JPH09237808A - Tape with adhesive for TAB, semiconductor connection substrate, and semiconductor device - Google Patents

Tape with adhesive for TAB, semiconductor connection substrate, and semiconductor device

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JPH09237808A
JPH09237808A JP8348492A JP34849296A JPH09237808A JP H09237808 A JPH09237808 A JP H09237808A JP 8348492 A JP8348492 A JP 8348492A JP 34849296 A JP34849296 A JP 34849296A JP H09237808 A JPH09237808 A JP H09237808A
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Japan
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adhesive
tape
tab
semiconductor device
crosslinked polymer
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将次 木越
Yukitsuna Konishi
幸綱 小西
Hiroshi Hatano
拓 波多野
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】接着性に優れた新規なTAB用接着剤付きテー
プを得、これを使用した高い信頼性の半導体装置を経済
的に提供する。 【解決手段】 可撓性を有する絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成さ
れ、該接着剤層が架橋ポリマ粒子およびポリアミド樹脂
を必須成分として含むことを特徴とするTAB用接着剤
付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置。
(57) Abstract: A novel adhesive tape for TAB having excellent adhesiveness is obtained, and a highly reliable semiconductor device using the same is economically provided. SOLUTION: The laminate comprises a laminate having an adhesive layer and a protective film layer on a flexible insulating film, and the adhesive layer contains crosslinked polymer particles and a polyamide resin as essential components. Adhesive tape for TAB, semiconductor connection substrate, and semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の実
装方法であるテープオートメーテッドボンディング(T
AB)方式に用いられる接着剤付きテープ(以下、TA
B用テープと称する)および半導体接続基板並びに半導
体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape automated bonding (T)
Tape with adhesive used in the AB method (hereinafter, TA
B tape), a semiconductor connection substrate, and a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常のTAB用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した3層構造より構成されて
いる。
2. Description of the Related Art An ordinary TAB tape has a three-layer structure in which a flexible organic insulating film such as a polyimide film is laminated with a releasing polyester film or the like as an adhesive layer and a protective film layer. It is composed of

【0003】TAB用テープは、(1) スプロケットおよ
びデバイス孔の穿孔、(2) 銅箔との熱ラミネート、(3)
パターン形成(レジスト塗布、エッチング、レジスト除
去)、(4) スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を
経てTABテープ(パターンテープ)に加工される。図
1にパターンテープの形状を示す。図2に本発明の半導
体装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのイン
ナーリード部6を、半導体集積回路8の金バンプ10に
熱圧着(インナーリードボンディング)し、半導体集積
回路を搭載する。次いで、封止樹脂9による樹脂封止工
程を経て半導体装置が作成される。また、インナーリー
ド部を有さず、パターンテープの導体と半導体集積回路
の金バンプとの間をワイヤーボンディングで接続する方
法も採用されている。このような半導体装置をテープキ
ャリアパッケージ(TCP)型半導体装置と称する。T
CP型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等と
アウターリード7を介して接続(アウターリードボンデ
ィング)され、電子機器への実装がなされる。
[0003] TAB tapes include (1) perforation of sprocket and device holes, (2) thermal lamination with copper foil, (3)
It is processed into a TAB tape (pattern tape) through patterning (resist coating, etching, resist removal), and (4) tin or gold-plating processing steps. FIG. 1 shows the shape of the pattern tape. FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of the semiconductor device of the present invention. The inner lead portion 6 of the pattern tape is thermocompression-bonded (inner lead bonding) to the gold bump 10 of the semiconductor integrated circuit 8 to mount the semiconductor integrated circuit. Next, a semiconductor device is created through a resin sealing process using the sealing resin 9. Further, there is also adopted a method of connecting the conductor of the pattern tape and the gold bump of the semiconductor integrated circuit by wire bonding without having the inner lead portion. Such a semiconductor device is called a tape carrier package (TCP) type semiconductor device. T
The CP type semiconductor device is connected (outer lead bonding) to a circuit board or the like on which other components are mounted via outer leads 7 and mounted on an electronic device.

【0004】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の
接続端子(アウターリード)をパッケージ側面に配列し
ていたQFP(クワッド・フラット・パッケージ)、S
OP(スモール・アウトライン・パッケージ)に代わ
り、パッケージの裏面に接続端子を配列するBGA(ボ
ール・グリッド・アレイ)、CSP(チップ・スケール
・パッケージ)、が一部用いられるようになってきた。
BGA、CSPがQFP、SOPと構造的に最も大きく
異なる点は、前者は、インターポーザーと称される基板
を必要とするのに対し、後者は金属製のリードフレーム
を用いることにより必ずしも基板を必要としない点にあ
る。ここでいうインターポーザーは、ガラスエポキシ基
板やポリイミド等の有機絶縁性フィルムに銅箔を貼り合
わせたものが、一般的に用いられる。したがって、これ
らBGA、CSPなどの半導体装置にも本発明のTAB
用接着剤付きテープを使用することができ、得られたB
GA、CSPも本発明の半導体装置に含まれる。図3お
よび図4に本発明の半導体装置(BGA、CSP)の一
態様の断面図を示す。
On the other hand, as electronic devices have become smaller and lighter in recent years, a semiconductor package has a QFP (quad flat flat) in which conventional connection terminals (outer leads) are arranged on the side of the package for the purpose of high-density mounting. Package), S
In place of OP (small outline package), BGA (ball grid array) and CSP (chip scale package) in which connection terminals are arranged on the back surface of the package have been partially used.
The biggest structural difference between BGA and CSP from QFP and SOP is that the former requires a substrate called an interposer, while the latter requires a substrate by using a metal lead frame. There is a point that does not. As the interposer referred to here, one obtained by bonding a copper foil to an organic insulating film such as a glass epoxy substrate or polyimide is generally used. Therefore, the TAB of the present invention can be applied to these semiconductor devices such as BGA and CSP.
A tape with an adhesive for use can be used, and the obtained B
GA and CSP are also included in the semiconductor device of the present invention. 3 and 4 are cross-sectional views of one embodiment of the semiconductor device (BGA, CSP) of the present invention.

【0005】上記のパッケージ形態では、いずれも最終
的にTAB用テープの接着剤層は、パッケージ内に残留
するため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。近
年、電子機器の小型化、高密度実装化が進行するに伴
い、TAB方式における導体幅が非常に狭くなってきて
おり、高い絶縁信頼性を有する接着剤の必要性が高まっ
ている。最近は、特に絶縁信頼性の加速試験として、1
25℃〜150℃の高温で連続した電圧印加状態におけ
る絶縁の低下速度が重要視されるようになってきた。ま
た、パッケージの樹脂封止に、比較的温度と圧力の高
い、トランスファーモールドが使用される場合や、ワイ
ヤーボンディングによる接続がなされる場合は、耐熱変
形性が重要視される。
In any of the above-mentioned package forms, the adhesive layer of the TAB tape finally remains in the package, so that the insulating property, heat resistance, and adhesive property are required. In recent years, with the progress of miniaturization and high-density mounting of electronic devices, the conductor width in the TAB method has become extremely narrow, and the need for an adhesive having high insulation reliability is increasing. Recently, especially as an accelerated test of insulation reliability,
At a high temperature of 25 ° C. to 150 ° C., the rate of decrease in insulation under continuous voltage application has become important. Further, when transfer molding, which has a relatively high temperature and pressure, is used for resin encapsulation of the package, or when connection is made by wire bonding, heat deformation resistance is important.

【0006】このような観点から、従来のTAB用テー
プの接着剤層には、エポキシ樹脂および/またはフェノ
ール樹脂とポリアミド樹脂の混合組成物が主として用い
られてきた(特開平2ー143447号公報、特開平3
ー217035号公報等)。さらに、耐薬品性および絶
縁性向上の目的で、ポリアミド樹脂/エポキシ樹脂の系
に無機粒子を添加した例もある(特公平7ー11422
1号公報)。
From such a viewpoint, a mixed composition of an epoxy resin and / or a phenol resin and a polyamide resin has been mainly used for the adhesive layer of the conventional TAB tape (Japanese Patent Laid-Open No. 143447/1990). JP-A-3
-217035, etc.). Further, there is also an example in which inorganic particles are added to a polyamide resin / epoxy resin system for the purpose of improving chemical resistance and insulation (Japanese Patent Publication No. 7-11422).
No. 1).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の特性の
うち特に接着性において、従来のTAB用テープは必ず
しも十分とはいえない。たとえば、導体幅が細くなるに
従い、接着強度が低下し、ボンディング等の後工程で導
体の剥離を生じ、集積回路、回路基板と接続できないこ
とがある。これは接着強度の絶対値の不足と、導体と接
着剤の間へのメッキ液の侵入による実効の接着面積の減
少が主な原因である。
However, the conventional TAB tape is not always sufficient in terms of the adhesiveness among the above-mentioned characteristics. For example, as the conductor width becomes narrower, the adhesive strength decreases, the conductor may peel off in a later step such as bonding, and it may not be possible to connect to an integrated circuit or a circuit board. This is mainly due to a shortage of the absolute value of the adhesive strength and a decrease in the effective adhesive area due to the penetration of the plating solution between the conductor and the adhesive.

【0008】本発明はこのような問題点を解決し、接着
性に優れた新規なTAB用テープおよび半導体接続基板
並びに半導体装置を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a novel TAB tape, a semiconductor connecting board and a semiconductor device which are excellent in adhesiveness.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するためにTAB用テープの接着剤成分の化学
構造と金属に対する接着性との関係を鋭意検討した結
果、架橋ポリマ粒子とポリアミド樹脂とを巧みに組み合
わせることにより、接着性および絶縁性に優れたTAB
用テープが得られることを見い出し、本発明に至ったも
のである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have earnestly studied the relationship between the chemical structure of the adhesive component of the TAB tape and the adhesiveness to metal, and as a result, crosslinked polymer particles have been obtained. TAB with excellent adhesiveness and insulation due to the skillful combination of polyamide and polyamide resin
It was found that a tape for use was obtained and the present invention was achieved.

【0010】すなわち、本発明は可撓性を有する有機絶
縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有
する積層体より構成され、該接着剤層が、ポリアミド樹
脂および少なくとも1種以上の架橋ポリマ粒子を必須成
分として含むことを特徴とするTAB用接着剤付きテー
プおよび半導体接続基板並びに半導体装置である。
That is, the present invention comprises a laminate having an adhesive layer and a protective film layer on a flexible organic insulating film, the adhesive layer comprising a polyamide resin and at least one or more cross-linking groups. A tape with an adhesive for TAB, a semiconductor connection substrate, and a semiconductor device, which contain polymer particles as an essential component.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明で使用される架橋ポリマ粒
子は、溶剤に溶解せず、最終的なTABテープの接着剤
中に含有された状態で粒子形状を保持していることが必
要である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The crosslinked polymer particles used in the present invention are required to be insoluble in a solvent and maintain the particle shape in a state of being contained in the adhesive of the final TAB tape. is there.

【0012】従来、接着剤の改質にポリマーをブレンド
する方法が用いられてきたが、この場合、添加量や添加
方法により相分離構造が変化し、目的とする特性を得る
のが必ずしも容易ではない。これに対し、架橋ポリマ粒
子はすでにその大きさが確定しているため、他の接着剤
成分の種類、添加量、添加方法による影響が少ないた
め、物性の制御が容易で、安定した品質の製品を得るこ
とができる。
Conventionally, a method of blending a polymer has been used for modifying an adhesive. In this case, however, the phase separation structure changes depending on the addition amount and the addition method, and it is not always easy to obtain the desired characteristics. Absent. On the other hand, the size of cross-linked polymer particles has already been determined, so there is little effect from the type, amount, and method of addition of other adhesive components, making it easy to control physical properties and ensuring stable product quality. Can be obtained.

【0013】架橋ポリマ粒子の架橋方法は、特に制限さ
れず、共有結合やイオン結合等のいずれでもよい。たと
えば、乳化重合により微粒子状に分散した、主鎖または
側鎖に二重結合を有するポリマを、さらに過酸化物で架
橋する方法などが例示される。
The method for crosslinking the crosslinked polymer particles is not particularly limited, and any of covalent bond and ionic bond may be used. For example, a method in which a polymer having a double bond in a main chain or a side chain, which is dispersed in a fine particle state by emulsion polymerization, is further crosslinked with a peroxide is exemplified.

【0014】架橋ポリマ粒子の平均粒子直径は、0.0
2〜20μm、好ましくは0.1〜5μmである。0.
02μm以下では添加効果が得られず、接着力が向上し
ない。また、20μm以上では他の接着剤成分との分離
が著しく、絶縁性等の他の特性を損うばかりでなく、表
面の凹凸が著しく、銅箔との密着性が低下するので好ま
しくない。
The average particle diameter of the crosslinked polymer particles is 0.0
It is 2 to 20 μm, preferably 0.1 to 5 μm. 0.
If it is less than 02 μm, the effect of addition cannot be obtained and the adhesive force cannot be improved. On the other hand, when it is 20 μm or more, separation from other adhesive components is remarkable, not only other properties such as insulating property are impaired, but also surface irregularities are remarkable and the adhesion with the copper foil is deteriorated, which is not preferable.

【0015】架橋ポリマ粒子を構成するポリマは特に制
限されないが、実質的に架橋ポリマ粒子の主体となるポ
リマはガラス転移温度50℃以下のものが好ましく、1
0℃以下であれば一層好ましい。ガラス転移温度が50
℃以下であれば、架橋ポリマ粒子が可撓性を有し、接着
剤全体の弾性率が低下するために、接着性をより向上さ
せることができる。
The polymer constituting the crosslinked polymer particles is not particularly limited, but the polymer which is the main constituent of the crosslinked polymer particles is preferably one having a glass transition temperature of 50 ° C. or lower.
More preferably, it is 0 ° C. or lower. Glass transition temperature is 50
When the temperature is not higher than 0 ° C, the crosslinked polymer particles have flexibility and the elastic modulus of the entire adhesive decreases, so that the adhesiveness can be further improved.

【0016】このようなポリマとしては、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン、アクリロニトリル−ブタジエン共
重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重
合体、エチレン−スチレン−ブタジエン共重合体、ポリ
ジメチルシロキサン、ポリブチルアクリレート、ポリビ
ニルブチラール、等を主鎖とし、二重結合、カルボキシ
ル基、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、水酸基、
イソシアネート基、等の架橋のための官能基を導入した
ものが例示される。
Examples of such polymers include polybutadiene, polyisoprene, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, ethylene-styrene-butadiene copolymer, polydimethylsiloxane, polybutyl acrylate, polyvinyl butyral. , Etc. as the main chain, and double bond, carboxyl group, amino group, epoxy group, mercapto group, hydroxyl group,
Examples include those into which a functional group for crosslinking such as an isocyanate group has been introduced.

【0017】この場合、ガラス転移温度50℃以下のポ
リマを用いた架橋ポリマ粒子に他の素材をコーティング
したもの、あるいは、架橋ポリマ粒子よりさらに小さ
い、微粒子状の他の素材を含有する複合架橋ポリマ粒子
も本発明の架橋ポリマ粒子に含まれる。具体的には、ポ
リブチルアクリレート粒子を核としてポリメチルメタク
リレートを外層に有するコア−シェル粒子、F351
(日本ゼオン(株)製)等がこれに相当する。
In this case, a crosslinked polymer particle using a polymer having a glass transition temperature of 50 ° C. or lower is coated with another material, or a composite crosslinked polymer containing another material in the form of fine particles smaller than the crosslinked polymer particle. Particles are also included in the crosslinked polymer particles of the present invention. Specifically, core-shell particles having polybutyl acrylate particles as a core and polymethyl methacrylate as an outer layer, F351.
(Nippon Zeon Co., Ltd.) and the like correspond to this.

【0018】また、架橋ポリマ粒子は、二重結合、カル
ボキシル基、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、水
酸基、イソシアネート基、等の官能基を有してもよい。
特にエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂と反応しうる
官能基があると、より接着剤の強度が向上するので好ま
しい。このような官能基を導入する方法は特に限定され
ず、上記のポリマを架橋するための官能基を過剰に導入
する方法、あるいは架橋ポリマ形成後にグラフト反応に
より導入する方法等が例示される。具体的には、アクリ
ロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体粒子、X
ER−91(日本合成ゴム(株)製)等がこれに相当す
る。
The crosslinked polymer particles may have functional groups such as double bond, carboxyl group, amino group, epoxy group, mercapto group, hydroxyl group, isocyanate group and the like.
In particular, the presence of a functional group capable of reacting with the epoxy resin or the phenol resin is preferable because the strength of the adhesive is further improved. The method of introducing such a functional group is not particularly limited, and examples thereof include a method of excessively introducing the functional group for crosslinking the above-mentioned polymer, a method of introducing by a graft reaction after the formation of the crosslinked polymer, and the like. Specifically, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer particles, X
ER-91 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) and the like correspond to this.

【0019】本発明で使用されるポリアミド樹脂は、公
知の種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性
を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素
数が36であるジカルボン酸(いわゆるダイマー酸)を
含むものが好適である。ダイマー酸を必須構成成分とし
て含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジア
ミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以
外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカル
ボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンは
エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジ
ン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点か
ら2種以上の混合でもよい。
As the polyamide resin used in the present invention, various known ones can be used. In particular, those containing a dicarboxylic acid having 36 carbon atoms (so-called dimer acid), which has flexibility in the adhesive layer and has excellent insulating property due to low water absorption, are preferable. Polyamide resin containing dimer acid as an essential constituent component is obtained by polycondensation of dimer acid and diamine by a conventional method, but at this time, adipic acid other than dimer acid, azelaic acid, dicarboxylic acid such as sebacic acid is a copolymerization component. You may contain as. As the diamine, known ones such as ethylenediamine, hexamethylenediamine and piperazine can be used, and two or more kinds thereof may be mixed in view of hygroscopicity and solubility.

【0020】上記の架橋ポリマ粒子とポリアミド樹脂と
の配合割合は、通常ポリアミド樹脂100重量部に対し
て架橋ポリマ粒子5〜50重量部、好ましくは10〜3
0重量部である。架橋ポリマ粒子が5重量部未満では接
着性の向上効果が十分でない。また、50重量部を越え
ると絶縁性が低下するので好ましくない。
The mixing ratio of the crosslinked polymer particles and the polyamide resin is usually 5 to 50 parts by weight, preferably 10 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide resin.
0 parts by weight. If the amount of the crosslinked polymer particles is less than 5 parts by weight, the effect of improving the adhesiveness is not sufficient. Further, if it exceeds 50 parts by weight, the insulating property is deteriorated, which is not preferable.

【0021】本発明において、接着剤層に公知のエポキ
シ樹脂を添加することにより、一層接着性および絶縁性
を向上させることができる。エポキシ樹脂は1分子内に
2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限さ
れないが、ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビス
フェノールS、ジヒドロキシナフタレン等のジグリシジ
ルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキ
シ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロ
ールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エ
ポキシ化メタキシレンジアミン等が挙げられる。エポキ
シ樹脂の添加量はポリアミド樹脂100重量部に対して
5〜100重量部、好ましくは20〜70重量部であ
る。
In the present invention, by adding a known epoxy resin to the adhesive layer, the adhesiveness and insulating property can be further improved. The epoxy resin is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in one molecule, but diglycidyl ethers such as bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, and dihydroxynaphthalene, epoxidized phenol novolac, epoxidized cresol novolac. , Epoxidized trisphenylol methane, epoxidized tetraphenylol ethane, epoxidized meta-xylene diamine and the like. The addition amount of the epoxy resin is 5 to 100 parts by weight, preferably 20 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyamide resin.

【0022】さらに、接着剤層にノボラック型フェノー
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノー
ル樹脂を含有してもよく、絶縁性および熱変形等の耐熱
性の向上に効果がある。フェノール樹脂の添加量はポリ
アミド樹脂100重量部に対して5〜100重量部であ
ると好ましい。
Further, the adhesive layer may contain a known phenol resin such as a novolac type phenol resin or a resol type phenol resin, which is effective in improving the insulating property and heat resistance such as thermal deformation. The added amount of the phenol resin is preferably 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide resin.

【0023】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、2−アルキル−4−メチルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン等公知のものが使用できる。添加量はポリアミド樹脂
100重量部に対して0.1〜10重量部であると好ま
しい。
Addition of a curing agent and a curing accelerator for epoxy resin and phenol resin to the adhesive layer of the present invention is not limited at all. For example, aromatic polyamines, amine complexes of boron trifluoride such as boron trifluoride triethylamine complex, imidazole derivatives such as 2-alkyl-4-methylimidazole and 2-phenyl-4-alkylimidazole, phthalic anhydride, trianhydride Organic acids such as melitic acid, dicyandiamide, and known compounds such as triphenylphosphine can be used. The addition amount is preferably 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide resin.

【0024】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
In addition to the above components, addition of organic or inorganic components such as antioxidants and ion scavengers is not limited to the extent that the characteristics of the adhesive are not impaired.

【0025】本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィル
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ25〜125μmのフ
ィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積
層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コ
ロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーテ
ィング処理等の表面処理を施すことができる。
The flexible insulating film referred to in the present invention is plastic such as polyimide, polyester, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyether ether ketone, aramid, polycarbonate, polyarylate, or epoxy resin impregnated glass cloth. A film having a thickness of 25 to 125 μm, which is made of the above composite material, and a plurality of films selected from these may be laminated and used. If necessary, a surface treatment such as hydrolysis, corona discharge, low-temperature plasma, physical surface roughening, and easy adhesion coating treatment can be performed.

【0026】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
熱ラミネートする前に接着剤面からTAB用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙等が挙げら
れる。
The protective film layer referred to in the present invention is not particularly limited as long as it can be peeled from the adhesive surface without impairing the form of the TAB tape before heat-laminating the copper foil,
Examples thereof include polyester films and polyolefin films coated with silicone or a fluorine compound, and papers laminated with these.

【0027】次にTAB用接着剤付きテープの製造方法
について説明する。
Next, a method of manufacturing the adhesive tape for TAB will be described.

【0028】可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は10〜25μmとなるように塗布するこ
とが好ましい。乾燥条件は、通常100〜200℃、1
〜5分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、
キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、
エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好
適である。通常、このようにして得られたフィルムに保
護フィルムをラミネートし、最後に35〜158mm程
度の幅にスリットする。
A coating material prepared by dissolving the above adhesive composition in a solvent is applied to a flexible insulating film and dried. It is preferable to apply the adhesive layer so that the film thickness is 10 to 25 μm. Drying conditions are usually 100 to 200 ° C. and 1
~ 5 minutes. The solvent is not particularly limited, but toluene,
Aromatic systems such as xylene and chlorobenzene, and methanol,
Alcohol-based mixtures such as ethanol and propanol are suitable. Usually, a protective film is laminated on the film thus obtained, and finally slit into a width of about 35 to 158 mm.

【0029】[0029]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited to these examples. The evaluation method will be described before the description of the examples.

【0030】評価方法 (1)評価用サンプル作成方法 TAB用接着剤付きテープサンプルに18μmの電解銅
箔を、140℃、0.1MPaの条件でラミネートし
た。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、100
℃、5時間、150℃、5時間の順次加熱処理を行な
い、銅箔付きTAB用テープを作成した。得られた銅箔
付きTAB用テープの銅箔面に常法によりフォトレジス
ト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、接着強
度および絶縁性の評価用サンプルをそれぞれ作成した。
Evaluation Method (1) Evaluation Sample Preparation Method An 18 μm electrolytic copper foil was laminated on a tape sample with an adhesive for TAB under the conditions of 140 ° C. and 0.1 MPa. Then, in an air oven at 80 ° C for 3 hours, 100
C., 5 hours, 150.degree. C., 5 hours in order to prepare a TAB tape with copper foil. Photoresist film formation, etching, and resist peeling were performed on the copper foil surface of the obtained TAB tape with copper foil by a conventional method, and samples for evaluation of adhesive strength and insulating property were prepared.

【0031】(2)スズメッキ処理 上記(1)の方法で得られたサンプルを、ホウフッ酸系
の無電解スズメッキ液に70℃、5分浸漬処理し、0.
5μm厚のメッキを施した。
(2) Tin Plating Treatment The sample obtained by the above method (1) was immersed in a borofluoric acid-based electroless tin plating solution at 70 ° C. for 5 minutes, and then subjected to a 0.
5 μm thick plating was applied.

【0032】(3)剥離強度 上記(1)および(2)の方法で得た導体幅50μmの
評価用サンプルを用いて、導体を90°方向に50mm
/min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
(3) Peel strength Using the evaluation sample having a conductor width of 50 μm obtained by the methods (1) and (2) above, the conductor was 50 mm in the 90 ° direction.
/ Min, and the peeling force at that time was measured.

【0033】(4)絶縁信頼性 上記(1)および(2)の方法で得た導体幅200μ
m、導体間距離50μmのくし型形状の評価用サンプル
を用いて、不飽和プレッシャークッカー中で130℃,
85%RH,100Vの電圧を連続的に印加した状態に
おいて、抵抗値が初期値の1/10以下となる時間を測
定した。
(4) Insulation reliability Conductor width of 200 μ obtained by the above methods (1) and (2)
m, the distance between the conductors was 50 μm, and a comb-shaped evaluation sample was used at 130 ° C. in an unsaturated pressure cooker.
In the state where the voltage of 85% RH and 100 V was continuously applied, the time when the resistance value was 1/10 or less of the initial value was measured.

【0034】参考例(ポリアミド樹脂の合成) 酸/アミン比を1.1〜0.9の範囲で表1に示すよう
に変えて、酸/アミン反応物、消泡剤および1%以下の
リン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体を、
140℃,1時間撹拌加熱後、205℃まで昇温し、約
1.5時間撹拌した。約2kPaの真空下で、0.5時
間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添
加し、ポリアミド樹脂を取り出した。
Reference Example (Synthesis of Polyamide Resin) The acid / amine ratio was changed in the range of 1.1 to 0.9 as shown in Table 1, and the acid / amine reaction product, antifoaming agent and phosphorus of 1% or less were used. An acid catalyst was added to prepare a reactant. This reactant
After stirring and heating at 140 ° C. for 1 hour, the temperature was raised to 205 ° C. and the mixture was stirred for about 1.5 hours. Under a vacuum of about 2 kPa, the temperature was lowered for 0.5 hour. Finally, an antioxidant was added and the polyamide resin was taken out.

【0035】実施例1 参考例で得た表1に示したポリアミド樹脂A(アミン価
8.5)、エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)
製、“エピコート”828、エポキシ当量186)、フ
ェノール樹脂(昭和高分子(株)製、CKM128
2)、表2に示した架橋ポリマAをそれぞれ表3の組成
比となるように配合し、濃度20重量%となるようにメ
タノール/モノクロルベンゼン混合溶媒に30℃で撹
拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバー
コータで、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレート
フィルム(東レ(株)製”ルミラー”)に約18μmの
乾燥厚さとなるように塗布し,100℃、1分および1
60℃で5分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成し
た。さらに、得られた接着剤シートを厚さ75μmのポ
リイミドフィルム(宇部興産(株)製“ユーピレック
ス”75S)に120℃、0.1MPaの条件でラミネ
ートしてTAB用接着剤付きテープを作成した。特性を
表3に示す。
Example 1 Polyamide resin A (amine value: 8.5) shown in Table 1 obtained in Reference Example, epoxy resin (Yukaka Shell Epoxy Co., Ltd.)
"Epicoat" 828, epoxy equivalent 186), phenol resin (Showa Polymer Co., Ltd., CKM128)
2) and the cross-linked polymer A shown in Table 2 were blended so as to have the composition ratios shown in Table 3, respectively, and the mixture was stirred and mixed in a mixed solvent of methanol / monochlorobenzene at 30 ° C. so that the concentration was 20% by weight, and an adhesive was prepared. A solution was made. This adhesive was applied with a bar coater to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm (“Lumirror” manufactured by Toray Industries, Inc.) so as to have a dry thickness of about 18 μm.
An adhesive sheet was prepared by drying at 60 ° C for 5 minutes. Further, the obtained adhesive sheet was laminated on a 75 μm thick polyimide film (“UPILEX” 75S manufactured by Ube Industries, Ltd.) under the conditions of 120 ° C. and 0.1 MPa to prepare an adhesive tape for TAB. Table 3 shows the characteristics.

【0036】上記の手順で得られたTAB用接着剤付き
テープを用いて、前述の評価方法(1)および(2)と
同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図1に示すパターンテープを得た。
Using the tape with adhesive for TAB obtained by the above procedure, a conductor circuit for connecting a semiconductor integrated circuit was formed by the same method as the above-described evaluation methods (1) and (2), and FIG. The pattern tape shown in was obtained.

【0037】さらにこのパターンテープを用いて、45
0℃,1分の条件でインナーリードボンディングを行な
い、半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキ
シ系液状封止剤(北陸塗料(株)製“チップコート”1
320−617)で樹脂封止を行ない、半導体装置を得
た。図2、3および4は得られた半導体装置の断面を示
したものである。
Further, using this pattern tape, 45
Inner lead bonding was performed at 0 ° C. for 1 minute to connect a semiconductor integrated circuit. After that, an epoxy-based liquid sealant ("Hitariku Paint Co., Ltd." Chipcoat "1
320-617), resin sealing was performed to obtain a semiconductor device. 2, 3 and 4 are sectional views of the obtained semiconductor device.

【0038】実施例2〜4および比較例1 実施例1と同様の方法で、それぞれ表1〜3に示した原
料および組成比で調合した接着剤を用いてTAB用接着
剤付きテープを得た。特性を表3に示す。
Examples 2 to 4 and Comparative Example 1 In the same manner as in Example 1, tapes with an adhesive for TAB were obtained by using the adhesives prepared with the raw materials and the composition ratios shown in Tables 1 to 3, respectively. . Table 3 shows the characteristics.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】[0040]

【表2】 [Table 2]

【0041】[0041]

【表3】 [Table 3]

【0042】表3の実施例および比較例から本発明によ
り得られるTAB用接着剤付きテープは、接着性および
絶縁信頼性に優れることがわかる。
From the examples and comparative examples in Table 3, it is understood that the adhesive tape for TAB obtained by the present invention is excellent in adhesiveness and insulation reliability.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明は接着性に優れた新規なTAB用
接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装置を工業
的に提供するものであり、本発明のTAB用接着剤付き
テープによって高密度実装用の半導体装置の信頼性およ
び経済性を向上させることができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention industrially provides a novel adhesive tape for TAB having excellent adhesiveness and a semiconductor device using the same. The tape with adhesive for TAB of the present invention provides high density. The reliability and cost efficiency of the semiconductor device for mounting can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のTAB用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of a pattern tape before mounting a semiconductor integrated circuit, obtained by processing a tape with an adhesive for TAB of the present invention.

【図2】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor device using the tape with an adhesive for TAB of the present invention.

【図3】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置(BGA)の一態様の断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor device (BGA) using a tape with an adhesive for TAB of the present invention.

【図4】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置(CSP)の一態様の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor device (CSP) using a tape with an adhesive for TAB of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,12,20 可撓性を有する絶縁性フィルム 2,13,21 接着剤 3 スプロケット孔 4 デバイス孔 5,14,22 半導体集積回路接続用の導体 6 インナーリード部 7 アウターリード部 8,15,23 半導体集積回路 9,16,24 封止樹脂 10,17,25 金バンプ 11 保護膜 18,26 ハンダボール 19 補強板 27 ソルダーレジスト 1,12,20 Insulating film having flexibility 2,13,21 Adhesive 3 Sprocket hole 4 Device hole 5,14,22 Conductor for connecting semiconductor integrated circuit 6 Inner lead portion 7 Outer lead portion 8,15, Reference Signs List 23 semiconductor integrated circuit 9, 16, 24 sealing resin 10, 17, 25 gold bump 11 protective film 18, 26 solder ball 19 reinforcing plate 27 solder resist

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 7/02 JKE C09J 7/02 JKE JLE JLE ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location C09J 7/02 JKE C09J 7/02 JKE JLE JLE

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成
され、該接着剤層が、ポリアミド樹脂および少なくとも
1種以上の架橋ポリマ粒子を必須成分として含むことを
特徴とするTAB用接着剤付きテープ。
1. An organic insulating film having flexibility,
An adhesive tape for TAB comprising a laminate having an adhesive layer and a protective film layer, wherein the adhesive layer contains a polyamide resin and at least one or more crosslinked polymer particles as essential components.
【請求項2】架橋ポリマ粒子の平均粒子直径が、0.0
2〜20μmであることを特徴とする請求項1記載のT
AB用接着剤付きテープ。
2. The crosslinked polymer particles having an average particle diameter of 0.0
2 to 20 μm, T according to claim 1 characterized in that
Tape with adhesive for AB.
【請求項3】架橋ポリマ粒子が、ガラス転移温度が50
℃以下のポリマから構成されることを特徴とする請求項
1記載のTAB用接着剤付きテープ。
3. The crosslinked polymer particles have a glass transition temperature of 50.
The adhesive tape for TAB according to claim 1, which is composed of a polymer having a temperature of ℃ or less.
【請求項4】架橋ポリマ粒子の含有量が、ポリアミド樹
脂100重量部に対し、5〜50重量部であることを特
徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテープ。
4. The adhesive tape for TAB according to claim 1, wherein the content of the crosslinked polymer particles is 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide resin.
【請求項5】接着剤層がエポキシ樹脂を含有することを
特徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテープ。
5. The adhesive tape for TAB according to claim 1, wherein the adhesive layer contains an epoxy resin.
【請求項6】ポリアミド樹脂が炭素数36のジカルボン
酸を必須構成成分として含むことを特徴とする請求項1
記載のTAB用接着剤付きテープ。
6. The polyamide resin contains a dicarboxylic acid having 36 carbon atoms as an essential component.
The adhesive tape for TAB according to the above.
【請求項7】接着剤層がフェノール樹脂を含有すること
を特徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテー
プ。
7. The adhesive tape for TAB according to claim 1, wherein the adhesive layer contains a phenol resin.
【請求項8】請求項1〜7記載のTAB用接着剤付きテ
ープを用いた半導体接続基板。
8. A semiconductor connection board using the tape with an adhesive for TAB according to claim 1.
【請求項9】請求項1〜7記載のTAB用接着剤付きテ
ープを用いた半導体装置。
9. A semiconductor device using the tape with an adhesive for TAB according to claim 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011042730A (en) * 2009-08-20 2011-03-03 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive composition, film-shaped adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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