Ｄと、エッチングされたウエーハの片面を一次鏡面研
磨する片面一次鏡面研磨工程Ｅと、一次鏡面研磨された
ウエーハの該片面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面
研磨工程Ｆと、片面仕上鏡面研磨されたウエーハを洗浄
してこれに付着した研磨材や異物を除去する洗浄工程
Ｇ、から成る。

【０００３】上記した従来の半導体ウエーハの製造方法
は、工程数が多く、複雑で製造コストもそれだけ高いと
いう問題があった。特に、半導体ウエーハに要求される
ウエーハの平坦化は、ラッピング工程Ｃと一次鏡面研磨
工程Ｅで確保されるが、それぞれ次のような問題があ
る。

【０００４】ラッピングは、上下鋳鉄製の定盤間にウエ
ーハを所定の圧力で挟み込み、スラリーを注加しなが
ら、上下定盤を適宜の方向に所定の回転数で回転させる
ことによって行われる。一次鏡面研磨は、定盤表面に研
磨パッドを貼付し、スラリーもよりきめ細かいものを用
いる他は、基本的にはラッピングと同様である。

【０００５】このような機械的な方法によるウエーハの
平坦化では、ウエーハ表面に歪みが入る上、スラリーあ
るいは削り代による汚染、異物の付着等がある。従っ
て、このウエーハ表面の歪みを取り、清浄にするために
は、エッチング工程および洗浄工程が必要となる。ま
た、定盤も使用と共に表面が徐々に摩耗し、摩耗した時
にその修正が極めて困難で、ラッピングあるいは研磨の
継続ができなくなる。さらに、今後の半導体デバイスの
高集積化にともなう、ウエーハの大口径化、高平坦度化
に対応するためには、より大きな定盤が必要となり、益
々装置の大型化、複雑化を招く。また、研磨においては
前記の他、研磨パッドの研磨能力がパッド間のばらつき
が大きく、経時変化も激しいので、操業が不安定になり
易い。

【０００６】一方、最近このような問題点が解決され
る、いわゆるＰＡＣＥ（ＰｌａｓｍａＡｓｓｉｓｔｅｄ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれる技術
が開発されている。これはドライエッチ法の一つで、ウ
エーハの厚さ分布を測定した後、その分布に従って、ウ
エーハ上を厚さに応じてノズル走行速度を制御すること
により、プラズマでエッチング除去量を制御することに
よって、ウエーハ厚さを均一化する技術である。この方
法によれば、前記定盤を用いることなくウエーハを平坦
化（厚さ均一化）することが可能で、装置の大型化、研
磨パッドの不安定の問題は解決し得る。しかし、高エネ
ルギーのプラズマにウエーハを暴露するため、その表面
に欠陥や歪みが入り易く、処理後やはり研磨、洗浄等の
後工程が必要であるし、生産性が極めて低くコストが高
い。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決するためになされたものであり、本発明の解決しよ
うとする課題は、前記機械的な方法によるウエーハの平
坦化で問題となる、ウエーハ表面の歪み、汚染あるいは
定盤の摩耗、大型複雑化、さらには研磨パッドの不安定
等の問題のない、また前記ＰＡＣＥ法で問題となる、ウ
エーハ表面に欠陥や歪みが入るうえ、低生産性であると
いった問題のない、ウエーハを平坦化する方法およびウ
エーハ平坦化装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１に記載した発明は、ウエーハを平
坦化する方法であって、１）まず、ウエーハの厚さ分布
を測定し、２）次に、その厚さ分布データからフォトマ
スクを作製し、３）このフォトマスクを通してエッチャ
ント中のウエーハに露光することによって、前記ウエー
ハをその厚さ分布に応じた温度分布としてエッチングす
る、ことを特徴とするエッチングによりウエーハを平坦
化する方法である。

【０００９】このように本発明では、ウエーハに露光す
ることによって、ウエーハをその厚さ分布にしたがった
温度分布（すなわち厚いところは温度を高く、薄いとこ
ろは温度を低く）とし、エッチング速度の温度依存性
（温度が高いほどエッチング速度も高い）を利用して、
ウエーハの平坦化をエッチングにより行うものである。

【００１０】従って、前記機械的な方法において問題と
なるような、ウエーハの表面に歪みが入ることはない
し、酸性エッチングであるためウエーハ表面を汚染する
ことも少ない。また、原則として定盤を用いることもな
く、このものの摩耗あるいは研磨パッドの不安定性等の
問題を考慮する必要はない上、いわゆる枚葉式で行うこ
とができるため、装置の小型化、簡素化が可能である。

【００１１】また、本発明の請求項２に記載した発明
は、フォトマスクを通してエッチャント中のウエーハに
露光する場合において、光束をスリット状とし、フォト
マスク及びウエーハに対し相対的に光源をウエーハの一
端から他端にスキャンすることによって露光する、こと
を特徴とする請求項１のエッチングによりウエーハを平
坦化する方法である。

【００１２】このように１枚のウエーハ全体を一度に露
光するより、スリットを用いて光束をスリット状とし
て、ウエーハにスキャンすることにより、ウエーハ内で
の熱伝導、エッチャントの対流、光束の散乱等が原因
で、ウエーハ面内の温度分布が乱れて、エッチング速度
がばらつき、除去量が所定量よりばらつく問題を最小限
にすることができる。

【００１３】次に、本発明の請求項３に記載した発明
は、請求項１または請求項２に記載したウエーハを平坦
化する方法であって、ウエーハが半導体シリコンウエー
ハであることを特徴とする。さらに、本発明の請求項４
に記載した発明は、請求項３に記載したウエーハを平坦
化する方法であって、エッチャントとして、フッ酸＋硝
酸＋酢酸の混酸を用いることを特徴とする。

【００１４】このように本発明の方法は、今後のデバイ
スの高集積化による、さらなる大口径化、高平坦化が要
求され、その表面に歪みや汚染があってはならない、半
導体シリコンウエーハを平坦化する方法として特に有用
であり、この場合のエッチャントとしては、シリコンに
対するエッチング速度の温度依存性が強い、フッ酸＋硝
酸＋酢酸の混酸を用いるのが好適である。

【００１５】本発明の請求項５に記載した発明は、ウエ
ーハ平坦化装置であって、少なくとも、ウエーハに露光
するための光源と、前記光源から照射される光束を吸収
遮蔽するフォトマスクと、ウエーハをエッチャント中に
保持するウエーハホルダーと、ウエーハをエッチングに
より平坦化処理するエッチング槽とを具備する、ことを
特徴とする。

【００１６】このような本発明の装置であれば、光源か
ら照射される光束は、ウエーハの厚さ分布に対応したパ
ターンを有するフォトマスクを通過する際に、吸収遮蔽
され、ウエーハ上にウエーハの厚さ分布を正確に再現し
た光の強度パターンを描く。ウエーハはウエーハホール
ダーに保持され、エッチャントが満たされたエッチング
槽中に配置されている。こうして露光されたウエーハ
は、その厚さ分布と同様の温度分布となり、エッチング
速度の温度依存性のあるエッチャント中でエッチングさ
れ、ウエーハを平坦化することができる。

【００１７】本発明の請求項６に記載した発明は、請求
項５のウエーハ平坦化装置であって、ウエーハに露光す
るための光源および／またはウエーハホルダーが、処理
されるウエーハ面に対し平行に移動できる駆動機構を有
する、ことを特徴とする。このように光源またはウエー
ハホルダーあるいはこれら双方をウエーハ面に対し平行
に移動できるようにし、ウエーハにスキャンして露光を
することができるようにしている。

【００１８】本発明の請求項７に記載した発明は、請求
項５または請求項６のウエーハ平坦化装置であって、エ
ッチング槽中のエッチャントを循環させて、液温および
エッチャント濃度を制御する循環系を具備する、ことを
特徴とする。エッチャントの液温および濃度はエッチン
グ速度に影響を及ぼすため、厚さ分布にしたがった、正
確なエッチングをするために、エッチャントを循環さ
せ、その液温と濃度を制御する循環系を具備させ、ウエ
ーハのより精度の高い平坦化を図ることができるように
した。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。図１は、本発明に係る
方法の概略の流れ図を示したものである。また、図２
は、本発明にかかるウエーハ平坦化装置の概略断面図を
示したものである。

【００２０】図１にある通り、本発明の方法は、１）ウ
エーハ厚さ分布測定工程、２）フォトマスク作製工程、
３）エッチング処理工程、の３工程からなる。

【００２１】まず、１）ウエーハ厚さ分布測定工程で
は、ウエーハの厚さ分布を測定し、その分布に従った等
高線によるマップを作成する。用いるウエーハは、図６
のシリコン単結晶棒をスライスする工程Ａで得られたも
のを用いてもよいが、最終的により高度の平坦度のウエ
ーハを得るためには、厚さ分布を測定し、平坦化処理す
る面の反対側の面（背面）の影響や、ウエーハの反り等
の影響を排除するため、図６の面取り工程Ｂを経た後、
軽くラッピング（工程Ｃ）、あるいは軽くエッチング
（工程Ｄ）したものを用いるのが好ましい。

【００２２】こうして準備したウエーハの厚さ分布を測
定する。測定は、例えば２本のプローブを向かい合わせ
電場を生じさせ、その間に生じる静電容量を検出して厚
さを測定する、マイクロスキャン（ＡＤＥ社製商品名）
方式によれば良い。ウエーハ表面をスキャンしながら測
定することによって、１枚のウエーハにつき数千点の厚
さ測定を行い、その結果から厚さ分布の等高線によるマ
ップを作成することができる。測定結果からマップを作
成した一例を図３に示す。

【００２３】次に、上記で得られた厚さ分布データから
２）フォトマスク作製工程に入る。フォトマスクは、光
束を吸収遮蔽する遮蔽材（吸収体）と基板（支持体）と
からなる。遮蔽材としては、用いる光の波長にもよる
が、例えばクロム等の金属薄膜、黒鉛、色素、種々のイ
ンキ等を用いることができる。基板としては、用いる光
束に対して十分な透過率を有し、劣化等を起こさず、熱
膨張係数が小さいこと等が要求され、これには石英基板
が最も適しているが、高価であるため他のガラス材、あ
るいは種々の透明樹脂を用いることもできる。

【００２４】パターン加工は、パターンジェネレータ等
の描画装置を用い、一般的な写真蝕刻工程によれば良
い。この場合、パタニングは前記１）ウエーハ厚さ分布
測定工程で得られた等高線によるマップを基に、ウエー
ハの厚さが厚い部分は、前記遮蔽材を薄く、ウエーハの
厚さが薄い部分は、前記遮蔽材を厚く基板に付着させる
ことにより行われ、測定ウエーハと全く逆の遮蔽材の厚
さ分布をした、濃淡図を描く。

【００２５】こうして本発明で用いられるフォトマスク
が作製されるが、このようなフォトマスクを通してウエ
ーハに光を照射すれば、ウエーハにはその厚さ分布と全
く同様の分布を有する光の強度パターンが描かれること
になる。結果として、ウエーハ表面は、その厚さ分布と
同様な温度分布となる。

【００２６】フォトマスクの作製ができたなら、次に
３）ウエーハのエッチング処理工程に入る。まず、図２
にしたがって、本発明のウエーハを平坦化する方法を実
施する、ウエーハ平坦化装置について説明する。

【００２７】この装置は、少なくとも、ウエーハ３に露
光するための光源１と、前記光源１から照射される光束
を吸収遮蔽するフォトマスク２と、ウエーハ３をエッチ
ャント９中に保持するウエーハホルダー４と、ウエーハ
３をエッチングにより平坦化処理するエッチング槽５と
を具備する。

【００２８】光源１は、紫外線ランプ、キセノンラン
プ、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等を用いることがで
き、マスクに向かって光が出射する側には、光束を平行
光線とするため、図示しないレンズが設けられている。

【００２９】フォトマスク２は、光源１とウエーハ３の
間に位置するマスクホルダー１０上に配置され、光束に
暴露されることによる高温化防止のため、ファン８で冷
却されている。このマスクホルダー１０は、マスクのパ
ターンとウエーハが確実に重ね合わせができるように、
Ｘ−Ｙテーブルとなっている。

【００３０】エッチング槽５中には、エッチャント９が
満たされており、これに浸漬したウエーハホルダー４上
にウエーハ３をセットして、露光、エッチング処理でき
るようになっている。この場合、当然のことながらウエ
ーハホルダー４およびエッチング槽５は、用いるエッチ
ャント９に侵されないものである必要がある。例えば、
シリコンを処理する場合のように、エッチャントとし
て、フッ酸＋硝酸＋酢酸の混酸を用いるのであれば、テ
フロン樹脂を用いることができる。

【００３１】また、図に示した装置では、ウエーハホル
ダー４およびマスクホルダー１０が、ホルダー駆動機構
６によって、処理されるウエーハ３の面に対し平行に移
動できるようになっている。この場合、光源１とマスク
２の間、例えば光源１の出射側の先端部には、図示しな
いスリットが設置され、前記ホルダー駆動機構６によっ
て、ウエーハホルダーをウエーハ面に対し平行に移動す
れば、ウエーハにスキャンして露光をすることができる
ようになっている。

【００３２】さらに、図２に示した装置では、エッチン
グ槽５中のエッチャント９を循環させて、液温およびエ
ッチャント濃度を制御できるように冷却槽７を具備す
る。エッチャント９の循環は、ポンプ１４、１４’を用
い、エッチング槽５からエッチャントを排出管１２を介
して冷却槽７に排出し、さらに供給管１３を介して、エ
ッチング槽５に戻るようになっている。冷却槽７は、冷
却器１５で冷却され、常に一定温度に保たれている。ま
た、冷却槽７中のエッチャント濃度をモニターすること
によって、冷却槽７中のエッチャント濃度を一定に保
ち、エッチング槽５中のエッチャント濃度を一定に管
理、制御できるようになっている。

【００３３】これは、エッチャントの液温および濃度は
エッチング速度に影響を及ぼすため、ウエーハを、厚さ
分布にしたがった、正確なエッチングをするために、エ
ッチャントを循環させ、その液温と濃度を制御する循環
系を具備させ、ウエーハのより高精度の平坦化を図るこ
とができるようにしたものである。ここで、排出管１２
の先端がエッチング処理されているウエーハ表面に近接
して配置されているのは、処理直後のエッチャントは液
温が上昇していると共に、その濃度も変動しているた
め、これらの影響を排除し、正確なエッチングができる
ように、処理後のエッチャントを直ちに循環させるよう
にしたものである。

【００３４】次に、このような本発明の装置で、ウエー
ハを平坦化する工程について説明する。光源１から照射
される光束は、光源１とフォトマスク２の間に設けられ
た図示しないレンズにより平行光線となり、フォトマス
ク２に垂直に入射する。そして、ウエーハ３の厚さ分布
に対応した遮蔽材パターンを有するフォトマスク２を通
過する際に、吸収遮蔽され、ウエーハ３上にウエーハの
厚さ分布を正確に再現した光の強度パターンを描く。透
過した光のパターンとウエーハとの重ね合わせ精度は、
Ｘ−Ｙテーブルにより調整する。ウエーハ３はウエーハ
ホルダー４に保持され、エッチャント９が満たされたエ
ッチング槽５中に配置されており、露光されたウエーハ
３は、その厚さ分布と同様の温度分布となる。一般に、
エッチング速度は温度依存性があるため、ウエーハはそ
の温度分布にしたがってエッチングされ、高温の所はよ
り多く、低温の所は少量エッチオフされることになる。
ウエーハの厚さ分布測定結果から、予め計算によって平
坦化に必要な時間を求めておき、その時間だけエッチン
グする。こうしてウエーハ３を平坦化することができ
る。

【００３５】この場合、フォトマスク２を通してエッチ
ャント９中のウエーハ３に露光するには、光源１とフォ
トマスク２の間にスリットを設け、光束をスリット状と
して、フォトマスク２及びウエーハ３に対し相対的に光
源１をウエーハ３の一端から他端にスキャンすることに
よって露光するのが望ましい。これは、１枚のウエーハ
全体を一度に露光することによってもよいのであるが、
スリットを用いて光束をスリット状としてスキャンする
ことにより、ウエーハ３内での伝熱、エッチャント９の
対流、光束の散乱等による、ウエーハ面内の温度分布の
乱れにより、正確にウエーハ面内の厚さ分布を、温度分
布で再現できなくなること、あるいはエッチング速度の
ばらつき等の問題を防止するためである。

【００３６】また、本発明は、エッチング速度の温度依
存性を利用して、ウエーハを平坦化するものであるか
ら、処理ウエーハに対するエッチャントの選択、エッチ
ング速度の把握、再現性等が極めて重要になるが、半導
体シリコンウエーハを平坦化する場合であれば、エッチ
ャントとして、フッ酸＋硝酸＋酢酸の混酸を用いること
が好適である。混合比としては、例えば容積比１：２：
１とすればよい。

【００３７】これは、図４、図５に、それぞれ液温とエ
ッチング速度の関係、エッチング液使用時間とエッチン
グ速度の関係を示したように、エッチャントのエッチン
グ速度の温度依存性、濃度依存性が正確にかつ再現性よ
く把握されているからである（例えば、「エレクトロニ
クス用結晶材料の精密加工技術」、サイエンスフォーラ
ム、Ｐ４４１参照）。したがって、上記混酸エッチャン
トを用い、装置に前記循環系を設置して、エッチャント
の液温および濃度を管理、制御すれば、正確なエッチン
グができ、処理されるウエーハの平坦度を良好なものと
することができる。

【００３８】ここで、このようにシリコンウエーハをエ
ッチングにより平坦化する場合には、エッチャントの液
温は、ウエーハ上の光の当たらない部分のエッチング量
をできるだけ少なくするため、５℃前後にするのが好ま
しい。また、エッチャントの濃度は、シリコンの溶解度
および混酸成分を一定にするため、操業中新混酸を所定
量注加すればよい。

【００３９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００４０】例えば、上記実施形態においては、平坦化
するウエーハにつき半導体シリコンの場合を例に挙げて
説明したが、本発明はこれには限定されず、他の半導体
材料、化合物半導体単結晶、酸化物単結晶あるいは金属
材料等であっても、本発明のエッチングにより平坦化が
できる。そして、本発明で用いられる、光源およびフォ
トマスクの遮蔽材、基板さらにはエッチャントは、処理
するウエーハの種類、その平坦度等から適当な温度分
布、エッチング速度が得られるように適宜選択すれば良
い。

【００４１】また、上記実施形態においては、ウエーハ
の厚さ分布測定、マップの作成につき、２本のプローブ
を向かい合わせ電場を生じさせ、その間に生じる静電容
量を検出して厚さを測定する方式による例について説明
したが、本発明はこれには限定されず、ウエーハの厚さ
分布を測定しパターン化できる方法であれば、他の方法
で行ってもよい。例えば、魔鏡トポグラフによる表面の
凹凸のパターンを示すことができる、ＯＲＰ（Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｏ
ｒ）、あるいは全表面干渉計等を用いてもよい。

【００４２】また、上記実施形態においては、露光方式
につき光束をスリット状として、フォトマスクおよびウ
エーハに対し相対的に光源をウエーハの一端から他端に
スキャンする場合につき例を挙げて説明したが、本発明
はこれには限定されず、光束を一定面積のセル状とし、
ウエーハに対しステップ状に露光してもよい。また、ス
キャンあるいはステップさせる駆動機構についても、上
記実施形態ではウエーハホルダーを駆動させる例を挙げ
たが、光源あるいは光源とウエーハホルダーの双方を駆
動させてもよい。

【００４３】さらに、上記実施形態ではフォトマスクの
パターンはウエーハと等倍の大きさである場合を前提に
説明したが、本発明はこれには限定されず、パターンの
より正確性を期するため、より大きな基板にパターンを
作成し、ウエーハにはフォトマスクとウエーハの間に設
置した縮小レンズを通して露光してもよい。

【００４４】また、上記実施形態においては、エッチャ
ントの液温、および濃度の管理、制御をするために、エ
ッチャントを循環させる場合につき説明したが、本発明
はこれには限定されず、エッチング槽を恒温槽中に入れ
たり、エッチング槽中に直接冷却器を取りつける等、一
般の技術で種々の置換態様が可能である。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウエ
ーハの平坦化方法およびウエーハ平坦化装置において
は、エッチング速度の温度依存性を利用してウエーハを
平坦化するので、従来の機械的な方法によるウエーハの
平坦化で問題となる、ウエーハ表面の歪み、汚染あるい
は定盤の摩耗、大型複雑化、さらには研磨パッドの不安
定等の問題、さらには、ＰＡＣＥ法で問題となる、ウエ
ーハ表面に欠陥や歪みが入り、低生産性であるといった
問題を解決することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る方法の概略工程を示した流れ図で
ある。

【図２】本発明に係るウエーハ平坦化装置の概略を示し
た断面図である。

【図３】マイクロスキャン方式により、ウエーハの厚さ
を測定した結果から、厚さ分布の等高線によるマップを
作成した一例を示した図である。

【図４】エッチング速度の温度依存性を示した図であ
る。

【図５】エッチング速度とその使用時間との関係を示し
た図である。

【図６】従来のシリコン鏡面ウエーハ製造工程を示した
流れ図である。

【符号の説明】

１…光源、 ２…フォトマス
ク、３…ウエーハ、 ４…ウエーハ
ホルダー、５…エッチング槽、 ６…ホ
ルダー駆動機構、７…冷却槽、
８…ファン、９…エッチャント、 １０…
マスクホルダー、１２…排出管、
１３…供給管、１４、１４’…ポンプ、 １
５…冷却器。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年６月２０日

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 エッチングによりウエーハを平坦化
する方法およびウェーハ平坦化装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三坂 仁 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内 (72)発明者 小林 誠 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエーハを平坦化する方法であって、 １）まず、ウエーハの厚さ分布を測定し、 ２）次に、その厚さ分布データからフォトマスクを作製
   し、 ３）このフォトマスクを通してエッチャント中のウエー
   ハに露光することによって、前記ウエーハをその厚さ分
   布に応じた温度分布としてエッチングする、ことを特徴
   とするエッチングによりウエーハを平坦化する方法。
2. 【請求項２】 フォトマスクを通してエッチャント中の
   ウエーハに露光する場合において、光束をスリット状と
   し、フォトマスク及びウエーハに対し相対的に光源をウ
   エーハの一端から他端にスキャンすることによって露光
   する、ことを特徴とする請求項１のエッチングによりウ
   エーハを平坦化する方法。
3. 【請求項３】 ウエーハが、半導体シリコンウエーハで
   ある、ことを特徴とする請求項１または請求項２のエッ
   チングによりウエーハを平坦化する方法。
4. 【請求項４】 エッチャントとして、フッ酸＋硝酸＋酢
   酸の混酸を用いる、ことを特徴とする請求項３のエッチ
   ングによりウエーハを平坦化する方法。
5. 【請求項５】 少なくとも、ウエーハに露光するための
   光源と、前記光源から照射される光束を吸収遮蔽するフ
   ォトマスクと、ウエーハをエッチャント中に保持するウ
   エーハホルダーと、ウエーハをエッチングにより平坦化
   処理するエッチング槽とを具備する、ことを特徴とする
   ウエーハ平坦化装置。
6. 【請求項６】 ウエーハに露光するための光源および／
   またはウエーハホルダーが、処理されるウエーハ面に対
   し平行に移動できる駆動機構を有する、ことを特徴とす
   る請求項５のウエーハ平坦化装置。
7. 【請求項７】 エッチング槽中のエッチャントを循環さ
   せて、液温およびエッチャント濃度を制御する循環系を
   具備する、ことを特徴とする請求項５または請求項６の
   ウエーハ平坦化装置。