JPH09246712A - リフロー半田付け方法とその装置 - Google Patents

リフロー半田付け方法とその装置

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JPH09246712A
JPH09246712A JP8047099A JP4709996A JPH09246712A JP H09246712 A JPH09246712 A JP H09246712A JP 8047099 A JP8047099 A JP 8047099A JP 4709996 A JP4709996 A JP 4709996A JP H09246712 A JPH09246712 A JP H09246712A
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JP
Japan
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circuit board
reflow
preheating
unit
reflow soldering
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JP8047099A
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English (en)
Inventor
Masato Hirano
正人 平野
Masahiro Taniguchi
昌弘 谷口
Koichi Nagai
耕一 永井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating processes for reflow soldering

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のリフロー半田付け装置では処理できな
かった寸法や熱容量が大幅に異なる部品、耐熱性が劣る
部品等が載置された回路基板を安定してリフロー半田付
けできるリフロー半田付け装置の提供。 【解決手段】 クリーム半田を印刷しその上に部品を載
置した回路基板８を予備加熱する予備加熱部１と、前記
回路基板８のクリーム半田を融点以上に加熱してリフロ
ー半田付けを行うリフロー部２と、前記回路基板８を冷
却する冷却部３と、前記回路基板８を載置して前記予備
加熱部１の入口から前記冷却部３の出口まで搬送する搬
送手段とを備えたリフロー半田付け装置Ａにおいて、前
記搬送手段を第１の搬送部７ａと第２の搬送部７ｂに２
分し、予備加熱部１内とリフロー部２内とに、前記回路
基板８の所定位置を選択的に部分加熱する部分加熱手段
６ａ、６ｂを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上にチッ
プ部品等の表面実装部品を半田付けするリフロー半田付
け方法とその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リフロー半田付け方法とその装置の従来
例を図４に基づいて説明する。
【０００３】図４において、従来例のリフロー半田付け
装置Ｂでは、回路基板２４の搬入側から搬出側に向かっ
て、予備加熱ゾーン２５、リフローゾーン２６、冷却ゾ
ーン２７が配置されている。そして、前記装置Ｂの入口
から出口にわたって配置された一つのコンベア２３が、
リフローすべき回路基板２４を載置して前記入口から出
口まで搬送する。前記の予備加熱ゾーン２５とリフロー
ゾーン２６とは、夫々が加熱ヒータ２１と、熱風噴出手
段２２ａから吹き出される熱風２２とによって全体的に
加熱され、前記の冷却ゾーン２７は冷却フアン２８で冷
却される。
【０００４】従来例のリフロー半田付け方法では、図４
において、コンベア２３にリフローすべき回路基板２４
を載置して矢印の方向に一定速度で搬送し、予備加熱ゾ
ーン２５において加熱ヒータ２１と熱風噴出手段２２ａ
から吹き出される熱風２２とにより全体的に加熱して所
定予備加熱温度に予備加熱し、リフローゾーン２６にお
いて加熱ヒータ２１と熱風噴出手段２２ａから吹き出さ
れる熱風２２とにより全体的に加熱して所定リフロー温
度に加熱して半田を溶融し、冷却ゾーン２７において冷
却フアン２８により所定冷却温度に冷却して前記の溶融
した半田を冷却硬化してリフロー半田付けを終了してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、各ゾーンがそれぞれ一定の所定予備加熱温
度、所定リフロー温度、所定冷却温度に全体的に加熱す
るように構成されているので、図２に示すように、回路
基板２４上の温度が最も上昇し難い部分の温度プロフア
イル３１と回路基板２４上の温度が最も上昇し易い部分
の温度プロフアイル３２との間に、リフローゾーンにお
いて４０°Ｃ〜７０°Ｃ程度の温度差が発生する。
【０００６】上記の温度差は、回路基板２４に載置され
た部品の大きさや熱容量の相違によるものであり、小さ
なチップ部品は大型パッケージＩＣよりも早く温度が上
昇する。従って、大型パッケージＩＣの温度を目標温度
まで上昇させると、小さなチップ部品は必要以上に加熱
され破損したり変形したり特性が劣化したりするという
問題点が発生する。逆に、小さなチップ部品の温度を必
要最低温度まで上昇させても、大型パッケージＩＣのリ
ード部分の温度は半田の融点に到達せずリード部と回路
基板のランドとの電気的接続が得られないオープン不良
が発生するという問題点が発生する。
【０００７】更に、リフロー時の保証条件が厳しい弱耐
熱部品についても下記の問題点がある。例えば、アルミ
電解コンデンサの場合、リフロー時のピーク温度は２３
０°Ｃ以下、２００°Ｃ以上の保持時間は３０秒以下等
の規制があるので、この保証条件を確保する必要があ
る。
【０００８】これに対して、従来例のリフロー半田付け
方法とその装置では、前記のように各ゾーンがそれぞれ
一定の所定予備加熱温度、所定リフロー温度、所定冷却
温度に全体的に加熱するように構成されているので、大
型パッケージＩＣとアルミ電解コンデンサとを回路基板
に載置してリフロー半田付けを行う場合、アルミ電解コ
ンデンサのリフロー時の保証条件を維持すると大型パッ
ケージＩＣのリード部分の温度が半田の融点に到達せず
リード部と回路基板のランドとの電気的接続が得られな
いオープン不良が発生するという問題点があり、大型パ
ッケージＩＣのリード部の温度を半田の融点まで上昇さ
せるとアルミ電解コンデンサのリフロー時の保証条件を
満足できず、リフロー後にアルミ電解コンデンサ内の気
体の膨張によるケースの膨れが発生し、或いは、アルミ
電解コンデンサ内の電解液が漏れだし、回路基板上のパ
ターンが腐食し断線するという問題点が発生するので、
大型パッケージＩＣとアルミ電解コンデンサとを同じ回
路基板上にリフロー半田付けするのが困難であるという
問題点がある。
【０００９】本発明は、上記の問題点を解決し、従来の
リフロー半田付け方法とその装置では処理できなかった
寸法や熱容量が大幅に異なる部品、耐熱性が劣る部品が
載置された回路基板を安定してリフロー半田付けできる
リフロー半田付け方法とその装置の提供を課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１発明は、上記の
課題を解決するために、回路基板にクリーム半田を印刷
しその上に部品を載置し、前記回路基板を予備加熱部内
を搬送して予備加熱し、リフロー部内を搬送してクリー
ム半田を融点以上に加熱してリフロー半田付けし、冷却
部内を搬送して冷却するリフロー半田付け方法におい
て、前記予備加熱部内を搬送する速度と、前記リフロー
部内を搬送する速度とを相違させることを特徴とする。
【００１１】本願第２発明は、上記の課題を解決するた
めに、クリーム半田を印刷しその上に部品を載置した回
路基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予備加熱さ
れた回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱してリフ
ロー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフロー半田
付けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記のリフロ
ー半田付けすべき回路基板を載置して前記予備加熱部の
入口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手段とを備
えたリフロー半田付け装置において、前記搬送手段を、
前記予備加熱部内で回路基板を搬送する第１の搬送部と
前記リフロー部及び前記冷却部内で回路基板を搬送する
第２の搬送部とに２分することを特徴とする。
【００１２】本願第１、第２発明は、上記により、耐熱
性が劣る部品の温度規制を確実に保証することができ
る。例えば、リフロー時のピーク温度は２３０°Ｃ以
下、２００°Ｃ以上の保持時間は３０秒以下というアル
ミ電解コンデンサの温度規制を確実に保証することがで
きる。この場合、前記アルミ電解コンデンサを載置した
回路基板を、速度の遅い第１の搬送部で２００°Ｃ以下
に制御した予備加熱部内を搬送し時間をかけて２００°
Ｃに近い温度にまで加熱し、速度の速い第２の搬送部で
アルミ電解コンデンサの天面温度を２３０°Ｃ以下に制
御したリフロー部内を３０秒以下で通過させれば良い。
これにより、従来のリフロー半田付け方法とその装置で
は保証が困難であったアルミ電解コンデンサのリフロー
半田付けの温度規制を常に保証することができる。
【００１３】本願第３発明は、上記の課題を解決するた
めに、回路基板にクリーム半田を印刷しその上に部品を
載置し、前記回路基板を予備加熱部内を搬送して予備加
熱し、リフロー部内を搬送してクリーム半田を融点以上
に加熱してリフロー半田付けし、冷却部内を搬送して冷
却するリフロー半田付け方法において、前記の予備加熱
部内とリフロー部内とで行う全体的な加熱に、前記の搬
送される回路基板の所定位置を選択的に加熱する部分加
熱を付加することを特徴とする。
【００１４】本願第４発明は、上記の課題を解決するた
めに、クリーム半田を印刷しその上に部品を載置した回
路基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予備加熱さ
れた回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱してリフ
ロー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフロー半田
付けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記のリフロ
ー半田付けすべき回路基板を載置して前記予備加熱部の
入口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手段とを備
えたリフロー半田付け装置において、予備加熱部内とリ
フロー部内とに、前記の搬送される回路基板の所定位置
を選択的に部分加熱する部分加熱手段を設けることを特
徴とする。
【００１５】本願第３、第４発明は、上記により、一つ
の回路基板に載置された寸法や熱容量が大幅に異なる部
品を、図３に示すように、温度差の小さい温度プロフア
イル４１′、４２で加熱することができる。この場合、
部分加熱手段によって、寸法や熱容量が大きな部品を選
択的に加熱すると、寸法や熱容量が小さな部品は全体的
な加熱手段により温度プロフアイル４２で加熱され、部
分加熱手段による選択的加熱を付加された寸法や熱容量
が大きな部品は、温度プロフアイル４１′で加熱され
る。これを、従来のリフロー半田付け方法とその装置に
おける寸法や熱容量が大きな部品の温度プロフアイル４
１と比較すると、従来技術における温度差Δｔ1 を本実
施の形態における温度差Δｔ2 に縮小することができ
る。
【００１６】本願第５発明は、上記課題を解決するため
に、クリーム半田を印刷しその上に部品を載置した回路
基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予備加熱され
た回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱してリフロ
ー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフロー半田付
けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記のリフロー
半田付けすべき回路基板を載置して前記予備加熱部の入
口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手段とを備え
たリフロー半田付け装置において、前記搬送手段を、前
記予備加熱部内で回路基板を搬送する第１の搬送部と前
記リフロー部及び前記冷却部内で回路基板を搬送する第
２の搬送部とに２分すると共に、予備加熱部内とリフロ
ー部内とに、前記の搬送される回転基板の所定位置を選
択的に部分加熱する部分加熱手段を設けることを特徴と
する。
【００１７】本願第５発明は、上記により、第２発明と
第４発明の長所を併せ有することになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のリフロー半田付け方法と
その装置の一実施の形態を図１〜図３に基づいて説明す
る。
【００１９】図１において、本実施の形態のリフロー半
田付け装置Ａでは、回路基板８の搬入側から搬出側に向
かって、第１、第２ゾーンに分けられた予備加熱部１、
リフロー部２、冷却ファン１８を備えた冷却部３が順次
配置されている。予備加熱部１とリフロー部２とは、赤
外線パネル４、４、４、４、４、４からの赤外線と、熱
風噴出手段５ａ、５ａ、５ａから吹き出される熱風５、
５、５と、予備加熱部１内を搬送される回路基板８を部
分的に選択して加熱する第１部分加熱手段６ａと、リフ
ロー部２内を搬送される回路基板８を部分的に選択して
加熱する第２部分加熱手段６ｂとによって加熱される。
７ａは予備加熱部１内で回路基板８を搬送する第１コン
ベア、７ｂはリフロー部２及び冷却部３内で回路基板８
を搬送する第２コンベアであり、第１、第２コンベア７
ａ、７ｂの速度は自由に設定することができ、等速度に
することも、何れか一方をより高速度にすることも、何
れか一方を一時停止することもできる。
【００２０】又、９ａは、前記第１部分加熱手段６ａ
を、第１コンベア７ａの幅方向に移動して位置決めし、
第１ゾーン内で第１コンベア７ａ上に載置されて搬送さ
れる回路基板８と同じ速度で移動させ、移動後に元の位
置に戻す第１移動機構である。
【００２１】９ｂは、前記第２部分加熱手段６ｂを、第
２コンベア７ｂの幅方向に移動して位置決めし、リフロ
ー部２内で第２コンベア７ｂ上に載置されて搬送される
回路基板８と同じ速度で移動させ、移動後に元の位置に
戻す第２移動機構である。そして、前記第１、第２部分
加熱手段６ａ、６ｂは、前記の赤外線パネル４と熱風噴
出手段５ａとによる雰囲気温度よりも高い温度の熱風を
吹き付ける機構や、赤外線ビーム、キセノンランプによ
る光ビーム等を発生する機構で構成する。又、前記第１
部分加熱手段６ａと前記第２部分加熱手段６ｂとは、使
用しない場合には加熱動作を行わずに停止させておく。
この場合、赤外線ビームによる加熱は色による吸収率の
相違により被加熱部品の加熱効果が相違しアルミ電解コ
ンデンサのように反射率が大きいものは温度上昇が低く
なる。キセノンランプによる白色の光ビームによる加熱
は色による温度上昇の差が少ない。
【００２２】第１、第２コンベア７ａ、７ｂを備える目
的の一つは、耐熱性が劣る部品のリフロー時の温度規制
を保証することである。例えば、リフロー時のピーク温
度は２３０°Ｃ以下、２００°Ｃ以上の保持時間は３０
秒以下というアルミ電解コンデンサの温度規制を保証す
ることである。この場合、前記アルミ電解コンデンサを
載置した回路基板を、速度の遅い第１コンベア７ａで２
００°Ｃ以下に制御した予備加熱部１内を搬送し時間を
かけて２００°Ｃに近い温度にまで加熱し、速度の速い
第２コンベア７ｂでアルミ電解コンデンサの天面温度を
２３０°Ｃ以下に制御したリフロー部２内を３０秒以下
で通過させれば良い。これにより、生産性の善し悪しは
別にして、従来のリフロー半田付け方法とその装置では
保証が困難であったアルミ電解コンデンサのリフロー半
田付けの温度規制を常に保証することができる。
【００２３】第１、第２部分加熱手段６ａ、６ｂを備え
る目的の一つは、一つの回路基板に載置された寸法や熱
容量が大幅に異なる部品を、図３に示すように、温度差
の小さい温度プロフアイル４１′、４２で加熱すること
である。この場合、第１、第２コンベア７ａ、７ｂの速
度とは無関係に、第１、第２部分加熱手段６ａ、６ｂに
よって、寸法や熱容量が大きな部品を選択的に加熱す
る。このようにすると、寸法や熱容量が小さな部品は温
度プロフアイル４２で加熱され、第１、第２部分加熱手
段６ａ、６ｂによる選択的部分加熱を付加された寸法や
熱容量が大きな部品は、温度プロフアイル４１′で加熱
される。これを、従来のリフロー半田付け方法とその装
置における寸法や熱容量が大きな部品の温度プロフアイ
ル４１と比較すると、従来技術における温度差Δｔ1 を
本実施の形態における温度差Δｔ2に縮小することがで
きる。
【００２４】以下に、回路基板８に載置される部品の各
種の組合せ例に対する本実施の形態のリフロー半田付け
方法を図１〜図３に基づいて説明する。
【００２５】第１例：熱容量と耐熱性とが略等しい部品
のみが回路基板８に載置されている場合においては、第
１、第２コンベア７ａ、７ｂの速度を等しく設定する。
第１部分加熱手段６ａと第２部分加熱手段６ｂとは加熱
動作を行わずに停止させておく。予備加熱部１は回路基
板８を２００°Ｃ以下の温度に加熱するように制御す
る。リフロー部２は回路基板８を２３０°Ｃ以下の半田
融点に加熱するように制御する。即ち、従来例と同じ動
作によってリフロー半田付けを行う。そして、この場合
には、回路基板８に載置されている部品の電極と回路基
板８のランドとが、予備加熱部１内において２００°Ｃ
以下の所定温度に加熱され、リフロー部２内において半
田の融点以上に加熱される。
【００２６】第２例：小型の部品と大型パッケージＩＣ
とが回路基板８に載置されている場合においては、第
１、第２コンベア７ａ、７ｂの速度を等しく設定する。
予備加熱部１は回路基板８の小型の部品を２００°Ｃ以
下の温度に加熱するように制御する。リフロー部２は回
路基板８の小型の部品を２３０°Ｃ以下の半田融点に加
熱するように制御する。第１部分加熱手段６ａと第２部
分加熱手段６ｂとに前記の大型パッケージＩＣを選択加
熱させる。このようにすると、図３に示すように、熱容
量の小さい小型の部品の電極が温度プロフアイル４２で
加熱され、熱容量の大きい大型パッケージＩＣのリード
と回路基板８のランドとが温度プロフアイル４１′で加
熱されるので、両者間の温度差が小さい状態で、小型の
部品と大型パッケージＩＣとの温度を、予備加熱部１内
において２００°Ｃ以下の所定温度に加熱し、リフロー
部２内において半田の融点以上に加熱することができ
る。
【００２７】第３例：小型の部品とアルミ電解コンデン
サとが回路基板８に載置されている場合においては、第
１コンベア７ａの速度を遅く設定し、第２コンベア７ｂ
の速度を載置している回路基板が３０秒以内にリフロー
部２を通過する速度に設定する。予備加熱部１は回路基
板８の小型の部品とアルミ電解コンデンサとを時間をか
けて２００°Ｃ以下の温度に加熱するように制御する。
リフロー部２は回路基板８の小型の部品とアルミ電解コ
ンデンサとをアルミ電解コンデンサの天面温度を２３０
°Ｃ以下に加熱するように制御する。このようにする
と、第１コンベア７ａの速度が遅いので回路基板上の小
型の部品とアルミ電解コンデンサとは予備加熱部１の２
００°Ｃに近い所定温度に加熱される。この温度範囲で
はアルミ電解コンデンサの温度規制外であるので長い時
間をかけて加熱しても支障はない。上記のように２００
°Ｃに近い所定温度に加熱された小型の部品とアルミ電
解コンデンサとは、アルミ電解コンデンサの天面温度を
２３０°Ｃ以下に加熱するように設定されたリフロー部
２内を３０秒以内で通過する際に充分に半田溶融温度に
到達する。即ち、アルミ電解コンデンサの温度規制を守
りながらリフロー半田付けを行うことができる。そし
て、アルミ電解コンデンサの場合には、赤外線を使用す
ると、アルミ電解コンデンサ本体はケースのアルミニウ
ムが赤外線を反射するので、アルミ電解コンデンサ本体
の温度上昇を低くすることができる。従って、アルミ電
解コンデンサがある場合には、赤外線による加熱比率を
熱風による加熱比率より大きくすることにより、アルミ
電解コンデンサ本体の温度上昇を押さえながら電極部を
温度上昇させることができる。
【００２８】第４例：小型の部品と大型パッケージＩＣ
とアルミ電解コンデンサとが回路基板８に載置されてい
る場合においては、第１コンベア７ａの速度を遅く設定
し、第２コンベア７ｂの速度を載置している回路基板が
３０秒以内にリフロー部２を通過する速度に設定する。
予備加熱部１は回路基板８の小型の部品とアルミ電解コ
ンデンサとを時間をかけて２００°Ｃ以下の温度に加熱
するように制御する。
【００２９】リフロー部２は回路基板８の小型の部品と
アルミ電解コンデンサとをアルミ電解コンデンサの天面
温度を２３０°Ｃ以下に加熱するように制御する。第
１、第２部分加熱手段６ａ、６ｂに前記大型パッケージ
ＩＣを選択的に部分加熱させる。このようにすると、予
備加熱部１内において、第１コンベア７ａの速度が遅い
ので回路基板上の小型の部品とアルミ電解コンデンサと
は予備加熱部１の２００°Ｃに近い所定温度に加熱さ
れ、同時に、熱容量が大きな大型パッケージＩＣも第１
部分加熱手段６ａに選択的に部分加熱されて予備加熱部
１の２００°Ｃに近い所定温度に加熱されるが、この温
度範囲はアルミ電解コンデンサの温度規制外であるので
必要時間をかけて加熱してもアルミ電解コンデンサに支
障はない。上記のようにして２００°Ｃに近い所定温度
に加熱された小型の部品とアルミ電解コンデンサとは、
アルミ電解コンデンサの天面温度を２３０°Ｃ以下に設
定されたリフロー部２内を３０秒以内で通過する際に充
分に半田溶融温度に到達し、同時に、２００°Ｃに近い
所定温度に加熱された熱容量の大きな大型パッケージＩ
Ｃも第２部分加熱手段６ｂの選択的部分加熱の付加によ
りアルミ電解コンデンサの天面温度を２３０°Ｃ以下に
設定されたリフロー部２内を３０秒以内で通過する際に
充分に半田溶融温度に到達する。
【００３０】第５例：従来技術では温度上昇不足でリフ
ロー半田付けできない特に大型で熱容量が大きな大型部
品が回路基板８に載置されている場合においては、第
１、第２コンベア７ａ、７ｂを一時停止して第１、第２
部分加熱手段６ａ、６ｂにより前記大型部品を選択的に
部分加熱する。このようにすると、生産性の善し悪しは
別にして、従来技術ではリフロー半田付け出来ない大型
部品のリフロー半田付けが可能になる。
【００３１】
【発明の効果】本発明のリフロー半田付け方法とその装
置は、回路基板や回路基板上に載置された部品の温度が
上昇し難い部分を、雰囲気温度よりも高い温度の熱風や
赤外線ビームや光ビームによって選択的に加熱すること
と、回路基板を搬送する搬送手段を予備加熱部とリフロ
ー部とに２分しているので、回路基板上に載置した熱容
量の小さい部品、熱容量の大きな大型パッケージＩＣ、
耐熱性が劣るアルミ電解コンデンサ等を、各部品の温度
規制の範囲内で小さな温度差で安定して半田溶融温度以
上に加熱することができ、又、従来技術ではリフロー半
田付けできなかった部品のリフロー半田付けを可能にす
るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリフロー半田付け方法を使用するリフ
ロー半田付け装置の一実施の形態の構成を示す側面図で
ある。
【図２】従来例のリフロー半田付け方法による温度プロ
フアイルを示す図である。
【図３】本発明のリフロー半田付け方法による温度プロ
フアイルを示す図である。
【図４】従来例のリフロー半田付け方法を使用するリフ
ロー半田付け装置の構成を示す側面図である。
【符号の説明】
Ａ 本発明のリフロー半田付け装置 １ 予備加熱部 ２ リフロー部 ３ 冷却部 ４ 赤外線パネル ５ 熱風 ５ａ 熱風噴出手段 ６ａ 第１部分加熱手段 ６ｂ 第２部分加熱手段 ７ａ 第１コンベア ７ｂ 第２コンベア ８ 回路基板 ９ａ 第１移動機構 ９ｂ 第２移動機構

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板にクリーム半田を印刷しその上
    に部品を載置し、前記回路基板を予備加熱部内を搬送し
    て予備加熱し、リフロー部内を搬送してクリーム半田を
    融点以上に加熱してリフロー半田付けし、冷却部内を搬
    送して冷却するリフロー半田付け方法において、前記予
    備加熱部内を搬送する速度と、前記リフロー部内を搬送
    する速度とを相違させることを特徴とするリフロー半田
    付け方法。
  2. 【請求項２】 クリーム半田を印刷しその上に部品を載
    置した回路基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予
    備加熱された回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱
    してリフロー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフ
    ロー半田付けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記
    のリフロー半田付けすべき回路基板を載置して前記予備
    加熱部の入口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手
    段とを備えたリフロー半田付け装置において、前記搬送
    手段を、前記予備加熱部内で回路基板を搬送する第１の
    搬送部と前記リフロー部及び前記冷却部内で回路基板を
    搬送する第２の搬送部とに２分することを特徴とするリ
    フロー半田付け装置。
  3. 【請求項３】 回路基板にクリーム半田を印刷しその上
    に部品を載置し、前記回路基板を予備加熱部内を搬送し
    て予備加熱し、リフロー部内を搬送してクリーム半田を
    融点以上に加熱してリフロー半田付けし、冷却部内を搬
    送して冷却するリフロー半田付け方法において、前記の
    予備加熱部内とリフロー部内とで行う全体的な加熱に、
    前記の搬送される回路基板の所定位置を選択的に加熱す
    る部分加熱を付加することを特徴とするリフロー半田付
    け方法。
  4. 【請求項４】 クリーム半田を印刷しその上に部品を載
    置した回路基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予
    備加熱された回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱
    してリフロー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフ
    ロー半田付けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記
    のリフロー半田付けすべき回路基板を載置して前記予備
    加熱部の入口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手
    段とを備えたリフロー半田付け装置において、予備加熱
    部内とリフロー部内とに、前記の搬送される回路基板の
    所定位置を選択的に部分加熱する部分加熱手段を設ける
    ことを特徴とするリフロー半田付け装置。
  5. 【請求項５】 クリーム半田を印刷しその上に部品を載
    置した回路基板を予備加熱する予備加熱部と、前記の予
    備加熱された回路基板のクリーム半田を融点以上に加熱
    してリフロー半田付けを行うリフロー部と、前記のリフ
    ロー半田付けされた回路基板を冷却する冷却部と、前記
    のリフロー半田付けすべき回路基板を載置して前記予備
    加熱部の入口から前記冷却部の出口まで搬送する搬送手
    段とを備えたリフロー半田付け装置において、前記搬送
    手段を、前記予備加熱部内で回路基板を搬送する第１の
    搬送部と前記リフロー部及び前記冷却部内で回路基板を
    搬送する第２の搬送部とに２分すると共に、予備加熱部
    内とリフロー部内とに、前記の搬送される回転基板の所
    定位置を選択的に部分加熱する部分加熱手段を設けるこ
    とを特徴とするリフロー半田付け装置。
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